專利名稱：一種形成存儲(chǔ)器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法，尤其涉及一種形成存儲(chǔ)器件的方法。
背景技術(shù)：
在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路產(chǎn)品主要可分為三大類型模擬電路、數(shù)字電路和數(shù)/?；旌想娐罚渲写鎯?chǔ)器件是數(shù)字電路中的一個(gè)重要類型。而在存儲(chǔ)器件中，近年來(lái)閃速存儲(chǔ)器(flash memory，簡(jiǎn)稱閃存)的發(fā)展尤為迅速。閃存的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長(zhǎng)期保持存儲(chǔ)的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫(xiě)等優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。閃存中的分離柵存儲(chǔ)器具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如可以避免漏電流而導(dǎo)致的過(guò)擦除問(wèn)題，具有低編程電壓，而且編程效率高。然而，隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體器件尺寸越來(lái)越小，傳統(tǒng)的形成分離柵存儲(chǔ)器的方法容易造成浮柵和控制柵倒塌。圖Ia 圖If為現(xiàn)有技術(shù)的形成分離柵存儲(chǔ)器的方法，包括，提供半導(dǎo)體襯底10，在該半導(dǎo)體襯底10上形成隧穿氧化層11 (參考圖la)；在所述隧穿氧化層11上形成浮柵12、控制柵13，以及位于浮柵 12、控制柵13兩側(cè)的側(cè)墻14，所述浮柵12和控制柵13之間具有絕緣層進(jìn)行電學(xué)隔離(參考圖lb)；在浮柵12、控制柵13—側(cè)的襯底上形成光刻膠層15，該光刻膠層15覆蓋部分控制柵13，以光刻膠層15、控制柵13以及側(cè)墻14為掩膜對(duì)半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行離子注入形成源區(qū)16 (參考圖Ic)；灰化光刻膠層15 (參考圖Id)；在去除光刻膠層15后，利用濕法刻蝕去除側(cè)墻14 (參考圖Ie)；形成擦除柵17、選擇柵18以及漏區(qū)19 (參考圖If)。采用以上所述的現(xiàn)有技術(shù)的形成存儲(chǔ)器件，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)其合格率不高?，F(xiàn)有技術(shù)中公開(kāi)了許多形成存儲(chǔ)單元的方法，例如申請(qǐng)?zhí)枮椤?006101^199.3”的中國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)的分離柵極式存儲(chǔ)單元及其形成方法，發(fā)明人均發(fā)現(xiàn)采用其制作方法形成的存儲(chǔ)單元成品率不高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種形成分離柵存儲(chǔ)器的方法，以提高分離柵存儲(chǔ)器的成品率。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種形成存儲(chǔ)器件的方法，包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成浮柵、控制柵，所述控制柵堆疊在所述浮柵上；在所述浮柵、控制柵的兩側(cè)形成側(cè)墻；在所述浮柵、控制柵一側(cè)的襯底上形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋與其同側(cè)的側(cè)墻并覆蓋部分或全部控制柵；以所述光刻膠層以及側(cè)墻為掩膜對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成源區(qū)，所述源區(qū)位于所述浮柵、控制柵的另一側(cè)的襯底內(nèi)；其中，在所述離子注入過(guò)程中，所述光刻膠層的上層被碳化形成硬化層；
去除部分或全部硬化層；去除所述光刻膠層和側(cè)墻；形成擦除柵，所述擦除柵位于所述源區(qū)上?？蛇x的，所述去除部分或全部硬化層包括在溫度為20°C 30°C、偏置功率為 IOOw 200w條件下，利用純氧等離子體刻蝕去除部分或全部硬化層?？蛇x的，所述去除所述光刻膠層包括在溫度為250°C 270°C條件下，利用純氧等離子體灰化去除所述光刻膠層。可選的，所述在所述半導(dǎo)體襯底上形成浮柵、控制柵包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層上形成第一導(dǎo)電層；
