晶片的加工方法
【專利摘要】提供晶片的加工方法，能將晶片分割成一個個器件而不在晶片背面附近切斷面產生凹凸。一種將晶片沿分割預定線分割成一個個器件的加工方法，在晶片正面呈格子狀形成有多個分割預定線，在由分割預定線劃分出的多個區(qū)域形成有器件，該方法包括：改性層形成工序，從晶片背面?zhèn)妊胤指铑A定線照射對晶片具有透射性的波長的激光光線，沿分割預定線在晶片內部形成改性層；以及分割工序，對晶片施加外力，將晶片沿形成了改性層的分割預定線分割成一個個器件，改性層形成工序包括：第1改性層形成工序，將激光光線聚光點定位在晶片背面附近，在晶片背面附近形成第1改性層；以及第2改性層形成工序，將激光光線聚光點定位在晶片的遠離第1改性層的正面?zhèn)龋?，在使聚光點依次移動至到達第1改性層的區(qū)域的同時，層疊形成多個第2改性層。
【專利說明】晶片的加工方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及將晶片沿分割預定線分割成一個個器件的晶片的加工方法，該晶片在正面呈格子狀地形成有多個分割預定線，并且在由多個分割預定線劃分出的多個區(qū)域形成有器件。

【背景技術】
[0002]在半導體器件制造過程中，在大致圓板形狀的半導體晶片的正面利用呈格子狀排列的分割預定線劃分出多個區(qū)域，在該劃分出的區(qū)域形成IC (集成電路)、LSI (大規(guī)模集成電路)等器件。并且，通過將半導體晶片沿分割預定線切斷來對形成有器件的區(qū)域進行分害I]，從而制造出一個個器件。
[0003]此外，在光器件制造過程中，在藍寶石基板或碳化硅基板的正面層疊由η型氮化物半導體層和P型氮化物半導體層構成的光器件層，在利用呈格子狀形成的多個分割預定線劃分出的多個區(qū)域形成發(fā)光二極管、激光二極管等光器件，從而構成光器件晶片。并且，通過將光器件晶片沿分割預定線切斷來對形成有光器件的區(qū)域進行分割，從而制造出一個個光器件。
[0004]作為分割上述的半導體晶片和光器件晶片等晶片的方法，下述的激光加工方法被實用化:使用對晶片具有透射性的波長的脈沖激光光線，將聚光點定位在應分割的區(qū)域的內部，照射脈沖激光光線。使用了該激光加工方法的分割方法是這樣的技術:從晶片的一個面?zhèn)葘⒕酃恻c定位在內部并照射對晶片具有透射性的波長的脈沖激光光線，從而在被加工物的內部沿分割預定線連續(xù)地形成改性層，沿著由于形成該改性層而強度降低了的分割預定線施加外力，由此分割晶片(例如，參照專利文獻I)。
[0005]在下述專利文獻I記載的技術中，由于需要將激光光線的聚光點定位在晶片的內部，所以在形成有器件的正面粘貼保護帶，將保護帶側保持在激光光線的卡盤工作臺上，并從晶片的背面?zhèn)日丈浼す夤饩€。
[0006]并且，在層疊形成多個改性層的情況下，首先將激光光線的聚光點定位在正面附近進行照射，之后，在使聚光點依次向背面?zhèn)纫苿拥耐瑫r，層疊改性層(例如，參照專利文獻2)。
[0007]之所以像這樣在使聚光點從晶片的正面?zhèn)纫来蜗虮趁鎮(zhèn)纫苿拥耐瑫r，層疊形成改性層，是考慮到:當首先在背面附近形成了改性層時，使激光光線的聚光點接近正面?zhèn)葧r，已經形成的改性層會妨礙激光光線的照射。
[0008]現(xiàn)有技術文獻
[0009]專利文獻1:日本專利第3408805號公報
[0010]專利文獻2:日本特開2009-140947號公報
