本申請(qǐng)要求于2015年10月30日提交的第10-2015-0152357號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)以全文引用的方式并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體上涉及一種儲(chǔ)存器件、具有該儲(chǔ)存器件的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法。

背景技術(shù)：

諸如NAND閃速存儲(chǔ)器件的儲(chǔ)存器件的特征在于：即使在給器件的電源被切斷時(shí)數(shù)據(jù)仍被保存。因此，NAND閃速存儲(chǔ)器件頻繁用于便攜式電子設(shè)備，諸如筆記本電腦、蜂窩電話和智能手機(jī)。

對(duì)便攜式電子設(shè)備的需求持續(xù)增加，然而，需要更新型的便攜式電子設(shè)備來(lái)處理大量數(shù)據(jù)。因此，需要具有更快的數(shù)據(jù)處理速度的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)施例提供了一種能夠執(zhí)行多擦除操作的儲(chǔ)存器件、具有該儲(chǔ)存器件的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種儲(chǔ)存器件，該儲(chǔ)存器件包括：多個(gè)存儲(chǔ)塊，適用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；外圍電路，適用于從所述多個(gè)存儲(chǔ)塊之中選擇數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊，以及適用于對(duì)選中的數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊同時(shí)執(zhí)行擦除操作；以及控制電路，適用于控制外圍電路，使得同時(shí)擦除所述數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊，以及對(duì)從所述數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊之中選擇的存儲(chǔ)塊執(zhí)行擦除操作和擦除驗(yàn)證操作。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，該存儲(chǔ)系統(tǒng)包括：存儲(chǔ)器件，適用于包括用于執(zhí)行多擦除操作的儲(chǔ)存器件；以及存儲(chǔ)器控制器，適用于響應(yīng)于從主機(jī)接收到的命令而控制存儲(chǔ)器件。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種操作儲(chǔ)存器件的方法，所述方法包括：執(zhí)行多擦除區(qū)段，使得同時(shí)擦除從多個(gè)存儲(chǔ)塊之中選擇的數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊，在所述多擦除區(qū)段中，重復(fù)擦除循環(huán)；以及如果擦除循環(huán)的頻次達(dá)到最大多循環(huán)頻次，則執(zhí)行單擦除區(qū)段，使得對(duì)所述數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊逐個(gè)進(jìn)行擦除操作和擦除驗(yàn)證操作。

附圖說(shuō)明

圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的示圖。

圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的儲(chǔ)存器件的示圖。

圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)塊的示圖。

圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的行解碼器與存儲(chǔ)塊之間的連接關(guān)系的示圖。

圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的高電壓發(fā)生電路的示圖。

圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的選擇信號(hào)輸出單元的示圖。

圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的擦除操作的示圖。

圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的擦除操作的示圖。

圖9是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多擦除操作的流程圖。

圖10是圖示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的多擦除操作的流程圖。

圖11是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的示圖。

圖12是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括存儲(chǔ)系統(tǒng)的計(jì)算系統(tǒng)的示圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將在后文中參照附圖更充分地描述示例性實(shí)施例；然而，應(yīng)注意本發(fā)明可以以不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于本文所闡述的實(shí)施例。更確切地說(shuō)，這些實(shí)施例被提供使得本發(fā)明將是徹底的和完整的，并且將會(huì)將本發(fā)明充分地傳達(dá)給本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。

在附圖中，為了清楚說(shuō)明的目的，尺寸可以被放大。此外，應(yīng)理解的是，當(dāng)元件被稱(chēng)為位于兩個(gè)元件“之間”時(shí)，其可以是所述兩個(gè)元件之間的唯一元件，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間元件。此外，相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。

參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種存儲(chǔ)系統(tǒng)。參照?qǐng)D1，存儲(chǔ)系統(tǒng)1000可以包括用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件1100和用于控制存儲(chǔ)器件1100的存儲(chǔ)器控制器1200。

存儲(chǔ)器件1100可以包括多個(gè)儲(chǔ)存器件1110。儲(chǔ)存器件1110可以包括雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)、低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率4(LPDDR4)SDRAM、圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR)SRAM、低功耗DDR(LPDDR)、rambus動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RDRAM)和/或閃速存儲(chǔ)器等。儲(chǔ)存器件1110中的每個(gè)能夠執(zhí)行多擦除操作(multi-erase operation)。在實(shí)施例中，儲(chǔ)存器件1110中的每個(gè)可以是或者包括NAND閃速存儲(chǔ)器。被實(shí)施為NAND閃速存儲(chǔ)器件的每個(gè)儲(chǔ)存器件1110可以適用于執(zhí)行多擦除操作。

存儲(chǔ)器控制器1200可以控制存儲(chǔ)器件1100的總體操作。例如，存儲(chǔ)器控制器1200可以響應(yīng)于從主機(jī)2000接收到的命令而向存儲(chǔ)器件1100輸出用于控制存儲(chǔ)器件1100的命令、地址和/或數(shù)據(jù)。并且，存儲(chǔ)器控制器1200可以響應(yīng)于從主機(jī)2000接收到的命令而從存儲(chǔ)器件1100接收數(shù)據(jù)。

主機(jī)2000可以通過(guò)使用諸如外圍部件互聯(lián)-高速(PCI-E)、高級(jí)技術(shù)附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)或串行連接SCSI(SAS)的接口協(xié)議來(lái)與存儲(chǔ)系統(tǒng)1000通信。

現(xiàn)在參照?qǐng)D2，提供了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的儲(chǔ)存器件。例如，圖2的儲(chǔ)存器件可以被采用作為圖1的儲(chǔ)存器件1110中的一種。因此，儲(chǔ)存器件1110可以包括配置為儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元陣列110、配置為執(zhí)行存儲(chǔ)單元陣列110的諸如編程操作、讀取操作和/或擦除操作的操作的外圍電路120以及配置為控制外圍電路120的控制電路130。