在所述第一導(dǎo)電層上形成第二介質(zhì)層；在所述第二介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層；圖形化所述第一介質(zhì)層、第一導(dǎo)電層、第二介質(zhì)層和第二導(dǎo)電層，形成浮柵、控制柵，其中，所述第一導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)形成浮柵，所述第二導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)形成控制柵?？蛇x的，還包括形成漏區(qū)?？蛇x的，還包括形成選擇柵，所述選擇柵和所述擦除柵分別位于所述浮柵、控制柵的兩側(cè)；所述漏區(qū)位于所述襯底內(nèi)，且位于所述選擇柵相對(duì)于源區(qū)的相對(duì)側(cè)。可選的，所述形成擦除柵、形成選擇柵包括在所述襯底、浮柵、控制柵形成的表面上形成第三介質(zhì)層，在所述第三介質(zhì)層上形成第三導(dǎo)電層；圖形化所述第三介質(zhì)層、第三導(dǎo)電層形成擦除柵、選擇柵?？蛇x的，所述漏區(qū)形成于襯底內(nèi)，且位于所述浮柵、控制柵相對(duì)于源區(qū)的相對(duì)側(cè)；所述形成擦除柵包括在所述襯底、浮柵、控制柵形成的表面上形成第四介質(zhì)層，在所述第四介質(zhì)層上形成第四導(dǎo)電層；圖形化所述第四介質(zhì)層、第四導(dǎo)電層形成擦除柵?？蛇x的，所述去除側(cè)墻包括在去除所述部分或全部硬化層后，去除與所述光刻膠層相對(duì)的側(cè)墻；在去除所述光刻膠層后，去除與所述光刻膠層同側(cè)的側(cè)墻。可選的，所述去除側(cè)墻所用的方法為濕法刻蝕。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)在去除光刻膠層之前，首先部分或全部去除光刻膠層在離子注入過(guò)程中形成的硬化層，這樣在之后高溫去除光刻膠層的過(guò)程中，由于硬化層被全部或者部分去除，因此可以避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的控制柵和浮柵倒塌的現(xiàn)象。


圖Ia 圖If是現(xiàn)有技術(shù)形成存儲(chǔ)器件方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖Ig為圖Ic中離子注入工藝中形成硬化層的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖Ia 圖If的方法形成的存儲(chǔ)器件出現(xiàn)控制柵和浮柵倒塌現(xiàn)象示意5
圖3是本發(fā)明形成存儲(chǔ)器件方法的流程示意圖；圖如 圖41是本發(fā)明第一具體實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器件方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明第二具體實(shí)施例的存儲(chǔ)器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明第三具體實(shí)施例的存儲(chǔ)器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式如前所述，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)采用上述現(xiàn)有技術(shù)形成的存儲(chǔ)器成品率不高，經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)是由于堆疊柵20的倒塌所致；再經(jīng)過(guò)進(jìn)一步的研究，發(fā)現(xiàn)是在灰化去除光刻膠過(guò)程中堆疊柵20容易出現(xiàn)倒塌。基于這些研究，發(fā)明人創(chuàng)造性發(fā)現(xiàn)，以光刻膠層15以及側(cè)墻14為掩膜對(duì)半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行離子注入形成源區(qū)16的過(guò)程中，光刻膠層15的頂部由于離子注入而被碳化形成硬化層151(參考圖Ig)，在灰化去除硬化層151以及光刻膠層15，由于灰化時(shí)需要使用250°C以上的高溫灰化才可以去除光刻膠層15，然而由于硬化層151的存在，在高溫灰化去除光刻膠層15和硬化層151時(shí)，控制柵和浮柵堆疊在一起形成的堆疊柵20與硬化層151、光刻膠層15在250°C高溫下由于具有大的張力差，因此容易造成堆疊柵20的倒塌，請(qǐng)參考圖2，其中，圖2所示的存儲(chǔ)器件，相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元共用一個(gè)擦除柵18。隨著半導(dǎo)體器件越來(lái)越往小的方向發(fā)展，堆疊柵20更容易出現(xiàn)倒塌，從而影響存儲(chǔ)器件的成品率。基于上述技術(shù)問(wèn)題產(chǎn)生的原因，本發(fā)明提出新的形成存儲(chǔ)器件的方法，在去除光刻膠層之前，首先部分或全部去除光刻膠層在離子注入過(guò)程中形成的硬化層，這樣在之后高溫去除光刻膠層的過(guò)程中，由于硬化層被全部或者部分去除，減小了硬化層、光刻膠層與堆疊柵(控制柵和浮柵)的張力差對(duì)堆疊柵造成的影響，因此可以避免或減少現(xiàn)有技術(shù)中存在的控制柵和浮柵倒塌的現(xiàn)象。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明的實(shí)質(zhì)，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)說(shuō)明。圖3是本發(fā)明具體實(shí)施方式