[0011]而且，在晶片的內部形成了改性層時，會在入射激光光線的背面?zhèn)犬a生裂紋，因此，若首先將激光光線的聚光點定位在正面附近進行照射，之后，在使聚光點依次向背面?zhèn)纫苿拥耐瑫r形成改性層的話，則存在這樣的問題:裂紋會在背面?zhèn)鹊确较虻厣L而在背面附近的切斷面形成凹凸，使器件的抗彎強度降低，并且粉塵飛散而污染焊盤(結合區(qū))，使器件的品質降低。


【發(fā)明內容】

[0012]本發(fā)明正是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術的課題在于提供一種晶片的加工方法，能夠將晶片分割成一個個器件而不會在晶片的背面附近的切斷面產生凹凸。
[0013]為了解決上述主要的技術課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的加工方法，是將晶片沿分割預定線分割成一個個器件的方法，所述晶片在正面呈格子狀地形成有多個分割預定線，并且在由多個分割預定線劃分出的多個區(qū)域形成有器件，
[0014]所述晶片的加工方法的特征在于，具備:
[0015]改性層形成工序，從晶片的背面?zhèn)妊胤指铑A定線照射對晶片具有透射性的波長的激光光線，沿分割預定線在晶片的內部形成改性層；以及
[0016]分割工序，對實施了該改性層形成工序的晶片施加外力，由此將晶片沿形成了改性層的分割預定線分割成一個個器件，
[0017]該改性層形成工序包括:
[0018]第I改性層形成工序，將激光光線的聚光點定位在晶片的背面附近進行照射，由此在晶片的背面附近形成第I改性層；以及
[0019]第2改性層形成工序，將激光光線的聚光點定位在實施了該第I改性層形成工序的晶片的遠離該第I改性層的正面?zhèn)冗M行照射，之后，在使聚光點依次移動至到達該第I改性層的區(qū)域的同時，層疊形成多個第2改性層。
[0020]優(yōu)選的是，在實施了上述第2改性層形成工序之后，實施第3改性層形成工序，在所述第3改性層形成工序中，將激光光線的聚光點定位在比該第2改性層靠晶片的正面?zhèn)鹊奈恢眠M行照射，由此在晶片的正面附近形成第3改性層。
[0021]發(fā)明效果
[0022]本發(fā)明的晶片的分割方法包括:第I改性層形成工序，在晶片的背面附近形成第I改性層；以及第2改性層形成工序，將激光光線的聚光點定位在實施了該第I改性層形成工序的晶片的遠離第I改性層的正面?zhèn)冗M行照射，之后，在使聚光點依次移動至到達第I改性層的區(qū)域的同時，層疊形成多個第2改性層，因此，在實施第2改性層形成工序時，第2改性層從晶片的遠離第I改性層的正面?zhèn)瘸虻贗改性層依次形成，從該第2改性層產生的裂紋被導向首先在背面附近形成的第I改性層而成為各向異性被吸收。因此，晶片在沿形成有第I改性層和第2改性層的分割預定線被切斷的狀態(tài)下，能夠抑制在背面附近的切斷面形成凹凸，因此，解決了以下問題:使器件的抗彎強度降低，并且粉塵飛散而污染焊盤，使得器件的品質降低。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是利用本發(fā)明的晶片的加工方法加工的半導體晶片的立體圖。
[0024]圖2是表示在圖1所示的半導體晶片的正面粘貼有保護帶的狀態(tài)的立體圖。
[0025]圖3是用于實施改性層形成工序的激光加工裝置的主要部分立體圖。
[0026]圖4是第I改性層形成工序的說明圖。
[0027]圖5是第2改性層形成工序的說明圖。
[0028]圖6是實施了第2改性層形成工序的半導體晶片的剖視圖。
[0029]圖7是第3改性層形成工序的說明圖。
[0030]圖8是晶片支承工序的說明圖。
[0031]圖9是用于實施分割工序的分割裝置的立體圖。
[0032]圖10是分割工序的說明圖。
