發(fā)光器件、用于發(fā)光器件的光學(xué)元件、以及方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光器件、用于發(fā)光器件的光學(xué)元件、從及方法
[0001] 本申請(qǐng)是于2010年8月16日提交的題為"發(fā)光器件、用于發(fā)光器件的光學(xué)元件、W 及方法"的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?01080046736.2的分案申請(qǐng)。
[0002] 優(yōu)先權(quán)聲明
[0003] 本申請(qǐng)要求2009年8月14日提交的美國(guó)申請(qǐng)第61/234,179號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi) 容W引用方式結(jié)合于本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0004] 本發(fā)明設(shè)及發(fā)光器件的技術(shù)領(lǐng)域，包括納米顆粒、照明器材和包括納米顆粒的元 件、W及方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種發(fā)白光的發(fā)光器件，該器件包括：灰白色光 源，其中灰白色光包括光譜輸出，該光譜輸出包括在從約360皿至約475皿的第一光譜區(qū)中 的至少一個(gè)譜分量、在從約475nm至約575nm的第二光譜區(qū)中的至少一個(gè)譜分量、和在至少 一個(gè)其他光譜區(qū)中的至少一個(gè)虧量(deficiency); W及光學(xué)元件，該光學(xué)元件被定位W接 收由光源產(chǎn)生的灰白色光的至少一部分，上述光學(xué)元件包含用于將灰白色光的光譜輸出的 至少一部分轉(zhuǎn)換成一個(gè)或多個(gè)預(yù)定波長(zhǎng)的光學(xué)材料，至少之一具有在至少一個(gè)虧量光譜區(qū) 中的波長(zhǎng)，W致由發(fā)光器件發(fā)射的光包括白光，其中光學(xué)材料包含量子約束半導(dǎo)體納米顆 粒。
[0006] 在某些實(shí)施方式中，光源包括一個(gè)或多個(gè)光源。
[0007] 在某些實(shí)施方式中，光源包括一個(gè)或多個(gè)固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光二極管。
[000引在某些實(shí)施方式中，灰白色光包括光譜輸出，該光譜輸出包括在藍(lán)色光譜區(qū)（例 如，從約400nm至約475nm)中的至少一個(gè)譜分量。
[0009] 在某些實(shí)施方式中，灰白色光包括光譜輸出，該光譜輸出包括在綠色光譜區(qū)（例 如，從約500nm至約550nm)中的至少一個(gè)譜分量。
[0010] 在某些實(shí)施方式中，灰白色光包括光譜輸出，該光譜輸出包括在黃色光譜區(qū)（例 如，從約550nm至約575nm)中的至少一個(gè)譜分量。
[0011] 在某些實(shí)施方式中，灰白色光包括光譜輸出，該光譜輸出包括在藍(lán)色光譜區(qū)中的 至少一個(gè)譜分量和在綠色和/或黃色光譜區(qū)中的至少一個(gè)譜分量。
[0012] 在某些實(shí)施方式中，灰白色光包括光譜輸出，該光譜輸出包括在藍(lán)色光譜區(qū)中的 至少一個(gè)譜分量和在綠色光譜區(qū)中的至少一個(gè)譜分量。
[0013] 在某些實(shí)施方式中，通過(guò)光學(xué)元件的光源的一個(gè)或多個(gè)光譜虧量的補(bǔ)償可W改變 來(lái)自光源的光輸出W實(shí)現(xiàn)具有一般顯色指數(shù)(Ra)的白光。（一般顯色指數(shù)(Ra)在本文中還稱(chēng) 作CRI。）在某些實(shí)施方式中，CRI是至少75。在某些實(shí)施方式中，CRI是至少80。在某些實(shí)施方 式中，CRI是至少85。在某些實(shí)施方式中，CRI是至少90。在某些實(shí)施方式中，CRI是至少95。
[0014] 在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，白光輸出可W具有為正數(shù)的R9值。更優(yōu)選地，R9值是至少 50。最優(yōu)選地，R9值大于80。
[0015] 在某些實(shí)施方式中，由發(fā)白光的器件發(fā)射的白光可W具有預(yù)定CRI。在某些實(shí)施方 式中，預(yù)定CRI是至少75。在某些實(shí)施方式中，預(yù)定CRI是至少80。在某些實(shí)施方式中，預(yù)定 CRI是至少85。在某些實(shí)施方式中，預(yù)定CRI是至少90。在某些實(shí)施方式中，預(yù)定CRI是至少 95。
