專利名稱：制造半導(dǎo)體裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，尤其涉及一種通過在形成襯墊之后在互 連件上形成硅化物層來制造半導(dǎo)體裝置的方法。
背景技術(shù)：
由于新近的半導(dǎo)體裝置高度集成且以高速度操作，所以在半導(dǎo)體裝置中使用精細(xì) 且多層互連件。另外，為了減少RC信號延遲，將銅用作互連件材料，且將具有低電介質(zhì)常數(shù) (dielectric constant) (k)的材料用作絕緣層材料。此外，由設(shè)計規(guī)則簡化(design rule reduction)引起的金屬圖案化的困難已導(dǎo)致鑲嵌工藝(damascene process)的發(fā)展，在鑲 嵌工藝中未在互連件形成工藝中執(zhí)行金屬蝕刻和絕緣層間隙填充。在鑲嵌工藝中，蝕刻擋止層(etch stop layer)和層間絕緣層形成在下部互連件 由銅形成的襯底上；蝕刻擋止層和層間絕緣層的預(yù)定區(qū)域經(jīng)蝕刻以形成孔或溝槽；且孔或 溝槽用金屬層填充以形成金屬互連件。此時，硅化物層可形成在下部互連件上，且硅化物層 可經(jīng)氮化以改進(jìn)互連件特性。硅化物層可通過與下部互連件反應(yīng)而形成。即，硅化物層可 通過在銅與硅源(例如SiH4)之間反應(yīng)而形成。然而，如果銅與SiH4彼此接觸且彼此進(jìn)行反應(yīng)，那么下部互連件的表面電阻可能 變化，從而在裝置完全制造好之后增加例如通路電阻(via resistance)或互連件電阻的電 阻。因此，裝置的操作可能受到不良影響。舉例來說，裝置可能不能以高速度操作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法。在所述方法中，當(dāng)形成硅化物層時防止 下部互連件與硅源接觸，使得可防止電阻變化。本發(fā)明還提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中在形成硅化物層之前在半導(dǎo)體襯 底上形成薄的襯墊，以便防止下部互連件與硅源接觸。根據(jù)一示范性實施例，提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包含制備上面 形成下部互連件的半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成襯墊；在所述下部互連件上在所 述襯墊之下形成硅化物層；使所述硅化物層氮化；以及在所述襯墊上沉積薄層。所述襯墊的形成、所述硅化物層的氮化以及所述薄層的沉積可通過產(chǎn)生等離子來 執(zhí)行，且所述硅化物層的形成可在不產(chǎn)生等離子的情況下執(zhí)行。所述襯墊的形成、所述硅化物層的形成、所述硅化物層的氮化以及所述薄層的沉 積可在原處(in situ)執(zhí)行。所述襯墊和所述薄層可由相同材料形成。根據(jù)另一示范性實施例，提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包含制備上 面形成下部互連件的半導(dǎo)體襯底；通過使用第一源和第二源在所述半導(dǎo)體襯底上形成襯 墊；通過使用所述第二源在所述下部互連件上在所述襯墊之下形成硅化物層；通過使用所 述第一源使所述硅化物層氮化；以及通過使用所述第一源和第二源來沉積薄層。
在形成襯墊之前，所述方法可進(jìn)一步包含通過使用所述第一源從所述半導(dǎo)體襯底 移除自然氧化物層(natural oxide layer)。在供應(yīng)所述第一源的相同時間或在預(yù)定延遲時間之后供應(yīng)凈化氣體(purge gas)，且可以恒定流率或逐漸增加的流率供應(yīng)所述凈化氣體。所述襯墊的形成、所述硅化物層的氮化以及所述薄層的沉積可通過產(chǎn)生等離子來 執(zhí)行，且所述硅化物層的形成可在不產(chǎn)生等離子的情況下執(zhí)行。所述襯墊的形成、所述硅化物層的形成、所述硅化物層的氮化以及所述薄層的沉 積可在原處執(zhí)行。所述襯墊和所述薄層可由相同材料形成，且所述襯墊和所述薄層中的每一者可具 有根據(jù)所述第一和第二源的比率變化的性質(zhì)。