[0033]標號說明
[0034]2:半導體晶片
[0035]21: 分割預定線
[0036]22:器件
[0037]210:第I改性層
[0038]220:第2改性層
[0039]230:第3改性層
[0040]3: 保護帶
[0041]4: 激光加工裝置
[0042]41: 激光加工裝置的卡盤工作臺
[0043]42: 激光光線照射構件
[0044]422:聚光器
[0045]5: 分割裝置
[0046]51: 框架保持構件
[0047]52: 帶擴張構件
[0048]53: 拾取夾頭
[0049]F: 環(huán)狀框架
[0050]T: 切割帶。

【具體實施方式】
[0051]下面，參照附圖對本發(fā)明的晶片的加工方法的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。
[0052]圖1中示出了按照本發(fā)明進行加工的作為晶片的半導體晶片的立體圖。圖1所示的半導體晶片2由直徑為200mm、厚度例如為600 μ m的硅晶片構成，在半導體晶片2的正面2a呈格子狀形成有多個分割預定線21，并且，在由該多個分割預定線21劃分出的多個區(qū)域形成有IC、LSI等器件22。以下，對將上述的半導體晶片2沿分割預定線21分割成一個個器件22的晶片的加工方法進行說明。
[0053]如圖2所示地將保護帶3粘貼在上述的半導體晶片2的正面2a以保護器件22(保護帶粘貼工序)。
[0054]在實施了上述的保護帶粘貼工序之后，實施改性層形成工序，該改性層形成工序是這樣的工序:從半導體晶片2的背面?zhèn)妊胤指铑A定線21照射對半導體晶片2具有透射性的波長的激光光線，沿分割預定線21在晶片的內部形成改性層。該改性層形成工序使用圖3所示的激光加工裝置4來實施。圖3所示的激光加工裝置4具備:卡盤工作臺41，其用于保持被加工物；激光光線照射構件42，其用于對在該卡盤工作臺41上保持的被加工物照射激光光線；以及攝像構件43，其用于對在卡盤工作臺41上保持的被加工物進行拍攝?？ūP工作臺41構成為抽吸保持被加工物，借助于未圖示的移動機構使卡盤工作臺41在圖3中用箭頭X表示的加工進給方向和用箭頭Y表示的分度進給方向上移動。
[0055]上述激光光線照射構件42包括實質上水平地配置的圓筒形狀的殼體421。在殼體421內配設有脈沖激光光線振蕩構件，該脈沖激光光線振蕩構件具備由未圖示的YAG激光振蕩器或YV04激光振蕩器構成的脈沖激光光線振蕩器和重復頻率設定構件。在上述殼體421的末端部安裝有聚光器422,該聚光器422用于對從脈沖激光光線振蕩構件振蕩出的脈沖激光光線進行聚光。
[0056]關于在殼體421安裝的攝像構件43，在本實施方式中除了利用可視光線進行拍攝的普通的攝像元件(CXD)以外，還包括以下等部分:紅外線照明構件，其用于對被加工物照射紅外線；光學系統(tǒng)，其捕捉由該紅外線照明構件照射的紅外線；以及攝像元件(紅外線CCD)，其輸出與由該光學系統(tǒng)捕捉的紅外線對應的電信號，攝像構件43將拍攝到的圖像信號發(fā)送到未圖示的控制構件。
[0057]參照圖4至圖7，對使用上述的激光加工裝置4來實施的改性層形成工序進行說明。
[0058]在該改性層形成工序中，首先實施第I改性層形成工序，該第I改性層形成工序是這樣的工序:將激光光線的聚光點定位在半導體晶片2的背面附近進行照射，從而在半導體晶片2的背面附近形成第I改性層。為了實施該第I改性層形成工序，將在半導體晶片2的正面2a粘貼的保護帶3側載置到上述圖3所示的激光加工裝置4的卡盤工作臺41上。然后，使未圖示的抽吸構件工作，從而將半導體晶片2抽吸保持在卡盤工作臺41上(晶片保持工序)。因此，隔著保護帶3保持在卡盤工作臺41上的半導體晶片2的背面2b成為上側。這樣抽吸保持了半導體晶片2的卡盤工作臺41借助于未圖示的加工進給構件被定位在攝像構件43的正下方。
