芯片裝置和用于形成芯片裝置的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及芯片裝置和用于形成芯片裝置的方法。提供了一種芯片裝置，該芯片裝置包括：載體；包括至少一個(gè)接觸焊盤的至少一個(gè)芯片，其設(shè)置在載體上；密封材料，其至少部分地圍繞所述至少一個(gè)芯片和所述載體；以及至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片，其設(shè)置在所述載體的側(cè)面上。
【專利說明】芯片裝置和用于形成芯片裝置的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]各種實(shí)施例一般地涉及芯片裝置和用于形成芯片裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1A示出了基于模制的熱沉隔離的圖示。例如晶體管外形TO芯片封裝的芯片封裝可包括背面隔離，例如如108所指示的形成于引線框架102的背面上的密封材料。具有典型厚度的背面隔離可導(dǎo)致比沒有背面隔離的TO芯片封裝更壞的熱耗散性能。圖1B示出了具有不同背面隔離厚度的芯片封裝的針對(duì)芯片面積121 (mm2)的熱電阻119 (K/W):無背面隔離111 ;約500 μ m厚的背面隔離113 ;約600 μ m厚的背面隔離115 ;以及約800 μ m厚的背面隔離117。例如，如113所示的正常地約500 μ m的背面隔離的典型密封厚度遭受比例如如111所示的沒有背面隔離的芯片封裝大得多的熱阻，并且因此顯示出比沒有背面隔離更差的熱耗散。
[0003]低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)可將HTCC (高溫共燒陶瓷)與傳統(tǒng)上可能已在常規(guī)印刷電路板(PCB)技術(shù)中使用的厚膜技術(shù)的益處相組合?？蓪⒌蜏毓矡沾捎糜诙嗥?多層電路裝置?？梢允褂脝螌踊蚨鄬覮TCC片材來生產(chǎn)諸如電容器、電阻器和電感器的部件，例如通過印刷，例如通過絲網(wǎng)印刷和/或光化學(xué)工藝。LTCC片材可適合于壓印電阻器和/或其他電子部件。例如，利用絲網(wǎng)印刷工藝，可在LTCC表面上印刷導(dǎo)電膏，其產(chǎn)生電路所必需的電阻器和/或電子部件。此類電子部件可不同于所有其額定值(±25%)，并且因此可能是過大的印刷品。通過利用激光修整和使用不同的切割樣式，可對(duì)電阻器和/或電子部件進(jìn)行修整直至它們達(dá)到它們的精確電阻值(土 1%)。LTCC片材也可用在微流體領(lǐng)域中，其中，作為玻璃襯底的替代，可構(gòu)造三維結(jié)構(gòu)。
[0004]LTCC片材與氧化鋁(厚膜技術(shù))相比可具有相對(duì)差的熱傳導(dǎo)性，并且因此常常與熱過孔一起使用。LTCC片材可用在諸如高頻無線、衛(wèi)星、微波系統(tǒng)以及醫(yī)療技術(shù)和汽車行業(yè)(轉(zhuǎn)向)的應(yīng)用中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]各種實(shí)施例提供了一種芯片裝置，包括:載體；包括至少一個(gè)接觸焊盤的至少一個(gè)芯片，其設(shè)置于載體上；密封材料，其至少部分地圍繞所述至少一個(gè)芯片和所述載體；以及至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片，其設(shè)置于載體的側(cè)面上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]在附圖中，相同的附圖標(biāo)記貫穿不同的視圖一般地指代相同的部分。附圖不一定是按比例的，而是一般地著重于圖示本發(fā)明的原理。在以下描述中，參考以下各圖來描述發(fā)明的各種實(shí)施例，在所述圖中:
圖1A和IB示出了多芯片封裝；
圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片裝置； 圖3A-3D示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片裝置；
圖4示出了根據(jù)實(shí)施例的用于形成芯片裝置的方法。
【具體實(shí)施方式】
[0007]以下詳細(xì)描述參考以圖示的方式示出特定細(xì)節(jié)和其中可實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例的附圖。
[0008]詞語“示例性”在本文中用來意指“充當(dāng)示例、實(shí)例或圖示”。不一定要將在本文中被描述為“示例性”的任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)理解為相對(duì)于其他實(shí)施例或設(shè)計(jì)是優(yōu)選的或有利的。