可從結(jié)合附圖作出的以下描述中更詳細(xì)理解示范性實施例，附圖中圖1是說明根據(jù)示范性實施例的反應(yīng)設(shè)備的示意截面圖；圖2到圖8是根據(jù)示范性實施例的用于解釋制造半導(dǎo)體裝置的方法的裝置的連續(xù) 截面圖。
具體實施例方式在下文中，將參看附圖來詳細(xì)描述特定實施例。然而，本發(fā)明可以不同形式來體 現(xiàn)，且不應(yīng)解釋為限于本文所陳述的實施例。事實上，提供這些實施例以使得本發(fā)明將為詳 盡且完整的，且將向所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在圖式中，為了說明的清 晰性而夸大顯示了層和區(qū)域的尺寸。相同參考標(biāo)號在全文中指代相同元件。還將了解，當(dāng) 層、膜、區(qū)域或板被稱為在另一者“上”時，其可直接在另一者上，或者也可存在一個或一個 以上介入的層、膜、區(qū)域或板。此外，將了解，當(dāng)層、膜、區(qū)域或板被稱為在另一者“之下”時， 其可直接在另一者之下，且也可存在一個或一個以上介入的層、膜、區(qū)域或板。另外，還將理 解，當(dāng)層、膜、區(qū)域或板被稱為在兩個層、膜、區(qū)域或板“之間”時，其可能是所述兩個層、膜、 區(qū)域或板之間的唯一的層、膜、區(qū)域或板，或者也可能存在一個或一個以上介入的層、膜、區(qū) 域或板。圖1是說明根據(jù)示范性實施例的可用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的反應(yīng)設(shè)備的示 意截面圖。在所述反應(yīng)設(shè)備中，可通過使用等離子來執(zhí)行蝕刻和沉積工藝兩者。參看圖1，當(dāng)前實施例的反應(yīng)設(shè)備包含反應(yīng)腔室100，其中形成反應(yīng)空間；襯底支 撐件110，其安置在反應(yīng)腔室100的下部內(nèi)側(cè)中以支撐襯底10 ；噴淋頭(shower head) 120， 其安置在反應(yīng)腔室100的上部內(nèi)側(cè)且面對襯底支撐件110以注入反應(yīng)源；第一源供應(yīng)單元 130，其經(jīng)配置以將第一源供應(yīng)到噴淋頭120 ；第二源供應(yīng)單元140，其經(jīng)配置以將第二源供 應(yīng)到噴淋頭120 ；等離子產(chǎn)生單元150，其經(jīng)配置以激發(fā)經(jīng)由噴淋頭120注入的第一和第二 源。反應(yīng)腔室100提供氣密反應(yīng)區(qū)域。反應(yīng)腔室100可包含反應(yīng)部分，其由具有近 似圓形形狀的扁平部分和從扁平部分向上延伸以形成預(yù)定空間的側(cè)壁部分構(gòu)成；以及圓形 蓋，其具有近似圓形形狀且安置在反應(yīng)部分上以保持反應(yīng)腔室100氣密。反應(yīng)部分和蓋可具有其它形狀，例如對應(yīng)于襯底10的形狀的形狀。襯底支撐件110安置在反應(yīng)腔室100的下側(cè)以面對噴淋頭120。舉例來說，襯底 支撐件110可包含靜電卡盤(electrostatic chuck)以接收運載到反應(yīng)腔室100中的襯底 10。襯底支撐件110可具有近似圓形形狀或?qū)?yīng)于襯底10的形狀的任何其它形狀。襯底 支撐件110的大小可大于襯底10的大小。襯底升降機111安置在襯底支撐件110之下以 升高或降低放置在襯底支撐件110上的襯底10。如果襯底10放置在襯底支撐件110上，那 么襯底升降機111移動襯底10使其靠近噴淋頭120。另外，加熱器(未圖示)安置在襯底 支撐件110中。加熱器加熱襯底10，使得使用第一和第二源執(zhí)行的工藝(例如，自然氧化物 層移除工藝、硅化物層形成工藝以及蝕刻擋止層形成工藝)可容易地在襯底10上執(zhí)行。除 了加熱器之外，冷卻管道(未圖示)也可安置在襯底支撐件110中。可使冷卻劑循環(huán)經(jīng)過 安置在襯底支撐件110中的冷卻管道，以通過在襯底10與襯底支撐件110之間傳導(dǎo)來冷卻 襯底10，以便將襯底10的溫度調(diào)節(jié)到所需水平。