晶片的加工方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶片的加工方法，針對(duì)在背面形成有絕緣膜的晶片，在短時(shí)間內(nèi)在適當(dāng)?shù)奈恢眯纬蛇m當(dāng)?shù)母男詫印１景l(fā)明的晶片的加工方法是在背面（13）形成有絕緣膜（15）的晶片（W）的加工方法，具有：絕緣膜除去工序，通過切削刀具（22）從晶片的背面沿著分割預(yù)定線（14）除去絕緣膜，形成切削槽（25）；改性層形成工序，沿著切削槽（25）照射相對(duì)于晶片具有透射性的波長(zhǎng)的激光光線，在晶片的內(nèi)部形成有改性層（35）；以及分割工序，通過磨削動(dòng)作對(duì)改性層（35）施加外力，以改性層為分割起點(diǎn)分割成一個(gè)個(gè)器件芯片，切削槽（25）的槽底（26）是這樣的結(jié)構(gòu)：平坦且表面粗糙度Ra在0.1μm以下，具有激光點(diǎn)直徑以上的寬度。
【專利說(shuō)明】晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將半導(dǎo)體晶片或光器件晶片分割成一個(gè)個(gè)芯片的晶片的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，作為將晶片分割成一個(gè)個(gè)芯片的加工方法，通過激光加工來(lái)分割晶片的技術(shù)備受關(guān)注。作為該激光加工提出了這樣的加工方法:照射相對(duì)于晶片具有透射性的激光光線從而在晶片內(nèi)部形成脆弱的層(改性層)，并將該強(qiáng)度降低了的改性層作為分割起點(diǎn)(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。在專利文獻(xiàn)I的加工方法中，沿著晶片正面的格子狀的間隔道照射激光光線，在晶片的內(nèi)部形成直線狀的改性層。并且，通過對(duì)脆弱的改性層施加外力，而沿著改性層將晶片分割成一個(gè)個(gè)芯片。
[0003]另外，當(dāng)晶片的厚度變薄為數(shù)十ym以下時(shí)，激光光線透過晶片，難以在晶片內(nèi)部的適當(dāng)位置形成適當(dāng)?shù)母男詫?。因此，提出了這樣的加工方法:將改性層形成到薄化前的晶片的內(nèi)部，在形成改性層后將晶片磨削至成品厚度(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。在專利文獻(xiàn)2的加工方法中，在成為比完成品厚度高的位置的被磨削面?zhèn)刃纬筛男詫?。因此，能夠在晶片?nèi)部的適當(dāng)位置形成適當(dāng)?shù)母男詫?，由于還能夠除去改性層，所以在光器件晶片的加工時(shí)提升了亮度，在半導(dǎo)體晶片的加工時(shí)提升了抗彎強(qiáng)度。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本專利第3408805號(hào)公報(bào)
[0006]專利文獻(xiàn)2:日本特開2012-49164號(hào)公報(bào)
[0007]另外，在晶片的背面?zhèn)葹榱朔乐菇饘傥廴径纬捎械せ蜓趸さ冉^緣膜的情況較多，在磨削前的激光加工中，由于絕緣膜的影響，無(wú)法在晶片的內(nèi)部形成適當(dāng)?shù)母男詫?。此時(shí)，還考慮了這樣的方法:在改性層的形成前通過磨削加工從晶片的背面除去絕緣膜。