[0059]當卡盤工作臺41被定位在攝像構件43的正下方時，利用攝像構件43和未圖示的控制構件來執(zhí)行檢測半導體晶片2的應進行激光加工的加工區(qū)域的校準作業(yè)。即，攝像構件43和未圖示的控制構件執(zhí)行圖案匹配等圖像處理，完成激光光線照射位置的校準，所述圖案匹配等圖像處理用于使半導體晶片2的形成于第I方向的分割預定線21、與沿分割預定線21照射激光光線的激光光線照射構件42的聚光器422的位置對準。并且，對于形成于半導體晶片2的在與上述第I方向正交的方向延伸的分割預定線21，也同樣地完成激光光線照射位置的校準。這時，半導體晶片2的形成有分割預定線21的正面2a位于下側，但由于攝像構件43具備如上述那樣的攝像構件，該攝像構件由紅外線照明構件、捕捉紅外線的光學系統(tǒng)、和輸出與紅外線對應的電信號的攝像元件(紅外線CCD)等構成，因此，能夠從背面2b透過，對分割預定線21進行攝像。
[0060]如上述那樣，在檢測出形成于卡盤工作臺41上所保持的半導體晶片2的分割預定線21，進行了激光光線照射位置的校準后，如圖4的(a)所示，使卡盤工作臺41移動到照射激光光線的激光光線照射構件42的聚光器422所在的激光光線照射區(qū)域，將規(guī)定的分割預定線21的一端(圖4的(a)中為左端)定位在激光光線照射構件42的聚光器422的正下方。接下來，將從聚光器422照射的脈沖激光光線的聚光點P定位在半導體晶片2的背面2b (作為上表面的照射面)附近(例如，從背面2b向正面2a側30 μ m的位置)。然后，從聚光器422照射對硅晶片具有透射性的波長的脈沖激光光線，同時使卡盤工作臺41以規(guī)定的進給速度向圖4的(a)中用箭頭Xl表示的方向移動。然后，在如圖4的(b)所示激光光線照射構件42的聚光器422的照射位置到達分割預定線21的另一端的位置之后，停止脈沖激光光線的照射，并且停止卡盤工作臺41的移動。其結果是，如圖4的(c)所示那樣在半導體晶片2的背面2b (作為上表面的照射面)附近，以從背面2b向正面2a側30 μ m的位置為中心沿分割預定線21形成了第I改性層210 (第I改性層形成工序)。
[0061]上述第I改性層形成工序的加工條件例如設定為如下。
[0062]光源:LD激勵Q開關Nd:YV04脈沖激光
[0063]波長:1064nm
[0064]重復頻率:IMHz
[0065]平均輸出:0.7W
[0066]聚光點直徑:Φ I μ m
[0067]加工進給速度:700mm /秒
[0068]在像上述那樣沿規(guī)定的分割預定線21實施了上述第I改性層形成工序之后，將卡盤工作臺41向用箭頭Y表示的方向進行分度移動，移動量為形成于半導體晶片2的分割預定線21的間隔(分度工序)，完成上述第I改性層形成工序。在這樣沿形成于第I方向的所有分割預定線21實施了上述第I改性層形成工序之后，使卡盤工作臺41轉動90度，沿在與形成于上述第I方向的分割預定線21正交的方向延伸的分割預定線21執(zhí)行上述第I改性層形成工序。
[0069]在實施了上述的第I改性層形成工序之后，實施第2改性層形成工序，該第2改性層形成工序是這樣的工序:將激光光線的聚光點定位在半導體晶片2的遠離第I改性層210的正面2a側進行照射，之后，在使聚光點依次移動至到達第I改性層210的區(qū)域的同時，層疊形成多個第2改性層。