噴淋頭120安置在反應(yīng)腔室100的上側(cè)以面對襯底支撐件110，從而朝著反應(yīng)腔室 100的下側(cè)注入第一和第二源。噴淋頭120的上部部分連接到第一源供應(yīng)單元130和第二 源供應(yīng)單元140，且多個注入孔122形成在噴淋頭120的底側(cè)中以注入第一和第二源。噴淋 頭120可具有近似圓形形狀或?qū)?yīng)于襯底10的形狀的任何其它形狀。噴淋頭120的大小 可等于襯底支撐件110的大小。第一源供應(yīng)單元130包含第一源供應(yīng)管132，其連接到噴淋頭120的上部部分以 將第一源供應(yīng)到噴淋頭120 ；以及第一源存儲部分134，其經(jīng)配置以存儲第一源。第一源存 儲部分134存儲例如NH3等氮源。氮源可用以移除自然氧化物層且形成氮化硅(SiN)層作 為襯墊或蝕刻擋止層。另外，第一源存儲部分134可存儲例如H2源等另一源以及用于移除 自然氧化物層的氮源。在此狀況下，第一源存儲部分134可獨立地存儲NH3源和H2源。存 儲在第一源存儲部分134中的第一源經(jīng)由第一源供應(yīng)管132供應(yīng)到噴淋頭120。例如閥的 裝置(未圖示)安置在第一源存儲部分134與第一源供應(yīng)管132之間以控制第一源的供應(yīng)， 例如第一源的供應(yīng)流率。第二源供應(yīng)單元140包含第二源供應(yīng)管142，其連接到噴淋頭120的上部部分以 將第二源供應(yīng)到噴淋頭120 ；以及第二源存儲部分144，其經(jīng)配置以存儲第二源。第二源存 儲部分144存儲用以形成作為襯墊或蝕刻擋止層的氮化硅層以及硅化物層的源。舉例來 說，第二源存儲部分144可存儲例如SiH4等硅源。存儲在第二源存儲部分144中的第二源 經(jīng)由第二源供應(yīng)管142供應(yīng)到噴淋頭120。例如閥的裝置(未圖示)安置在第二源存儲部 分144與第二源供應(yīng)管142之間以控制第二源的供應(yīng)，例如第二源的供應(yīng)流率。等離子產(chǎn)生單元150經(jīng)配置以激發(fā)第一源和第二源中的至少一者。等離子產(chǎn)生單 元150包含等離子產(chǎn)生線圈152，其安置在反應(yīng)腔室100的上部部分或側(cè)部部分處，或等 離子產(chǎn)生線圈152安置在反應(yīng)腔室100的上部部分和側(cè)部部分兩者處；以及電源部分154， 其經(jīng)配置以將電力供應(yīng)到等離子產(chǎn)生線圈152。在等離子產(chǎn)生線圈152安置在反應(yīng)腔室100 的上部部分和側(cè)部部分處的情況下，等離子產(chǎn)生線圈152可并聯(lián)連接。安置在反應(yīng)腔室100 的上部部分處的等離子產(chǎn)生線圈152可具有大于噴淋頭120的外徑，以便使經(jīng)由噴淋頭120 注入的第一源和第二源完全離子化。當(dāng)電力從電源部分154供應(yīng)到等離子產(chǎn)生線圈152時， 由等離子產(chǎn)生線圈152產(chǎn)生磁場以激發(fā)第一源和第二源。
另外，可提供真空泵(未圖示)以控制反應(yīng)腔室100的內(nèi)部壓力，可提供排氣出口 (未圖示)以從反應(yīng)腔室100排出未反應(yīng)氣體，且可提供凈化氣體供應(yīng)單元(未圖示)以供 應(yīng)凈化氣體。圖2到圖8是根據(jù)示范性實施例的用于解釋制造半導(dǎo)體裝置的方法的連續(xù)截面 圖。參看圖2，將上面形成預(yù)定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底200載入到反應(yīng)腔室100中。舉例來 說，例如晶體管或存儲器單元等裝置可能已經(jīng)形成在半導(dǎo)體襯底200上，且下部互連件210 可能已經(jīng)形成在半導(dǎo)體襯底200上。半導(dǎo)體襯底200可能(例如)在半導(dǎo)體襯底200被運 輸?shù)耐瑫r暴露于大氣，且在此狀況下，自然氧化物層220可成長在下部互連件210上。