在除去該絕緣膜時(shí)，為了防止磨具的氣孔堵塞需要按粗磨削、精磨削、研磨的順序進(jìn)行加工，由于在改性層形成后薄化晶片時(shí)也需要同樣的加工，所以存在加工時(shí)間增大這一問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是鑒于這樣的方面而完成的發(fā)明，其目的在于提供一種晶片的加工方法，能夠針對(duì)在背面形成有絕緣膜的晶片，在短時(shí)間內(nèi)在適當(dāng)?shù)奈恢眯纬蛇m當(dāng)?shù)母男詫印?br> [0009]本發(fā)明的晶片的加工方法，是在正面在由分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域形成有器件且在背面形成有絕緣膜的晶片的加工方法，上述晶片的加工方法的特征在于，具有:絕緣膜除去工序，從晶片的背面?zhèn)妊刂鲜龇指铑A(yù)定線利用切削刀具形成具有平坦的槽底的切削槽，沿著上述分割預(yù)定線除去絕緣膜；改性層形成工序，在實(shí)施了上述絕緣膜除去工序后，從晶片的背面以上述切削槽為基準(zhǔn)完成校準(zhǔn)，將對(duì)于晶片具有透射性的波長(zhǎng)的激光光線的聚光點(diǎn)從上述切削槽定位到晶片正面附近的內(nèi)部，并沿著上述切削槽進(jìn)行照射，在晶片正面附近的內(nèi)部形成改性層；以及分割工序，在實(shí)施了上述改性層形成工序后，從晶片的背面利用磨削構(gòu)件來(lái)進(jìn)行磨削從而薄化為成品厚度，并且通過磨削動(dòng)作以上述改性層為起點(diǎn)沿著上述分割預(yù)定線分割晶片，上述切削槽中，上述平坦的槽底的表面粗糙度是0.1 μ m以下，上述平坦的槽底的寬度在形成于上述槽底的激光點(diǎn)的直徑以上。
[0010]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過利用切削刀具從晶片的背面沿著分割預(yù)定線除去絕緣膜，在晶片的背面形成有具有平坦的槽底的切削槽。另外，通過以穿過切削槽的方式照射激光光線，能夠不受絕緣膜的影響地在晶片的內(nèi)部形成改性層。此時(shí)，由于切削槽的表面粗糙度是
0.1ym以下，槽底的寬度具有激光點(diǎn)直徑以上的寬度，所以能夠抑制槽底處的激光光線的散射。因此，能夠在晶片內(nèi)部的適當(dāng)位置形成適當(dāng)?shù)母男詫樱⒀刂指铑A(yù)定線良好地分割晶片。另外，由于通過切削刀具從晶片的背面部分地除去絕緣膜，所以與通過磨削加工從晶片的背面整體除去絕緣膜的結(jié)構(gòu)相比能夠縮短加工時(shí)間。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，通過切削刀具在晶片的背面形成平坦且表面粗糙度小的切削槽，經(jīng)切削槽將激光光線照射到晶片的內(nèi)部，由此針對(duì)在背面形成有絕緣膜的晶片，能夠在短時(shí)間內(nèi)在適當(dāng)?shù)奈恢眯纬蛇m當(dāng)?shù)母男詫印?br> 【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1A和圖1B是表示本實(shí)施方式的絕緣膜除去工序的一個(gè)示例的圖。
[0013]圖2是表不本實(shí)施方式的改性層形成工序的一個(gè)不例的圖。
[0014]圖3A和圖3B是表不本實(shí)施方式的分割工序的一個(gè)不例的圖。
[0015]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0016]11 器件
[0017]12晶片的正面
[0018]13晶片的背面
[0019]14分割預(yù)定線
[0020]15絕緣膜
[0021]22切削刀具
[0022]25切削槽
[0023]26 槽底
[0024]35改性層
[0025]42磨削構(gòu)件
[0026]W 晶片
【具體實(shí)施方式】
[0027]以下，對(duì)本實(shí)施方式的晶片的加工方法進(jìn)行說(shuō)明。關(guān)于本實(shí)施方式的晶片的加工方法，針對(duì)在背面形成有絕緣膜的晶片實(shí)施基于切削裝置的絕緣膜除去工序、基于激光加工裝置的改性層形成工序、以及基于磨削裝置的分割工序。在絕緣膜除去工序中，利用切削刀具沿著分割預(yù)定線除去形成于晶片背面的絕緣膜。通過基于該切削刀具的切削加工在晶片背面沿著分割預(yù)定線形成具有平坦且表面粗糙度小的槽底的切削槽。