[0016] 在某些實(shí)施方式中，例如，在光源發(fā)射在紅色光譜區(qū)中具有光譜虧量的灰白色光 的情況下，預(yù)定波長(zhǎng)的范圍可W是約575nm至約650nm、約580nm至約630nm、約590nm至約 630nm、約 590nm 至約 630nm、或約 605nm 至約 620nm。
[0017] 在某些實(shí)施方式中，例如，在光源發(fā)射在青色光譜區(qū)中具有光譜虧量的灰白色光 的情況下，預(yù)定波長(zhǎng)可W是在從約450nm至約500nm的范圍內(nèi)。
[0018] 在某些實(shí)施方式中，例如，在光源發(fā)射具有一個(gè)或多個(gè)光譜虧量的灰白色光的情 況下，光學(xué)元件可W包含光學(xué)材料，該光學(xué)材料包括一種或多種不同類(lèi)型的量子約束半導(dǎo) 體納米顆粒(基于組成、結(jié)構(gòu)和/或尺寸），其中每種不同類(lèi)型的量子約束半導(dǎo)體納米顆?？?W將灰白色光的一部分轉(zhuǎn)換成預(yù)定波長(zhǎng)，該預(yù)定波長(zhǎng)不同于由包括在光學(xué)材料中的任何其 他類(lèi)型的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒的至少一種發(fā)射的預(yù)定波長(zhǎng)。
[0019] 在包括兩種或更多種不同類(lèi)型的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒(其在不同預(yù)定波長(zhǎng)下 發(fā)射)的實(shí)施方式中，不同類(lèi)型的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒可W包括在一種或多種不同光 學(xué)材料中。在某些實(shí)施方式中，不同類(lèi)型的量子約束半導(dǎo)體納米晶體可W包括在分開(kāi)的光 學(xué)材料中。
[0020] 在包括兩種或兩種W上不同光學(xué)材料的某些實(shí)施方式中，上述不同光學(xué)材料可 W，例如，包括為分層布置的單獨(dú)層和/或包括為圖案化層的單獨(dú)部分。
[0021] 在包括兩種或更多種不同類(lèi)型的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒(其在不同預(yù)定波長(zhǎng)下 發(fā)射)的某些實(shí)施方式中，不同類(lèi)型的量子約束半導(dǎo)體納米顆?？蒞包括在疊放設(shè)置的兩 種或更多種不同光學(xué)元件中。在運(yùn)樣的實(shí)施方式中，每個(gè)光學(xué)元件可W包括一種或多種光 學(xué)材料(如本文描述的）。
[0022] 在包括兩種或更多種不同類(lèi)型的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒(其在不同預(yù)定波長(zhǎng)下 發(fā)射)的實(shí)施方式中，由發(fā)光器件發(fā)射的白光包括在上述兩個(gè)或更多不同預(yù)定波長(zhǎng)下的譜 分量。在運(yùn)種情況下，選擇兩個(gè)或更多不同預(yù)定波長(zhǎng)W滿足或補(bǔ)償光源的一個(gè)或更多光譜 虧量。
[0023] 在其中灰白色光源具有一個(gè)W上光譜虧量的某些實(shí)施方式中，可W通過(guò)尋址在至 少紅色光譜區(qū)中的光譜虧量來(lái)實(shí)現(xiàn)所期望的白光輸出。
[0024] 在某些實(shí)施方式中，通過(guò)光學(xué)元件的光源的一個(gè)或多個(gè)光譜虧量的補(bǔ)償可W改變 來(lái)自光源的光輸出W實(shí)現(xiàn)相關(guān)色溫(CCT)的白光。在某些實(shí)施方式中，白光可W具有預(yù)定 CCT。在某些實(shí)施方式中，發(fā)白光發(fā)光器件的白光輸出可W具有至少約2000K的CCT。在某些 實(shí)施方式中，發(fā)白光發(fā)光器件的白光輸出可W具有至少約2500K的CCT。在某些實(shí)施方式中， 發(fā)白光發(fā)光器件的白光輸出可W具有至少約3000K的CCT。在某些實(shí)施方式中，發(fā)白光發(fā)光 器件的白光輸出可W具有至少約4000K的CCT。在某些實(shí)施方式中，發(fā)白光發(fā)光器件的白光 輸出可W具有至少約5000K的CCT。
[00巧]在某些實(shí)施方式中，通過(guò)使用光學(xué)元件，在從約2500K至約3500K的范圍內(nèi)，CCT的 改變并不顯著影響產(chǎn)生自灰白色光源的白光的流明/瓦效率（lumens per watt efficiency)。例如，當(dāng)CCT在從約2500K至約3500K的范圍內(nèi)改變時(shí)，流明/瓦效率并不相差 大于10個(gè)百分點(diǎn)(相對(duì)于10%的初始流明/瓦效率值）。
[0026] 在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒包含半導(dǎo)體納米晶體。