[0070]在第2改性層形成工序中，如圖5的(a)所示，使卡盤工作臺41移動至照射激光光線的激光光線照射構件42的聚光器422所在的激光光線照射區(qū)域移動，將規(guī)定的分割預定線21的一端(圖5的(a)中為左端)定位在激光光線照射構件42的聚光器422的正下方。接下來，將從聚光器422照射的脈沖激光光線的聚光點P定位在半導體晶片2的遠離第I改性層210的正面2a側。這時，在本實施方式中，將脈沖激光光線的聚光點P定位在從正面2a向背面2b側例如60 μ m的位置。然后，從聚光器422照射對硅晶片具有透射性的波長的脈沖激光光線，同時使卡盤工作臺41以規(guī)定的進給速度向圖5的(a)中用箭頭Xl表不的方向移動。然后，在如圖5的(b)所不激光光線照射構件42的聚光器422的照射位置到達分割預定線21的另一端的位置之后，停止脈沖激光光線的照射，并且停止卡盤工作臺41的移動。其結果是，如圖5的(c)所示，以半導體晶片2的從正面2a向背面2b側例如60 μ m的位置為中心，沿分割預定線21形成了第2改性層220 (第2改性層形成工序)。
[0071]上述第2改性層形成工序的加工條件例如設定為如下。
[0072]光源:LD激勵Q開關Nd:YV04脈沖激光
[0073]波長:1064nm
[0074]重復頻率:IMHz
[0075]平均輸出:0.5W
[0076]聚光點直徑:Φ I μ m
[0077]加工進給速度:700mm /秒
[0078]在像上述那樣沿規(guī)定的分割預定線21實施了上述第2改性層形成工序之后，將卡盤工作臺41向用箭頭Y表示的方向進行分度移動，移動量為形成于半導體晶片2的分割預定線21的間隔(分度工序)，完成上述第2改性層形成工序。這樣，在沿形成于第I方向的所有分割預定線21實施了上述第2改性層形成工序之后，使卡盤工作臺41轉動90度，沿在與形成于上述第I方向的分割預定線21正交的方向延伸的分割預定線21執(zhí)行上述第2改性層形成工序。
[0079]如上述那樣在半導體晶片2的遠離第I改性層210的正面2a側形成第2改性層220之后，在使脈沖激光光線的聚光點P以例如40 μ m的間隔依次移動至到達第I改性層210的區(qū)域的同時，實施上述第2改性層形成工序。其結果是，如圖6所示那樣在半導體晶片2的直至第I改性層210的區(qū)域層疊形成了多個第2改性層220。另外，在第2改性層形成工序中，構成為穿過第I改性層210照射脈沖激光光線，但根據(jù)本發(fā)明人的實驗可知能夠可靠地形成第2改性層220。在像這樣實施了第2改性層形成工序時，第2改性層220從半導體晶片2的比第I改性層210靠正面2a側的位置依次形成，從該第2改性層220產生的裂紋被導向首先在背面2b附近形成的第I改性層210而成為各向異性而被吸收。因此，半導體晶片2在沿形成有第I改性層210和第2改性層220的分割預定線21被切斷的狀態(tài)下，能夠抑制在背面2b附近的切斷面形成凹凸，因此，解決了使器件的抗彎強度降低、并且粉塵飛散而污染焊盤，使得器件的品質降低的問題。
[0080]在實施了上述的第2改性層形成工序之后，雖然不是必要的，但可以實施第3改性層形成工序，該第3改性層形成工序是這樣的工序:將脈沖激光光線的聚光點定位在比第2改性層220靠半導體晶片2的正面2a側的位置進行照射，由此在半導體晶片2的正面2a附近形成第3改性層。