存儲(chǔ)單元陣列110可以包括多個(gè)存儲(chǔ)塊，所述多個(gè)存儲(chǔ)塊包括彼此相同地配置的第一存儲(chǔ)塊至第K存儲(chǔ)塊(K是正整數(shù))。第一存儲(chǔ)塊至第K存儲(chǔ)塊可以共享一個(gè)阱(well)。更具體地，可以在襯底中形成阱，并且可以在阱之上形成第一存儲(chǔ)塊至第K存儲(chǔ)塊。

外圍電路120可以包括電壓發(fā)生電路121、行解碼器122、頁(yè)緩沖器123、列解碼器124和輸入/輸出電路125。

電壓發(fā)生電路121可以響應(yīng)于操作信號(hào)OPSIG而產(chǎn)生具有各種電壓電平的一個(gè)或更多個(gè)操作電壓。例如，在擦除操作中，電壓發(fā)生電路121可以響應(yīng)于擦除操作信號(hào)OPSIG而產(chǎn)生具有各種電平的操作電壓，諸如擦除電壓Vera和通過(guò)電壓。擦除電壓Vera可以被施加至存儲(chǔ)單元陣列110中的阱，而其它操作電壓可以被施加至全局線GL。

行解碼器122可以經(jīng)由一個(gè)或更多個(gè)全局線GL連接至電壓發(fā)生電路121。行解碼器122可以經(jīng)由第一局部線LL1至第K局部線LLK連接到第一存儲(chǔ)塊至第K存儲(chǔ)塊。行解碼器122可以響應(yīng)于從控制電路130接收到的行地址RADD而選擇至少一個(gè)存儲(chǔ)塊。行解碼器122還可以給所選中的至少一個(gè)存儲(chǔ)塊提供從電壓發(fā)生電路121供應(yīng)的至少一個(gè)操作電壓。

在針對(duì)多擦除操作的實(shí)施例中，行解碼器122可以響應(yīng)于行地址RADD而同時(shí)選擇多個(gè)存儲(chǔ)塊?？蛇x地，行解碼器122可以響應(yīng)于行地址RADD而選擇一個(gè)存儲(chǔ)塊。在施加擦除電壓Vera給阱的同時(shí)，行解碼器122可以將從電壓發(fā)生電路121供應(yīng)的一個(gè)或更多個(gè)操作電壓提供給連接至所選中的至少一個(gè)存儲(chǔ)塊的局部線，并浮置連接至其它未選中存儲(chǔ)塊的局部線。

頁(yè)緩沖器123可以經(jīng)由位線BL連接至存儲(chǔ)單元陣列110。頁(yè)緩沖器123可以用正電壓對(duì)位線BL預(yù)充電，在編程操作和讀取操作中將數(shù)據(jù)傳輸至所選中的存儲(chǔ)塊和/或從所選中的存儲(chǔ)塊接收數(shù)據(jù)。響應(yīng)于來(lái)自控制電路130的頁(yè)緩沖器控制信號(hào)PBSIGNALS，頁(yè)緩沖器123可以臨時(shí)地儲(chǔ)存所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)。

列解碼器124可以傳輸數(shù)據(jù)給頁(yè)緩沖器123和/或從頁(yè)緩沖器123接收數(shù)據(jù)DATA。列解碼器124可以傳輸數(shù)據(jù)給輸入/輸出電路125和/或從輸入/輸出電路125接收數(shù)據(jù)DATA。

輸入/輸出電路125可以配置為將從外部設(shè)備(例如，存儲(chǔ)器控制器)傳輸來(lái)的命令CMD和地址ADD傳輸給控制電路130。輸入/輸出電路125可以配置為將從外部設(shè)備傳輸來(lái)的數(shù)據(jù)DATA傳輸給列解碼器124，或者將從列解碼器124傳輸來(lái)的數(shù)據(jù)DATA輸出給外部設(shè)備。

控制電路130可以響應(yīng)于從輸入/輸出電路125接收到的命令CMD和地址ADD來(lái)控制外圍電路120。例如，控制電路130可以控制外圍電路120執(zhí)行包括多擦除循環(huán)和/或單擦除循環(huán)的多擦除操作。

在實(shí)施例中，當(dāng)執(zhí)行多擦除循環(huán)時(shí)，控制電路130可以控制外圍電路120，使得從包括第一存儲(chǔ)塊至第K存儲(chǔ)塊的多個(gè)存儲(chǔ)塊之中選擇的多個(gè)存儲(chǔ)塊可以被同時(shí)擦除。如果執(zhí)行多擦除循環(huán)的次數(shù)達(dá)到執(zhí)行多擦除循環(huán)的最大次數(shù)，則控制電路130可以控制外圍電路120來(lái)執(zhí)行用于以單個(gè)為單位來(lái)擦除選中儲(chǔ)存塊的單擦除循環(huán)。

為此，在多擦除操作中，控制電路130可以控制行解碼器122，使得多個(gè)存儲(chǔ)塊可以同時(shí)被擦除。在單擦除操作中，控制電路130可以控制行解碼器122，使得多個(gè)存儲(chǔ)塊能夠逐一地依次被選中。

圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)塊的示圖。例如，圖3的存儲(chǔ)塊可以是圖1中的存儲(chǔ)單元陣列110的第一存儲(chǔ)塊。由于第一存儲(chǔ)塊至第K存儲(chǔ)塊彼此相同地配置，因此在圖3中將僅對(duì)第一存儲(chǔ)塊進(jìn)行描述作為示例。