[0027] 在某些實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒具有至少40%的固態(tài)量子效率。在 某些實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒具有至少50%的固態(tài)量子效率。在某些實(shí)施方 式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒具有至少60 %的固態(tài)量子效率。在某些實(shí)施方式中，量子約 束半導(dǎo)體納米顆粒具有至少70%的固態(tài)量子效率。在某些實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納 米顆粒具有至少80%的固態(tài)量子效率。在某些實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒具有 至少90 %的固態(tài)量子效率。
[0028] 在某些實(shí)施方式中，在固態(tài)發(fā)光器件的操作過(guò)程中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒維 持至少40%的效率。
[0029] 在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，光學(xué)材料包含能夠發(fā)射紅光的量子約束半導(dǎo)體納米顆 粒。
[0030] 在某些實(shí)施方式中，例如，由發(fā)白光發(fā)光器件發(fā)射的白光可W具有預(yù)定一般顯色 指數(shù)(Ra)。在某些實(shí)施方式中，由發(fā)光器件發(fā)射的白光具有至少75的一般顯色指數(shù)(Ra)。在 某些實(shí)施方式中，由發(fā)光器件發(fā)射的白光具有至少80的一般顯色指數(shù)(Ra)。在某些實(shí)施方 式中，由發(fā)光器件發(fā)射的白光具有至少85的一般顯色指數(shù)(Ra)。在某些實(shí)施方式中，由發(fā)光 器件發(fā)射的白光具有至少90的一般顯色指數(shù)(R3)。在某些實(shí)施方式中，由發(fā)光器件發(fā)射的 白光具有至少95的一般顯色指數(shù)(Ra)。
[0031] 在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，白光輸出可W具有為正數(shù)的R9值。更優(yōu)選地，R9值是至少 50。最優(yōu)選地，R9值大于80。
[0032] 在某些實(shí)施方式中，發(fā)光器件維持大于60%的光源流明/瓦效率。在某些實(shí)施方式 中，發(fā)光器件維持大于70%的光源流明/瓦效率。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光器件維持大于 80%的光源流明/瓦效率。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光器件維持大于90%的光源流明/瓦效率。 在某些實(shí)施方式中，發(fā)光器件維持大于100%的光源流明/瓦效率。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光 器件維持大于110%的光源流明/瓦效率。
[0033] 在某些實(shí)施方式中，通過(guò)使用光學(xué)元件，在從約2500K至約3500K的范圍內(nèi)，CCT的 改變并不顯著影響產(chǎn)生自灰白色光源的白光的流明/瓦效率。例如，當(dāng)在從約2500K至約 3500K的范圍內(nèi)改變CCT時(shí)，相比于初始值，流明/瓦效率并不相差大于10個(gè)百分點(diǎn)（相對(duì)于 初始流明/瓦效率值的相差10% )。
[0034] 在某些實(shí)施方式中，光學(xué)材料進(jìn)一步包含其中分布有量子約束半導(dǎo)體納米顆粒的 基質(zhì)材料。在某些實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒包括在光學(xué)材料中，用量為基質(zhì)材 料的重量的約0.001至約5重量百分比。在某些實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒包括 在光學(xué)材料中，用量為基質(zhì)材料的重量的約0.5至約3重量百分比。在某些實(shí)施方式中，量子 約束半導(dǎo)體納米顆粒包括在光學(xué)材料中，用量為基質(zhì)材料的重量的約1至約3重量百分比。 在某些實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒包括在光學(xué)材料中，用量為基質(zhì)材料的重量 的約1至約2重量百分比。