[0009]關(guān)于在側(cè)面或表面“之上”形成的沉積材料所使用的詞語“之上”在本文中可用來意指可“直接在”暗示的側(cè)面或表面“上”(例如與之直接接觸)形成該沉積材料。關(guān)于在側(cè)面或表面“之上”形成的沉積材料所使用的詞語“之上”在本文中可用來意指可“間接地在”暗示的側(cè)面或表面“上”形成該沉積材料，其中在暗示的側(cè)面或表面與該沉積材料之間布置有一個(gè)或多個(gè)附加層。
[0010]圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片裝置210。
[0011]芯片裝置210可包括:載體202 ;例如半導(dǎo)體管芯的至少一個(gè)芯片204，其包括至少一個(gè)接觸焊盤206，被設(shè)置于載體202上；密封材料208，其至少部分地圍繞至少一個(gè)芯片204和載體202 ;以及至少一個(gè)低溫共燒陶瓷(LTCC)片212，其設(shè)置于載體202的側(cè)面上。
[0012]圖3A示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片裝置310。
[0013]芯片裝置310可包括:載體202。載體202可包括引線框架的至少一部分。載體202可包括引線框架材料，該引線框架材料包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、鎳、鐵、銅合金、鎳合金、鐵合金?？蓪⑤d體202構(gòu)造成保持或承載芯片且可包括例如散熱器。載體202可包括范圍從約0.5 mm至約3 mm (例如約Imm至約2mm)的厚度。
[0014]可在載體202上設(shè)置包括至少一個(gè)接觸焊盤206的至少一個(gè)芯片204。至少一個(gè)芯片204可包括功率半導(dǎo)體芯片、半導(dǎo)體邏輯芯片和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的至少一個(gè)。
[0015]芯片裝置210可包括例如可包括半導(dǎo)體邏輯芯片的第一芯片204A，其中，該半導(dǎo)體邏輯芯片可包括來自包括以下各項(xiàng)的組的至少一個(gè)半導(dǎo)體邏輯器件:專用集成電路芯片、驅(qū)動(dòng)器、控制器、傳感器。
[0016]芯片裝置210可包括例如第二芯片204B，其可包括功率半導(dǎo)體芯片，其中，該功率半導(dǎo)體芯片可包括來自包括以下各項(xiàng)的組的至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件:功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、閘流晶體管、MOS受控閘流晶體管、硅控整流器、肖特基功率二極管、碳化硅二極管、氮化鎵器件。
[0017]至少一個(gè)芯片204可包括多個(gè)芯片，例如一個(gè)或兩個(gè)或更多芯片，例如芯片204A、204B?？衫缃?jīng)由粘合劑、例如經(jīng)由焊料材料將至少一個(gè)芯片204粘附于載體202。例如，可將可能要求導(dǎo)電背面的至少一個(gè)芯片、例如芯片204B經(jīng)由其背面、例如經(jīng)由導(dǎo)電介質(zhì)314(例如導(dǎo)電粘合劑和/或?qū)щ姾噶喜牧?電連接到載體202。
[0018]可將密封材料208設(shè)置于至少一個(gè)芯片204上，其中，密封材料208可至少部分地圍繞至少一個(gè)芯片204和載體202。密封材料208可包括來自下組材料的至少一種，該組包括:填充的或未填充的環(huán)氧樹脂、預(yù)先浸潰復(fù)合纖維、加強(qiáng)纖維、層壓材料、模制材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強(qiáng)層壓材料、纖維加強(qiáng)聚合物層壓材料、具有填料顆粒的纖維加強(qiáng)聚合物層壓材料。
[0019]可在至少一個(gè)芯片204上和在至少一個(gè)芯片的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁316上形成密封材料208。此外，可在至少一個(gè)芯片204上和載體202的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁318上形成密封材料208?？蓪⒅辽僖粋€(gè)導(dǎo)線322電連接到至少一個(gè)接觸焊盤206，并且密封材料208可至少部分地圍繞至少一個(gè)導(dǎo)線322。還可例如通過引線接合將至少一個(gè)導(dǎo)線322電連接到引線框架 324。
[0020]密封材料208可具有范圍從約10 Mm至約300 Mm的厚度tM，例如約20 Mm至約200 Mm,例如約 30 Mm 至約 100 Mm。
