閃存器件的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存器件的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]閃存以其便捷、存儲密度高、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)成為非揮發(fā)性存儲器中研究的熱點(diǎn)。從二十世紀(jì)八十年代第一個閃存產(chǎn)品問世以來，隨著技術(shù)的發(fā)展和各類電子產(chǎn)品對存儲的需求，閃存被廣泛用于手機(jī)、筆記本、掌上電腦和u盤等移動和通訊設(shè)備中，閃存為一種非易變性存儲器，其運(yùn)作原理是通過改變晶體管或存儲單元的臨界電壓來控制門極通道的開關(guān)以達(dá)到存儲數(shù)據(jù)的目的，使存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)不會因電源中斷而消失，而閃存為電可擦除且可編程的只讀存儲器的一種特殊結(jié)構(gòu)。如今閃存已經(jīng)占據(jù)了非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器的大部分市場份額，成為發(fā)展最快的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器。
[0003]請參考圖1至圖6，圖1至圖6為現(xiàn)有技術(shù)中閃存形成過程中的部分結(jié)構(gòu)示意圖，具體的，閃存形成步驟包括:
[0004]提供基片10，所述基片10上依次形成有第一介質(zhì)層21、浮柵層31、第二介質(zhì)層22、控制柵層32及第三介質(zhì)層23，其中，所述第三介質(zhì)層23設(shè)有溝槽，所述溝槽暴露出所述控制柵層32的表面，所述溝槽的側(cè)壁表面形成有第四介質(zhì)層24，如圖1所示；
[0005]刻蝕所述控制柵層32，暴露出所述第二介質(zhì)層22，如圖2所示；
[0006]在控制柵層32側(cè)壁的表面形成氧化層(圖未標(biāo)號)接著，在所述第四介質(zhì)層24及氧化層的表面形成側(cè)墻25，如圖3所示；
[0007]刻蝕所述第二介質(zhì)層22及浮柵層31，暴露出所述第一介質(zhì)層21，如圖4所示；
[0008]使用磷酸刻蝕去除部分側(cè)墻25，暴露出所述浮柵層31拐角的表面上的第二介質(zhì)層22，如圖5所示；
[0009]預(yù)刻蝕去除位于浮柵層31拐角的表面上的第二介質(zhì)層22及暴露出的第一介質(zhì)層21，便于后續(xù)重新生長介質(zhì)層，并生長字線。
[0010]然而，在使用磷酸對側(cè)墻25進(jìn)行回刻蝕時，會將整個晶圓放置在磷酸的容器中，會對器件造成一定的損害，導(dǎo)致缺陷的產(chǎn)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的在于提供一種閃存器件的形成方法，能夠避免使用磷酸浸泡，確保閃存器件的性能。
[0012]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種閃存器件的形成方法，包括步驟:
[0013]提供基片，所述基片上依次形成有第一介質(zhì)層、浮柵層、第二介質(zhì)層、控制柵層及第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層設(shè)有溝槽，所述溝槽暴露出所述控制柵層的表面，所述溝槽的側(cè)壁表面形成有第四介質(zhì)層；
[0014]刻蝕所述控制柵層，暴露出所述第二介質(zhì)層；
[0015]在控制柵層側(cè)壁的表面依次形成氧化層和側(cè)墻，所述側(cè)墻緊貼所述第四介質(zhì)層的側(cè)壁表面；
[0016]在所述側(cè)墻的表面形成第六介質(zhì)層；
[0017]依次刻蝕所述第六介質(zhì)層、第二介質(zhì)層及浮柵層，暴露出所述第一介質(zhì)層，并保留部分第六介質(zhì)層位于所述側(cè)墻的表面；
[0018]同時刻蝕去除保留的第六介質(zhì)層、位于浮柵層拐角處的第二介質(zhì)層及暴露出的第一介質(zhì)層，暴露出所述基片的表面。
[0019]進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的形成方法中，在刻蝕去除保留的第六介質(zhì)層及位于浮柵層拐角處的第二介質(zhì)層和第一介質(zhì)層之后，在所述側(cè)墻及浮柵層側(cè)壁和基片表面重新生長第七介質(zhì)層。
[0020]進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的形成方法中，在所述溝槽內(nèi)填充形成字線。
[0021]進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的形成方法中，所述第一介質(zhì)層為氧化硅；第二介質(zhì)層為氧化硅/氮化硅/氧化硅復(fù)合層；第三介質(zhì)層為氮化硅；第四介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅。
[0022]進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的形成方法中，所述浮柵層和控制柵層的材質(zhì)為多晶娃。
[0023]進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的形成方法中，所述側(cè)墻材質(zhì)為氮化硅。
[0024]進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的形成方法中，所述第六介質(zhì)層為氧化硅。
[0025]進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的形成方法中，在同一設(shè)備機(jī)臺中一次性刻蝕所述第六介質(zhì)層、第二介質(zhì)層及浮柵層。
[0026]進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的形成方法中，在不同機(jī)臺中分別刻蝕所述第六介質(zhì)層、第二介質(zhì)層及浮柵層。
[0027]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:形成較薄的側(cè)墻之后，接著在側(cè)墻上形成第六介質(zhì)層，接著依次刻蝕第六介質(zhì)層、第二介質(zhì)層及浮柵層，保留部分第六介質(zhì)層位于側(cè)墻的表面，此時刻蝕不再使用磷酸浸泡，避免了磷酸浸泡造成的器件問題。
【附圖說明】
[0028]圖1至圖6為現(xiàn)有技術(shù)中閃存形成過程中的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖7為本發(fā)明一實(shí)施例中閃存器件的形成方法的流程圖；
[0030]圖8至圖14為本發(fā)明一實(shí)施例中閃存形成過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的閃存器件的形成方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0032]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠贡景l(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0033]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0034]請參考圖7，在本實(shí)施例中，提出了一種閃存器件的形成方法，包括步驟:
[0035]SlOO:提供基片，所述基片上依次形成有第一介質(zhì)層、浮柵層、第二介質(zhì)層、控制柵層及第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層設(shè)有溝槽，所述溝槽暴露出所述控制柵層的表面，所述溝槽的側(cè)壁表面形成有第四介質(zhì)層；
[0036]S200:刻蝕所述控制柵層，暴露出所述第二介質(zhì)層；
[0037]S300:在控制柵層側(cè)壁的表面依次形成氧化層和側(cè)墻，所述側(cè)墻緊貼所述第四介質(zhì)層的側(cè)壁表面；