參照?qǐng)D3，第一存儲(chǔ)塊可以包括多個(gè)單元串ST，所述多個(gè)單元串ST連接在公共源極線SL與多個(gè)相應(yīng)的位線BL1至BLi之間。每個(gè)單元串ST可以包括彼此串聯(lián)連接在源極線SL與位線BL1至BLi之間的源極選擇晶體管SST、存儲(chǔ)單元F1至F6和漏極選擇晶體管DST。源極選擇晶體管SST的源極連接至公共源極線SL，而漏極選擇晶體管DST的漏極連接至多個(gè)相應(yīng)的位線BL1至BLi。為了便于說(shuō)明，在圖3中僅示出六個(gè)存儲(chǔ)單元F1至F6，但根據(jù)半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)，單元串ST可以包括更大數(shù)量的存儲(chǔ)單元。

存儲(chǔ)單元F1至F6中的每個(gè)可以被配置為儲(chǔ)存1位數(shù)據(jù)的單電平單元(SLC)，或者被配置為儲(chǔ)存兩位或更多位數(shù)據(jù)的多電平單元(MLC)。例如，MLC可以是在其中分別可以儲(chǔ)存2位、3位或4位數(shù)據(jù)的二電平單元、三電平單元(TLC)或四電平單元(QLC)。

不同串中包括的源極選擇晶體管SST的柵極連接至局部源極選擇線LSSL，存儲(chǔ)單元F1至F6的柵極連接至局部字線LWL1至LWL6，而漏極選擇晶體管DST的柵極連接至局部漏極選擇線LDSL。局部源極選擇線LSSL、局部字線LWL1至LWL6和局部漏極選擇線LDSL可以包括在第一局部線LL1中。

圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的行解碼器與存儲(chǔ)塊之間的連接關(guān)系的示圖。例如，圖4的行解碼器和存儲(chǔ)塊分別可以是圖2中的行解碼器122和存儲(chǔ)單元陣列100的存儲(chǔ)塊。

參照?qǐng)D4，行解碼器122可以連接至多個(gè)全局線GL和第一局部線LL1至第K局部線LLK。行解碼器122可以響應(yīng)于行地址RADD1至RADDK而將多個(gè)全局線GL選擇性地連接到第一局部線LL1至第K局部線LLK。

行解碼器122可以包括第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1至第K高電壓發(fā)生電路HVGENK和第一通過(guò)電路HVPASS1至第K通過(guò)電路HVPASSK。第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1至第K高電壓發(fā)生電路HVGENK的數(shù)目和第一通過(guò)電路HVPASS1至第K通過(guò)電路HVPASSK的數(shù)目中的每個(gè)可以等于存儲(chǔ)塊的數(shù)目。例如，如果在存儲(chǔ)單元陣列中包括K個(gè)存儲(chǔ)塊，則行解碼器122也可以包括K個(gè)高電壓發(fā)生電路和K個(gè)通過(guò)電路。

第一通過(guò)電路HVPASS1至第K通過(guò)電路HVPASSK可以連接在全局線GL與第一局部線LL1至第K局部線LLK之間。全局線GL可以連接至圖2的電壓發(fā)生電路121。從電壓發(fā)生電路121產(chǎn)生的操作電壓可以經(jīng)由全局線GL而共同地提供給第一通過(guò)電路HVPASS1至第K通過(guò)電路HVPASSK。全局線GL可以包括全局源極選擇線GSSL、第一全局字線GWL1至第n全局字線GWLn以及全局漏極選擇線GDSL。第一局部線LL1至第K局部線LLK可以連接在第一通過(guò)電路HVPASS1至第K通過(guò)電路HVPASSK與第一存儲(chǔ)塊至第K存儲(chǔ)塊之間。第一局部線LL1至第K局部線LLK中的每個(gè)可以包括局部源極選擇線LSSL、第一局部字線LWL1至第n局部字線LWLn和局部漏極選擇線LDSL。

第一通過(guò)電路HVPASS1至第K通過(guò)電路HVPASSK中的每個(gè)可以連接在全局線GL與第一局部線LL1至第K局部線LLK之間，并且可以包括多個(gè)高電壓開(kāi)關(guān)HKTR，所述多個(gè)高電壓開(kāi)關(guān)HKTR響應(yīng)于從第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1至第K高電壓發(fā)生電路HVGENK產(chǎn)生的高電壓而操作。高電壓開(kāi)關(guān)HKTR可以被實(shí)施為高電壓晶體管。高電壓開(kāi)關(guān)HKTR可以分別響應(yīng)于從第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1至第K高電壓發(fā)生電路HVGENK輸出的電壓而同時(shí)地操作。例如，第一通過(guò)電路HVPASS1的高電壓開(kāi)關(guān)HKTR的柵極可以共同地連接至第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1的輸出端子。其它的第二通過(guò)電路HVPASS2至第K通過(guò)電路HVPASSK也可以與第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1相同地配置。

第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1至第K高電壓發(fā)生電路HVGENK可以分別與第一通過(guò)電路HVPASS1至第K通過(guò)電路HVPASSK形成對(duì)。第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1至第K高電壓發(fā)生電路HVGENK可以分別響應(yīng)于第一行地址RADD1至第K行地址RADDK而產(chǎn)生高電壓。例如，僅第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1和第三高電壓發(fā)生電路HVGEN3可以產(chǎn)生高電壓，而其它的第二高電壓發(fā)生電路HVGEN2和第四高電壓發(fā)生電路HVGEN4至第K高電壓發(fā)生電路HVGENK可以輸出0V。在這種情況下，僅包括在第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1和第三高電壓發(fā)生電路HVGEN3中的高電壓開(kāi)關(guān)HKTR(其被施加了高電壓)導(dǎo)通。因此，操作電壓可以施加至僅第一局部線LL1和第三局部線LL3，而其它的第二局部線LL2和第四局部線LL4至第K局部線LLK被浮置。