[0035] 在光學(xué)材料進(jìn)一步包括基質(zhì)材料的某些實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒可 W包括在光學(xué)材料中，用量大于基質(zhì)材料的約5重量百分比。例如，基于基質(zhì)材料的重量，光 學(xué)材料可W包括約5至約20重量百分比的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒;基于基質(zhì)材料的重量， 光學(xué)材料可W包括約5至約15重量百分比的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒;基于基質(zhì)材料的重 量，光學(xué)材料可W包括約5至約10重量百分比的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒等。
[0036] 在光學(xué)材料中，在上述范圍W外的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒的其他濃度也可W被 確定為可用或需要的。
[0037] 在某些實(shí)施方式中，光學(xué)材料進(jìn)一步包含光散射體。
[0038] 在某些實(shí)施方式中，光散射體包括光散射顆粒。
[0039] 在某些實(shí)施方式中，光散射顆粒包括在光學(xué)材料中，用量為基質(zhì)材料的重量的約 0.0 Ol至約5重量百分比。在某些實(shí)施方式中，光散射顆粒包括在光學(xué)材料中，用量為基質(zhì)材 料的重量的約0.25至約4重量百分比。在某些實(shí)施方式中，光散射顆粒包括在光學(xué)材料中， 用量為基質(zhì)材料的重量的約0.5至約3重量百分比。在某些實(shí)施方式中，光散射顆粒包括在 光學(xué)材料中，用量為基質(zhì)材料的重量的約0.5至約2重量百分比。在某些實(shí)施方式中，光散射 顆粒包括在光學(xué)材料中，用量為基質(zhì)材料的重量的約1至約2重量百分比。
[0040] 在某些實(shí)施方式中，在光學(xué)材料中包括光散射顆粒，用量大于基質(zhì)材料的約5重量 百分比。例如，基于基質(zhì)材料的重量，光學(xué)材料可W包括約5至約20重量百分比的光散射顆 粒;基于基質(zhì)材料的重量，光學(xué)材料可W包括約5至約15重量百分比的光散射顆粒;基于基 質(zhì)材料的重量，光學(xué)材料可W包括約5至約10重量百分比的光散射顆粒等。
[0041] 在光學(xué)材料中，在上述范圍W外的光散射顆粒的其他濃度也可W被確定為可用或 需要的。
[0042] 在某些實(shí)施方式中，光學(xué)元件進(jìn)一步包括支撐元件。優(yōu)選地，支撐元件對(duì)于發(fā)射自 光源的光和對(duì)于發(fā)射自納米顆粒的光是光學(xué)透明的。
[0043] 在某些實(shí)施方式中，支撐元件可W包括其他可選層。
[0044] 在某些實(shí)施方式中，支撐元件可W包括其他可選部件。
[0045] 在某些實(shí)施方式中，至少部分地封裝光學(xué)材料。
[0046] 在某些實(shí)施方式中，完全封裝光學(xué)材料。
[0047] 在某些實(shí)施方式中，包括支撐元件的光學(xué)元件可W用作發(fā)光器件的蓋板。
[004引在某些實(shí)施方式中，支撐元件包括發(fā)光器件的光擴(kuò)散組件。
[0049] 在某些實(shí)施方式中，支撐元件是剛性的。
[0050] 在某些實(shí)施方式中，支撐元件是柔性的。
[0051] 在某些實(shí)施方式中，將包含量子約束半導(dǎo)體納米顆粒的光學(xué)材料設(shè)置在支撐元件 的至少一部分表面上。在某些實(shí)施方式中，將光學(xué)材料設(shè)置在支撐元件的至少一部分主要 表面上。在某些實(shí)施方式中，將光學(xué)材料設(shè)置在支撐元件和保護(hù)涂層或覆蓋層（cover)之 間，其中上述保護(hù)涂層或覆蓋層對(duì)于由光源和光學(xué)材料發(fā)射的光是光學(xué)透明的。
[0052] 在某些實(shí)施方式中，將光學(xué)材料設(shè)置為在支撐元件的表面的預(yù)定面積上的一層或 多層。
[0053] 在某些實(shí)施方式中，上述層包含光學(xué)材料，其進(jìn)一步包括其中分布有量子約束半 導(dǎo)體納米顆粒的基質(zhì)材料。在某些實(shí)施方式中，基于基質(zhì)材料的重量，上述層包括包含約 0.001至約5重量百分比的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒。
[0054] 在某些實(shí)施方式中，基于基質(zhì)材料的重量，上述層包括大于約5重量百分比的量子 約束半導(dǎo)體納米顆粒。例如，基于基質(zhì)材料的重量，上述層可W包括約5至約20重量百分比 的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒、約5至約15重量百分比的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒、約5至約 10重量百分比的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒等。