[0021]在至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212在載體202的側(cè)面上、例如在載體底側(cè)326上的沉積之前，載體202的可將至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212設(shè)置到其上的側(cè)面可經(jīng)受粗化工藝，以改善至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212到載體的所述側(cè)面、即載體底側(cè)326的粘附。
[0022]可在載體202的側(cè)面上設(shè)置至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片(LTCC) 212。此外，至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212可物理接觸密封材料208。每個(gè)陶瓷片可包括范圍從約0.01 mm至約10 mm的厚度，例如約0.1 mm至約5 mm,例如約0.1mm至約I mm。
[0023]可在載體底側(cè)326上設(shè)置至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212，載體底側(cè)326與可將芯片204設(shè)置在其上的側(cè)面328相對(duì)。至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212可包括一個(gè)或多個(gè)低溫共燒陶瓷片，例如單片或多片。在圖3D中示出了多片裝置。還可在密封材料208的至少一偵U、例如332、例如334上設(shè)置至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212，其中，密封材料208的至少一偵U、例如332、例如334可基本上鄰近于載體底側(cè)326。密封材料208的至少一側(cè)、例如332、例如334可基本上與載體底側(cè)326齊平且可鄰接載體底側(cè)326。密封材料208的至少一側(cè)、例如332、例如334可位于基本上平行于載體底側(cè)326處。密封材料208的至少一側(cè)、例如332、例如334可位于與載體底側(cè)326基本上齊平的平面上。因此，可在單個(gè)沉積過程中將至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212沉積在載體底側(cè)326上并且直接沉積到密封材料208的至少一側(cè)、例如332、例如334上。
[0024]在載體202的側(cè)面上沉積至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212可包括在載體202上的期望位置上布置一個(gè)或多個(gè)有機(jī)陶瓷帶和/或片和/或箔。該有機(jī)陶瓷帶和/或片可包括例如陶瓷顆粒、玻璃和金屬和/或其他有機(jī)材料。
[0025]可將所述一個(gè)或多個(gè)有機(jī)陶瓷帶和/或片布置在載體上，并且還可布置多個(gè)帶和/或片，例如在必要時(shí)將它們堆疊和/或?qū)訅涸谝黄稹訅嚎墒褂脽岷蛪毫に噥磉M(jìn)行，例如可堆疊(例如在模制中)、層壓LTCC片212，并在范圍從約10 N/mm2至30 N/mm2的壓力下將其加熱至約70°C至約80°C的范圍。層壓之后切割至最終尺寸。然后，可將LTCC片的堆疊布置結(jié)構(gòu)化(例如切割)至要求的尺寸。
[0026]隨后可執(zhí)行燒制和/或共燒，其中，可對(duì)所述一個(gè)或多個(gè)有機(jī)陶瓷帶和/或片進(jìn)行共燒。該共燒工藝可包括將所述一個(gè)或多個(gè)有機(jī)陶瓷帶和/或片和載體202加熱至高達(dá)一溫度，使得陶瓷顆粒、金屬和玻璃可被燒結(jié)在一起?？墒褂帽挥糜谥圃霯TCC片的燒結(jié)工藝，例如，共燒可利用現(xiàn)有厚膜印刷技術(shù)?？蔀樘沾傻慕M成成分提供塑料和溶劑以允許壓力和溫度工藝下的層壓。通過共燒，可燒掉有機(jī)物。取決于燒結(jié)陶瓷顆粒和玻璃所需的溫度，燒制溫度可在從約800°C至約875°C的范圍內(nèi)。可調(diào)整共燒剖面。例如，約350°C下的達(dá)約一小時(shí)的共燒可導(dǎo)致有機(jī)物的高達(dá)85%被燒掉。則可以例如在正常厚膜烘箱中使用可在850°C至900°C下灼燒LTCC的燒結(jié)剖面來執(zhí)行共燒。LTCC片212可經(jīng)歷由于共燒而引起的收縮。例如經(jīng)由激光結(jié)構(gòu)化(例如鉆孔、沖孔)來形成孔和/或過孔也可以是可能的，并且可通過LTCC片212和在所述孔和/或過孔中形成導(dǎo)電跡線和/或互連?？稍谶^孔中形成用于互連的膏，并且在干燥之后，可印刷導(dǎo)體軌跡?；ミB例如包括銀、金、鈀膏，可與陶瓷層的維度的收縮率匹配。必要時(shí)可對(duì)LTCC片布置212的最外層進(jìn)行后燒制以確保用于片材的自動(dòng)化組裝的裝配的極限準(zhǔn)確度。此外，可在干燥之后在LTCC片材布置上執(zhí)行例如通過印刷的導(dǎo)電材料的沉積。可理解的是，如果準(zhǔn)確地重復(fù)干燥爐中的溫度曲線，則在共燒期間LTCC的收縮在約1%的公差的情況下可能是可再現(xiàn)的。軌跡的電性質(zhì)可對(duì)應(yīng)于正常厚膜導(dǎo)體。