如果 下部互連件210由銅形成，那么自然氧化物層220可以是氧化銅(CuO)層。當(dāng)上面形成下 部互連件210的半導(dǎo)體襯底200載入到反應(yīng)腔室100中時，半導(dǎo)體襯底200放置在襯底支 撐件110中，且襯底升降機111向上移動以調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室100與噴淋頭120之間的間隙。參看圖3，通過使用安置在襯底支撐件110中的加熱器(未圖示)將半導(dǎo)體襯底 200保持在預(yù)定溫度，例如在近似300°C到近似400°C的范圍內(nèi)，且通過使用例如真空泵(未 圖示)等裝置將反應(yīng)腔室100內(nèi)部保持在預(yù)定壓力下，例如真空狀態(tài)。由于自然氧化物層 220增加了互連件電阻，所以自然氧化物層220可被移除。為此，例如NH3的第一源從第一 源供應(yīng)單元130供應(yīng)到噴淋頭120，且與此同時，例如，將近似850W的功率施加到等離子產(chǎn) 生單元150以產(chǎn)生近似13. 56MHz的高頻率。通過高頻率來產(chǎn)生等離子。當(dāng)?shù)谝辉吹墓?yīng) 已開始時或在自然氧化物層220可幾乎移除的時間之后，以逐漸增加的流率來供應(yīng)例如氮 (N2)氣或氦(He)氣等凈化氣體。舉例來說，可以近似300SCCm到近似5000SCCm的流率從 第一源供應(yīng)單元130供應(yīng)第一源，且可以近似300SCCm到近似5000SCCm的流率供應(yīng)凈化氣 體。凈化氣體的供應(yīng)流率可從近似lOOsccm的流率逐漸增加。如果以此方式來供應(yīng)第一源 且產(chǎn)生等離子，那么可在10秒到20秒之后移除自然氧化物層220。在移除自然氧化物層 220時，第一源可得到凈化。參看圖4，在供應(yīng)第一源持續(xù)預(yù)定時間之后(即，在可移除自然氧化物層220的預(yù) 定時間之后)，從第二源供應(yīng)單元140供應(yīng)例如SiH4的第二源。舉例來說，在供應(yīng)第一源持 續(xù)近似10秒到近似20秒之后，從第二源供應(yīng)單元140供應(yīng)第二源。此時，第一源的供應(yīng)流 率降低或保持在相同水平。舉例來說，可以近似300sCCm到近似5000sCCm的流率供應(yīng)第一 源，且可以近似lOOsccm到近似lOOOsccm的流率供應(yīng)第二源。另外，等離子產(chǎn)生單元150 施加(例如)850W的功率以產(chǎn)生近似13. 56MHz的高頻率，以便利用高頻率產(chǎn)生等離子。因 此，襯墊230通過第一和第二源形成在半導(dǎo)體襯底200上。襯墊230可以是由氮源和硅源 形成的氮化硅層，且氮化硅層的性質(zhì)可根據(jù)氮源和硅源的比率而不同地改變。襯墊230形 成為(例如)近似1 A到近似50 A的小厚度，使得第二源可與下部互連件210反應(yīng)。當(dāng)襯 墊230形成時，包含在襯墊230中的第二源或第一和第二源可部分地與下部互連件210反 應(yīng)，且因此可形成薄的硅化物層或薄的氮硅化物(silicide nitride)層。參看圖5，等離子產(chǎn)生單元150的操作停止，以在停止或維持第一源的供應(yīng)且維持 第二源的供應(yīng)的狀態(tài)下不產(chǎn)生等離子。舉例來說，第二源的供應(yīng)流率可保持在近似lOOsccm 到近似lOOOsccm的范圍內(nèi)，且可停止或維持第一源的供應(yīng)。因此，硅化物層240形成在安置 在襯墊230之下的下部互連件210上。在形成襯墊230之后，可維持第二源的供應(yīng)但可停止第一源的供應(yīng)。即，在形成襯墊230時，可停止第一和第二源的供應(yīng)，且在凈化第一和第 二源之后，可再次供應(yīng)第二源以形成硅化物層240?；蛘?，在形成襯墊230之后，可通過停止 供應(yīng)第一源但維持供應(yīng)第二源來形成硅化物層240。由于下部互連件210由銅形成，所以硅 化物層240可以是硅化銅(CuSix)層。此時，與硅化物層240 —起，可形成氮硅化物層。