在多擦除操作中，從圖2的電壓發(fā)生電路121提供的擦除電壓Vera可以施加給由第一存儲(chǔ)塊至第K存儲(chǔ)塊共享的阱。在這種情況下，響應(yīng)于第一行地址RADD1至第K行地址RADDK，包括第一存儲(chǔ)塊至第K存儲(chǔ)塊的多個(gè)存儲(chǔ)塊之中的一些存儲(chǔ)塊可以被同時(shí)擦除。例如，在多擦除操作中，第一全局字線GWL1至第n全局字線GWLn可以接地至0V。在這種情況下，如果第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1和第三高電壓發(fā)生電路HVGEN3同時(shí)產(chǎn)生高電壓，則第一通過(guò)電路HVPASS1和第三通過(guò)電路HVPASS3中包括的高電壓開(kāi)關(guān)HKTR同時(shí)被導(dǎo)通。因此，連接至第一存儲(chǔ)塊和第三存儲(chǔ)塊的第一局部字線LWL1至第n局部字線LWLn也可以接地至0V。其它的局部字線LWL1至LWLn、其它的局部源極選擇線LSSL以及其他的局部漏極選擇線LDSL可以被浮置。因此，選中的第一存儲(chǔ)塊和第三存儲(chǔ)款的存儲(chǔ)單元被擦除，而其它未選中的第二存儲(chǔ)塊和第四存儲(chǔ)塊至第K存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)單元不會(huì)被擦除。

圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的高電壓發(fā)生電路的示圖。例如，圖5的高電壓發(fā)生電路可以是圖4的高電壓發(fā)生電路HVGEN1至HVGEN3。

參照?qǐng)D5，高電壓發(fā)生電路可以彼此相同地配置。為了便于說(shuō)明，將描述多個(gè)高電壓發(fā)生電路之中的第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1至第三高電壓發(fā)生電路HVGEN3作為示例。

第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1可以包括第一解碼器DEC1、第一選擇信號(hào)輸出單元SG1和第一高電壓輸出單元HG1。

第一解碼器DEC1可以響應(yīng)于第一行地址RADD1而輸出第一預(yù)選擇信號(hào)SEL1_N。例如，第一解碼器DEC1可以通過(guò)將第一行地址RADD1解碼來(lái)輸出高或低的第一預(yù)選擇信號(hào)SEL1_N。

第一選擇信號(hào)輸出單元SG1可以響應(yīng)于第一預(yù)選擇信號(hào)SEL1_N和第一多使能信號(hào)BLKEN1而輸出第一選擇信號(hào)SEL1。例如，當(dāng)多個(gè)存儲(chǔ)塊被選中時(shí)，第一多使能信號(hào)BLKEN1可以被激活為高。如果第一多使能信號(hào)BLKE1保持為高，則即使第一預(yù)選擇信號(hào)SEL1_N被改變，第一選擇信號(hào)輸出單元SG1仍可以繼續(xù)輸出先前的第一選擇信號(hào)SEL1。即，如果第一多使能信號(hào)BLKEN1為高，則即使第一預(yù)選擇信號(hào)SEL1_N被改變，先前輸出的第一選擇信號(hào)SEL1的值也可以被保持，而無(wú)任何改變。

第一高電壓輸出單元HG1可以響應(yīng)于第一選擇信號(hào)SEL1而輸出第一高電壓HV1。如果第一高電壓HV1被輸出，則第一通過(guò)電路HVPASS1可以將全局線GL與第一局部線LL1彼此連接，并將施加給全局線GL的電壓提供給第一局部線LL1。

與第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1類(lèi)似，其它的第二高電壓發(fā)生電路HVGEN2和第三高電壓發(fā)生電路HVGEN3也可以分別包括第二解碼器DEC2和第三解碼器DEC3、第二選擇信號(hào)輸出單元SG2和第三選擇信號(hào)輸出單元SG3以及第二高電壓輸出單元HG2和第三高電壓輸出單元HG3。圖5中未示出的其它高電壓發(fā)生電路也可以與第一高電壓發(fā)生電路HVGEN1相同地配置。

圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的選擇信號(hào)輸出單元的示圖。例如，圖6的選擇信號(hào)輸出單元可以是圖5的第一選擇信號(hào)輸出單元SG1。由于圖5的第一選擇信號(hào)輸出單元SG1至第三選擇信號(hào)輸出單元SG3彼此相同地配置，因此將對(duì)第一選擇信號(hào)輸出單元SG1進(jìn)行描述作為示例。

參照?qǐng)D6，第一選擇信號(hào)輸出單元SG1可以被配置為SR觸發(fā)器。例如，第一選擇信號(hào)輸出單元SG1可以包括第一NAND門(mén)NG1和第二NAND門(mén)NG2。在示出的示例中，假設(shè)第一NAND門(mén)NG1的輸入端子是第一輸入端子和第二輸入端子，第一NAND門(mén)NG1的輸出端子是第一輸出端子，第二NAND門(mén)NG2的輸入端子是第三輸入端子和第四輸入端子，且第二NAND門(mén)NG2的輸出端子是第二輸出端子。從第二NAND門(mén)NG2輸出的信號(hào)SELEN可以被施加至第一NAND門(mén)NG1的第二輸入端子，而從第一NAND門(mén)NG1輸出的第一選擇信號(hào)SEL1可以被施加至第二NAND門(mén)NG2的第三輸入端子。如果第一預(yù)選擇信號(hào)SEL1_N被施加至第一NAND門(mén)NG1的第一輸入端子，則第一多使能信號(hào)BLKEN1可以被施加至第二NAND門(mén)NG2的第四輸入端子。由于SR觸發(fā)器的特性，在第一NAND門(mén)NG1輸出為“1”的第一選擇信號(hào)SEL1后，即使施加至第一NAND門(mén)NG1的第一輸入端子的信號(hào)被改變，第一選擇信號(hào)SEL1仍能夠保持為“1”。

