蒸鍍裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的蒸鍍裝置用于通過蒸鍍在所輸送的被蒸鍍體上形成薄膜。該蒸鍍裝置具有配置在構成熱壁的筒狀體的內部的分離板。通過該分離板，所述筒狀體的內部被分離為在與被蒸鍍體的輸送方向垂直的方向上并列的第一分離空間和第二分離空間。在所述第一分離空間中設有構成為保持放射到該第一分離空間中的蒸鍍材料的蒸鍍源和構成為檢測來自該蒸鍍源的蒸鍍材料的放射的傳感器。所述第二分離空間的情況也同樣。
【專利說明】蒸鍍裝置

【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及使蒸鍍材料蒸鍍而形成薄膜的蒸鍍裝置。

【背景技術】
[0002]以往，公知有連續(xù)式蒸鍍裝置，該連續(xù)式蒸鍍裝置利用生產線輸送基板，將該基板作為被蒸鍍體，用于在其表面上蒸鍍薄膜并進行層疊。連續(xù)式蒸鍍裝置通過蒸鍍依次層疊薄膜，由此能夠高效制造有機電致發(fā)光元件(以下也稱為“有機EL元件”)等電氣設備。
[0003]在連續(xù)式蒸鍍裝置中，在腔室內配置有保持蒸鍍材料的蒸鍍源，并且，以一定速度輸送基板等被蒸鍍體。在減壓狀態(tài)下對蒸鍍源進行加熱而使蒸鍍材料氣化，使蒸鍍材料沉積在被蒸鍍體的表面上，從而在被蒸鍍體的表面上形成薄膜。但是，從蒸鍍源氣化的蒸鍍材料的一部分有時不朝向被蒸鍍體行進，不附著在被蒸鍍體的表面上。當不附著在被蒸鍍體上的蒸鍍材料變多時，成為材料的使用效率降低和蒸鍍速度降低的原因。因此，公知有如下的蒸鍍裝置:利用筒狀體包圍對置的蒸鍍源與被蒸鍍體之間的空間，以使蒸鍍材料再次氣化的溫度對該筒狀體進行加熱，使氣化的蒸鍍材料穿過筒狀體內并蒸鍍在被蒸鍍體的表面上。例如，在專利文獻I中公開了使用筒狀體的蒸鍍裝置。
[0004]圖1OA和圖1OB示出現有的蒸鍍裝置16、17，圖11示出使用多個蒸鍍裝置16、17依次層疊薄膜的蒸鍍系統。蒸鍍裝置16、17具有放射用于形成薄膜的蒸鍍材料的蒸鍍源26、27、以及朝向被蒸鍍體101放出從蒸鍍源26、27放射的蒸鍍材料的筒狀體36、37。
[0005]圖1OA示出具有I個蒸鍍源26的裝置，圖1OB示出具有兩個蒸鍍源27 (例如主體和摻雜劑)的裝置。在圖11的蒸鍍系統中，適當組合圖1OA和圖1OB所示的蒸鍍裝置16、17，在輸送方向上并列多個蒸鍍裝置16、17。蒸鍍裝置16、17的筒狀體36、37被加熱到蒸鍍材料氣化的溫度。通過由蒸鍍源26、27氣化并從筒狀體36、37的開口 46、47放出的蒸鍍材料，在所輸送的被蒸鍍體101上形成薄膜。由此，從筒狀體36、37放出的蒸鍍材料不會飛散，能夠附著在被蒸鍍體101的表面上而高效地形成薄膜。
[0006]在筒狀體36、37上設有傳感器86、87。傳感器86、87用于監(jiān)視來自各個蒸鍍源26、27的蒸鍍材料的放射、即蒸鍍速度和膜厚。在蒸鍍時，根據使用傳感器86、87的監(jiān)視，對來自各蒸鍍源26、27的蒸鍍速度進行控制。由此，能夠高精度地形成薄膜。
[0007]當使用這種蒸鍍系統時，能夠高效地制作構成有機EL元件等的層疊體。能夠利用該蒸鍍系統作為有機EL元件的制造裝置。
[0008]在有機EL元件的制造中，在利用蒸鍍裝置形成構成有機層等的薄膜并制作層疊體時，當作為被蒸鍍體的基板的尺寸較大時，產生從蒸鍍源放射的蒸鍍材料很難到達基板的端部的問題。當在基板的端部沒有層疊蒸鍍材料時，無法得到厚度恒定的薄膜。在使用多個蒸鍍材料進行共蒸鍍時，混合比可能不穩(wěn)定。為了解決該問題，例如考慮增加安裝在筒狀體上的蒸鍍源的數量。但是，在蒸鍍源增加的情況下，在監(jiān)視來自各蒸鍍源的蒸鍍材料的放射時，很難監(jiān)視各個蒸鍍源中的放射。
[0009]例如，為了形成發(fā)光層等，有時需要主體和摻雜劑這2種蒸鍍源。具有2種蒸鍍源2的蒸鍍裝置例如是圖1OA所示的裝置。例如當蒸鍍源的個數針對I種蒸鍍材料增加到2個時，主體蒸鍍源為2個,摻雜劑蒸鍍源為2個,在筒狀體上設有合計4個蒸鍍源。該情況下，從4個蒸鍍源蒸發(fā)的蒸鍍材料在筒狀體內均勻地混合。在高精度形成薄膜時，要求監(jiān)視從各個蒸鍍源放射的蒸鍍材料，因此，與蒸鍍源個數相同的傳感器(例如膜厚計等)與筒狀體連接。在設有4個蒸鍍源的情況下，設有4個傳感器。但是，由于均勻混合后的材料到達各傳感器，所以，不能高精度地監(jiān)視來自各個蒸鍍源的蒸鍍材料。
[0010]在蒸鍍源為I種的情況下，當蒸鍍源的數量增加時，為了高精度地形成厚度均勻的薄膜，要求設置該個數的傳感器。但是，當與蒸鍍源個數相同的多個傳感器(例如膜厚計)與筒狀體連接時，來自各蒸鍍源的蒸鍍材料均勻混合并到達各傳感器，所以，不能高精度地監(jiān)視來自各個蒸鍍源的蒸鍍材料。
[0011]如果不能單獨監(jiān)視來自各蒸鍍源的蒸鍍材料的放射，則不能進行適當的蒸鍍控制，對蒸鍍在被蒸鍍體上的薄膜的膜厚和混合濃度比的精度造成不良影響，可能導致電氣設備的品質降低。特別是在有機EL元件中，由于厚度和混合濃度不均勻的膜而使發(fā)光特性降低，可能產生品質不良。
[0012]在專利文獻2中公開了通過多個蒸鍍源形成薄膜的蒸鍍裝置，但是，由于在輸送方向上并列蒸鍍源并形成材料濃度傾斜的有機層，所以，該專利文獻2所記載的技術無法應對基板尺寸較大的情況。
[0013]在先技術文獻
[0014]專利文獻
[0015]專利文獻1: 日本特開2003-129224號公報
[0016]專利文獻2:日本特開2003-77662號公報


【發(fā)明內容】

[0017]發(fā)明的概要
[0018]發(fā)明所要解決的課題
[0019]本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于，提供針對大型被蒸鍍體也能夠均勻且穩(wěn)定地形成薄膜的蒸鍍裝置。
[0020]解決課題所采用的技術手段
[0021]本發(fā)明的第I方式的蒸鍍裝置用于通過蒸鍍在所輸送的被蒸鍍體上形成薄膜，該蒸鍍裝置具有構成熱壁的筒狀體，該筒狀體具有面向沿著所述被蒸鍍體的輸送方向的所述被蒸鍍體的一面的開口，其特征在于，所述蒸鍍裝置具有配置在所述筒狀體的內部并構成所述熱壁的分離板，通過該分離板，所述筒狀體的內部被分離為沿著所述開口的面在與所述被蒸鍍體的輸送方向垂直的方向上并列的第一分離空間和第二分離空間，在所述第一分離空間中設有構成為保持放射到該第一分離空間中的蒸鍍材料的第一蒸鍍源和構成為檢測來自該第一蒸鍍源的蒸鍍材料的放射的第一傳感器，在所述第二分離空間中設有構成為保持放射到該第二分離空間中的蒸鍍材料的第二蒸鍍源和構成為檢測來自該第二蒸鍍源的蒸鍍材料的放射的第二傳感器。
[0022]即，在本發(fā)明的第2方式的蒸鍍裝置中，在第I方式中，所述分離板構成為不在其開口附近對所述筒狀體的內部進行分離，所述分離板構成為隔斷分別連接所述第一蒸鍍源和第二蒸鍍源的放射部與所述第二傳感器和第一傳感器的傳感器部的假想直線。
[0023]即，在本發(fā)明的第3方式的蒸鍍裝置中，在第I或第2方式中，所述第一蒸鍍源和第二蒸鍍源分別由多個蒸鍍源構成，所述第一傳感器和第二傳感器分別由多個傳感器構成。
[0024]即，在本發(fā)明的第4方式的蒸鍍裝置中，在第I~第3方式的任意一個方式中，所述蒸鍍裝置具有配置在所述筒狀體的內部并構成所述熱壁的第二分離板，通過該第二分離板，所述筒狀體的內部被分離為沿著所述開口的面在與所述被蒸鍍體的輸送方向垂直的方向上并列的所述第二分離空間和第三分離空間，在所述第三分離空間中設有構成為保持放射到該第三分離空間中的蒸鍍材料的第三蒸鍍源和構成為檢測來自該第三蒸鍍源的蒸鍍材料的放射的第三傳感器，由所述第一蒸鍍源保持的蒸鍍材料、由所述第二蒸鍍源保持的蒸鍍材料、由所述第三蒸鍍源保持的蒸鍍材料為相同種類。
[0025]在本發(fā)明的第5方式的蒸鍍裝置中，在第I~第4方式的任意一個方式中，所述蒸鍍裝置具有構成為沿著所述開口的面局部遮蔽所述筒狀體的內部的遮蔽體，該遮蔽體配置在比所述第一傳感器和所述第二傳感器靠所述開口側的位置。
[0026]在本發(fā)明的第6方式的蒸鍍裝置中，在第5方式中，在所述筒狀體的軸方向上并列設置多個所述遮蔽體。
[0027]在本發(fā)明的第7方式的蒸鍍裝置中，在第6方式中，多個所述遮蔽體分別具有開口，在所述筒狀體的軸方向上相鄰的所述遮蔽體的所述開口在所述軸方向上不重合。
[0028]發(fā)明的效果
[0029]如果使用本發(fā)明的蒸鍍裝置，則針對大型被蒸鍍體，也能夠均勻且穩(wěn)定地形成薄膜。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1A是示出第一實施方式的蒸鍍裝置的概略剖視圖。
[0031]圖1B是示出第一實施方式的蒸鍍裝置的概略平面圖。
[0032]圖2A是示出第一實施方式的蒸鍍裝置的第一變形例的概略剖視圖。
[0033]圖2B是示出第一實施方式的蒸鍍裝置的概略剖視圖。
[0034]圖2C是示出第一實施方式的蒸鍍裝置的第二變形例的概略剖視圖。
[0035]圖3A是示出第二實施方式的蒸鍍裝置的概略剖視圖。