[0027]至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212可包括被燒結(jié)在一起的陶瓷顆粒和玻璃顆粒，其中，可將至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212燒結(jié)到載體202的側(cè)面326上，和/或接合到載體202的側(cè)面326。玻璃可包括招硼娃酸鹽(alumoborosilicate)玻璃。陶瓷顆粒包括氧化鋁。金屬可包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、銀、鈀、金、鉬。
[0028]根據(jù)各種其他實(shí)施例，可在共燒工藝之前可選地將LTCC片212、例如多片預(yù)先燒結(jié)在一起。在堆疊布置中的每層之間可存在可辨識(shí)的邊界(參見圖3D)。根據(jù)各種實(shí)施例，作為使用低溫共燒陶瓷片的替代，可替代地使用高溫共燒陶瓷(HTCC)片。
[0029]芯片裝置310還可包括設(shè)置于至少一個(gè)芯片204、例如第一芯片204A與載體202之間的至少一個(gè)另外的低溫共燒陶瓷片336。另外的低溫共燒陶瓷片336可類似于低溫共燒陶瓷片212，并且可以與如何可例如使用共燒將低溫共燒陶瓷片212設(shè)置于載體上類似地被設(shè)置于載體202、例如載體202的側(cè)面328上。另外的低溫共燒陶瓷片336可至少部分地或完全被密封材料208圍繞。另外的低溫共燒陶瓷片336可充當(dāng)芯片204、例如第一芯片204A與載體202之間的電絕緣介質(zhì)?？蓪⒘硗獾牡蜏毓矡沾善?36的共燒可選地與低溫共燒陶瓷片212的共燒放在一起。
[0030]根據(jù)其他實(shí)施例，另外的低溫共燒陶瓷片336可以與另外的導(dǎo)電層338相組合地被使用作為如圖3B中所示的多芯片模塊的再分配層。
[0031]如圖3B中所示，可將芯片裝置310修改成芯片裝置320、330，其中，芯片裝置320、330可包括處于半橋電路布置中的至少一個(gè)芯片204。芯片裝置320、330可包括被布置在半橋電路布置中的第一功率芯片204B1和第二功率芯片204B2。
[0032]可在至少一個(gè)芯片204、例如第一功率芯片204B1與載體202之間形成、即設(shè)置另外的低溫共燒陶瓷片336?？稍诹硗獾牡蜏毓矡沾善?36上設(shè)置另外的導(dǎo)電層338，例如金屬層，例如銅層。可將另外的導(dǎo)電層338電連接到形成于第一功率芯片背面處的第一功率芯片204B1的漏極觸點(diǎn)206B1D?？稍诘谝还β市酒嫣幮纬傻谝还β市酒?04B1的源極觸點(diǎn)206B1S，并可例如將其連接至地。第一功率芯片204B1可由于形成于第一功率芯片204B1與載體202之間的另外的低溫共燒陶瓷片336的電絕緣性質(zhì)而與載體202電絕緣。可例如經(jīng)由導(dǎo)線和另外的導(dǎo)電層338將漏極觸點(diǎn)206B1D電連接至用于第二功率芯片204B2的源極觸點(diǎn)206B2S，源極觸點(diǎn)206B2S可形成于芯片204B2的正面上。第二功率芯片204B2可經(jīng)由其背面觸點(diǎn)206B2D被電連接至載體202，載體202可連接至對(duì)電路進(jìn)行供電所需的電壓，例如220V。
[0033]至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212可包括與密封材料208不同的材料，并且其可以是銅載體、例如載體202的高達(dá)10倍貴。然而，至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212可包括與密封材料208相比具有更低的熱阻(例如與密封材料208中的I至2W/mk相比的10至20 ff/mK)的材料。結(jié)果，與可顯示出不良熱耗散性質(zhì)的形成于芯片封裝背面上的常用模制化合物隔離材料(例如類似于密封材料208)相比，可以以至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212的形式使用較薄的芯片封裝背面隔離材料。此外，至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212可穩(wěn)定至高達(dá)約300°C至約400°C的溫度，不同于具有高達(dá)約100°C至約200°C的穩(wěn)定性的傳統(tǒng)模制化合物。
[0034]可理解的是，芯片裝置310可包括芯片封裝，例如電隔離芯片封裝。芯片裝置310可包括例如標(biāo)準(zhǔn)外殼，例如T0-220，例如T0-247，其可包括設(shè)置于載體202、例如銅引線框架上的芯片204?？稍谛酒庋b中包括至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212，其中，可用載體202來涂敷至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212和/或與其一起燒結(jié)。