的形成存儲(chǔ)器件方法的流程示意圖，參考圖3，本發(fā)明形成存儲(chǔ)器件的方法包括步驟S 1，提供半導(dǎo)體襯底；步驟S2，在所述半導(dǎo)體襯底上形成浮柵、控制柵，所述控制柵堆疊在所述浮柵上并與浮柵之間具有絕緣層進(jìn)行電學(xué)隔離；步驟S3，在所述浮柵、控制柵的兩側(cè)形成側(cè)墻；步驟S4，在所述浮柵、控制柵的一側(cè)的襯底上形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋與其同側(cè)的側(cè)墻并覆蓋部分或全部控制柵；步驟S5，以所述光刻膠層以及側(cè)墻為掩膜對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成源區(qū)，所述源區(qū)位于所述浮柵、控制柵的另一側(cè)的襯底內(nèi)；其中，在所述離子注入過(guò)程中，所述光刻膠層的上層被碳化形成硬化層；步驟S6，去除部分或全部硬化層；步驟S7,去除所述光刻膠層和側(cè)墻；步驟S8，形成擦除柵，所述擦除柵位于所述源區(qū)上。下面結(jié)合形成存儲(chǔ)器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器件的方法，由于存儲(chǔ)器件中的存儲(chǔ)單元重復(fù)排列，圖示中以一個(gè)存儲(chǔ)單元為例進(jìn)行示意。結(jié)合參考圖3和圖如，執(zhí)行步驟Si，提供半導(dǎo)體襯底40 ；所述半導(dǎo)體襯底40可以是單晶、多晶、或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺；也可以是絕緣體上硅(SOI)；或者還可以包括其它的材料，例如砷化鎵等III-V族化合物。所述半導(dǎo)體襯底40上具有一定的隔離結(jié)構(gòu)，可以為淺溝槽隔離(STI)、局部場(chǎng)氧化隔離(L0C0S)。結(jié)合參考圖3和圖仙、圖如，執(zhí)行步驟S2，在所述半導(dǎo)體襯底上形成浮柵、控制柵， 所述控制柵堆疊在所述浮柵上，具體為在所述半導(dǎo)體襯底40上形成第一介質(zhì)層41 ；在所述第一介質(zhì)層41上形成第一導(dǎo)電層42 ；在所述第一導(dǎo)電層42上形成第二介質(zhì)層43 ；在所述第二介質(zhì)層43上形成第二導(dǎo)電層44(參考圖4b)；圖形化所述第一導(dǎo)電層42、第二介質(zhì)層43和第二導(dǎo)電層44，形成浮柵42'、控制柵44'，其中，所述第一導(dǎo)電層42對(duì)應(yīng)形成浮柵42'，所述第二導(dǎo)電層44對(duì)應(yīng)形成控制柵44'(參考圖如)。其中，第一介質(zhì)層41為氧化硅層，在本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，該第一介質(zhì)層41通常稱為柵介質(zhì)層，第二介質(zhì)層43可以為單層結(jié)構(gòu)氧化硅層，也可以為多層結(jié)構(gòu)例如氧化物-氮化物-氧化物(ONO)，此為領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識(shí)，此不做詳細(xì)說(shuō)明。在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述第一介質(zhì)層41以及第二介質(zhì)層43為氧化層，在其他實(shí)施例中，第一介質(zhì)層41以及第二介質(zhì)層43也可以為其他可以起到絕緣作用的介質(zhì)層。第一導(dǎo)電層42和第二導(dǎo)電層44為多晶硅層，也可以為其他具有導(dǎo)電功能的金屬層。結(jié)合參考圖3和圖4d，執(zhí)行步驟S3，在所述浮柵、控制柵的兩側(cè)形成側(cè)墻，該形成側(cè)墻的步驟為在整個(gè)襯底以及控制柵44'、浮柵42'組成的表面沉積一層二氧化硅，隨后用干法刻蝕工藝反刻掉這層二氧化硅，當(dāng)露出控制柵后，停止反刻在浮柵42'和控制柵 44'兩側(cè)的二氧化硅殘留一部分作為側(cè)墻45。結(jié)合參考圖3和圖4e，執(zhí)行步驟S4，在所述浮柵、控制柵的一側(cè)的襯底上形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋與其同側(cè)的側(cè)墻并覆蓋部分或全部控制柵，具體為在襯底40上的第一介質(zhì)層41、浮柵42'、控制柵44'以及側(cè)墻 45形成的表面上旋涂光刻膠，然后對(duì)光刻膠進(jìn)行圖形化，在浮柵42'、控制柵44'的一側(cè)的襯底上形成光刻膠層46，其中所述光刻膠層46覆蓋部分控制柵44'，光刻膠層46覆蓋與其同側(cè)的側(cè)墻45，在本發(fā)明的該具體實(shí)施例中，光刻膠層46與側(cè)墻45共同作為掩膜層， 在以后的離子注入工藝中防止離子注入損傷襯底40以及控制柵44'。