[0036]圖3B是示出第二實施方式的蒸鍍裝置的概略平面圖。
[0037]圖4A是示出第三實施方式的蒸鍍裝置的概略剖視圖。
[0038]圖4B是示出第四實施方式的蒸鍍裝置的概略剖視圖。
[0039]圖5是示出第五實施方式的蒸鍍裝置的概略剖視圖。
[0040]圖6是示出所述第五實施方式的第一變形例的概略平剖視圖。
[0041]圖7是示出所述第五實施方式的第二變形例的概略剖視圖。
[0042]圖8是示出蒸鍍系統(有機電致發(fā)光元件制造裝置)的一例的立體圖。
[0043]圖9是示出膜厚分布的曲線圖。
[0044]圖1OA是示出現有的蒸鍍裝置的一例的概略剖視圖。
[0045]圖1OB是示出現有的蒸鍍裝置的另一例的概略剖視圖。
[0046]圖11是示出現有的蒸鍍系統(有機電致發(fā)光元件制造裝置)的一例的立體圖。

【具體實施方式】
[0047]蒸鍍裝置具有放射用于形成薄膜的蒸鍍材料的蒸鍍源、以及被加熱到所述蒸鍍材料氣化的溫度并朝向被蒸鍍體放出從所述蒸鍍源放射的所述蒸鍍材料的筒狀體，通過從所述筒狀體放出的所述蒸鍍材料，在所輸送的所述被蒸鍍體上形成所述薄膜，在所述筒狀體中，通過沿著輸送方向設置且被加熱到所述蒸鍍材料氣化的溫度的分離板，內部被分離為多個分離空間，在所述分離空間中設有至少I個所述蒸鍍源、以及用于監(jiān)視來自該蒸鍍源的所述蒸鍍材料的放射的傳感器。
[0048]所述分離板設置成不對所述筒狀體的開口附近進行分離，并且，在引出連接一個所述分離空間中的所述蒸鍍源的放射部和另一個所述分離空間中的所述傳感器的傳感器部的直線作為假想線時，優(yōu)選所述分離板設置成隔斷該假想線。
[0049]也可以在所述分離空間中設有多個所述蒸鍍源、以及用于監(jiān)視來自該蒸鍍源的所述蒸鍍材料的放射的多個所述傳感器。
[0050]在所述筒狀體中，也可以通過多個所述分離板，內部被分離為多個所述分離空間，在多個所述分離空間中設有放射相同種類的蒸鍍材料的所述蒸鍍源。
[0051]圖1A和圖1B示出蒸鍍裝置的第一實施方式。該蒸鍍裝置11用于在所輸送的被蒸鍍體10上形成薄膜。蒸鍍裝置11具有放射用于形成薄膜的蒸鍍材料的蒸鍍源21、以及朝向被蒸鍍體10放出從蒸鍍源21放射的蒸鍍材料的筒狀體31。筒狀體31被加熱到蒸鍍材料氣化的溫度。該筒狀體31包圍相互對置的蒸鍍源21與被蒸鍍體10之間的空間。如果蒸鍍裝置11不具有筒狀體31，則無法形成厚度和混合比均勻的薄膜。在圖1A中，被蒸鍍體10的輸送方向是與紙面垂直且從近前朝向里側的方向，通過用圓包圍X這樣的記號表示該方向。并且，在圖1B中，通過空心箭頭表示被蒸鍍體10的輸送方向。蒸鍍裝置11能夠形成構成有機電致發(fā)光元件(有機EL元件)的薄膜層。蒸鍍裝置11中的蒸鍍溫度為比較低溫(400°C以下等)，蒸鍍裝置11是通過所謂的熱壁進行蒸鍍的裝置。
[0052]即，本實施方式的蒸鍍裝置11具有構成熱壁的筒狀體31。熱壁是熱壁蒸鍍法中采用的要素。附著在該熱壁上的蒸鍍材料被加熱而再次氣化，由此，蒸鍍效率提高。該筒狀體31具有面向沿著被蒸鍍體10的輸送方向的被蒸鍍體10的一面的開口 41。為了使筒狀體31構成熱壁，優(yōu)選在筒狀體31上設有構成為對該筒狀體31進行加熱的加熱器。
[0053]蒸鍍裝置11具有配置在筒狀體31的內部的分離板51。該分離板51與筒狀體31一起構成熱壁。為了使分離壁51構成熱壁，優(yōu)選在分離壁51上設有構成為對該分離壁51進行加熱的加熱器。通過該分離板51，筒狀體31的內部被分離為沿著筒狀體31的開口 41的面在與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向上并列的第一分離空間611和第二分離空間612。
[0054]在第一分離空間611中設有構成為保持放射到該第一分離空間611中的蒸鍍材料的第一蒸鍍源211和構成為檢測來自該第一蒸鍍源211的蒸鍍材料的放射的第一傳感器
811。在第二分離空間612中設有構成為保持放射到該第二分離空間612中的蒸鍍材料的第二蒸鍍源212和構成為檢測來自該第二蒸鍍源212的蒸鍍材料的放射的第二傳感器812。
[0055]筒狀體31形成為具有矩形狀截面的空洞的縱型筒形狀。筒狀體31的下部與蒸鍍源21連接。在筒狀體31的上部設有用于向上方放出氣化的蒸鍍材料的開口 41。如果通過筒狀體31朝向被蒸鍍體10放出蒸鍍材料，則能夠在被蒸鍍體10上層疊形成薄膜。并且，通過以蒸鍍材料的氣化溫度以上的溫度對筒狀體31進行加熱，蒸鍍材料不會附著在筒狀體31的內部，而能夠從開口 41放出。筒狀體31為金屬制即可。蒸鍍?yōu)檎婵照翦兗纯?。真空蒸鍍可以在腔室內進行。在圖1A中，通過黑箭頭示出蒸鍍材料的放出方向。另外，也可以在筒狀體31的開口 41設有遮蔽板，該遮蔽板構成為對蒸鍍材料的放出量進行控制，以調整寬度方向(沿著開口 41的面的、與被蒸鍍體體10的輸送方向垂直的方向)的膜厚分布。
[0056]在蒸鍍源21中形成有朝向筒狀體31的內部開口的凹處。在該凹處內保持蒸鍍材料。優(yōu)選蒸鍍源21具有構成為對由該蒸鍍源21保持的蒸鍍材料進行加熱的加熱器。加熱器例如構成為以電阻加熱式、電子束式、高頻感應式、激光式等公知方式對蒸鍍材料進行加熱。通過利用蒸鍍源21使蒸鍍材料氣化，蒸鍍材料從蒸鍍源21朝向筒狀體31的內部放出。該蒸鍍材料穿過筒狀體31的內部，進而從開口 4朝向被蒸鍍體10放出。
[0057]如圖1A所示，在本實施方式中，開口 41形成為沿著被蒸鍍體10的輸送方向配置短邊、并且沿著與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向(寬度方向)配置長邊的矩形形狀。由此，能夠在所輸送的被蒸鍍體10表面形成膜厚更加均勻的薄膜。
[0058]圖1A和圖1B的蒸鍍裝置11從筒狀體31放出2種蒸鍍材料而形成薄膜。即，薄膜形成為混合2種材料后的混合膜。在筒狀體31中，用于放射2種蒸鍍材料的蒸鍍源21a和21b各設置2個。即，在筒狀體31中設有兩個蒸鍍源21a，還設有兩個保持與蒸鍍源21a不同種類的蒸鍍材料的蒸鍍源21b。因此，蒸鍍源21全部設置4個。在蒸鍍源21與筒狀體31的連接部分形成有用于放射蒸鍍材料的放射部71。放射部71由開口形成。例如，也可以在該放射部71中設有能夠改變開閉狀態(tài)(開口的大小)的遮蔽機構等。遮蔽機構改變開閉狀態(tài)，從而能夠控制蒸鍍材料的放射量。
[0059]蒸鍍裝置11具有第一蒸鍍源211和第二蒸鍍源212。第一和第二蒸鍍源211、212分別由多個蒸鍍源21構成。在本實施方式中，第一和第二蒸鍍源211、212分別包括蒸鍍源21a和蒸鍍源21b這兩個蒸鍍源21。這些蒸鍍源21的放射部71是蒸鍍源21內的、從該蒸鍍源21放出的蒸鍍材料最后穿過的部位。在本實施方式中，如上所述，放出部21是形成在蒸鍍源21中的凹處的開口。
[0060]在本實施方式中，根據放射的材料的不同，蒸鍍源21被分類為蒸鍍源21a和保持與蒸鍍源21a不同種類的蒸鍍材料的蒸鍍源21b。該裝置例如可以用于共蒸鍍。蒸鍍源21a例如可以是用于放出摻雜劑材料的摻雜劑蒸鍍源。蒸鍍源21b例如可以是用于放出主體材料的主體蒸鍍源。當放射相同種類的蒸鍍材料的蒸鍍源的個數增加為多個時，蒸鍍材料的放出量增加，所以，在被蒸鍍體大型化的情況下，也能夠高效地形成薄膜。在針對I種材料設置I個蒸鍍源、要提高該蒸鍍源的輸出來放射大量蒸鍍材料的情況下，對蒸鍍材料造成負擔，蒸鍍材料可能劣化。但是，在本實施方式中，設置多個蒸鍍源21，各個蒸鍍源21的輸出為通常輸出即可，所以，能夠抑制蒸鍍材料的劣化。圖1A和圖1B的蒸鍍裝置11能夠形成混合2種材料的混合層。該蒸鍍裝置11例如能夠層疊形成有機EL元件的發(fā)光層。
[0061]在本實施方式中，由第一蒸鍍源211保持的蒸鍍材料和由第二蒸鍍源212保持的蒸鍍材料為相同種類。即，第一蒸鍍源211中包含的蒸鍍源21a和第二蒸鍍源212中包含的蒸鍍源21a構成為保持相同種類的蒸鍍材料(摻雜劑材料)。第一蒸鍍源211中包含的蒸鍍源21b和第二蒸鍍源212中包含的蒸鍍源21b也構成為保持相同種類的蒸鍍材料(主體材料)。
[0062]在本實施方式中，通過沿著被蒸鍍體10的輸送方向設置的分離板51，筒狀體31的內部被分離為多個分離空間611、612。在筒狀體31的寬度方向(與輸送方向垂直的方向)的中央部，分離板51以與輸送方向平行的方式配置在筒狀體31內。在本實施方式中，通過設有大致均等地將筒狀體31分成2部分的分離板51，設有容積大致相同的兩個分離空間611、612。分離板51被加熱到蒸鍍材料氣化的溫度。通過以蒸鍍材料的氣化溫度以上的溫度對分離板51進行加熱，蒸鍍材料不會附著在分離板51上，能夠從開口 41放出。分離板51的溫度可以是與筒狀體31相同的溫度，也可以是與筒狀體31不同的溫度。如果以具有熱傳遞性的方式連接筒狀體31和分離板51、通過對筒狀體31進行加熱而分離板51也被加熱，則加熱機構變得簡單。分離板51為金屬制即可。例如，分離板51可以由鋼板形成。