[0035]芯片裝置310還可經(jīng)歷分離過程以便完成芯片封裝，其中，如果需要的話，可執(zhí)行通過密封材料208、載體202和至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212中的至少一個(gè)的分割。
[0036]圖3C示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片裝置340。根據(jù)各種實(shí)施例，芯片裝置310、320、330可包括設(shè)置于載體202上的至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212。到目前為止，已將LTCC片212示為是單個(gè)連續(xù)片材。在芯片裝置340中，如所示的LTCC片212可包括設(shè)置于載體202和/或密封材料208上的一個(gè)或多個(gè)不連續(xù)的低溫共燒陶瓷片212A、212B、212C?？稍谳d體202和/或密封材料208的一部分上設(shè)置所述一個(gè)或多個(gè)低溫共燒陶瓷片212A、212B、212C中的每一個(gè)?？墒顾鲆粋€(gè)或多個(gè)低溫共燒陶瓷片212A、212B、212C中的每一個(gè)相互分離一定間隙。替換地，可將所述一個(gè)或多個(gè)低溫共燒陶瓷片212A、212B、212C中的每一個(gè)布置為基本上相互鄰近。
[0037]圖3D示出了根據(jù)實(shí)施例的芯片裝置350，其中，芯片裝置350可包括設(shè)置于載體202上的至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212，其中，至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片212可包括多片堆疊布置。根據(jù)各種實(shí)施例，可在共燒工藝之前可選地將LTCC片212 (例如多片)預(yù)先燒結(jié)在一起，或者可在共燒工藝期間將其燒結(jié)在一起以便將LTCC片接合到載體202。
[0038]芯片裝置350示出了多LTCC片堆疊布置212，其可包括第一 LTCC片212A1和第二 LTCC片212B1。可在片212A1、212B1之間形成至少一個(gè)界面層，例如界面212A2。例如，由于加熱和冷卻，可將第一 LTCC片212A1冷卻，從而可在其表面上形成界面層、例如界面212A2。對(duì)可在第一 LTCC片212A1上形成的第二 LTCC片212B1的隨后的加熱和冷卻可導(dǎo)致另一界面層，例如形成于第二 LTCC片212B1的表面上的界面212B2。
[0039]根據(jù)其他實(shí)施例，多LTCC片堆疊布置212可包括設(shè)置于第一 LTCC片212A1與第二 LTCC片212B1之間的至少一個(gè)金屬化層和/或片(未不出)。隨后的燒結(jié)、例如共燒可導(dǎo)致所述LTCC片之間、例如第一 LTCC片212A1與第二 LTCC片212B之間的所述至少一個(gè)金屬化層和/或片的燒結(jié)以及堆疊布置212到載體202的燒結(jié)。
[0040]圖4示出了根據(jù)實(shí)施例的用于形成芯片裝置的方法400。
[0041]方法400可包括:
在載體上設(shè)置包括至少一個(gè)接觸焊盤的至少一個(gè)芯片(在410中)；
用密封材料至少部分地圍繞所述至少一個(gè)芯片和所述載體(在420中)；以及 在載體的側(cè)面上設(shè)置至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片(在430中)。
[0042]各種實(shí)施例提供了一種芯片裝置，包括:載體；包括至少一個(gè)接觸焊盤的至少一個(gè)芯片，其設(shè)置于所述載體上；密封材料，其至少部分地圍繞所述至少一個(gè)芯片和所述載體；以及至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片，其設(shè)置于所述載體的側(cè)面上。
[0043]根據(jù)實(shí)施例，所述載體包括引線框架材料，該引線框架材料包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、鎳、鐵、銅合金、鎳合金、鐵合金。
[0044]根據(jù)實(shí)施例，所述至少一個(gè)芯片包括功率半導(dǎo)體芯片、半導(dǎo)體邏輯芯片和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的至少一個(gè)。