[0028]在改性層形成工序中，通過激光加工在晶片的內(nèi)部形成沿著分割預(yù)定線的改性層。在該激光加工中，使相對(duì)于晶片具有透射性的波長(zhǎng)的激光光線的聚光點(diǎn)從切削槽定位到晶片正面附近的內(nèi)部，沿著切削槽照射激光光線。由此，不會(huì)使絕緣膜阻礙激光光線的照射而在晶片的內(nèi)部形成沿著分割預(yù)定線的改性層。在分割工序中，通過磨削構(gòu)件使晶片薄化為成品厚度，并且以改性層為起點(diǎn)通過磨削動(dòng)作沿著分割預(yù)定線來(lái)分割晶片。
[0029]以下，對(duì)本實(shí)施方式的晶片的加工方法的詳情進(jìn)行說(shuō)明。參照?qǐng)D1，對(duì)絕緣膜除去工序進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本實(shí)施方式的絕緣膜除去工序的一個(gè)示例的圖。另外，在本實(shí)施方式中，作為通過一次切削加工而形成切削槽的結(jié)構(gòu)不限于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以根據(jù)晶片的材質(zhì)等使用粒徑不同的刀具分多個(gè)階段地形成切削槽。另外，圖1A表示晶片的背面朝上的狀態(tài)。
[0030]如圖1A所示，晶片W構(gòu)成為在硅、砷化鎵等半導(dǎo)體基板上配設(shè)有多個(gè)器件11。晶片W形成為大致圓板狀，并通過排列在正面12的格子狀的分割預(yù)定線14劃分出多個(gè)區(qū)域。在各區(qū)域中形成有IC (集成電路)、LSI (大規(guī)模集成電路)等器件11。在晶片W的背面13為了防止銅等的侵入造成的金屬污染而形成有氮化膜或氧化膜等絕緣膜15。另外，在晶片W的外緣形成有表示結(jié)晶方位的凹口 16。
[0031]另外，晶片W不限于半導(dǎo)體晶片，絕緣膜15不限定于金屬污染防止用的氮化膜或氧化膜等。晶片W也可以是在陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石系的無(wú)機(jī)材料基板上形成有LED等光器件的光器件晶片。另外，絕緣膜15只要是形成于晶片W的背面13的膜即可，例如也可以由樹脂膜構(gòu)成。
[0032]如圖1B所示，在絕緣膜除去工序中，在晶片W的正面12粘貼有保護(hù)帶17，在背面13朝向上方的狀態(tài)下將晶片W搬入到切削裝置(未圖示)。搬入切削裝置的晶片W經(jīng)保護(hù)帶17保持在卡盤工作臺(tái)21上。另外，將切削刀具22定位至晶片W的分割預(yù)定線14，通過高速旋轉(zhuǎn)的切削刀具22從背面13側(cè)切入晶片W。并且，使切削刀具22相對(duì)于晶片W相對(duì)移動(dòng)，由此沿著分割預(yù)定線14從晶片W的背面13除去絕緣膜15。
[0033]由此，在晶片W的背面13形成了具有平坦的槽底26的切削槽25，通過切削槽25，使晶片W的背面13從絕緣膜15向外部露出。切削槽25成為后面的改性層形成工序中的激光光線的照射區(qū)域。即，激光光線穿過切削槽25照射到晶片W的內(nèi)部，由此不受絕緣膜15的影響而形成沿著分割預(yù)定線14的改性層35 (參照?qǐng)D2)。這時(shí)，切削槽25的槽底26形成為平坦且表面粗糙度Ra在0.1 y m以下，以便防止激光光線的錯(cuò)亂。
[0034]這里，使用在末端具有平坦面，并具有形成于槽底26的激光點(diǎn)的直徑以上的厚度的刀具作為切削刀具22。另外，以表面粗糙度Ra在0.1 ii m以下的切削條件來(lái)加工切削槽25。例如，使用厚度為0.6mm、通過樹脂將磨粒直徑為2.0ym?4.0ym的金剛石磨粒聚在一起而成的樹脂刀具作為切削刀具22，主軸轉(zhuǎn)速設(shè)定為30000rpm，切削進(jìn)給速度(卡盤工作臺(tái)21的進(jìn)給速度)設(shè)定為lmm/s,切入量設(shè)定為從背面起0.01mm。