[0063]在本實施方式中，分離空間611、612是筒狀的空間。即，分離空間611、612是由筒狀體31和分離板51包圍的空間。由此，從蒸鍍源21放射的蒸鍍材料向上方移動并從開口41放出。分離板51分隔空間而形成分離空間611、612，以使得筒狀體31的下部空間(與開口 41相反的一側的空間)不連通。當通過孔等而使空間連通時，可能在另一個分離空間611、612中混入所放射的蒸鍍材料。
[0064]在蒸鍍裝置11中，在分離空間611、612中分別設有至少I個蒸鍍源21和用于監(jiān)視來自該蒸鍍源21的蒸鍍材料的放射的傳感器81。在本實施方式中，在各分離空間611、612中設有多個(2個)蒸鍍源21和用于監(jiān)視來自該蒸鍍源21的蒸鍍材料的放射的多個(2個)傳感器81。由此，蒸鍍裝置11放射不同的蒸鍍材料，能夠高精度地形成材料混合后的混合層。另外，蒸鍍源21也可以是3個以上。傳感器81也可以是3個以上。但是，優(yōu)選傳感器81的個數與蒸鍍源21的個數相同或該蒸鍍源21的個數以上。并且，優(yōu)選設置在各分離空間611、612中的蒸鍍源21的數量相同。即，優(yōu)選設置在第一分離空間611中的蒸鍍源21的數量和設置在第二分離空間612中的蒸鍍源21的數量相同。由此，能夠在各分離空間611、612中配置蒸鍍源21的組，能夠從各分離空間61放出相同種類的蒸鍍材料。
[0065]即，在本實施方式中，在第一分離空間611中設有第一蒸鍍源211和第一傳感器
811。第一蒸鍍源211構成為保持放射到第一分離空間611中的蒸鍍材料。第一傳感器811構成為檢測來自第一蒸鍍源211的蒸鍍材料的放射。第一蒸鍍源211由多個蒸鍍源21構成，第一傳感器811由多個傳感器81構成。
[0066]另外，只要由該第一蒸鍍源211保持的蒸鍍材料能夠放射到第一分離空間611中，則第一蒸鍍源211可以配置在任意位置。例如，第一蒸鍍源211可以配置在第一分離空間611內，也可以配置在第一分離空間611外。只要該第一傳感器811能夠檢測來自第一蒸鍍源211的蒸鍍材料的放射，則第一傳感器811也可以配置在任意位置。例如，第一傳感器811可以配置在第一分離空間611內，也可以配置在第一分離空間611外，還可以配置在第一蒸鍍源211內。
[0067]進而，在本實施方式中，在第二分離空間612中設有第二蒸鍍源212和第二傳感器
812。第二蒸鍍源212構成為保持放射到第二分離空間612中的蒸鍍材料。第二傳感器812構成為檢測來自第二蒸鍍源212的蒸鍍材料的放射。第二蒸鍍源212由多個蒸鍍源21構成，第二傳感器812由多個傳感器81構成。
[0068]另外，只要由該第二蒸鍍源212保持的蒸鍍材料能夠放射到第二分離空間612中，則第二蒸鍍源212可以配置在任意位置。例如，第二蒸鍍源212可以配置在第二分離空間612內，也可以配置在第二分離空間612外。只要該第二傳感器812能夠檢測來自第二蒸鍍源212的蒸鍍材料的放射，則第二傳感器812也可以配置在任意位置。例如，第二傳感器812可以配置在第二分離空間612內，也可以配置在第二分離空間612外，還可以配置在第二蒸鍍源212內。
[0069]傳感器81用于監(jiān)視來自各個蒸鍍源21的蒸鍍材料的放射、即蒸鍍速度和膜厚。在蒸鍍時，根據利用傳感器81的監(jiān)視，對從各蒸鍍源21放射的蒸鍍材料的蒸鍍速度(每單位時間的蒸鍍材料的放射量)進行控制。由此，蒸鍍裝置能夠高精度地形成薄膜。在傳感器81的前端設有傳感器部91。當蒸鍍材料到達傳感器部91時，能夠監(jiān)視蒸鍍材料的放射。作為傳感器81，可以使用膜厚計等，例如可以使用晶體振子等。
[0070]另外，傳感器部91是傳感器81中的、由該傳感器81檢測到的蒸鍍材料最初到達的部位。在本實施方式中，傳感器81具有與分離空間連通的筒狀部件以及配置在該部件內的檢測元件。作為檢測元件，例如舉出具有石英振子的石英振子膜厚計。筒狀部件中的與分離空間連通的開口是本實施方式的傳感器部91。該情況下，蒸鍍材料從傳感器部91引入到筒狀部件內，通過檢測元件檢測該蒸鍍材料。檢測元件例如根據伴隨蒸鍍材料的附著而引起的石英振子的振動頻率的變化來檢測蒸鍍膜厚，計測蒸鍍速度，生成包含與該蒸鍍速度有關的信息的控制信號。檢測元件例如將控制信息發(fā)送到控制器?？刂破骼鐦嫵蔀椋鶕刂菩盘柨刂普舭l(fā)源21來調整蒸鍍速度。控制器的動作在后面詳細敘述。
[0071]在第一實施方式中，在各分離空間611、612中設有蒸鍍源21a、蒸鍍源21b、傳感器81a和傳感器81b。傳感器81a和傳感器81b用于監(jiān)視來自蒸鍍源21a和蒸鍍源21b的蒸鍍材料的放射。即，在各分離空間611、612中設有放射相同種類的蒸鍍材料的I個或2個以上的蒸鍍源21，設有與該蒸鍍源21的個數對應的數量的傳感器81。
[0072]如圖1B所示，在本實施方式中，在與輸送方向垂直的方向上并列配置各蒸鍍源21。由此，蒸鍍裝置11能夠穩(wěn)定地形成在被蒸鍍體10的寬度方向上均勻的薄膜。按照蒸鍍源21a、蒸鍍源21b、蒸鍍源21a、蒸鍍源21b的順序，交替配置種類不同的多個蒸鍍源21。由此，能夠形成更加穩(wěn)定的薄膜。
[0073]本實施方式的蒸鍍裝置11通過設置分離板51并將筒狀體31的內部分離為多個分離空間6，在對寬度方向(與沿著開口 41的面的輸送方向垂直的方向)的長度較長的被蒸鍍體10進行蒸鍍的情況下，也能夠簡單地調整蒸鍍材料的放射，調整蒸鍍量的分布。SP，在使用未設置分離板且筒狀體的內部完全連通的蒸鍍裝置的情況下，當在筒狀體上設置多個放射相同種類的蒸鍍材料的蒸鍍源時，材料在筒狀體的內部混合。于是，即使使用傳感器進行監(jiān)視，也無法判別是從哪個蒸鍍源放射的蒸鍍材料，無法適當控制蒸鍍源的放射量等。但是，在本實施方式中，設置分離板51并對筒狀體31內部的空間進行分隔，在各個分離空間611、612中設置蒸鍍源21和傳感器81，所以，能夠簡單地監(jiān)視來自各個蒸鍍源21的材料的放射。因此，蒸鍍裝置11能夠高精度地形成薄膜。
[0074]分離板51也可以以拆裝自如的方式插入筒狀體31中。分離板51也可以構成為能夠進行高度調整。例如，如果從筒狀體31的下部以滑動自如的方式插入分離板51，則分離板51通過上下滑動，能夠簡單地調整其高度。該情況下，改變分離板51的遮蔽狀態(tài)，能夠進一步優(yōu)化薄膜的形成條件。也可以從筒狀體31的側部(前方或后方)以拆裝自如的方式插入分離板51。該情況下，更換高度(上下方向的長度)不同的分離板51，能夠改變對分離空間611、612進行分離的分離板51的高度。該情況下，改變分離板51的遮蔽狀態(tài)，能夠進一步優(yōu)化薄膜的形成條件。
[0075]圖2A~圖2C示出具有高度(上下方向的長度)彼此不同的分離板5的蒸鍍裝置11的例子。圖2B示出第一實施方式，圖2A和圖2C分別示出第一實施方式的變形例。在圖2A的例子中，分離板51的高度與筒狀體31的內部空間的高度大致相同。因此，在圖2A中，分尚板51對開口 41進行分尚。在圖2B和圖2C的例子中，分尚板51的聞度低于筒狀體31的內部空間的聞度。因此,在圖2B和圖2C中，分尚板51不對開口 41進行分尚。
[0076]在蒸鍍裝置11中，如圖2B或圖2C的例子那樣，優(yōu)選分離板51設置成不對筒狀體31的開口 41附近進行分離。該情況下，分離板51的上端51a配置在比開口 41靠下方。如圖2A的例子那樣，當筒狀體31的開口 41被分離板51分離時，在從筒狀體31放出蒸鍍材料時，按照由分離板51劃分的每個區(qū)域放出蒸鍍材料。于是，放出到分離板51的上方的蒸鍍材料減少，可能很難得到厚度均勻的薄膜。但是，如圖2B和圖2C那樣，當開口 41不被分離板51分離時，到達開口 41附近的蒸鍍材料在該部分相互混合并從筒狀體31放出。因此，分離板51的正上方附近的膜厚分布平緩，蒸鍍裝置11能夠形成膜厚均勻的薄膜。
[0077]即，如圖1A、圖2B和圖2C所示，優(yōu)選分離板51構成為不在其開口 41附近對筒狀體31的內部進行分離。換言之，優(yōu)選分離板51在筒狀體31的內部從筒狀體31的開口 41退避。
[0078]并且，如圖2B和圖2C所示，優(yōu)選分離板51設置成，在引出連接一個分離空間中的蒸鍍源21的放射部71和另一個分離空間中的傳感器81的傳感器部91的直線作為假想線LI時，隔斷假想線LI。在設置多個蒸鍍源21和多個傳感器81的情況下，優(yōu)選隔斷全部假想線LI?？梢砸苑派洳?1和傳感器部91的中心為基準引出假想線LI，但是，為了進一步提高遮蔽度，優(yōu)選從兩者的緣部到緣部引出假想線LI以使線的長度變長。通過使分離板51的高度高于假想線LI穿過的位置，該假想線LI被分離板51隔斷。通過隔斷假想線LI，在其他分離空間中放射的蒸鍍材料很難到達傳感器81的傳感器部91，能夠提高蒸鍍材料的監(jiān)視精度。