并且，需要說(shuō)明的是，在形成控制柵后，會(huì)在控制柵上形成硬掩膜層，起到保護(hù)控制柵的作用，因此在本發(fā)明中，即使光刻膠層部分覆蓋控制柵，在離子注入過(guò)程中，由于硬掩膜層的存在也不會(huì)損傷控制柵，在圖示中并沒(méi)有示意出硬掩膜層。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，形成光刻膠層46的工藝可以為旋涂光刻膠形成光刻膠層，也可以為本領(lǐng)域公知的其他工藝。結(jié)合參考圖3和圖4f，執(zhí)行步驟S5，以所述光刻膠層以及側(cè)墻為掩膜對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成源區(qū)，所述源區(qū)位于所述浮柵、控制柵的另一側(cè)的襯底內(nèi)；其中， 在所述離子注入過(guò)程中，所述掩膜層的上層被碳化形成硬化層，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中為，以光刻膠層46與側(cè)墻45作為掩膜層對(duì)半導(dǎo)體襯底40進(jìn)行離子注入，離子注入的劑量為2.0X1015 18/cm2，形成源區(qū)47，該源區(qū)位于浮柵42'、控制柵44'的另一側(cè)的襯底40 內(nèi)，即源區(qū)47位于襯底40內(nèi)與光刻膠層46相對(duì)的另一側(cè)。在本發(fā)明的該具體實(shí)施例中，離子注入劑量為2. 0-3. 0 X IO1Vcm2,該離子注入劑量根據(jù)具體實(shí)施例的不同可以選擇不同的離子注入劑量，注入的離子種類根據(jù)襯底種類的不同而不同，例如，在襯底為P型襯底時(shí)， 注入的離子可以為磷(P)離子或砷(As)離子。由于在離子注入過(guò)程中，離子(例如As離子)的轟擊造成光刻膠層46頂層部分的C-H(碳?xì)滏I)斷裂，形成C-C鍵(碳碳鍵)，這樣使光刻膠層46頂層部分由于被碳化而形成一層硬化層461，該硬化層461與控制柵、浮柵在之后的灰化去除光刻膠層時(shí)，由于產(chǎn)生的張力不同，很容易產(chǎn)生控制柵、浮柵倒塌的現(xiàn)象。結(jié)合參考圖3和圖4g，執(zhí)行步驟S6，去除部分或全部硬化層；在本發(fā)明中為了避免在之后高溫灰化去除光刻膠層時(shí)，控制柵、浮柵倒塌的現(xiàn)象，在灰化去除光刻膠層前，去除部分或者全部硬化層。本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述去除部分或全部硬化層包括在溫度為 20°C 30°C、偏置功率為IOOw 200w條件下，利用純氧等離子體刻蝕去除部分或全部硬化層461。在圖4g所示的具體實(shí)施例中，顯示去除了全部的硬化層461，先以較低溫度刻蝕去除全部硬化層后，在之后的高溫灰化去除光刻膠層的工藝中，光刻膠層和控制柵、浮柵之間的張力差變小，可以避免或減小現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的控制柵、浮柵倒塌的現(xiàn)象。而在其他的具體實(shí)施例中，也可以去除部分的硬化層。先以較低溫度刻蝕去除部分硬化層后，在之后的高溫灰化去除光刻膠層的工藝中，硬化層、光刻膠層和控制柵、浮柵之間的張力差也會(huì)變小，也可以避免或減小現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的控制柵、浮柵倒塌的現(xiàn)象。結(jié)合參考圖3和圖4h，圖4i，圖4j，執(zhí)行步驟S7，去除所述光刻膠層和所述側(cè)墻； 具體為，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，在去除所述部分或全部硬化層461后，去除與所述光刻膠層46相對(duì)側(cè)的側(cè)墻(參考圖4h)；之后，在溫度為250°C 270°C條件下，利用純氧等離子體灰化去除所述光刻膠層46 (參考圖4i)；在去除所述光刻膠層46后，去除與所述光刻膠層同側(cè)的側(cè)墻(參考圖4j)。所述去除側(cè)墻所用的方法為濕法刻蝕。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，去除光刻膠層和側(cè)墻的工藝也可以為首先利用灰化工藝去除光刻膠層，然后用濕法刻蝕去除控制柵和浮柵兩側(cè)的側(cè)墻。結(jié)合參考圖3和圖4k，執(zhí)行步驟S8，形成擦除柵，所述擦除柵位于所述源區(qū)上。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，存儲(chǔ)器為分離柵存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器件包括擦除柵，以及選擇柵， 選擇柵用于選擇存儲(chǔ)單元的開(kāi)啟，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，形成存儲(chǔ)器件的方法還包括形成選擇柵，所述選擇柵和所述擦除柵分別位于所述浮柵、控制柵的兩側(cè)，形成選擇柵、形成擦除柵的步驟具體包括在所述襯底、浮柵、控制柵形成的表面上形成第三介質(zhì)層，在所述第三介質(zhì)層上形成第三導(dǎo)電層；圖形化所述第三介質(zhì)層和第三導(dǎo)電層形成擦除柵48、選擇柵49，第三介質(zhì)層對(duì)應(yīng)形成擦除柵48與浮柵42'、控制柵44'之間以及選擇柵49與浮柵42'、控制柵44'之間的層間介質(zhì)層50。