[0035]在絕緣膜除去工序中，使用切削刀具22來(lái)除去激光光線的照射區(qū)域即分割預(yù)定線14上的絕緣膜15。因此，與通過磨削加工從晶片W的背面13整體除去絕緣膜15的結(jié)構(gòu)進(jìn)行比較，能夠在短時(shí)間內(nèi)高效地除去絕緣膜15。另外，切削槽25的槽底26也可以不是完全的平坦，也可以包括不會(huì)對(duì)改性層35的形成帶來(lái)影響的程度的彎曲或凹凸形狀。即，切削槽25的槽底26形成為實(shí)質(zhì)上可以視為平坦的程度即可。
[0036]參照?qǐng)D2，對(duì)改性層形成工序進(jìn)行說(shuō)明。圖2是表示本實(shí)施方式的改性層形成工序的一個(gè)示例的圖。[0037]如圖2所示，在絕緣膜除去工序之后實(shí)施改性層形成工序。在改性層形成工序中，晶片W經(jīng)保護(hù)帶17被保持在激光加工裝置(未圖示)的卡盤工作臺(tái)31上。另外，通過攝像裝置(未圖示)來(lái)拍攝晶片W的背面13，以晶片W的背面13的切削槽25為基準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行校準(zhǔn)。接下來(lái)，將加工頭32的射出口定位到晶片W的切削槽25，通過加工頭32從晶片W的背面13側(cè)照射激光光線。激光光線是相對(duì)于晶片W具有透射性的波長(zhǎng)，并被調(diào)整成聚光到晶片W的正面12附近的內(nèi)部。
[0038]激光光線穿過切削槽25的槽底26照射到晶片W的內(nèi)部，由此不會(huì)被絕緣膜15妨礙。另外，由于切削槽25的槽底26形成為平坦且表面粗糙度Ra在0.1 μ m以下，所以能夠抑制槽底26處的激光光線的錯(cuò)亂，使晶片W內(nèi)部的適當(dāng)?shù)奈恢眠m當(dāng)?shù)馗男?。并且，一邊調(diào)整激光光線的聚光點(diǎn)一邊沿著切削槽25照射激光光線，由此在晶片W的內(nèi)部形成有沿著分割預(yù)定線14的良好的改性層35。
[0039]這時(shí)，首先，將聚光點(diǎn)調(diào)整到晶片W正面附近，以沿著所有的切削槽25形成改性層35的下端部的方式來(lái)進(jìn)行激光加工。然后，每當(dāng)使聚光點(diǎn)的高度上浮時(shí)就沿著切削槽25重復(fù)進(jìn)行激光加工，由此，在晶片W的內(nèi)部形成有預(yù)定厚度的改性層35。像這樣，在晶片W的內(nèi)部形成有沿著分割預(yù)定線14的分割起點(diǎn)。
[0040]另外，存在這樣的情況:當(dāng)晶片W變薄為數(shù)十μ m以下時(shí)，激光光線過度透射，無(wú)法在晶片W的內(nèi)部形成良好的改性層35。因此，在本實(shí)施方式中，在通過分割工序進(jìn)行晶片W的薄化前實(shí)施改性層形成工序，由此能夠在晶片W的內(nèi)部形成良好的改性層35。
[0041]另外，改性層35指的是:由于激光光線的照射而成為晶片W內(nèi)部的密度、折射率、機(jī)械強(qiáng)度以及其他的物理特性與周圍不同的狀態(tài)、強(qiáng)度比周圍降低的區(qū)域。改性層35例如是熔融處理區(qū)域、開裂區(qū)域、絕緣破壞區(qū)域、折射率變化區(qū)域，也可以是這些混在一起的區(qū)域。
[0042]參照?qǐng)D3對(duì)分割工序進(jìn)行說(shuō)明。圖3是表示本實(shí)施方式的分割工序的一個(gè)示例的圖。另外，在本實(shí)施方式中，作為通過一次磨削加工形成切削槽的結(jié)構(gòu)不限定于該結(jié)構(gòu)。例如，可以根據(jù)晶片的材質(zhì)等通過進(jìn)行粗磨削加工、精磨削加工、研磨加工，來(lái)沿著分割預(yù)定線分割晶片。