由 于下部互連件210由銅形成，所以氮硅化物層可以是氮硅化銅(copper silicide nitride) (CuSiN)層。此時，氮硅化銅層不穩(wěn)定。參看圖6，停止供應(yīng)第二源，且再次供應(yīng)第一源。與此同時，等離子產(chǎn)生單元150 施加(例如)近似200W的功率以產(chǎn)生近似13. 56MHz的高頻率，以便利用高頻率產(chǎn)生等離 子。此時，第一源可用近似lOOsccm到近似600SCCm的流率來供應(yīng)。因此，硅化物層240 或不穩(wěn)定的氮硅化銅層通過例如NH3的第一源的等離子而改變?yōu)榉€(wěn)定的氮化銅硅(copper silicon nitride) (CuSiN)層250。此時，氮化銅硅層250可通過停止供應(yīng)第二源，凈化第 二源且再次供應(yīng)第一源而形成，或氮化銅硅層250可通過停止供應(yīng)第二源且同時重新供應(yīng) 第一源(沒有凈化過程)而形成。參看圖7，等離子產(chǎn)生單元150施加(例如)近似200W的功率以產(chǎn)生近似 13. 56MHz的高頻率，以便利用高頻率產(chǎn)生等離子，且供應(yīng)第一和第二源以將氮化硅(SiN) 層沉積在半導(dǎo)體襯底200上作為蝕刻擋止層260。此時，蝕刻擋止層260可通過在形成氮化 銅硅層250之后凈化第一源且同時供應(yīng)第一和第二源來沉積，或蝕刻擋止層260可通過維 持供應(yīng)第一源且重新供應(yīng)第二源來形成。參看圖8，在蝕刻擋止層260上形成層間絕緣層270。層間絕緣層270由蝕刻速 率與用于形成蝕刻擋止層260的材料的蝕刻速率很大不同的材料形成。即，由于蝕刻擋止 層260為氮化硅層，所以層間絕緣層270可以是氧化物層。另外，層間絕緣層270可由具有 低電介質(zhì)常數(shù)的材料形成。舉例來說，層間絕緣層270可由例如多孔氧化硅、磷硅酸鹽玻 璃(phosphorous silicate glass, PSG)、硼憐娃酸鹽玻璃(boron phosphorous silicate glass，BPSG)、未摻雜的硅酸鹽玻璃(undoped silicate glass，USG)、摻雜氟的硅酸鹽玻 璃(fluorine doped silicate glass, FSG)、SiOC、高密度等離子(high density plasma, HDP)、等離子增強正硅酸乙酯(plasma enhanced-tetra ethyl ortho silicate，PE-TE0S) 或旋涂玻璃(spin on glass, S0G)等具有低電介質(zhì)常數(shù)的材料形成。層間絕緣層270可形 成在與反應(yīng)腔室100不同的反應(yīng)腔室中。即，層間絕緣層270可在從反應(yīng)腔室100卸載上 面形成有蝕刻擋止層260的半導(dǎo)體襯底200且將半導(dǎo)體襯底200載入到另一反應(yīng)腔室中之 后形成。在上述實施例中，襯墊230形成在形成有下部互連件210的半導(dǎo)體襯底200上。 然而，襯墊230可形成在未形成有下部互連件210或形成有不同結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底200上。 在此狀況下，襯墊230的下表面或襯墊230可使用第一和第二源通過預(yù)定工藝來更改。如上所述，在薄的襯墊形成在上面形成下部互連件的襯底上之后，供應(yīng)硅源以通 過在硅源與下部互連件之間進(jìn)行反應(yīng)而在襯墊之下形成硅化物層。襯墊可由與在形成襯墊 之后沉積一層所用的材料相同的材料形成。舉例來說，如果氮化硅層形成為蝕刻擋止層，那 么襯墊可由氮化硅形成。因此，由于防止下部互連件與硅源接觸，所以可防止下部互連件的表面電阻的變 化，且因此可制造高速度裝置。