將參照?qǐng)D5和圖6以及表1和表2來(lái)詳細(xì)描述選擇多個(gè)存儲(chǔ)塊的操作。

表1

參照表1，當(dāng)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊被選中時(shí)，第一塊使能信號(hào)BLKEN1至第三塊使能信號(hào)BLKEN3全部變?yōu)椤?”。如果第一預(yù)選擇信號(hào)SEL1_N響應(yīng)于第一行地址RADD1而輸出為“0”，則第一選擇信號(hào)SEL1輸出為“1”。如果第一選擇信號(hào)SEL1輸出為“1”，則第一高電壓輸出單元HG1響應(yīng)于第一選擇信號(hào)SEL1而輸出第一高電壓HV1，并且第一通過(guò)電路HVPASS1被激活，使得全局線GL與第一局部線LL1彼此連接。因此，連接至第一局部線LL1的第一存儲(chǔ)塊被選中。

在這種情況下，第二解碼器DEC2可以響應(yīng)于第二行地址RADD2而輸出為“1”的第二預(yù)選擇信號(hào)SEL2_N，而第二選擇信號(hào)輸出單元SG2可以輸出為“0”的第二選擇信號(hào)SEL2。如果第二選擇信號(hào)SEL2為“0”，則響應(yīng)于第二選擇信號(hào)SEL2，第二高電壓輸出單元HG2不輸出第二高電壓HV2，并且第二通過(guò)電路HVPASS2未激活，從而全局線GL與第二局部線LL2彼此不連接。

第三解碼器DEC3也可以響應(yīng)于第三行地址RADD3而輸出為“1”的第三預(yù)選擇信號(hào)SEL3_N，而第三選擇信號(hào)輸出單元SG3可以輸出為“0”的第三選擇信號(hào)SEL3。如果第三選擇信號(hào)SEL3為“0”，則響應(yīng)于第三選擇信號(hào)SEL3，第三高電壓輸出單元HG3不輸出第三高電壓HV3，并且第三通過(guò)電路HVPASS3未激活，從而全局線GL與第三局部線LL3彼此不連接。

在第一存儲(chǔ)塊被選中后，可以輸入用于選擇第二存儲(chǔ)塊的第一行地址RADD1至第三行地址RADD3作為給第一解碼器DEC1至第三解碼器DEC3的新輸入。將參照下面的表2對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)描述。

表2

參照表2，響應(yīng)于新輸入的第一行地址RADD1至第三行地址RADD3，第一預(yù)選擇信號(hào)SEL1_N可以變?yōu)椤?”，第二預(yù)選擇信號(hào)SEL2_N可以變?yōu)椤?”，而第三預(yù)選擇信號(hào)可以變?yōu)椤?”。即，第一預(yù)選擇信號(hào)SEL1_N從“0”改變?yōu)椤?”，第二預(yù)選擇信號(hào)SEL2_N從“1”改變?yōu)椤?”，而第三預(yù)選擇信號(hào)SEL3_N保持為“1”。由于SR觸發(fā)器的特性，盡管第一預(yù)選擇信號(hào)SEL1_N從“0”改變?yōu)椤?”，但從第一選擇信號(hào)輸出單元SG1輸出的第一選擇信號(hào)SEL1仍保持為“1”，即，第一選擇信號(hào)SEL1保持其先前的值。因此，繼續(xù)輸出第一高電壓HV1，從而第一存儲(chǔ)塊可以保持為選中的存儲(chǔ)塊。

如果第二預(yù)選擇信號(hào)SEL2_N從“1”改變?yōu)椤?”，則第二選擇信號(hào)SEL2從“0”改變?yōu)椤?”。如果第二選擇信號(hào)SEL2為“1”，則第二高電壓輸出單元HG2響應(yīng)于第二選擇信號(hào)SEL2而輸出第二高電壓HV2。如果第二高電壓HV2被輸出，則第二通過(guò)電路HVPASS2被激活，使得全局線GL與第二局部線LL2彼此連接。因此，連接至第二局部線LL2的第二存儲(chǔ)塊可以被選中。

如果第三預(yù)選擇信號(hào)SEL3_N保持為“1”，則第三選擇信號(hào)輸出單元SG3可以輸出為“0”的第三選擇信號(hào)SEL3。如果第三選擇信號(hào)SEL3的輸出為“0”，則響應(yīng)于第三選擇信號(hào)SEL3，第三高電壓輸出單元HG3不輸出第三高電壓HV3，并且第三通過(guò)電路HVPASS3未激活。因此，全局線GL與第三局部線LL3不變?yōu)楸舜诉B接。

因此，如果第一高電壓HV1和第二稿電壓HV2二者都被生成，則第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊二者都可以被選中。

在上述實(shí)施例中，已描述了選擇第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊的操作。然而，可以基于前述描述而選擇三個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)塊。

現(xiàn)在參照?qǐng)D7，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，描述一種擦除操作。例如，圖7的擦除操作可以是在其中數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊被選中的擦除操作。該擦除操作可以通過(guò)圖4中的行解碼器122來(lái)執(zhí)行。