[0055] 在上述層中，在上述范圍W外的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒的其他濃度也可W被確 定為可用或需要的。
[0056] 在某些實(shí)施方式中，上述層進(jìn)一步包含光散射體。
[0057] 在某些實(shí)施方式中，光散射體包括在層中，用量為基質(zhì)材料的重量的約0.001至約 5重量百分比。
[0058] 在某些實(shí)施方式中，基于基質(zhì)材料的重量，上述層包括大于約5重量百分比的光散 射顆粒。例如，基于基質(zhì)材料的重量，上述層可W包括約5至約20重量百分比的光散射顆粒、 約5至約15重量百分比的光散射顆粒、約5至約10重量百分比的光散射顆粒等。
[0059] 在上述層中，在上述范圍W外的光散射顆粒的其他濃度也可W被確定為可用或需 要的。
[0060] 在某些實(shí)施方式中，包括光學(xué)材料(其包括基質(zhì)材料）的層的厚度為，例如，約0.1 微米至約1cm。在某些實(shí)施方式中，包括光學(xué)材料(其包括基質(zhì)材料）的層的厚度為約0.1至 約200微米。在某些實(shí)施方式中，包括光學(xué)材料(其包括基質(zhì)材料）的層的厚度為約10至約 200微米。在某些實(shí)施方式中，包括光學(xué)材料(其包括基質(zhì)材料)的層的厚度為約30至約80微 米。
[0061 ]在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，光學(xué)材料并不直接接觸光源。
[0062] 在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，光學(xué)元件并不直接接觸光源。
[0063] 在某些實(shí)施方式中，在操作過(guò)程中，在固態(tài)發(fā)光器件中，在納米顆粒的位置處的溫 度為100°C或更低。
[0064] 在某些實(shí)施方式中，在操作過(guò)程中，在固態(tài)發(fā)光器件中，在納米顆粒的位置處的溫 度為90°C或更低。
[0065] 在某些實(shí)施方式中，在操作過(guò)程中，在固態(tài)發(fā)光器件中，在納米顆粒的位置處的溫 度為75°C或更低。
[0066] 在某些實(shí)施方式中，在操作過(guò)程中，在固態(tài)發(fā)光器件中，在納米顆粒的位置處的溫 度為60°C或更低。
[0067] 在某些實(shí)施方式中，在操作過(guò)程中，在固態(tài)發(fā)光器件中，在納米顆粒的位置處的溫 度為50°C或更低。
[0068] 在某些實(shí)施方式中，在操作過(guò)程中，在固態(tài)發(fā)光器件中，在納米顆粒的位置處的溫 度為40°C或更低。
[0069] 在某些實(shí)施方式中，在操作過(guò)程中，在固態(tài)發(fā)光器件中，在納米顆粒的位置處的溫 度為約30°C至約60°C。
[0070] 在某些實(shí)施方式中，光源包括發(fā)灰白色光固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光二極管或器件(本文中 也被稱(chēng)作"LE護(hù)）。
[0071 ]在某些實(shí)施方式中，發(fā)灰白色光L邸包括發(fā)藍(lán)光半導(dǎo)體LED，其包括發(fā)光物質(zhì)，用于 將藍(lán)色L邸光輸出轉(zhuǎn)換成灰白色光輸出。
[0072] 在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)可W包含憐。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)可W包含 顏色轉(zhuǎn)換染料。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)可W包含顏色轉(zhuǎn)換顏料。在某些實(shí)施方式中， 發(fā)光物質(zhì)可W包含量子約束半導(dǎo)體納米顆粒。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)可W包含一種 或多種不同類(lèi)型的發(fā)光物質(zhì)。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)包含一種或多種不同發(fā)光物質(zhì)。 在包括兩種或更多種不同發(fā)光物質(zhì)的某些實(shí)施方式中，不同發(fā)光物質(zhì)的至少兩種能夠?qū)?lái) 自光源的光轉(zhuǎn)換成具有彼此不同波長(zhǎng)的光。在其中發(fā)光物質(zhì)包括兩種或更多種不同發(fā)光物 質(zhì)的某些實(shí)施方式中，兩種或更多種不同發(fā)光物質(zhì)可W包括在混合物中。在其中發(fā)光物質(zhì) 包括兩種或更多種不同發(fā)光物質(zhì)的某些實(shí)施方式中，每種發(fā)光物質(zhì)可W包括在單獨(dú)層中的 L邸中。在其中發(fā)光物質(zhì)包括=種或更多種不同發(fā)光物質(zhì)的某些實(shí)施方式中，=種或更多種 發(fā)光物質(zhì)可W包括在一層或多層中的L邸中，每層可W包括一種或多種發(fā)光物質(zhì)。
