技術(shù)編號:7044425
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。提供,能將晶片分割成一個(gè)個(gè)器件而不在晶片背面附近切斷面產(chǎn)生凹凸。一種將晶片沿分割預(yù)定線分割成一個(gè)個(gè)器件的加工方法,在晶片正面呈格子狀形成有多個(gè)分割預(yù)定線,在由分割預(yù)定線劃分出的多個(gè)區(qū)域形成有器件,該方法包括改性層形成工序,從晶片背面?zhèn)妊胤指铑A(yù)定線照射對晶片具有透射性的波長的激光光線,沿分割預(yù)定線在晶片內(nèi)部形成改性層;以及分割工序,對晶片施加外力,將晶片沿形成了改性層的分割預(yù)定線分割成一個(gè)個(gè)器件,改性層形成工序包括第1改性層形成工序,將激光光線聚光點(diǎn)定位在晶...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。