[0045]根據(jù)實(shí)施例，所述功率半導(dǎo)體芯片包括來自包括以下各項(xiàng)的組的至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件:功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、閘流晶體管、MOS受控閘流晶體管、硅控整流器、肖特基功率二極管、碳化硅二極管、氮化鎵器件。
[0046]根據(jù)實(shí)施例，所述半導(dǎo)體邏輯芯片包括來自包括以下各項(xiàng)的組的至少一個(gè)半導(dǎo)體邏輯器件:專用集成電路芯片、驅(qū)動(dòng)器、控制器、傳感器。
[0047]根據(jù)實(shí)施例，所述密封材料包括來自下組材料的至少一種，該組包括:填充的或未填充的環(huán)氧樹脂、預(yù)先浸潰復(fù)合纖維、加強(qiáng)纖維、層壓材料、模制材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強(qiáng)層壓材料、纖維加強(qiáng)聚合物層壓材料、具有填料顆粒的纖維加強(qiáng)聚合物層壓材料。
[0048]根據(jù)實(shí)施例，所述密封材料形成于所述至少一個(gè)芯片上和所述至少一個(gè)芯片的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁上。
[0049]根據(jù)實(shí)施例，所述密封材料形成于所述至少一個(gè)芯片上和所述載體的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁上。
[0050]根據(jù)實(shí)施例，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片設(shè)置于載體底側(cè)上，該載體底側(cè)與芯片被設(shè)置在其上的側(cè)面相對(duì)。
[0051]根據(jù)實(shí)施例，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片包括一個(gè)或多個(gè)低溫共燒陶瓷片。
[0052]根據(jù)實(shí)施例，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片被設(shè)置于載體的側(cè)面上，并且其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片物理地接觸所述密封材料。
[0053]根據(jù)實(shí)施例，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片被設(shè)置在載體底側(cè)上以及在所述密封材料的至少一側(cè)上，該載體底側(cè)與所述芯片被設(shè)置在其上的側(cè)面相對(duì)，其中，所述密封材料的所述至少一側(cè)基本上鄰近于所述載體底側(cè)。
[0054]根據(jù)實(shí)施例，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片被設(shè)置在載體底側(cè)上以及在所述密封材料的至少一側(cè)上，該載體底側(cè)與所述芯片被設(shè)置在其上的側(cè)面相對(duì)，其中，所述密封材料的所述至少一側(cè)基本上與所述載體底側(cè)齊平并鄰接所述載體底側(cè)。
[0055]根據(jù)實(shí)施例，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片包括陶瓷顆粒、玻璃和金屬。
[0056]根據(jù)實(shí)施例，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片包括燒結(jié)在一起的陶瓷顆粒和玻璃顆粒，其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片被燒結(jié)到所述載體的所述側(cè)面。
[0057]根據(jù)實(shí)施例，所述玻璃包括鋁硼硅酸鹽玻璃。
[0058]根據(jù)實(shí)施例，所述陶瓷顆粒包括氧化鋁。
[0059]根據(jù)實(shí)施例，所述金屬包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、銀、鈀、金、鉬。
[0060]根據(jù)實(shí)施例，所述芯片裝置還包括設(shè)置在所述至少一個(gè)芯片與所述載體之間的至少一個(gè)另外的低溫共燒陶瓷片。
[0061]根據(jù)實(shí)施例，所述芯片裝置還包括被電連接到至少一個(gè)接觸焊盤的至少一個(gè)導(dǎo)線，其中，所述密封材料至少部分地圍繞所述至少一個(gè)導(dǎo)線，并且其中，所述至少一個(gè)導(dǎo)線被電連接到引線框架。
[0062]各種實(shí)施例提供了一種用于形成芯片裝置的方法，該方法包括:在載體上設(shè)置包括至少一個(gè)接觸焊盤的至少一個(gè)芯片；用密封材料至少部分地圍繞所述至少一個(gè)片和所述載體；以及在載體的側(cè)面上設(shè)置至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片。