[0079]即，如圖2B和圖2C所示，優(yōu)選分離板51構成為，隔斷連接第一蒸鍍源211中包含的蒸鍍源21的放射部71和第二傳感器812中包含的傳感器81的傳感器部91的假想直線(假想線LI)，并且，隔斷連接第二蒸鍍源212中包含的蒸鍍源21的放射部71和第一傳感器811中包含的傳感器81的傳感器部91的假想直線(假想線LI)。換言之，優(yōu)選這些假想線LI與分離板51交叉。該情況下，通過傳感器81，以更高精度檢測來自各蒸鍍源21的蒸鍍材料的放射。在第一蒸鍍源211由多個蒸鍍源21構成、且第二傳感器812由多個傳感器81構成的情況下，優(yōu)選即使選擇任意蒸鍍源21與傳感器81的組合，分離板51也能夠隔斷連接蒸鍍源21的放射部71與傳感器81的傳感器部91的假想直線(假想線LI)。在第二蒸鍍源212由多個蒸鍍源21構成、且第一傳感器811由多個傳感器81構成的情況下,優(yōu)選即使選擇任意蒸鍍源21與傳感器81的組合，分離板51也能夠隔斷連接蒸鍍源21的放射部71與傳感器81的傳感器部91的假想直線(假想線LI)。
[0080]進而，如圖2B所示，優(yōu)選分離板51的高度高于傳感器81的傳感器部91的高度位置HI。在設置多個傳感器81的情況下，優(yōu)選分離板51的高度高于全部傳感器部91。朝向上方放射蒸鍍材料，但是，有時蒸鍍材料碰到筒狀體31的壁面或分離板51而彈回，從而改變行進方向。并且，向上方行進的蒸鍍材料的行進方向有時由于與其他蒸鍍材料的沖突或氣壓變化等而變更為其他分離空間側從而彎曲。此時，如圖2C那樣，當分離板51的高度配置在低于傳感器部91的位置時，分離空間中放出的蒸鍍材料可能進入其他分離空間，傳感器81可能計測不同分離空間的蒸鍍材料。但是，如圖2B的例子那樣，當分離板51的上端部51a比傳感器部91的位置靠上方時，能夠進一步抑制傳感器81檢測其他分離空間中放射的蒸鍍材料，能夠高精度地監(jiān)視蒸鍍材料的放射。
[0081]即，優(yōu)選從筒狀體31的開口 41到分離板51的端部51a的尺寸比從筒狀體31的開口 41到傳感器81的傳感器部91的尺寸短。該情況下，通過傳感器81以更高精度檢測來自各蒸鍍源21的蒸鍍材料的放射。特別優(yōu)選從筒狀體31的開口 41到分離板51的端部51a的尺寸比從筒狀體31的開口 41到全部傳感器81中的任意一個傳感器81的傳感器部91的尺寸短。另外，這些尺寸是筒狀體31的軸方向的尺寸。
[0082]如上所述，在筒狀體31的內部的空間被分離板51分離為多個分離空間611、612的情況下，當分離板51分隔開口 41時，在分離板51的位置，蒸鍍材料的放出量減少，膜的厚度可能變薄。即，在對薄膜的膜厚分布描繪曲線圖時，可能在曲線圖中形成凹陷。因此，為了形成厚度更加均勻的薄膜，優(yōu)選將分離板51的高度降低到膜厚分布中不會出現凹陷的高度。另一方面，為了提高使用傳感器81的監(jiān)視精度，優(yōu)選分離板51的高度較高。因此，具體而言，例如，分離板51的高度(上端部51a的位置)在上下方向上在傳感器81的傳感器部91的位置與開口 41的位置之間的1/5~4/5的范圍內即可，但是不限于此。
[0083]即，優(yōu)選從筒狀體31的開口 41到分離板51的端部5a的尺寸在從筒狀體31的開口 41到傳感器81的傳感器部91的尺寸的1/5~4/5的范圍內。另外，這些尺寸是筒狀體的軸方向的尺寸。該情況下，被蒸鍍體10上形成的薄膜的厚度更加均勻，并且，通過傳感器81以更高精度檢測來自蒸鍍源21的蒸鍍材料的放射。
[0084]這樣，當分離板51的高度過高時，很難得到均勻的膜厚，當分離板51的高度過低時，對傳感器81的監(jiān)視造成不良影響，所以，適當設定分離板51的高度。另外，分離板51的厚度沒有特別限定，但是，當厚度過厚時，可能很難在分離板51的上方放出蒸鍍材料，所以例如為I~30mm。
[0085]傳感器81對蒸鍍材料的放射的監(jiān)視為蒸鍍速度或膜厚的監(jiān)視即可。如果對蒸鍍速度或膜厚進行監(jiān)視，就能夠適當監(jiān)視蒸鍍材料的混合比和薄膜的厚度。在傳感器81的前端設有傳感器部91。在傳感器81為膜厚計的情況下，通過監(jiān)視傳感器部91中形成的膜厚的厚度，能夠監(jiān)視蒸鍍材料的放射。優(yōu)選朝向下方設置傳感器81的傳感器部91。在傳感器81安裝在筒狀體31的壁面上的情況下，以傳感器部91朝向斜下方的方式安裝傳感器81。由此，監(jiān)視性能提聞。
[0086]在第一實施方式中，傳感器81a配置在筒狀體31的側部(側方的壁面)，傳感器81b配置在筒狀體31的前部(上游側的壁面)。當傳感器81a與傳感器81b的距離較近時，可能無法適當監(jiān)視蒸鍍材料的放射。但是，通過在筒狀體31的其他壁面上設置傳感器81，與傳感器部91之間的距離較遠，能夠高精度地監(jiān)視蒸鍍材料的放射。
[0087]優(yōu)選蒸鍍裝置11根據使用傳感器81監(jiān)視到的蒸鍍速度或膜厚，對從蒸鍍源21放射的蒸鍍材料的蒸鍍速度進行控制。由此，蒸鍍裝置11更加容易形成膜厚均勻的薄膜。進而，蒸鍍裝置11能夠形成混合比穩(wěn)定的薄膜。例如，在蒸鍍裝置11中設置蒸鍍量控制機構(控制器)。即，在蒸鍍裝置11中設置構成為對蒸鍍量進行控制的控制器?？刂破饔蛇m當的電子運算設備構成?？刂破骼鐦嫵蔀?，根據使用傳感器81監(jiān)視到的蒸鍍速度與設定蒸鍍速度的偏差，對來自蒸鍍源21的蒸鍍材料的放射量進行控制。例如，當監(jiān)視到的蒸鍍速度與設定值之間存在偏差時，控制器通過控制對蒸鍍源21的加熱機構(加熱器)供給的電力量，對蒸鍍源21中的加熱容器內的溫度進行調節(jié)。由此，調整來自蒸鍍源21的蒸鍍材料的放射量。另外，也可以在蒸鍍源21的放射部71中設置利用閥的開閉來改變遮蔽度的遮蔽體。該情況下，控制器也可以構成為，通過調整閥的開度，對蒸鍍材料的放射量進行調整。
[0088]在本實施方式的情況下，由于在各分離空間611、612中設置兩個蒸鍍源21和兩個傳感器81，所以，利用使蒸鍍材料與傳感器81得到的測定結果的關系成為數學式的聯立方程式，能夠求出各個蒸鍍材料的蒸鍍速度。
[0089]在計算蒸鍍速度時，關注每個分離空間611、612的蒸鍍速度。這是因為，由于一個分離空間與其他分離空間分開，所以，不用考慮從其他分離空間放射的蒸鍍材料。
[0090]首先，在各分離空間611、612中，設從蒸鍍源21a分別到達傳感器81a和傳感器81b的蒸鍍材料的每單位時間的到達量比的值為Al。并且，設蒸鍍源21a的設定蒸鍍速度的值為Cl、蒸鍍源21b的蒸鍍速度的值為X2、傳感器81b監(jiān)視到的蒸鍍速度的值為Y2。于是，下面的(式I)成立。
[0091](式1)Y2 = A1XC1+X2
[0092]根據該(式 I)，控制器能夠計算蒸鍍源21b的蒸鍍速度X2。
[0093]同樣，設從蒸鍍源21b分別到達傳感器81a和傳感器81b的蒸鍍材料的每單位時間的到達量比的值為A2。并且，設蒸鍍源21b的設定蒸鍍速度的值為C2、第I蒸鍍源21a的蒸鍍速度的值為X1、傳感器81a監(jiān)視到的蒸鍍速度的值為Y1。于是，下面的(式2)成立。
[0094](式2) Yl = A2 X C2+X1
[0095]根據該(式2)，控制器能夠計算蒸鍍源21a的蒸鍍速度XI。
[0096]控制器針對全部多個分離空間611、612進行以上計算。接著，控制器調整蒸鍍材料的放射量，以使得各蒸鍍源21中的蒸鍍速度(在上述例子中為X1、X2)成為設定蒸鍍速度(在上述例子中為Cl、C2)。由此，蒸鍍裝置能夠以設定蒸鍍速度進行蒸鍍并形成薄膜，能夠形成材料的混合比恒定、膜厚穩(wěn)定的薄膜。
[0097]另外，在第一實施方式中，在各分離空間611、612中設置2個蒸鍍源21，但是，也可以在各分離空間611、612中設置3個以上的蒸鍍源21。該情況下，蒸鍍裝置11能夠對2種以上的摻雜劑進行共蒸鍍并與主體材料混合。在各分離空間611、612中設置3個以上的蒸鍍源21的情況下，優(yōu)選在各分離空間611、612中設置至少與蒸鍍源21的個數相同的傳感器81。通過使蒸鍍源21和傳感器81的個數匹配，能夠通過聯立方程式簡單地計算蒸鍍速度。但是，當蒸鍍源21過多時，計算變得復雜，所以，一個分離空間中設置的蒸鍍源21的個數為5個以下或4個以下比較好。
[0098]圖1A和圖1B的蒸鍍裝置11能夠在被蒸鍍體10上形成在寬度方向上均勻且穩(wěn)定的薄膜，所以，適于在寬度方向的長度較長的大型基板上形成薄膜。例如，在形成大型有機EL元件的情況下，當膜厚不均勻時，發(fā)光容易產生不均，但是，本實施方式的蒸鍍裝置11能夠形成厚度更加均勻且減少了混合比的偏差的薄膜，所以，能夠得到抑制了發(fā)光不均的有機EL元件。被蒸鍍體10(基板)的寬度方向的長度例如為730mm以上即可。這樣，在基板大型的情況下，當使用按照每個蒸鍍材料配置一個蒸鍍源的現有的蒸鍍裝置時，不容易得到均勻且穩(wěn)定的薄膜。但是，當使用本實施方式的蒸鍍裝置11時，由于在該蒸鍍裝置11中設置多個蒸鍍源21，所以，能夠簡單地得到均勻且穩(wěn)定的薄膜。另外，被蒸鍍體10(基板)的寬度方向的長度為第10代的玻璃基板的長度即2880mm以下即可，但是不限于此。