[0081]在第3改性層形成工序中，如圖7的(a)所示，使卡盤工作臺41移動至照射激光光線的激光光線照射構件42的聚光器422所在的激光光線照射區(qū)域，將規(guī)定的分割預定線21的一端(圖7的(a)中為左端)定位在激光光線照射構件42的聚光器422的正下方。接下來，將從聚光器422照射的脈沖激光光線的聚光點P定位在半導體晶片2的比第2改性層220靠正面2a側的位置。這時，在本實施方式中，將脈沖激光光線的聚光點P定位在半導體晶片2的從正面2a向背面2b側例如20 μ m的位置。然后，從聚光器422照射對硅晶片具有透射性的波長的脈沖激光光線，同時使卡盤工作臺41以規(guī)定的進給速度向圖7的(a)中用箭頭Xl表示的方向移動。然后，在如圖7的(b)所示激光光線照射構件42的聚光器422的照射位置到達分割預定線21的另一端的位置之后，停止脈沖激光光線的照射，并且停止卡盤工作臺41的移動。其結果是，如圖7的(c)所示，以半導體晶片2的從正面2a向背面2b側例如20 μ m的位置為中心，沿分割預定線21形成了第3改性層230 (第3改性層形成工序)。
[0082]另外，上述第3改性層形成工序的加工條件在圖示的實施方式中被設定為與上述第2改性層形成工序的加工條件相同。
[0083]在像上述那樣沿規(guī)定的分割預定線21實施了上述第3改性層形成工序之后，使卡盤工作臺41向用箭頭Y表示的方向進行分度移動，移動量為形成于半導體晶片2的分割預定線21的間隔(分度工序)，完成上述第3改性層形成工序。這樣，在沿形成于第I方向的所有分割預定線21實施了上述第3改性層形成工序之后，使卡盤工作臺41轉動90度，沿在與形成于上述第I方向的分割預定線21正交的方向延伸的分割預定線21執(zhí)行上述第3改性層形成工序。
[0084]通過像這樣在半導體晶片2的正面2a附近形成第3改性層230，能夠順暢地進行后述的分割工序中的晶片的分割。
[0085]在實施了由上述的第I改性層形成工序、第2改性層形成工序和第3改性層形成工序構成的改性層形成工序之后，實施晶片支承工序，該晶片支承工序是這樣的工序:將實施了改性層形成工序的半導體晶片2的背面2b粘貼于在環(huán)狀框架安裝的粘貼帶的表面，并且將在半導體晶片2的正面2a粘貼的保護帶3剝離。S卩，如圖8所示那樣將半導體晶片2的背面2b側粘貼在切割帶T上，該切割帶T為安裝于環(huán)狀框架F的粘貼帶。因此，粘貼于半導體晶片2的正面2a的保護帶3成為上側。然后，將粘貼于半導體晶片2的正面2a的作為保護部件的保護帶3剝離。
[0086]接下來，實施分割工序，該分割工序是這樣的工序:對半導體晶片2施加外力，由此將半導體晶片2沿形成有第I改性層210、第2改性層220和第3改性層230的分割預定線21分割成一個個器件。該分割工序使用圖9所示的分割裝置5來實施。圖9所示的分割裝置5具備:框架保持構件51，其用于保持上述環(huán)狀框架F ;帶擴張構件52，其用于對切割帶T進行擴張，該切割帶T安裝于由該框架保持構件51保持的環(huán)狀框架F ;以及拾取夾頭53?？蚣鼙３謽嫾?1由環(huán)狀的框架保持部件511和作為固定構件的多個夾緊器512構成，該多個夾緊器512配設在該框架保持部件511的外周。框架保持部件511的上表面形成了用于載置環(huán)狀框架F的載置面511a，在該載置面511a上載置有環(huán)狀框架F。并且，在載置面511a上載置的環(huán)狀框架F被夾緊器512固定于框架保持部件511。這樣構成的框架保持構件51被支承成能夠借助于帶擴張構件52而在上下方向上進退。
