技術(shù)編號(hào)：6949876
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法，尤其涉及。 背景技術(shù)在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路產(chǎn)品主要可分為三大類型模擬電路、數(shù)字電路和數(shù)/?；旌想娐罚渲写鎯?chǔ)器件是數(shù)字電路中的一個(gè)重要類型。而在存儲(chǔ)器件中，近年來閃速存儲(chǔ)器(flash memory，簡稱閃存)的發(fā)展尤為迅速。閃存的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長期保持存儲(chǔ)的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。閃存中的分離柵存儲(chǔ)器具有很多優(yōu)點(diǎn)，例...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。