[0099]這樣，在I個筒狀體31中混合了 2組以上的2種材料的情況下，第一實施方式的蒸鍍裝置11能夠單獨監(jiān)視來自各個蒸鍍源21的蒸鍍速度，能夠高精度地控制蒸鍍速度和摻雜濃度。因此，蒸鍍裝置11能夠在被蒸鍍體10上形成膜厚和濃度偏差較小的薄膜。SP，在本實施方式中，在使用兩種以上的蒸鍍材料的情況下，也能夠高精度地計測各蒸鍍材料的蒸鍍速度，因此，能夠以更高精度控制通過蒸鍍而形成的薄膜的厚度和組成。
[0100]圖3A和圖3B示出第二實施方式。除了蒸鍍源和傳感器的數量與第一實施方式不同以外，本實施方式具有與第一實施方式相同的結構。本實施方式的蒸鍍裝置12用于通過蒸鍍在所輸送的被蒸鍍體10上形成薄膜。
[0101]圖3A和圖3B的蒸鍍裝置12具有多個放射I種蒸鍍材料的蒸鍍源21。
[0102]與第一實施方式同樣，第二實施方式的蒸鍍裝置12具有放射用于形成薄膜的蒸鍍材料的蒸鍍源22、以及朝向被蒸鍍體10放出從蒸鍍源22放射的蒸鍍材料的筒狀體32。筒狀體32被加熱到蒸鍍材料氣化的溫度。
[0103]即，蒸鍍裝置 12具有構成熱壁的筒狀體32。該筒狀體32具有面向沿著被蒸鍍體
10的輸送方向的被蒸鍍體10的一面的開口 42。蒸鍍裝置12還具有構成為保持放射到筒狀體32的內部的蒸鍍材料的蒸鍍源22。
[0104]在圖3A和圖3B的蒸鍍裝置12中，從筒狀體32放出I種蒸鍍材料并形成薄膜。即，形成由I種材料構成的薄膜。在筒狀體32中設有2個用于放射蒸鍍材料的蒸鍍源22。當放射相同種類的材料的蒸鍍源22的個數增加為多個時，蒸鍍材料的放出量增加，所以，在被蒸鍍體10大型化的情況下，也能夠高效地形成薄膜。圖3A和圖3B的蒸鍍裝置12例如能夠在有機EL元件的制造中層疊形成由一個蒸鍍材料構成的層。作為這種層，在有機EL元件中，例示整體注入層、整體輸送層、電子輸送層、電子注入層、中間層等層。
[0105]在本實施方式中，通過沿著輸送方向設置的分離板52，筒狀體32的內部被分離為多個分離空間621、622。在第二實施方式中，通過大致均等地將筒狀體32分成2部分的分離板52，設有容積大致相同的兩個分離空間621、622。分離板52被加熱到蒸鍍材料氣化的溫度。
[0106]即，蒸鍍裝置12具有配置在筒狀體32的內部的分離板52。該分離板52與筒狀體32 —起構成熱壁。通過該分離板52，筒狀體32的內部被分離為沿著筒狀體32的開口 42的面在與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向上并列的第一分離空間621和第二分離空間622。
[0107]在圖3A和圖3B的蒸鍍裝置12中，在各分離空間621、622中設有I個蒸鍍源22和監(jiān)視來自該蒸鍍源22的蒸鍍材料的放射的I個傳感器82。由此，在被蒸鍍體10的寬度增大的情況下，蒸鍍裝置12也能夠在寬度方向上形成薄膜。在本實施方式中，設置在各分離空間621、622中的傳感器82監(jiān)視設置在相同分離空間中的蒸鍍源22的蒸鍍材料的放射。因此，蒸鍍裝置12能夠在各個分離空間621、622中監(jiān)視來自蒸鍍源22的蒸鍍材料的放射，能夠高精度進行蒸鍍。并且，由于設置在各分離空間621、622中的蒸鍍源22放射相同種類的蒸鍍材料，所以，能夠從各分離空間621、622放出相同種類的蒸鍍材料。
[0108]即，在第一分離空間621中設有構成為保持放射到該第一分離空間621中的蒸鍍材料的第一蒸鍍源221和構成為檢測來自該第一蒸鍍源221的蒸鍍材料的放射的第一傳感器821。在第二分離空間622中設有構成為保持放射到該第二分離空間622中的蒸鍍材料的第二蒸鍍源222和構成為檢測來自該第二蒸鍍源222的蒸鍍材料的放射的第二傳感器822。在本實施方式中，第一和第二蒸鍍源221、222分別由一個蒸鍍源22構成，第一和第二傳感器821、822分別由一個傳感器82構成。第一蒸鍍源221和第二蒸鍍源222構成為保持相同種類的蒸鍍材料。
[0109]如圖3B所示，在與輸送方向垂直的方向上并列配置蒸鍍源22。由此，蒸鍍裝置12能夠穩(wěn)定地形成在被蒸鍍體10的寬度方向上均勻的薄膜。
[0110]在本實施方式中，通過由分離板52將筒狀體32的內部分隔為多個分離空間621、622，在對寬度方向的長度較長的被蒸鍍體10進行蒸鍍的情況下，蒸鍍裝置12也能夠簡單地調整蒸鍍材料的放射，調整蒸鍍量的分布。即，在使用未設置分離板的筒狀體的內部完全連通的蒸鍍裝置的情況下，當在筒狀體上設置多個相同種類的蒸鍍源時，材料在筒狀體的內部混合。于是，即使利用傳感器進行監(jiān)視，蒸鍍裝置也無法判別是從哪個蒸鍍源放射的蒸鍍材料，無法適當控制蒸鍍源的放射量等。但是，在本實施方式中，分離板52對筒狀體32內部的空間進行分隔，在各分離空間621、622中設置蒸鍍源22和傳感器82，所以，蒸鍍裝置12能夠簡單地監(jiān)視來自各個蒸鍍源22的材料的放射。因此，蒸鍍裝置12能夠高精度地形成薄膜。
[0111]分離板52的結構與第一實施方式的分離板51的結構相同即可。即，優(yōu)選分離板52不對筒狀體32的開口 4附近進行分離。并且，優(yōu)選分離板52設置成，在引出連接一個分離空間中的蒸鍍源22的放射部72和另一個分離空間中的傳感器82的傳感器部92的直線作為假想線時，隔斷該假想線。進而，優(yōu)選分離板52的高度高于傳感器82的傳感器部92。并且，分離板52能夠進行高度調節(jié)。如參照圖2A~圖2C說明的那樣，當分離板52的高度過高時，很難得到均勻的膜厚，當分離板52的高度過低時，對傳感器82的監(jiān)視造成不良影響，所以，適當設定分離板52的高度。
[0112]即，優(yōu)選分離板52構成為不在其開口 42附近對筒狀體32的內部進行分離。換言之，優(yōu)選分離板52在筒狀體32的內部從筒狀體32的開口 42退避。優(yōu)選分離板52構成為，隔斷連接第一蒸鍍源221的放射部72和第二傳感器822的傳感器部92的假想直線(假想線)，并且，隔斷連接第二蒸鍍源222的放射部72和第一傳感器822的傳感器部92的假想直線(假想線)。換言之，優(yōu)選這些假想線與分離板52交叉。
[0113]使用傳感器82的蒸鍍材料的放射的監(jiān)視與第一實施方式相同即可。與第一實施方式同樣，優(yōu)選根據傳感器82的監(jiān)視，對蒸鍍速度進行控制。
[0114]在第二實施方式中，由于在各分離空間621、622中設置一個蒸鍍源22和一個傳感器82，所以，能夠以一對一的關系進行監(jiān)視。即，不需要通過聯立方程式等求出蒸鍍材料的放射的監(jiān)視，能夠直接監(jiān)視蒸鍍速度。因此，蒸鍍裝置12能夠高精度且簡單地形成膜厚均勻的薄膜。
[0115]第二實施方式的蒸鍍裝置12能夠在被蒸鍍體10上形成在寬度方向上均勻且穩(wěn)定的薄膜。因此，蒸鍍裝置12適于在寬度方向的長度較長的大型基板上形成薄膜。例如，在形成大型有機EL元件的情況下，當膜厚不均勻時，發(fā)光容易產生不均。但是，由于蒸鍍裝置12能夠形成厚度更加均勻的薄膜，所以，能夠得到抑制了發(fā)光不均的有機EL元件。被蒸鍍體10的寬度方向的長度與第一實施方式相同即可。
[0116]這樣，在從2個以上的蒸鍍源22向I個筒狀體32放出I種材料的情況下，第二實施方式的蒸鍍裝置12能夠單獨監(jiān)視來自各個蒸鍍源22的蒸鍍速度，能夠高精度控制蒸鍍速度。因此，蒸鍍裝置12能夠在被蒸鍍體10上形成膜厚的偏差較小的薄膜。
[0117]圖4A和圖4B分別示出第三和第四實施方式。圖4A所示的第三實施方式的蒸鍍裝置13使用多個放射多種(2種)蒸鍍材料的蒸鍍源23的組。圖4B所示的第四實施方式的蒸鍍裝置14使用多個放射I種蒸鍍材料的蒸鍍源24。
[0118]與第一實施方式同樣，第三實施方式的蒸鍍裝置13具有放射用于形成薄膜的蒸鍍材料的蒸鍍源23、以及朝向被蒸鍍體10放出從蒸鍍源23放射的蒸鍍材料的筒狀體33。筒狀體33被加熱到蒸鍍材料氣化的溫度。第四實施方式的蒸鍍裝置14具有放射用于形成薄膜的蒸鍍材料的蒸鍍源24、以及朝向被蒸鍍體10放出從蒸鍍源24放射的蒸鍍材料的筒狀體34。筒狀體34被加熱到蒸鍍材料氣化的溫度。
[0119]在第三實施方式的蒸鍍裝置13中，從筒狀體33放出2種蒸鍍材料并形成薄膜。即，薄膜形成為基于2種材料的混合膜。當設放射2種蒸鍍材料的兩個蒸鍍源23為I組時，在筒狀體33中設置3組這樣的組。其結果，設置合計6個用于放射蒸鍍材料的蒸鍍源23。當放射相同種類的材料的蒸鍍源23的個數增加為多個時，蒸鍍材料的放出量增加，所以，在被蒸鍍體10大型化的情況下，蒸鍍裝置13也能夠高效地形成薄膜。特別是如第三實施方式的裝置那樣， 當蒸鍍源23的組數增加時，由于在寬度方向上更加均勻地放出蒸鍍材料，所以，在被蒸鍍體10更加大型的情況下，蒸鍍裝置13也能夠形成更加均勻的薄膜。
[0120]在第四實施方式的蒸鍍裝置14中，從筒狀體34放出I種蒸鍍材料并形成薄膜。即，薄膜形成為單一蒸鍍材料的薄膜。在筒狀體34內設置合計3個放射I種蒸鍍材料的蒸鍍源24。當放射相同種類的材料的蒸鍍源24的個數增加為多個時，蒸鍍材料的放出量增加，所以，在被蒸鍍體10大型化的情況下，蒸鍍裝置14也能夠高效地形成薄膜。特別是如第四實施方式的裝置那樣，當蒸鍍源24的個數為3個以上時，由于在寬度方向上更加均勻地放出蒸鍍材料，所以，在被蒸鍍體10更加大型的情況下，蒸鍍裝置14也能夠形成更加均勻的薄膜。