[0063]根據(jù)實(shí)施例，在載體的側(cè)面上設(shè)置至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片包括在載體的側(cè)面上布置所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片并將所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片加熱，其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片被燒結(jié)到所述載體。
[0064]根據(jù)實(shí)施例，在載體的側(cè)面上設(shè)置至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片包括在載體的側(cè)面上布置包括嵌入玻璃中的陶瓷顆粒的所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片，并將所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片加熱，其中，所述陶瓷和玻璃顆粒被燒結(jié)在一起。
[0065]雖然已經(jīng)參考特定實(shí)施例特別地示出并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解的是，在不脫離由所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)方面的各種修改。因此由所附權(quán)利要求來指示本發(fā)明的范圍，并且因此意圖涵蓋落在權(quán)利要求的等價(jià)體的意義和范圍內(nèi)的所有改變。
【權(quán)利要求】
1.一種芯片裝置，包括: 載體； 包括至少一個(gè)接觸焊盤的至少一個(gè)芯片，其設(shè)置于所述載體上； 密封材料，其至少部分地圍繞所述至少一個(gè)芯片和所述載體；以及 至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片，其設(shè)置于所述載體的側(cè)面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述載體包括引線框架材料，該引線框架材料包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、鎳、鐵、銅合金、鎳合金、鐵合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述至少一個(gè)芯片包 括功率半導(dǎo)體芯片、半導(dǎo)體邏輯芯片和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的至少一個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片裝置， 其中，所述功率半導(dǎo)體芯片包括來自包括以下各項(xiàng)的組的至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件:功率晶體管、功率MOS晶體管、功率雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管、閘流晶體管、MOS受控閘流晶體管、硅控整流器、肖特基功率二極管、碳化硅二極管、氮化鎵器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片裝置， 其中，所述半導(dǎo)體邏輯芯片包括來自包括以下各項(xiàng)的組的至少一個(gè)半導(dǎo)體邏輯器件:專用集成電路芯片、驅(qū)動(dòng)器、控制器、傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述密封材料包括來自下組材料的至少一種，該組包括:填充的或未填充的環(huán)氧樹脂、預(yù)先浸潰復(fù)合纖維、加強(qiáng)纖維、層壓材料、模制材料、熱固材料、熱塑性材料、填料顆粒、纖維加強(qiáng)層壓材料、纖維加強(qiáng)聚合物層壓材料、具有填料顆粒的纖維加強(qiáng)聚合物層壓材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述密封材料形成于所述至少一個(gè)芯片上和所述至少一個(gè)芯片的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述密封材料形成于所述至少一個(gè)芯片上和所述載體的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片設(shè)置于載體底側(cè)上，該載體底側(cè)與芯片被設(shè)置在其上的側(cè)面相對(duì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片包括一個(gè)或多個(gè)低溫共燒陶瓷片。