參照?qǐng)D7，如果多個(gè)存儲(chǔ)塊被選中，則選中的存儲(chǔ)塊可以被同時(shí)擦除。例如，在所示實(shí)施例中，假設(shè)第一存儲(chǔ)塊至第六存儲(chǔ)塊彼此共享一個(gè)阱。還假設(shè)第一存儲(chǔ)塊、第二存儲(chǔ)塊和第五存儲(chǔ)塊是選中的待擦除存儲(chǔ)塊。為了同時(shí)擦除第一存儲(chǔ)塊、第二存儲(chǔ)塊和第五存儲(chǔ)塊中包括的存儲(chǔ)單元，在將來(lái)自圖2的電壓發(fā)生電路121的擦除電壓Vera施加至阱的同時(shí)，可以將連接至第一存儲(chǔ)塊、第二存儲(chǔ)塊和第五存儲(chǔ)塊的第一局部字線LWL1、第二局部字線LWL2和第五局部字線LWL5接地至0V，而可以將連接至其它的未選中的第三存儲(chǔ)塊、第四存儲(chǔ)塊和第六存儲(chǔ)塊的第三局部字線LWL3、第四局部字線LWL4和第六局部字線LWL6浮置。

現(xiàn)在參照?qǐng)D8，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，示出了一種擦除操作。例如，圖8的擦除操作可以是在其中單個(gè)存儲(chǔ)塊被選中的擦除操作。該擦除操作可以通過(guò)圖4中的行解碼器122來(lái)執(zhí)行。

參照?qǐng)D8，當(dāng)單個(gè)存儲(chǔ)塊被選中時(shí)，所有的塊使能信號(hào)(圖5的BLKEN1至BLKEN3)為低，從而可以根據(jù)行地址選擇一個(gè)存儲(chǔ)塊。將對(duì)第一存儲(chǔ)塊為選中的存儲(chǔ)塊SEL的情況進(jìn)行描述作為示例。當(dāng)其它的第二存儲(chǔ)塊和第五存儲(chǔ)塊為等待中的存儲(chǔ)塊WAIT時(shí)，在執(zhí)行擦除操作時(shí)，等待中的第二存儲(chǔ)塊和第五存儲(chǔ)塊WAIT與未選中的存儲(chǔ)塊相同地操作。例如，當(dāng)來(lái)自圖2的電壓發(fā)生電路121的擦除電壓Vera可以被施加至阱時(shí)，將連接至選中的第一存儲(chǔ)塊SEL的第一局部字線LWL1接地至0V，而將分別連接至等待中的第二存儲(chǔ)塊和第五存儲(chǔ)塊WAIT以及其它未選中的第三存儲(chǔ)塊、第四存儲(chǔ)塊和第六存儲(chǔ)塊的第二局部字線LWL2至第六局部字線LWL6浮置。

如果完成了對(duì)第一存儲(chǔ)塊的單擦除操作，則選擇等待中的第二存儲(chǔ)塊和第五存儲(chǔ)塊WAIT中的一個(gè)，使得執(zhí)行單擦除操作。

如上所述，當(dāng)要擦除多個(gè)存儲(chǔ)塊時(shí)，可以一起執(zhí)行至少多擦除操作的一部分和單擦除操作的一部分，使得減少整體操作時(shí)間成為可能，且還可以提升擦除操作的可靠性。

現(xiàn)在參照?qǐng)D9，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了多擦除操作的步驟。例如，可以在圖2的儲(chǔ)存器件1110中執(zhí)行多擦除操作。因此，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多擦除操作中，根據(jù)擦除操作的循環(huán)頻次執(zhí)行多擦除操作或單擦除操作。

在多擦除區(qū)段510中，可以同時(shí)快速地減小待擦除存儲(chǔ)塊中包括的存儲(chǔ)單元的閾值電壓。在單擦除區(qū)段520中，可以緩慢地減小待擦除存儲(chǔ)塊的每個(gè)中包括的存儲(chǔ)單元的閾值電壓。為此，在多擦除區(qū)段510中，可以同時(shí)擦除多個(gè)存儲(chǔ)塊，而無(wú)需驗(yàn)證。在單擦除區(qū)段520中，可以逐一地擦除在多擦除區(qū)段510中選擇的存儲(chǔ)塊并進(jìn)行擦除驗(yàn)證。多擦除區(qū)段510和單擦除區(qū)段520將被具體描述如下。

如果啟動(dòng)了多擦除操作，則可以首先執(zhí)行多擦除操作510，隨后執(zhí)行單擦除區(qū)段520。

如果啟動(dòng)了多擦除區(qū)段510，則將擦除循環(huán)頻次I(其中I為正整數(shù))設(shè)定為1(511)，以及選擇待擦除的多個(gè)存儲(chǔ)塊(512)。所述多個(gè)存儲(chǔ)塊可以通過(guò)圖4的行解碼器122來(lái)選擇，并且可以將選中存儲(chǔ)塊的字線接地至0V?？梢愿≈闷溆嗟奈催x中存儲(chǔ)塊的字線?？梢詫⒉脸妷篤era施加給由選中存儲(chǔ)塊共享的阱，使得可以同時(shí)擦除選中存儲(chǔ)塊(513)。即，在多擦除區(qū)段510中，可以僅將逐漸增加的擦除電壓施加給阱，而無(wú)需任何驗(yàn)證操作。

隨后，可以確定擦除循環(huán)頻次I是否已經(jīng)達(dá)到最大多循環(huán)頻次MAXmulti(514)。在實(shí)施例中，可以在存儲(chǔ)器件的測(cè)試擦除操作中設(shè)定最大多循環(huán)頻次MAXmulti。例如，可以通過(guò)以下方法來(lái)設(shè)定最大多循環(huán)頻次MAXmulti。在測(cè)試擦除操作中，擦除目標(biāo)電平可以具有負(fù)電平，從而可以設(shè)定高于擦除目標(biāo)電平的任意電平。隨后，在施加擦除電壓給阱的同時(shí)，對(duì)給阱施加逐漸增加的擦除電壓的頻次進(jìn)行計(jì)數(shù)?？梢詫⒋鎯?chǔ)單元的閾值電壓降低至設(shè)定的所述任何電平的頻次設(shè)定為最大多循環(huán)頻次MAXmulti。此外，根據(jù)存儲(chǔ)器件的特性，可以通過(guò)各種方法來(lái)設(shè)定最大多循環(huán)頻次MAXmulti。