[0121]在第三和第四實施方式中，通過沿著輸送方向設置的多個分離板，筒狀體的內部被分離為多個分離空間。具體而言，通過在寬度方向上大致均等地將筒狀體分成3部分的兩個分離板，設有容積大致相同的三個分離空間。各分離板被加熱到蒸鍍材料氣化的溫度。在第三和第四實施方式中，設置3個分離空間，但是，分離空間也可以是4個以上。另外，由于分離板對筒狀體的內部空間進行分離，所以，分離空間的數量成為比分離板的數量多一個的數量。在多個分離空間中設有相同蒸鍍源的組。即，朝向各分離空間放射相同種類的蒸鍍材料。
[0122]在第三實施方式的蒸鍍裝置13中，在分離空間631、632、633中分別設置多個(2個)蒸鍍源23和用于監(jiān)視來自該蒸鍍源23的蒸鍍材料的放射的多個(2個)傳感器83。由此，在被蒸鍍體10的寬度增大的情況下，蒸鍍裝置13也能夠形成寬度方向上厚度更加均勻且混合比穩(wěn)定的薄膜。在本實施方式中，設置在各分離空間631、632、633中的傳感器84用于監(jiān)視設置在相同分離空間631、632、633中的蒸鍍源23的蒸鍍材料的放射。因此，蒸鍍裝置13能夠在各分離空間631、632、633中監(jiān)視來自蒸鍍源2的蒸鍍材料的放射，能夠高精度進行蒸鍍。另外，在由分離板531、532分隔的中央的分離空間632中，在其前方的壁面和后方的壁面上設置傳感器83。由此，通過使傳感器部93之間的距離較遠，能夠提高監(jiān)視精度。另外，也可以在分離板531、532上設置傳感器83，但是，裝置變得復雜，所以，傳感器83設置在筒狀體33的壁面上較好。
[0123]并且，在第四實施方式的蒸鍍裝置14中，在分離空間641、642、643中分別設置I個蒸鍍源24和監(jiān)視來自該蒸鍍源24的蒸鍍材料的放射的I個傳感器84。由此，在被蒸鍍體10的寬度增大的情況下，蒸鍍裝置14也能夠形成寬度方向上厚度更加均勻的薄膜。在本實施方式中，設置在各分離空間641、642、643中的傳感器84用于監(jiān)視設置在相同分離空間641、642、643中的蒸鍍源24的蒸鍍材料的放射。因此，蒸鍍裝置14能夠在各分離空間641、642、643中監(jiān)視來自蒸鍍源24的蒸鍍材料的放射，能夠高精度進行蒸鍍。
[0124]在第三和第四實施方式的蒸鍍裝置中，通過設置分離板并將筒狀體的內部分隔為多個分離空間，在對寬度方向的長度較長的被蒸鍍體10進行蒸鍍的情況下，也能夠簡單地調整蒸鍍材料的放射，調整蒸鍍量的分布。即，在使用未設置分離板且筒狀體的內部完全連通的蒸鍍裝置的情況下，當在筒狀體上設置多個相同種類的蒸鍍源時，材料在筒狀體的內部混合。于是，即使利用傳感器進行監(jiān)視，也無法判別是從哪個蒸鍍源放射的蒸鍍材料，無法適當控制蒸鍍源的放射量等。但是，在本實施方式中，設置分離板并對筒狀體內部的空間進行分隔，在各個分離空間中設置蒸鍍源和傳感器，所以，能夠簡單地監(jiān)視來自各個蒸鍍源的材料的放射。因此，能夠高精度地形成薄膜。
[0125]在第三和第四實施方式中，分離板的結構采用與第一實施方式的分離板相同的結構即可。即，優(yōu)選分離板設置成不對筒狀體的開口附近進行分離。并且，優(yōu)選分離板設置成，在引出連接一個分離空間中的蒸鍍源的放射部和另一個分離空間中的傳感器的傳感器部的直線作為假想線時，隔斷該假想線。進而，優(yōu)選分離板的高度高于傳感器的傳感器部。并且，分離板能夠進行高度調節(jié)。當分離板的高度過高時，很難得到均勻的膜厚，當分離板的高度過低時，對傳感器的監(jiān)視造成不良影響，所以，適當設定分離板的高度。
[0126]在第三和第四實施方式中，傳感器對蒸鍍材料的放射的監(jiān)視與第一實施方式相同即可。與第一實施方式同樣，優(yōu)選根據傳感器的監(jiān)視，對蒸鍍速度進行控制。
[0127]第三和第四實施方式的蒸鍍裝置13、14能夠在被蒸鍍體10上形成在寬度方向上均勻且穩(wěn)定的薄膜，所以，適于在寬度方向的長度較長的大型基板上形成薄膜。例如，在形成大型有機EL元件的情況下，當膜厚不均勻時，發(fā)光容易產生不均，但是，在該蒸鍍裝置
13、14中，由于能夠以厚度更加均勻且減少了混合比的偏差的方式進行成膜，所以，能夠得到抑制了發(fā)光不均的有機EL元件。被蒸鍍體10的寬度方向的長度與第一實施方式相同即可，但是，在本實施方式中，與第一實施方式中使用的被蒸鍍體10相比，能夠進一步增大寬度方向的長度。
[0128]這樣，在I個筒狀體33內混合3組以上的2種材料的情況下，第三實施方式的蒸鍍裝置13能夠單獨監(jiān)視來自各個蒸鍍源23的蒸鍍材料的蒸鍍速度，能夠高精度控制蒸鍍速度和摻雜濃度。因此，蒸鍍裝置13能夠在被蒸鍍體10上形成膜厚和濃度偏差較小的混合薄膜。并且，在從3個以上的蒸鍍源24向I個筒狀體34放出I種材料的情況下，第四實施方式的蒸鍍裝置14能夠單獨監(jiān)視來自各個蒸鍍源24的蒸鍍材料的蒸鍍速度，能夠高精度控制蒸鍍速度。因此，蒸鍍裝置14能夠在被蒸鍍體10上形成膜厚的偏差較小的薄膜。
[0129]如上所述，第三實施方式的蒸鍍裝置13具有與第一實施方式相同的結構，還具有第二分離板532、第三蒸鍍源23和第三傳感器83。該蒸鍍裝置14用于通過蒸鍍在所輸送的被蒸鍍體10上形成薄膜。蒸鍍裝置13具有構成熱壁的筒狀體33。該筒狀體33具有面向沿著被蒸鍍體10的輸送方向的被蒸鍍體10的一面的開口 43。
[0130]蒸鍍裝置13具有配置在筒狀體33的內部的兩個分離板531、532 (第一分離板531和第二分離板532)。這些分離板531、532與筒狀體33 —起構成熱壁。通過第一分離板531，筒狀體33的內部被分離為沿著筒狀體33的開口 43的面在與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向上并列的第一分離空間631和第二分離空間632。進而，通過第二分離板532，筒狀體33的內部被分離為沿著筒狀體33的開口 43的面在與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向上并列的第二分離空間632和第三分離空間633。即，通過第一分離板531和第二分離板532，筒狀體33的內部被分離為沿著筒狀體33的開口 43的面在與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向上并列的第一分離空間631、第二分離空間632和第三分離空間633。
[0131]在第一分離空間631中設有構成為保持放射到該第一分離空間631中的蒸鍍材料的第一蒸鍍源231和構成為檢測來自該第一蒸鍍源231的蒸鍍材料的放射的第一傳感器831。在第二分離空間632中設有構成為保持放射到該第二分離空間632中的蒸鍍材料的第二蒸鍍源232和構成為檢測來自該第二蒸鍍源232的蒸鍍材料的放射的第二傳感器832。在第三分離空間633中設有構成為保持放射到該第三分離空間633中的蒸鍍材料的第三蒸鍍源233和構成為檢測來自該第三蒸鍍源233的蒸鍍材料的放射的第三傳感器833。
[0132]第一、第二和第三蒸鍍源231、232、233分別由多個蒸鍍源23構成。在本實施方式中，第一、第二和第三蒸鍍源231、232、233分別包含蒸鍍源23a和蒸鍍源23b這兩個蒸鍍源23。
[0133]在本實施方式中，由第一蒸鍍源231保持的蒸鍍材料、由第二蒸鍍源232保持的蒸鍍材料、由第三蒸鍍源233保持的蒸鍍材料為相同種類。即，第一蒸鍍源231中包含的蒸鍍源23a、第二蒸鍍源232中包含的蒸鍍源23a、第三蒸鍍源233中包含的蒸鍍源23a構成為保持相同種類的蒸鍍材料(摻雜劑材料)。第一蒸鍍源231中包含的蒸鍍源23b、第二蒸鍍源232中包含的蒸鍍源23b、第三蒸鍍源233中包含的蒸鍍源23b也構成為保持相同種類的蒸鍍材料(主體材料)。
[0134]第一、第二和第三傳感器831、832、833分別由多個傳感器83構成。在本實施方式中，第一、第二和第三傳感器831、832、833分別包含傳感器83a和傳感器83b這兩個傳感器83。
[0135]第一分離板531構成為不在其開口 43附近對筒狀體33的內部進行分離。該第一分離板531構成為，隔斷分別連接第一和第二蒸鍍源231、232的放射部73與第二和第一傳感器832、831的傳感器部93的假想直線。第二分離板532也構成為不在其開口 43附近對筒狀體33的內部進行分離。該第二分離板532構成為，隔斷分別連接第二和第三蒸鍍源232、233的放射部73與第三和第二傳感器833、832的傳感器部93的假想直線。
[0136]如上所述，第四實施方式的蒸鍍裝置14具有與第二實施方式相同的結構，還具有第二分離板542、第三蒸鍍源243和第三傳感器843。該蒸鍍裝置14用于通過蒸鍍在所輸送的被蒸鍍體10上形成薄膜。蒸鍍裝置14具有構成熱壁的筒狀體84。該筒狀體84具有面向沿著被蒸鍍體10的輸送方向的被蒸鍍體10的一面的開口 44。