[0087]帶擴張構件52具備擴張鼓521，該擴張鼓521配設在上述環(huán)狀的框架保持部件511的內側。該擴張鼓521具有比環(huán)狀框架F的內徑小、且比粘貼于在該環(huán)狀框架F安裝的切割帶T上的半導體晶片2的外徑大的內徑和外徑。并且，擴張鼓521在下端具備支承凸緣522。圖示的實施方式中的帶擴張構件52具備支承構件523，該支承構件523能夠使上述環(huán)狀的框架保持部件511在上下方向上進退。該支承構件523由配設于上述支承凸緣522上的多個氣缸523a構成，其該支承構件523的活塞桿523b與上述環(huán)狀的框架保持部件511的下表面連結。這樣由多個氣缸523a構成的支承構件523使環(huán)狀的框架保持部件511在基準位置和擴張位置之間在上下方向上移動，在基準位置，如圖10的(a)所示，載置面511a與擴張鼓521的上端處于大致相同高度，在擴張位置，如圖10的(b)所示，載置面511a比擴張鼓521的上端靠下方規(guī)定的量。
[0088]參照圖10，對使用如上那樣構成的分割裝置5來實施的分割工序進行說明。S卩，將環(huán)狀框架F (在該框架F安裝有切割帶T，在切割帶T粘貼有半導體晶片2)如圖10的(a)所示地載置在構成框架保持構件51的框架保持部件511的載置面511a上，并利用夾緊器512固定于框架保持部件511框架保持工序)。這時，框架保持部件511被定位在圖10的(a)所示的基準位置。接下來，使構成帶擴張構件52的作為支承構件523的多個氣缸523a工作，使環(huán)狀的框架保持部件511下降到圖10的(b)所示的擴張位置。因此，在框架保持部件511的載置面511a上固定的環(huán)狀框架F也下降，因此，如圖10的(b)所示那樣，在環(huán)狀框架F上安裝的切割帶T與擴張鼓521的上端緣接觸而擴張(帶擴張工序)。其結果是，拉伸力呈放射狀地作用于在切割帶T上粘貼的半導體晶片2，因此，沿形成有第I改性層210、第2改性層220和第3改性層230而強度降低了的分割預定線21分離成一個個器件22，并且在器件間形成有間隔S。
[0089]接下來，如圖10的(C)所示那樣，使拾取夾頭53工作來吸附器件22，將器件22從切割帶T剝離并進行拾取，搬送到未圖示的托盤或者芯片結合工序。另外，在拾取工序中，像上述那樣在切割帶T上粘貼的一個個器件22間的間隙S擴大，因此，能夠在不與相鄰的器件22接觸的情況下容易地進行拾取。
【權利要求】
1.一種晶片的加工方法，是將晶片沿分割預定線分割成一個個器件的方法，所述晶片在正面呈格子狀地形成有多個分割預定線，并且在由多個分割預定線劃分出的多個區(qū)域形成有器件， 所述晶片的加工方法的特征在于，具備: 改性層形成工序，從晶片的背面?zhèn)妊胤指铑A定線照射對晶片具有透射性的波長的激光光線，沿分割預定線在晶片的內部形成改性層；以及 分割工序，對實施了該改性層形成工序的晶片施加外力，由此將晶片沿形成了改性層的分割預定線分割成一個個器件， 該改性層形成工序包括: 第I改性層形成工序，將激光光線的聚光點定位在晶片的背面附近進行照射，由此在晶片的背面附近形成第I改性層；以及 第2改性層形成工序，將激光光線的聚光點定位在實施了該第I改性層形成工序的晶片的遠離該第I改性層的正面?zhèn)冗M行照射，之后，在使聚光點依次移動至到達該第I改性層的區(qū)域的同時，層疊形成多個第2改性層。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶片的加工方法，其中， 在實施了該第2改性層形成工序之后，實施第3改性層形成工序，在所述第3改性層形成工序中，將激光光線的聚光點定位在比該第2改性層靠晶片的正面?zhèn)鹊奈恢眠M行照射，由此在晶片的正面附近形成第3改性層。
【文檔編號】H01L21/78GK104078425SQ201410103838
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年3月20日 優(yōu)先權日:2013年3月27日
【發(fā)明者】中村勝 申請人:株式會社迪思科