[0073] 在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)包括運(yùn)樣的發(fā)光物質(zhì)，其將由Lm)發(fā)射的藍(lán)光的一部 分轉(zhuǎn)換成綠光。在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)包括憐，其能夠?qū)⑺{(lán)光轉(zhuǎn)換成綠光。
[0074] 在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)包括運(yùn)樣的發(fā)光物質(zhì)，其將由Lm)發(fā)射的藍(lán)光的一部 分轉(zhuǎn)換成黃光。在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)包括憐，其能夠?qū)⑺{(lán)光轉(zhuǎn)換成黃光。
[0075] 在某些實(shí)施方式中，L抓包括第一發(fā)光物質(zhì)，其將由L抓發(fā)射的藍(lán)光的一部分轉(zhuǎn)換 成黃光，W及第二發(fā)光物質(zhì)，其將由LED發(fā)射的藍(lán)光的一部分轉(zhuǎn)換成綠光。在某些優(yōu)選實(shí)施 方式中，第一發(fā)光物質(zhì)包括憐，其能夠?qū)⑺{(lán)光轉(zhuǎn)換成黃光，W及第二發(fā)光物質(zhì)包括憐，其能 夠?qū)⑺{(lán)光轉(zhuǎn)換成綠光。
[0076] 在某些實(shí)施方式中，可W采用一種或多種其他發(fā)光物質(zhì)。在某些實(shí)施方式中，一種 或多種其他發(fā)光物質(zhì)包括憐。
[0077] 在某些實(shí)施方式中，發(fā)灰白色光Lm)包括發(fā)UV光半導(dǎo)體LED，其包括發(fā)光物質(zhì)，用于 將UV L邸光輸出轉(zhuǎn)換成灰白色光。
[0078] 在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)可W包含憐。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)可W包含 顏色轉(zhuǎn)換染料。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)可W包含顏色轉(zhuǎn)換顏料。在某些實(shí)施方式中， 發(fā)光物質(zhì)可W包含量子約束半導(dǎo)體納米顆粒。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)可W包含一種 或多種不同類(lèi)型的發(fā)光物質(zhì)。在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)包含一種或多種不同發(fā)光物質(zhì)。 在包括兩種或更多種不同發(fā)光物質(zhì)的某些實(shí)施方式中，不同發(fā)光物質(zhì)的至少兩種能夠?qū)?lái) 自光源的光轉(zhuǎn)換成具有彼此不同波長(zhǎng)的光。在其中發(fā)光物質(zhì)包括兩種或更多種不同發(fā)光物 質(zhì)的某些實(shí)施方式中，兩種或更多種不同發(fā)光物質(zhì)可W包括在混合物中。在其中發(fā)光物質(zhì) 包括兩種或更多種不同發(fā)光物質(zhì)的某些實(shí)施方式中，每種發(fā)光物質(zhì)可W包括在在單獨(dú)層中 的Lm)中。在其中發(fā)光物質(zhì)包括=種或更多種不同發(fā)光物質(zhì)的某些實(shí)施方式中，=種或更多 種發(fā)光物質(zhì)可W包括在一層或多層的L邸中，其中每層可W包括一種或多種發(fā)光物質(zhì)。
[0079] 在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)包括運(yùn)樣的發(fā)光物質(zhì)，其將由L邸發(fā)射的UV光的一部 分轉(zhuǎn)換成綠光。在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)包括憐，其能夠?qū)V光轉(zhuǎn)換成綠光。
[0080] 在某些實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)包括運(yùn)樣的發(fā)光物質(zhì)，其將由L邸發(fā)射的UV光的一部 分轉(zhuǎn)換成黃光。在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，發(fā)光物質(zhì)包括憐，其能夠?qū)V光轉(zhuǎn)換成黃光。