[0137]蒸鍍裝置14具有配置在筒狀體84的內部的兩個分離板541、542 (第一分離板541和第二分離板542)。這些分離板541、542與筒狀體34 —起構成熱壁。通過第一分離板541，筒狀體34的內部被分離為沿著筒狀體34的開口 44的面在與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向上并列的第一分離空間641和第二分離空間642。進而，通過第二分離板542，筒狀體34的內部被分離為沿著筒狀體34的開口 44的面在與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向上并列的第二分離空間642和第三分離空間643。即，通過第一分離板541和第二分離板542，筒狀體34的內部被分離為沿著筒狀體34的開口 44的面在與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向上并列的第一分離空間641、第二分離空間642和第三分離空間643。
[0138]在第一分離空間641中設有構成為保持放射到該第一分離空間641中的蒸鍍材料的第一蒸鍍源241和構成為檢測來自該第一蒸鍍源241的蒸鍍材料的放射的第一傳感器841。在第二分離空間642中設有構成為保持放射到該第二分離空間642中的蒸鍍材料的第二蒸鍍源242和構成為檢測來自該第二蒸鍍源242的蒸鍍材料的放射的第二傳感器842。在第三分離空間643中設有構成為保持放射到該第三分離空間643中的蒸鍍材料的第三蒸鍍源243和構成為檢測來自該第三蒸鍍源243的蒸鍍材料的放射的第三傳感器843。
[0139]第一、第二和第三蒸鍍源241、242、243分別由一個蒸鍍源24構成。在本實施方式中，由第一蒸鍍源241保持的蒸鍍材料、由第二蒸鍍源242保持的蒸鍍材料、由第三蒸鍍源243保持的蒸鍍材料為相同種類。
[0140]第一、第二和第三傳感器841、842、843分別由一個傳感器84構成。
[0141]第一分離板541構成為不在其開口 44附近對筒狀體34的內部進行分離。該第一分離板541構成為，隔斷分別連接第一和第二蒸鍍源241、242的放射部74與第二和第一傳感器842、841的傳感器部94的假想直線。第二分離板542也構成為不在其開口 44附近對筒狀體34的內部進行分離。該第二分離板542構成為，隔斷分別連接第二和第三蒸鍍源242、243的放射部74與第三和第二傳感器843、842的傳感器部94的假想直線。
[0142]另外，在第一和第二實施方式中，通過在筒狀體的內部配置一個分離板，筒狀體內部的空間被分離為兩個分離空間，在第三和第四實施方式中，通過在筒狀體的內部配置兩個分離板，筒狀體內部的空間被分離為三個分離空間，但是，分離板和分離空間的數量不限于此。即，也可以通過在筒狀體的內部配置三個以上的分離板，筒狀體內部的空間被分離為四個以上的分離空間，在各分離空間中設置蒸鍍源和傳感器。
[0143]圖5示出第五實施方式的蒸鍍裝置15。該蒸鍍裝置15具有與第三實施方式的蒸鍍裝置13相同的結構，還具有遮蔽體30。該蒸鍍裝置15用于通過蒸鍍在所輸送的被蒸鍍體10上形成薄膜。蒸鍍裝置15具有構成熱壁的筒狀體35。該筒狀體35具有面向沿著被蒸鍍體10的輸送方向的被蒸鍍體10的一面的開口 45。
[0144]蒸鍍裝置15具有配置在筒狀體35的內部的兩個分離板551、552 (第一分離板551和第二分離板552)。這些分離板551、552與筒狀體35 —起構成熱壁。通過第一分離板551，筒狀體35的內部被分離為沿著筒狀體35的開口 45的面在與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向上并列的第一分離空間651和第二分離空間652。進而，通過第二分離板552，筒狀體35的內部被分離為沿著筒狀體35的開口 45的面在與被蒸鍍體10的輸送方向垂直的方向上并列的第二分離空間652和第三分離空間653。
[0145]在第一分離空間651中設有構成為保持放射到該第一分離空間651中的蒸鍍材料的第一蒸鍍源251和構成為檢測來自該第一蒸鍍源251的蒸鍍材料的放射的第一傳感器851。在第二分離空間652中設有構成為保持放射到該第二分離空間652中的蒸鍍材料的第二蒸鍍源252和構成為檢測來自該第二蒸鍍源252的蒸鍍材料的放射的第二傳感器852。在第三分離空間653中設有構成為保持放射到該第三分離空間653中的蒸鍍材料的第三蒸鍍源253和構成為檢測來自該第三蒸鍍源253的蒸鍍材料的放射的第三傳感器853。
[0146]第一、第二和第三蒸鍍源251、252、253分別由多個蒸鍍源25構成。在本實施方式中，第一、第二和第三蒸鍍源251、252、253分別包含蒸鍍源25a和蒸鍍源25b這兩個蒸鍍源25。
[0147]在本實施方式中，由第一蒸鍍源251保持的蒸鍍材料、由第二蒸鍍源252保持的蒸鍍材料、由第三蒸鍍源253保持的蒸鍍材料為相同種類。即，第一蒸鍍源251中包含的蒸鍍源25a、第二蒸鍍源252中包含的蒸鍍源25a、第三蒸鍍源253中包含的蒸鍍源25a構成為保持相同種類的蒸鍍材料(摻雜劑材料)。第一蒸鍍源251中包含的蒸鍍源25b、第二蒸鍍源252中包含的蒸鍍源25b、第三蒸鍍源253中包含的蒸鍍源25b也構成為保持相同種類的蒸鍍材料(主體材料)。
[0148]第一、第二和第三傳感器851、852、853分別由多個傳感器85構成。在本實施方式中，第一、第二和第三傳感器851、852、853分別包含傳感器85a和傳感器85b這兩個傳感器85。
[0149]遮蔽體30構成為沿著其開口 45的面局部遮蔽筒狀體35的內部。在筒狀體35的軸方向上并列設置多個遮蔽體30。多個遮蔽體30分別具有開口 304。筒狀體35的軸方向上相鄰的遮蔽體30的開口 304在該軸方向上不重合。
[0150]多個遮蔽體30分別具有分別局部遮蔽多個分離空間651、652、653的部分301、302、303。即，多個遮蔽體30分別具有局部遮蔽第一分離空間651的部分301、局部遮蔽第二分離空間652的部分302、局部遮蔽第三分離空間653的部分303。這些部分301、302、303分別具有開口 304。
[0151]這些遮蔽體30配置在比第一傳感器851、第二傳感器852和第三傳感器853靠筒狀體35的開口 45側的位置。即，各遮蔽體30配置在比任意傳感器85靠筒狀體35的開口45側的位置。
[0152]本實施方式的蒸鍍裝置15與第三實施方式的情況同樣，即使被蒸鍍體10為大型，也能夠在被蒸鍍體10上形成膜厚和組成的偏差較小的薄膜。特別是在本實施方式中，通過遮蔽體30遮蔽作為外界干擾要因的物質到達各傳感器85。作為外界干擾要因的物質是引起傳感器85的檢測精度降低的物質，作為其例子，舉出從一個分離空間放出并侵入其他分離空間的蒸鍍物質。因此，各傳感器85的檢測精度提高，由此，能夠以更高精度形成薄膜。
[0153]進而，在本實施方式中，通過使多種蒸鍍物質穿過遮蔽體30，良好地混合這些蒸鍍物質。因此，薄膜的組成的偏差進一步減小。
[0154]另外，在本實施方式中，設置多個遮蔽體30，但是，也可以僅設置一個遮蔽體30。
[0155]圖6示出第五實施方式的第一變形例。在本變形例中，變更第五實施方式中的蒸鍍源25和傳感器85的位置。在本變形例中，分別設置在多個分離空間651、652、653中的多個蒸鍍源25沿著被蒸鍍體10的輸送方向并列。即，第一蒸鍍源251中包含的兩個蒸鍍源25a、25b沿著被蒸鍍體10的輸送方向并列，第二蒸鍍源252中包含的兩個蒸鍍源25a、25b沿著被蒸鍍體10的輸送方向并列，第三蒸鍍源253中包含的兩個蒸鍍源25a、25b沿著被蒸鍍體10的輸送方向并列。進而，分別設置在多個分離空間651、652、653中的多個傳感器85也沿著被蒸鍍體10的輸送方向并列。即，第一傳感器851中包含的兩個傳感器85a、85b沿著被蒸鍍體10的輸送方向并列，第二傳感器852中包含的兩個傳感器85a、85b沿著被蒸鍍體10的輸送方向并列，第三傳感器853中包含的兩個傳感器85a、85b沿著被蒸鍍體10的輸送方向并列。在本實施方式中，在筒狀體35中的在被蒸鍍體10的輸送方向上相互對置的兩個壁面上分別安裝傳感器85a和傳感器85b。由此，容易實現各分離空間651、652、653中的在被蒸鍍體10的輸送方向上并列的兩個傳感器85a、85b的配置。
[0156]在本變形例中，在各分離空間651、652、653中，多個蒸鍍源25沿著被蒸鍍物10的輸送方向并列，所以，在各分離空間651、652、653內，容易沿著被蒸鍍物10的輸送方向產生多種蒸鍍材料的濃度分布的傾斜。這樣，在濃度分布產生傾斜的狀態(tài)下，通過傳感器85檢測蒸鍍材料。因此，能夠以更高精度計測各蒸鍍材料的蒸鍍速度，以更高精度控制通過蒸鍍而形成的薄膜的厚度和組成。