盡管已參考特定實施例來描述制造半導(dǎo)體裝置的方法，但其并不限于此。因此，所 屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，可在不偏離權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的精神和范圍的情 況下對其進(jìn)行各種修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括 制備上面形成下部互連件的半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成襯墊；在所述下部互連件上在所述襯墊之下形成硅化物層； 使所述硅化物層氮化；以及 在所述襯墊上沉積薄層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中通過產(chǎn)生等離子來執(zhí)行所述襯 墊的形成、所述硅化物層的氮化以及所述薄層的沉積。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中在不產(chǎn)生等離子的情況下執(zhí)行 所述硅化物層的形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中在原處執(zhí)行所述襯墊的形成、 所述硅化物層的形成、所述硅化物層的氮化以及所述薄層的沉積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述襯墊和所述薄層由相同材 料形成。
6.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括 制備上面形成下部互連件的半導(dǎo)體襯底；通過使用第一源和第二源在所述半導(dǎo)體襯底上形成襯墊； 通過使用所述第二源在所述下部互連件上在所述襯墊之下形成硅化物層； 通過使用所述第一源使所述硅化物層氮化；以及 通過使用所述第一源和所述第二源來沉積薄層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中在所述襯墊的形成之前，所述 制造半導(dǎo)體裝置的方法進(jìn)一步包括通過使用所述第一源從所述半導(dǎo)體襯底移除自然氧化物層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中在供應(yīng)所述第一源的相同時間 或在預(yù)定延遲時間之后供應(yīng)凈化氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中以恒定流率或逐漸增加的流率 供應(yīng)所述凈化氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述襯墊和所述薄層由相同 材料形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述襯墊和所述薄層中的每 一者具有根據(jù)所述第一源和所述第二源的比率而變化的性質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中通過產(chǎn)生等離子來執(zhí)行所述 襯墊的形成、所述硅化物層的氮化以及所述薄層的沉積。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中在不產(chǎn)生等離子的情況下執(zhí) 行所述硅化物層的形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中在原處執(zhí)行所述襯墊的形 成、所述硅化物層的形成、所述硅化物層的氮化以及所述薄層的沉積。
全文摘要
提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法。在所述方法中，在薄的襯墊形成在上面形成下部互連件的襯底上之后，供應(yīng)硅源以通過在所述硅源與所述下部互連件之間進(jìn)行反應(yīng)而在所述襯墊之下形成硅化物層，且使所述硅化物層氮化并形成蝕刻擋止層。因此，防止所述下部互連件與所述硅源接觸，從而可防止所述下部互連件的表面電阻的變化，且因此可制造高速度裝置。
文檔編號H01L21/768GK101996941SQ20101024811
公開日2011年3月30日 申請日期2010年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月5日
發(fā)明者權(quán)永秀 申請人:奧拓股份有限公司