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，第三介質(zhì)層為氧化層，也可為其他具有絕緣作用的介質(zhì)層，第三導(dǎo)電層為多晶硅層，也可以為其他具有導(dǎo)電作用的金屬層。參考圖41，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，還包括形成漏區(qū)47'，所述漏區(qū)47'位于所述襯底40內(nèi)，且位于所述選擇柵相對(duì)于源區(qū)的相對(duì)側(cè)。形成漏區(qū)47'包括形成側(cè)墻， 以側(cè)墻為掩膜對(duì)襯底進(jìn)行離子注入(圖中未示)，所述漏區(qū)47'為輕摻雜，離子注入劑量 2. 0-3. OX 101° 13/Cm2，此為本發(fā)明具體實(shí)施例中的劑量，該離子注入劑量可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求，進(jìn)行變化。以上所述為本發(fā)明第一具體實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器件的方法，該存儲(chǔ)器件包括選擇柵、擦除柵、以及浮柵和控制柵，其中選擇柵用來(lái)選擇浮柵以及控制柵的開(kāi)啟，即用來(lái)選擇其所在的存儲(chǔ)單元的開(kāi)啟。在本發(fā)明的第二具體實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件不包括選擇柵，參考圖5，為本發(fā)明另一具體實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，在該第二具體實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件不包括選擇柵，其中，與第一具體實(shí)施例中形成存儲(chǔ)器件不同的是形成漏區(qū)47'與形成擦除柵48。漏區(qū)47'形成于襯底內(nèi)，浮柵42'、控制柵44'相對(duì)于源區(qū)的相對(duì)側(cè)，其形成方法為本領(lǐng)域公知常識(shí)，此不做詳細(xì)說(shuō)明。該第二具體實(shí)施例的形成擦除柵48包括在所述襯底40、浮柵 42'、控制柵44'形成的表面上形成第四氧化層，在所述第四氧化層上形成第四多晶硅層； 圖形化所述第四氧化層、第四多晶硅層形成擦除柵48，第四氧化層對(duì)應(yīng)形成擦除柵48與浮柵42'、控制柵44'之間的層間介質(zhì)層50。本發(fā)明的該第二具體實(shí)施例與所述第一具體實(shí)施例的圖如 圖4j所示步驟相同。圖6為本發(fā)明第三具體實(shí)施例的存儲(chǔ)器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖6，該第三具體實(shí)施例的存儲(chǔ)器件，包括浮柵42'、控制柵44'、擦除柵48'、選擇柵49'的相鄰的兩存儲(chǔ)單元共用一個(gè)擦除柵48'。該第三具體實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的形成方法與第一具體實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器件的方法基本相同，不同的是，浮柵、控制柵、以及擦除柵、選擇柵的布局圖形不同，因此在圖形化時(shí)需要使用不同的掩膜版為掩膜進(jìn)行圖形化。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種形成存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于包括 提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成浮柵、控制柵，所述控制柵堆疊在所述浮柵上； 在所述浮柵、控制柵的兩側(cè)形成側(cè)墻；在所述浮柵、控制柵一側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋與其同側(cè)的側(cè)墻并覆蓋部分或全部控制柵；以所述光刻膠層以及側(cè)墻為掩膜對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成源區(qū)，所述源區(qū)位于所述浮柵、控制柵的另一側(cè)的襯底內(nèi)；其中，在所述離子注入過(guò)程中，所述光刻膠層的上層被碳化形成硬化層； 去除部分或全部硬化層； 去除所述光刻膠層和側(cè)墻； 形成擦除柵，所述擦除柵位于所述源區(qū)上。
2.如權(quán)利要求1所述的形成存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，所述去除部分或全部硬化層包括在溫度為20°C 30°C、偏置功率為IOOw 200w條件下，利用純氧等離子體刻蝕去除部分或全部硬化層。