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片被設(shè)置于載體的側(cè)面上，并且其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片物理地接觸所述密封材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片被設(shè)置在載體底側(cè)上以及在所述密封材料的至少一側(cè)上，該載體底側(cè)與所述芯片被設(shè)置在其上的側(cè)面相對(duì)，其中，所述密封材料的所述至少一側(cè)基本上鄰近于所述載體底側(cè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片被設(shè)置在載體底側(cè)上以及在所述密封材料的至少一側(cè)上，該載體底側(cè)與所述芯片被設(shè)置在其上的側(cè)面相對(duì)，其中，所述密封材料的所述至少一側(cè)基本上與所述載體底側(cè)齊平并鄰接所述載體底側(cè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置， 其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片包括陶瓷顆粒、玻璃和金屬。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片裝置， 其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片包括燒結(jié)在一起的陶瓷顆粒和玻璃顆粒，其中，所述至少一個(gè) 低溫共燒陶瓷片被燒結(jié)到所述載體的所述側(cè)面。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片裝置， 其中，所述玻璃包括鋁硼硅酸鹽玻璃。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片裝置， 其中，所述陶瓷顆粒包括氧化鋁。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片裝置， 其中，所述金屬包括來自以下材料組的至少一種，該材料組包括:銅、銀、鈀、金、鉬。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，還包括 至少一個(gè)另外的低溫共燒陶瓷片，其設(shè)置在所述至少一個(gè)芯片與所述載體之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片裝置，還包括 至少一個(gè)導(dǎo)線，其電連接到所述至少一個(gè)接觸焊盤，其中，所述密封材料至少部分地圍繞所述至少一個(gè)導(dǎo)線，并且其中，所述至少一個(gè)導(dǎo)線被電連接到引線框架。
21.一種用于形成芯片裝置的方法，該方法包括: 在載體上設(shè)置包括至少一個(gè)接觸焊盤的至少一個(gè)芯片； 用密封材料至少部分地圍繞所述至少一個(gè)片和所述載體；以及 在載體的側(cè)面上設(shè)置至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中 在載體的側(cè)面上設(shè)置至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片包括 在載體的側(cè)面上布置所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片并將所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片加熱，其中，所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片被燒結(jié)到所述載體。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中 在載體的側(cè)面上設(shè)置至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片包括 在載體的側(cè)面上布置包括嵌入玻璃中的陶瓷顆粒的所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片，并將所述至少一個(gè)低溫共燒陶瓷片加熱，其中，所述陶瓷和玻璃顆粒被燒結(jié)在一起。
【文檔編號(hào)】H01L23/64GK103928445SQ201410019452
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年1月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月16日
【發(fā)明者】R.奧特倫巴, M.賽布特 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司