四通路隔離型點(diǎn)火電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種四通路隔離型點(diǎn)火電路，通過點(diǎn)火電路由分立元器件到混合集成電路的轉(zhuǎn)化，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的性能與可靠性水平。該四通路隔離型點(diǎn)火電路，包括管殼，在管殼上焊接有陶瓷基片，在陶瓷基片上設(shè)有厚膜電阻，在陶瓷基片上焊接有作為功率輸出管的功率MOS場效應(yīng)晶體管芯片，在陶瓷基片上粘接有作為前級控制電路與后級功率輸出電路之間電氣隔離器件的光電耦合器，在陶瓷基片上粘接有作為前級控制器件的四路運(yùn)算放大器芯片，各元器件之間、元器件與焊盤之間、焊盤與外引線之間、元器件與外引線之間通過金屬絲實(shí)現(xiàn)電氣連接。
【專利說明】四通路隔離型點(diǎn)火電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種混合集成電路，尤其是涉及一種四通路隔離型點(diǎn)火電路。
【背景技術(shù)】
[0002]普通點(diǎn)火電路多為分立元器件連接的方式構(gòu)成，該種點(diǎn)火電路占用空間較大、裝配以及安裝調(diào)試過程均比較繁瑣；中間級一般采用光MOS固體繼電器作為輸出級與輸出級的光電隔離器件，體積較大、不易二次集成；輸出級一般采用功率三極管，工作時耗散功率較大，脈沖能力較差；在一些惡劣環(huán)境條件下，如高溫、低溫、強(qiáng)振動等條件下，普通組件無法正常工作；目前，整機(jī)單位對武器裝備小型化的需求越來越迫切，采用分立元器件連接的方式構(gòu)成的點(diǎn)火電路已逐漸無法滿足整機(jī)電路的使用要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種四通路隔離型點(diǎn)火電路，通過點(diǎn)火電路由分立元器件到混合集成電路的轉(zhuǎn)化，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的性能與可靠性水平。
[0004]本實(shí)用新型涉及的四通路隔離型點(diǎn)火電路，包括管殼1，在管殼I上焊接有陶瓷基片3，其特殊之處是:在陶瓷基片3上設(shè)有厚膜電阻7，在陶瓷基片3上焊接有作為功率輸出管的功率MOS場效應(yīng)晶體管芯片4，在陶瓷基片4上粘接有作為前級控制電路與后級功率輸出電路之間電氣隔離器件的光電耦合器6，在陶瓷基片3上粘接有作為前級控制器件的四路運(yùn)算放大器芯片9，各元器件之間、元器件與焊盤8之間、焊盤8與外引線10之間、元器件與外引線10之間通過金屬絲5實(shí)現(xiàn)電氣連接。
[0005]管殼I的散熱基板101為鎢銅材質(zhì)，具有和陶瓷基片相匹配的線性膨脹系數(shù)，且散熱性能好。
[0006]陶瓷基片3為高純氧化鋁陶瓷基片，具有良好的熱導(dǎo)率。
[0007]光電耦合器6為表貼封裝器件。
[0008]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:管殼與器件之間采用陶瓷基片進(jìn)行隔離，管殼殼體不作為輸出電極。功率MOS場效應(yīng)晶體管作為功率輸出管，具有輸入阻抗高、脈沖能力強(qiáng)、導(dǎo)通電阻小以及驅(qū)動電路簡單等特點(diǎn)。光電耦合器作為前級控制電路與后級功率輸出電路之間的電氣隔離器件，具有體積小、重量輕等特點(diǎn)。四路運(yùn)算放大器作為前級控制器件，通過偏置電阻設(shè)定為比較器模式，通過同相輸入端的TTL高低電平變化驅(qū)動后級電路的大電流輸出；該點(diǎn)火電路為集成化結(jié)構(gòu)，具有體積小、重量輕、可靠性高等特點(diǎn)；產(chǎn)品的篩選、安裝、調(diào)試、使用以及維修更為方便快捷；產(chǎn)品的質(zhì)量與性能指標(biāo)更加優(yōu)越。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是圖1 (去掉管帽)的俯視圖；
[0011]圖中:管殼1、鎢銅基板101、焊料2、陶瓷基片3、功率MOS場效應(yīng)晶體管芯片4、金屬絲5、光電耦合器6、厚膜電阻7、焊盤(壓焊區(qū))8、四路運(yùn)算放大器芯片9，外引線10?！揪唧w實(shí)施方式】
[0012]如圖所示，本實(shí)用新型包括由管座和管帽構(gòu)成的管殼1，在管殼I上設(shè)置有陶瓷基片3，在陶瓷基片3上設(shè)置有功率MOS場效應(yīng)晶體管芯片4、光電耦合器6、四路運(yùn)算放大器芯片9以及厚膜電阻7，其中管殼I的散熱基板101為鎢銅材質(zhì)，陶瓷基片3為高純氧化鋁陶瓷，陶瓷基片3與管殼I之間、功率MOS場效應(yīng)晶體管芯片4與陶瓷基片3之間采用鉛錫銀合金焊料2燒結(jié)而成。光電耦合器6為表貼封裝器件，與陶瓷基片3之間采用回流焊焊接，粘接材料為鉛錫銀焊膏。四路運(yùn)算放大器芯片9與陶瓷基片3采用高導(dǎo)熱絕緣膠粘接，厚膜電阻7通過絲網(wǎng)印刷、激光調(diào)阻技術(shù)制作在陶瓷基片3上，各元器件之間、元器件與焊盤(壓焊區(qū))8之間、焊盤(壓焊區(qū))8與外引線10之間、元器件與外引線10之間通過金屬絲5來完成電氣連接，產(chǎn)品采用金屬氣密性封裝。
【權(quán)利要求】
1.四通路隔離型點(diǎn)火電路，包括管殼，在管殼上焊接有陶瓷基片，在陶瓷基片上設(shè)有厚膜電阻，其特征是:在陶瓷基片上焊接有作為功率輸出管的功率MOS場效應(yīng)晶體管芯片，在陶瓷基片上粘接有作為前級控制電路與后級功率輸出電路之間電氣隔離器件的光電耦合器，在陶瓷基片上粘接有作為前級控制器件的四路運(yùn)算放大器芯片，各元器件之間、元器件與焊盤之間、焊盤與外引線之間、元器件與外引線之間通過金屬絲實(shí)現(xiàn)電氣連接。
【文檔編號】H01L25/16GK203503655SQ201320635391
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年10月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月16日
【發(fā)明者】徐寶連, 鄭松海, 丁力 申請人:錦州遼晶電子科技有限公司