3.如權(quán)利要求1所述的形成存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠層包括在溫度為250°C 270°C條件下，利用純氧等離子體灰化去除所述光刻膠層。
4.如權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述的形成存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，所述在所述半導(dǎo)體襯底上形成浮柵、控制柵步驟包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一介質(zhì)層； 在所述第一介質(zhì)層上形成第一導(dǎo)電層； 在所述第一導(dǎo)電層上形成第二介質(zhì)層； 在所述第二介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層；圖形化所述第一介質(zhì)層、第一導(dǎo)電層、第二介質(zhì)層和第二導(dǎo)電層，形成浮柵、控制柵，其中，所述第一導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)形成浮柵，所述第二導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)形成控制柵。
5.如權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述的形成存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，還包括形成漏區(qū)的步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的形成存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，還包括形成選擇柵，所述選擇柵和所述擦除柵分別位于所述浮柵、控制柵的兩側(cè)；所述漏區(qū)位于所述襯底內(nèi)，且位于所述選擇柵相對(duì)于源區(qū)的相對(duì)側(cè)。
7.如權(quán)利要求6所述的形成存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，所述形成擦除柵、選擇柵步驟包括在所述襯底、浮柵、控制柵形成的表面上形成第三介質(zhì)層，在所述第三介質(zhì)層上形成第三導(dǎo)電層；圖形化所述第三介質(zhì)層、第三導(dǎo)電層形成擦除柵、選擇柵。
8.如權(quán)利要求5所述的形成存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，所述漏區(qū)形成于襯底內(nèi)，且所述源區(qū)和漏區(qū)分別位于所述浮柵、控制柵的兩側(cè)；所述形成擦除柵包括在所述襯底、浮柵、控制柵形成的表面上形成第四介質(zhì)層，在所述第四介質(zhì)層上形成第四導(dǎo)電層；圖形化所述第四介質(zhì)層、第四導(dǎo)電層形成擦除柵。
9.如權(quán)利要求1所述的形成存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，所述去除側(cè)墻包括 在去除所述部分或全部硬化層后，去除與所述光刻膠層相對(duì)的側(cè)墻；在去除所述光刻膠層后，去除與所述光刻膠層同側(cè)的側(cè)墻。
10.如權(quán)利要求9所述的形成存儲(chǔ)器件的方法，其特征在于，所述去除側(cè)墻所用的方法為濕法刻蝕。
全文摘要
一種形成存儲(chǔ)器件的方法，包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成浮柵、控制柵，所述控制柵堆疊在所述浮柵上；在所述浮柵、控制柵的兩側(cè)形成側(cè)墻；在所述浮柵、控制柵一側(cè)的襯底上形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋與其同側(cè)的側(cè)墻并覆蓋部分或全部控制柵；以所述光刻膠層以及側(cè)墻為掩膜對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成源區(qū)，所述源區(qū)位于所述浮柵、控制柵的另一側(cè)的襯底內(nèi)；其中，在所述離子注入過(guò)程中，所述光刻膠層的上層被碳化形成硬化層；去除部分或全部硬化層；去除所述光刻膠層和側(cè)墻；形成擦除柵，所述擦除柵位于所述源區(qū)上。由于硬化層被全部或者部分去除，因此可以避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的控制柵和浮柵倒塌的現(xiàn)象。
文檔編號(hào)H01L21/8247GK102376649SQ201010248158
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月5日
發(fā)明者周儒領(lǐng), 張慶勇 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司