[0043]如圖3所示，在改性層形成工序之后實(shí)施分割工序。如圖3A所示，在分割工序中，晶片W經(jīng)保護(hù)帶17保持在磨削裝置(未圖示)的卡盤工作臺(tái)41上。另外，磨削構(gòu)件42被定位到保持在卡盤工作臺(tái)41上的晶片W的上方。并且，使磨削構(gòu)件42的磨削輪43繞Z軸旋轉(zhuǎn)同時(shí)靠近卡盤工作臺(tái)41，磨削輪43與晶片W的背面13以平行狀態(tài)旋轉(zhuǎn)接觸，由此晶片W被磨削。通過該晶片W的磨削，不僅從晶片W的背面13除去絕緣膜15，還能去掉切削槽25導(dǎo)致的凹凸形狀。
[0044]磨削加工中，通過高度計(jì)(未圖示)來(lái)實(shí)時(shí)地測(cè)量晶片W的厚度。并且，控制磨削構(gòu)件42的進(jìn)給量以使得高度計(jì)的測(cè)量結(jié)果接近成品厚度L。另外，在晶片W的內(nèi)部，在超過成品厚度L的高度位置形成有改性層35。
[0045]如圖3B所示，通過磨削動(dòng)作，磨削負(fù)荷從磨削輪43強(qiáng)有力地作用在各改性層35。由此，以改性層35為起點(diǎn)在晶片W產(chǎn)生沿著分割預(yù)定線14的破裂，從而晶片W被分割成一個(gè)個(gè)器件芯片C。并且，當(dāng)晶片W被薄化至成品厚度L時(shí)，停止磨削動(dòng)作。像這樣，晶片W被薄化至所希望的成品厚度L，同時(shí)，沿著分割預(yù)定線14分割成一個(gè)個(gè)器件芯片C。[0046]另外，當(dāng)本申請(qǐng)的 申請(qǐng)人:在使切削槽25的表面粗糙度為0.1 μ m以上的情況下，在同一激光加工條件下形成改性層35并進(jìn)行了磨削，在分割工序中在分割預(yù)定線14的各處產(chǎn)生有未分割區(qū)域。這被認(rèn)定為是因?yàn)榍邢鞑?5的表面粗糙，因此，由于改性層形成工序中的激光光線的錯(cuò)亂等的影響，沒有在晶片W的內(nèi)部適當(dāng)?shù)匦纬筛男詫?5。
[0047]如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的晶片的加工方法，通過利用切削刀具22從晶片W的背面13沿著分割預(yù)定線14除去絕緣膜15，而在晶片W的背面13形成了具有平坦的槽底26的切削槽25。另外，以穿過切削槽25的方式照射激光光線，由此能夠不受絕緣膜15的影響地在晶片W的內(nèi)部形成改性層35。此時(shí)，由于切削槽25的表面粗糙度是0.1ym以下，槽底26的寬度具有激光點(diǎn)直徑以上的寬度，所以能夠抑制槽底26處的激光光線錯(cuò)亂。因此，在晶片W內(nèi)部的適當(dāng)位置形成有適當(dāng)?shù)母男詫?5，能夠沿著分割預(yù)定線14良好地分割晶片W。另外，由于通過切削刀具22從經(jīng)片W的背面13部分地除去絕緣膜15，所以與通過磨削加工從晶片W的背面13整體除去絕緣膜15的結(jié)構(gòu)相比，能夠縮短加工時(shí)間。
[0048]另外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，能夠加以各種變更地實(shí)施。在上述的實(shí)施方式中，對(duì)于附圖所圖示的大小和形狀等，并不限定于此，可以在發(fā)揮本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)適當(dāng)變更。另外，只要不脫離本發(fā)明的目的范圍就可適當(dāng)加以變更地實(shí)施。
[0049]例如，在本實(shí)施方式中，構(gòu)成為在絕緣膜除去工序中通過單一的切削刀具22在晶片W形成切削槽25，但不限于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以使用磨粒直徑不同的一對(duì)切削刀具22，通過一個(gè)切削刀具22形成切削槽25，通過另一個(gè)切削刀具22來(lái)調(diào)整切削槽25的表面粗糙度。