[0081] 在某些實(shí)施方式中，L抓包括第一發(fā)光物質(zhì)，其將由L抓發(fā)射的UV光的一部分轉(zhuǎn)換 成黃光，W及第二發(fā)光物質(zhì)，其將由LED發(fā)射的UV光的一部分轉(zhuǎn)換成綠光。在某些優(yōu)選實(shí)施 方式中，第一發(fā)光物質(zhì)包括憐，其能夠?qū)V光轉(zhuǎn)換成黃光，W及第二發(fā)光物質(zhì)包括憐，其能 夠?qū)V光轉(zhuǎn)換成綠光。
[0082] 在某些實(shí)施方式中，可W采用一種或多種其他發(fā)光物質(zhì)。在某些實(shí)施方式中，一種 或多種其他發(fā)光物質(zhì)包括憐。
[0083] 在某些實(shí)施方式中，發(fā)光器件包括:光源，該光源包括能夠發(fā)射灰白色光的LED，其 中灰白色光包括藍(lán)色光譜分量和綠色和/或黃色光譜分量并且包括在紅色光譜區(qū)中的虧 量；W及光學(xué)元件，該光學(xué)元件被定位W接收由LED發(fā)射的光，光學(xué)元件包含光學(xué)材料，用于 將灰白色光的至少一部分轉(zhuǎn)換成在具有約595nm至約65化m的波長(zhǎng)的紅色光譜區(qū)中的光。W 致由發(fā)光器件發(fā)射的光包括白光，其中光學(xué)材料包含量子約束半導(dǎo)體納米顆粒。
[0084] 在某些實(shí)施方式中，發(fā)光器件包括:發(fā)灰白色光光源，該發(fā)灰白色光光源包括發(fā)射 灰白色光的LED，其中灰白色光包括藍(lán)色光譜分量和綠色和/或黃色光譜分量并且包括在澄 色至紅色光譜區(qū)中的虧量；W及光學(xué)元件，該光學(xué)元件被定位W接收由Lm)發(fā)射的光，光學(xué) 元件包含光學(xué)材料，用于將灰白色光的至少一部分轉(zhuǎn)換成在從約575nm至約650nm的光譜區(qū) 中的光，W致由發(fā)光器件發(fā)射的光包括白光，其中光學(xué)材料包含量子約束半導(dǎo)體納米顆粒。 在某些實(shí)施方式中，例如，光學(xué)材料可W將灰白色光的至少一部分轉(zhuǎn)換成在從約575nm至約 650nm、從約580至約630nm、從約590nm至約630nm、從約600nm至約620nm、從約605nm至約 615nm等的光譜區(qū)中的光。
[0085] 在包括灰白色光源(其發(fā)射灰白色光，該灰白色光包括在藍(lán)色光譜區(qū)中的發(fā)射)的 某些實(shí)施方式中，，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒轉(zhuǎn)換至少10%的在藍(lán)色光譜區(qū)中的發(fā)射。
[0086] 在某些運(yùn)樣的實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒轉(zhuǎn)換至少30%的在藍(lán)色光譜 區(qū)中的發(fā)射。
[0087] 在某些運(yùn)樣的實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒轉(zhuǎn)換至少60%的在藍(lán)色光譜 區(qū)中的發(fā)射。
[0088] 在某些運(yùn)樣的實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒轉(zhuǎn)換不大于95%的在藍(lán)色光 譜區(qū)中的發(fā)射。
[0089] 在某些運(yùn)樣的實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒轉(zhuǎn)換不大于90%的在藍(lán)色光 譜區(qū)中的發(fā)射。
[0090] 在某些運(yùn)樣的實(shí)施方式中，量子約束半導(dǎo)體納米顆粒轉(zhuǎn)換約50%至約80%的在藍(lán) 色光譜區(qū)中的發(fā)射。
[0091] 在某些實(shí)施方式中，包括在光學(xué)材料中的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒是無(wú)儒的。
[0092] 在某些實(shí)施方式中，包括在光學(xué)材料中的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒包括III-V半 導(dǎo)體材料。
[0093] 在某些實(shí)施方式中，包括在光學(xué)材料中的量子約束半導(dǎo)體納米顆粒包括半導(dǎo)體納 米晶體，該半導(dǎo)體納米晶體包括包含半導(dǎo)體材料的核和設(shè)置在核表面的至少一部分上的無(wú) 機(jī)殼。
[0094] 按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了光學(xué)元件，用于從發(fā)射灰白色光的光源產(chǎn)生具 有預(yù)