如果擦除循環(huán)頻次I小于最大多循環(huán)頻次MAXmulti(否)，則可以將擦除循環(huán)頻次I增加1以用于下一擦除循環(huán)操作，并且可以將擦除電壓Vera增加第一階躍電壓(515)。以這種方式，可以重復(fù)多擦除循環(huán)(513至515)。

然后，如果擦除循環(huán)頻次I達(dá)到最大多循環(huán)頻次MAXmulti(514，是)，則可以執(zhí)行單擦除區(qū)段520。

如果啟動(dòng)了單擦除區(qū)段520，則從多擦除區(qū)段510中的數(shù)個(gè)選中存儲(chǔ)塊之中選擇一個(gè)存儲(chǔ)塊(521)。然后可以執(zhí)行對(duì)選中存儲(chǔ)塊的擦除驗(yàn)證操作(522)。在擦除驗(yàn)證操作中，可以確定選中存儲(chǔ)塊中包括的存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否被減小至擦除目標(biāo)電平。如果選中存儲(chǔ)塊中包括的存儲(chǔ)單元的閾值電壓未被減小至擦除目標(biāo)電平，則認(rèn)為擦除驗(yàn)證操作失敗。如果選中存儲(chǔ)塊中包括的存儲(chǔ)單元的閾值電壓被減小至擦除目標(biāo)電平，則認(rèn)為擦除驗(yàn)證操作通過(guò)。

如果擦除驗(yàn)證操作失敗(522，失敗)，則可以確定擦除循環(huán)頻次I是否已達(dá)到最大單循環(huán)頻次MAXsingle(523)。在實(shí)施例中，最大單循環(huán)頻次MAXsingle可以是被設(shè)定用來(lái)防止無(wú)限執(zhí)行單擦除區(qū)段520的頻次。如果擦除循環(huán)頻次I小于最大單循環(huán)頻次MAXsingle(523，否)，則可以將擦除循環(huán)頻次I增加1以用于下一擦除循環(huán)的目的，并且也可以增加擦除電壓Vera(524)。隨后，可以通過(guò)使用增加的擦除電壓來(lái)擦除選中存儲(chǔ)塊(525)。可以將擦除電壓增加多擦除區(qū)段510的第一階躍電壓，或者增加低于第一階躍電壓的第二階躍電壓。當(dāng)使用第二階躍電壓時(shí)，可以減小存儲(chǔ)單元的閾值電壓的變化，并且有可能使存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布的寬度變窄。

因此，可以重復(fù)單擦除循環(huán)(522至525)。如果擦除循環(huán)頻次I在擦除驗(yàn)證操作(522)為通過(guò)(在步驟523中，是)之前達(dá)到最大單循環(huán)頻次MAXsingle，則認(rèn)為選中存儲(chǔ)塊是失敗的存儲(chǔ)塊(526)。

如果在擦除循環(huán)頻次I達(dá)到最大單循環(huán)頻次MAXsingle之前擦除驗(yàn)證操作通過(guò)(522，通過(guò))，則可以執(zhí)行用于使存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布變窄的軟編程操作。

軟編程操作的示例詳細(xì)描述如下。可以將軟編程循環(huán)頻次S設(shè)定為1(527)，并且可以對(duì)選中存儲(chǔ)塊執(zhí)行軟編程操作(528)?？梢酝ㄟ^(guò)采用增量階躍脈沖編程(ISPE)方法來(lái)執(zhí)行軟編程操作，在增量階躍脈沖編程中，可以逐漸增大軟編程電壓。隨后，可以執(zhí)行軟編程驗(yàn)證操作(529)。由于可以執(zhí)行軟編程操作來(lái)使選中存儲(chǔ)塊中包括的存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布變窄，因此可以將軟編程驗(yàn)證操作中使用的軟編程目標(biāo)電平設(shè)定為低于0V的電平。

可以對(duì)選中存儲(chǔ)塊中包括的全部存儲(chǔ)單元同時(shí)執(zhí)行軟編程操作。例如，在步驟529中，可以通過(guò)給連接至選中存儲(chǔ)塊的局部字線同時(shí)施加軟編程電壓而增加存儲(chǔ)單元的閾值電壓。

隨后，可以對(duì)選中存儲(chǔ)塊執(zhí)行軟編程驗(yàn)證操作(529)?？梢詫?duì)所有存儲(chǔ)單元同時(shí)執(zhí)行軟編程驗(yàn)證操作。例如，在將驗(yàn)證電壓施加給連接至選中存儲(chǔ)塊的局部字線之后，可以經(jīng)由位線來(lái)測(cè)量電壓或電流。如果通過(guò)測(cè)量的電壓或電流確定：與軟編程目標(biāo)電平相比，存儲(chǔ)串中至少一個(gè)存儲(chǔ)單元的閾值電壓增加了，則認(rèn)為軟編程驗(yàn)證操作(529)通過(guò)。如果在步驟529中確定相比于軟編程目標(biāo)電平，沒(méi)有存儲(chǔ)單元具有增加的閾值電壓，則軟編程驗(yàn)證操作(529)失敗。

如果軟編程驗(yàn)證操作失敗，則確定軟編程循環(huán)頻次S是否等于或大于最大軟編程循環(huán)頻次MAXsoc(530)。如果軟編程循環(huán)頻次S小于最大軟編程循環(huán)頻次MAXsoc(530，否)，則可以將軟編程循環(huán)頻次S增加1以用于下一軟編程循環(huán)的目的，并且可以增加軟編程電壓(531)。隨后，可以重復(fù)對(duì)選中存儲(chǔ)塊的軟編程操作(528)。