[0050]另外，在本實(shí)施方式中，構(gòu)成為在改性層形成工序中沿著分割預(yù)定線14連續(xù)地形成改性層35，但不限定于該結(jié)構(gòu)。只要是能夠沿著分割預(yù)定線14來(lái)分割晶片W，也可以是沿著分割預(yù)定線14斷續(xù)地形成改性層35。
[0051]另外，在本實(shí)施方式中，使激光光線的聚光點(diǎn)上浮來(lái)形成預(yù)定厚度的改性層35，但是不限于該結(jié)構(gòu)。改性層35也可通過調(diào)整激光加工的加工條件，通過一次的激光光線的照射而形成。另外，晶片W的內(nèi)部中不僅形成有I層改性層35，還可以在厚度方向形成多層改性層35 ο
[0052]另外，在本實(shí)施方式中，改性層35的一部分形成為跨越成品厚度L，但是不限定于該結(jié)構(gòu)。改性層35只要是在晶片W正面附近，也可以是形成于比成品厚度L靠晶片W的背面13側(cè)(上側(cè))的位置。此時(shí)，通過將晶片W磨削至成品厚度L而除去改性層35，能夠?qū)崿F(xiàn)抗彎強(qiáng)度的提升。另外，當(dāng)晶片W為光器件晶片時(shí)實(shí)現(xiàn)了亮度的提升。
[0053]另外，當(dāng)通過粗磨削加工、精磨削加工、研磨加工來(lái)薄化晶片W時(shí)，也可以在粗磨削加工、精磨削加工、以及研磨加工的任一個(gè)階段來(lái)分割晶片W。
[0054]另外，在本實(shí)施方式中，通過切削裝置來(lái)實(shí)施絕緣膜除去工序，通過激光加工裝置來(lái)實(shí)施改性層形成工序，通過磨削裝置來(lái)實(shí)施磨削工序，但是一部分的工序或所有的工序也可以通過一個(gè)裝置來(lái)進(jìn)行。
[0055]如上所述，本發(fā)明具有這樣的效果:針對(duì)在背面形成有絕緣膜的晶片，能夠在短時(shí)間內(nèi)在適當(dāng)?shù)奈恢眯纬蛇m當(dāng)?shù)母男詫樱貏e是，對(duì)于將半導(dǎo)體晶片或光器件晶片分割成一個(gè)個(gè)芯片的晶片的加工方法是有用的。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片的加工方法，是在正面在由分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域形成有器件且在背面形成有絕緣膜的晶片的加工方法， 上述晶片的加工方法的特征在于，具有: 絕緣膜除去工序，從晶片的背面?zhèn)妊刂鲜龇指铑A(yù)定線利用切削刀具形成具有平坦的槽底的切削槽，沿著上述分割預(yù)定線除去絕緣膜； 改性層形成工序，在實(shí)施了上述絕緣膜除去工序后，從晶片的背面以上述切削槽為基準(zhǔn)完成校準(zhǔn)，將對(duì)于晶片具有透射性的波長(zhǎng)的激光光線的聚光點(diǎn)從上述切削槽定位到晶片正面附近的內(nèi)部，并沿著上述切削槽進(jìn)行照射，在晶片正面附近的內(nèi)部形成改性層；以及分割工序，在實(shí)施了上述改性層形成工序后，從晶片的背面利用磨削構(gòu)件來(lái)進(jìn)行磨削，薄化為成品厚度，并且通過磨削動(dòng)作，以上述改性層為起點(diǎn)沿著上述分割預(yù)定線分割晶片，上述切削槽中，上述平坦的槽底的表面粗糙度是0.1 Pm以下，上述平坦的槽底的寬度在形成于上述槽底的激光點(diǎn)的直徑以上。
【文檔編號(hào)】H01L21/3105GK103715082SQ201310445302
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月1日
【發(fā)明者】中村勝 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科