[0157]圖7示出第五實施方式的第二變形例。在本變形例中，變更第五實施方式中的傳感器85的位置。在本變形例中，傳感器85分別安裝在多個蒸鍍源25中。即，在第一蒸鍍源251中包含的蒸鍍源25a和蒸鍍源25b中分別安裝第一傳感器851中包含的傳感器85a和傳感器85b。在第二蒸鍍源252中包含的蒸鍍源25a和蒸鍍源25b中分別安裝第二傳感器852中包含的傳感器8 5a和傳感器85b。在第三蒸鍍源253中包含的蒸鍍源25a和蒸鍍源25b中分別安裝第三傳感器853中包含的傳感器85a和傳感器85b。
[0158]在本變形例中，在各蒸鍍源25中氣化的蒸鍍材料從該蒸鍍源25放射之前，通過設置在該蒸鍍源25中的傳感器85進行檢測。因此，在多種蒸鍍材料被放出到各分離空間651、652、653中時，在這些蒸鍍材料混合之前，通過傳感器85檢測各蒸鍍材料。因此，能夠以更高精度計測各蒸鍍材料的蒸鍍速度，以更高精度控制通過蒸鍍而形成的薄膜的厚度和組成。
[0159]圖8是具有多個蒸鍍裝置I的蒸鍍系統的一例。該蒸鍍系統能夠用作有機電致發(fā)光元件制造裝置(有機EL制造裝置)。該蒸鍍系統使用多個蒸鍍裝置11、12，通過蒸鍍依次在所輸送的被蒸鍍體10上層疊形成薄膜。由此，有機EL制造裝置能夠以串聯方式高效地制造有機EL元件等電氣設備。在圖8中，圖示了從輸送方向(空心箭頭)的上游朝向下游依次配置2個蒸鍍裝置11、12的狀況。另外，蒸鍍裝置也可以是3個以上。例如，也可以使用與通過蒸鍍而形成的薄膜的數量相同的數量的蒸鍍裝置。作為多個蒸鍍裝置，可以混合配置第一實施方式的蒸鍍材料為多種的蒸鍍裝置11和第二實施方式的蒸鍍材料為I種的蒸鍍裝置12。即，如圖5所示，例如，蒸鍍系統可以具有第一實施方式的蒸鍍裝置11和第二實施方式的蒸鍍裝置12。由此，蒸鍍系統能夠結合材料而形成發(fā)光層或電荷輸送層等適當層。另外，蒸鍍系統也可以具有第一~第五實施方式的蒸鍍裝置11、12、13、14、15中的兩個以上的蒸鍍裝置。
[0160]圖8的形式的蒸鍍系統具有輸送被蒸鍍體10的輸送單元20。輸送單元20由傳送機等適當輸送機構構成。通過由輸送機構進行輸送，被蒸鍍體10能夠沿著生產線從輸送方向的上游側朝向下游側依次穿過各蒸鍍裝置11、12的上方。輸送單元20例如具有構成為對被蒸鍍體10的寬度方向的端部進行支承的支承部件。該情況下，輸送單元20構成為，利用支承部件支承被蒸鍍體10的寬度方向的端部，并且，使被蒸鍍體10的下部表面露出到外部，并按照每個支承部件輸送被蒸鍍體10。通過使被蒸鍍體10的下部表面露出，能夠在該表面上蒸鍍從筒狀體31、32放出的蒸鍍材料并形成薄膜。被蒸鍍體10例如至少包含基板。例如，作為被蒸鍍體10，使用在表面上形成有透明電極的基板。作為被蒸鍍體10，也可以使用在表面上形成有透明電極和有機層的一部分層的基板。以形成有薄膜的表面成為下方的方式，將基板放置在適當的支承部件上。由此，能夠構成被蒸鍍體10。另外，也可以構成為，輸送單元20具有配置在寬度方向的各端部的輥或皮帶等傳送機，將基板的寬度方向的端部載置在傳送機上來輸送基板。在蒸鍍時，也可以在被蒸鍍體10的下部表面上重疊掩模。由此，蒸鍍系統不會對被蒸鍍體10的外周部進行蒸鍍，并且能夠以適當圖案層疊薄膜。
[0161]圖8的蒸鍍系統能夠更加均勻且穩(wěn)定地在大型的被蒸鍍體10上依次形成薄膜，所以，有機EL制造裝置能夠高效制造大型有機EL元件。構成制造出的有機EL元件的各層的厚度在其寬度方向(與輸送方向垂直的方向)的全體范圍內一致，特別是在混合層(即含有兩種以上的材料的層)中，材料的混合比(摻雜量等)在寬度方向的全體范圍內穩(wěn)定。因此，有機EL元件的發(fā)光不均減少，能夠得到更加均勻的面狀發(fā)光。由此，利用該有機EL制造裝置制造出的有機EL元件能夠有效用作面狀照明裝置。
[0162]實施例
[0163]發(fā)明人如下所述調查了蒸鍍裝置中的由于分離板高度不同而引起的膜厚分布的變化。作為蒸鍍裝置， 與圖3A和圖3B所示的第二實施方式同樣，使用放出I種蒸鍍材料的蒸鍍裝置。即，在該蒸鍍裝置中，通過一個分離板將筒狀體的內部等分分離為兩個分離空間，在各分離空間中設置一個蒸鍍源。筒狀體的高度為400mm,其寬度方向(與輸送方向垂直的方向)的長度為840mm,其輸送方向的長度為100mm。傳感器的傳感器部配置在從筒狀體的上端起的下方300mm處的位置。作為被蒸鍍體，使用寬度為730mm、輸送方向的長度為920mm的基板(板狀基材)。作為分離板，使用厚度為3_的鋼板,該分離板配置在筒狀體的中央。以使被蒸鍍體的寬度方向的中央部和筒狀體的寬度方向的中央部的位置一致的方式輸送被蒸鍍體。
[0164]圖9是示出在分離板的高度彼此不同的兩個實施例(薄膜例I和薄膜例2)中形成的薄膜的厚度分布的曲線圖。橫軸是“與基板中央之間的距離”，關于與被蒸鍍體的寬度方向的中央部分之間的距離，利用正數表示一個端部側，利用負數表示另一個端部側?？v軸是所層疊的薄膜的“粒子密度”，這是與厚度分布相等的指標。另外，為了利用指數表示數值而使用“E”，例如，2E+20是指2X10'在薄膜例I中，分離板的上端部的位置位于比筒狀體的上端靠下方30mm處。該分離板的上端部的位置也可以位于比傳感器的傳感器部靠上方。在薄膜例2中，分離板的高度與筒狀體的高度相同，通過分離板分離筒狀體的開口。
[0165]如圖9的薄膜例2所示，在分離板的高度與筒狀體的高度相同時，分離板的正上方附近(基板中央附近)的膜厚變薄，膜厚分布的均勻性成為±5%以上(最大值和最小值從平均值超出5%的范圍)。在薄膜的膜厚分布中，在寬度方向的中央部出現凹陷。認為這是因為在分離板的上方放出的蒸鍍材料減少。另外，在凹陷中形成凸部，薄膜的厚度稍微變厚。從相鄰的兩個分離空間放出的蒸鍍材料重復沉積而形成該凸部。
[0166]另一方面，如圖9的薄膜例I所示，在分離板的高度低于開口的位置、分離板不對筒狀體的開口附近進行分離時，膜厚分布在寬度方向的中央部大致恒定，膜厚分布的均勻性成為±3%以下(最大值和最小值從平均值超出3%的范圍內)。進而，在分離板的上端部的位置位于比筒狀體的上端靠下方60mm處的情況下，膜厚分布的均勻性成為±1%以下(最大值和最小值從平均值超出I %的范圍內)。
[0167]另外，膜厚在基板端部減小，但是，由于多數情況下在基板端部可以不形成薄膜，所以沒有問題。
[0168]這樣，確認到當分離板的高度低于筒狀體的高度時，調整被蒸鍍體的膜厚分布，在被蒸鍍體上形成膜厚偏差更小的薄膜。
【權利要求】
1.一種蒸鍍裝置，用于通過蒸鍍在所輸送的被蒸鍍體上形成薄膜，該蒸鍍裝置具有構成熱壁的筒狀體，該筒狀體具有面向沿著所述被蒸鍍體的輸送方向的所述被蒸鍍體的一面的開口，其特征在于， 所述蒸鍍裝置具有配置在所述筒狀體的內部并構成所述熱壁的分離板，通過該分離板，所述筒狀體的內部被分離為沿著所述開口的面在與所述被蒸鍍體的輸送方向垂直的方向上并列的第一分離空間和第二分離空間， 在所述第一分離空間中設有構成為保持放射到該第一分離空間中的蒸鍍材料的第一蒸鍍源和構成為檢測來自該第一蒸鍍源的蒸鍍材料的放射的第一傳感器， 在所述第二分離空間中設有構成為保持放射到該第二分離空間中的蒸鍍材料的第二蒸鍍源和構成為檢測來自該第二蒸鍍源的蒸鍍材料的放射的第二傳感器。
2.如權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于， 所述分離板構成為不在筒狀體的開口附近對所述筒狀體的內部進行分離， 所述分離板構成為隔斷分別連接所述第一蒸鍍源和第二蒸鍍源的放射部與所述第二傳感器和第一傳感器的傳感器部的假想直線。
3.如權利要求1或2所述的蒸鍍裝置，其特征在于， 所述第一蒸鍍源和第二蒸鍍源分別由多個蒸鍍源構成，所述第一傳感器和第二傳感器分別由多個傳感器構成。
4.如權利要求1~3中的任意一項所述的蒸鍍裝置，其特征在于， 所述蒸鍍裝置具有配置在所述筒狀體的內部并構成所述熱壁的第二分離板，通過該第二分離板，所述筒狀體的內部被分離為沿著所述開口的面在與所述被蒸鍍體的輸送方向垂直的方向上并列的所述第二分離空間和第三分離空間， 在所述第三分離空間中設有構成為保持放射到該第三分離空間中的蒸鍍材料的第三蒸鍍源和構成為檢測來自該第三蒸鍍源的蒸鍍材料的放射的第三傳感器， 由所述第一蒸鍍源保持的蒸鍍材料、由所述第二蒸鍍源保持的蒸鍍材料、由所述第三蒸鍍源保持的蒸鍍材料為相同種類。
5.如權利要求1~4中的任意一項所述的蒸鍍裝置，其特征在于， 所述蒸鍍裝置具有構成為沿著所述開口的面局部遮蔽所述筒狀體的內部的遮蔽體，該遮蔽體配置在比所述第一傳感器和所述第二傳感器靠所述開口側的位置。
6.如權利要求5所述的蒸鍍裝置，其特征在于， 在所述筒狀體的軸方向上并列設置多個所述遮蔽體。
7.如權利要求6所述的蒸鍍裝置，其特征在于， 多個所述遮蔽體分別具有開口，在所述筒狀體的軸方向上相鄰的所述遮蔽體的所述開口在所述軸方向上不重合。
【文檔編號】H01L51/50GK104136653SQ201380010547
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年2月28日 優(yōu)先權日:2012年3月7日
【發(fā)明者】北村一樹, 西森泰輔, 宮川展幸 申請人:松下電器產業(yè)株式會社