以這種方式，可以重復(fù)軟編程循環(huán)(528至531)。然后，如果在軟編程驗(yàn)證操作(529)通過(guò)(在步驟530中，是)之前軟編程循環(huán)頻次S達(dá)到最大軟編程循環(huán)頻次MAXsoc，則可以將選中存儲(chǔ)塊處理為失敗(526)。

如果在軟編程循環(huán)頻次S達(dá)到最大軟編程循環(huán)頻次MAXsoc之前軟編程驗(yàn)證操作(529)通過(guò)，則確定選中存儲(chǔ)塊是否是待擦除存儲(chǔ)塊之中的最后的存儲(chǔ)塊(532)。

如果選中存儲(chǔ)塊不是待擦除存儲(chǔ)塊之中的最后的存儲(chǔ)塊(否)，則可以選擇下一存儲(chǔ)塊(521)，并且可以重復(fù)上述的步驟521至532。

在步驟532中，如果確定選中存儲(chǔ)塊是待擦除存儲(chǔ)塊之中的最后的存儲(chǔ)塊(是)，則終止多擦除操作。

圖10是圖示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的多擦除操作的流程圖。例如，可以在圖2的儲(chǔ)存器件1110中執(zhí)行多擦除操作。

參照?qǐng)D10，可以根據(jù)擦除驗(yàn)證操作的結(jié)果來(lái)執(zhí)行多擦除操作和單擦除操作。即，可以同時(shí)在超過(guò)一個(gè)存儲(chǔ)塊中執(zhí)行擦除操作，而每次可以對(duì)單個(gè)存儲(chǔ)塊執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。這將被詳細(xì)描述如下。

如果啟動(dòng)多擦除區(qū)段，則可以將擦除循環(huán)頻次J(J為正整數(shù))設(shè)定為1(611)，且選擇數(shù)個(gè)待擦除存儲(chǔ)塊(612)。多個(gè)存儲(chǔ)塊可以通過(guò)圖4的行解碼器122來(lái)選擇，并且可以將選中存儲(chǔ)塊的字線接地至0V?？梢詫⑵渌奈催x中存儲(chǔ)塊的字線浮置?？梢詫⒉脸妷菏┘咏o由選中存儲(chǔ)塊共享的阱，使得可以同時(shí)擦除選中的存儲(chǔ)塊(613)。

在施加擦除電壓給阱之后，可以執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作以確定是否已經(jīng)完成對(duì)存儲(chǔ)塊的擦除操作(614)。每次可以對(duì)單個(gè)存儲(chǔ)塊執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。例如，可以通過(guò)從經(jīng)歷擦除操作的多個(gè)存儲(chǔ)塊逐一地選擇每一存儲(chǔ)塊來(lái)執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。對(duì)每一單個(gè)存儲(chǔ)塊的擦除驗(yàn)證操作的結(jié)果可以任意儲(chǔ)存在包含于儲(chǔ)存器件1110中的寄存器中。例如，關(guān)于針對(duì)單個(gè)存儲(chǔ)塊的擦除驗(yàn)證操作的結(jié)果的信息可以包括擦除驗(yàn)證操作失敗的存儲(chǔ)塊的地址。

隨后，可以根據(jù)擦除驗(yàn)證操作結(jié)果來(lái)確定是否對(duì)全部數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊的擦除驗(yàn)證操作都已通過(guò)(615)。根據(jù)擦除驗(yàn)證操作失敗的存儲(chǔ)塊的地址，可以確定是否對(duì)全部多個(gè)存儲(chǔ)塊的擦除驗(yàn)證操作都已通過(guò)。例如，如果在寄存器中未儲(chǔ)存擦除驗(yàn)證操作失敗的存儲(chǔ)塊的地址，則可以確定對(duì)全部選中存儲(chǔ)塊的擦除驗(yàn)證操作都已通過(guò)，從而終止多擦除操作。如果在寄存器中儲(chǔ)存了擦除驗(yàn)證操作失敗的存儲(chǔ)塊的地址，則可以確定對(duì)選中存儲(chǔ)塊中至少一個(gè)存儲(chǔ)塊的擦除驗(yàn)證操作已失敗。

如果檢測(cè)到擦除驗(yàn)證操作失敗的存儲(chǔ)塊，則可以確定擦除循環(huán)頻次J是否已達(dá)到最大擦除循環(huán)頻次MAXerase(616)。如果擦除循環(huán)頻次J等于或大于最大擦除循環(huán)頻次MAXerase(616，是)，則可以將擦除操作處理為失敗(619)，以便防止無(wú)限地重復(fù)擦除循環(huán)。如果擦除循環(huán)頻次J小于最大擦除循環(huán)頻次MAXerase(616，否)，則可以將擦除循環(huán)頻次J增加1(617)以用于下一擦除循環(huán)的目的，并且可以選擇擦除驗(yàn)證操作失敗了的存儲(chǔ)塊(618)。以這種方式，可以同時(shí)擦除多擦除操作中選中的存儲(chǔ)塊，而可以以單個(gè)存儲(chǔ)塊為單位執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。

參照?qǐng)D11，提供了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)。例如，圖11的存儲(chǔ)系統(tǒng)可以是圖1的存儲(chǔ)系統(tǒng)。存儲(chǔ)系統(tǒng)3000可以包括用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件1100和用于控制儲(chǔ)存器件1100的存儲(chǔ)器控制器1200。并且，存儲(chǔ)器控制器1200可以控制主機(jī)2000與存儲(chǔ)器件1100之間的通信。存儲(chǔ)器控制器1200可以包括緩沖存儲(chǔ)器1210、中央處理單元(CPU)1220、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)1230、主機(jī)接口1240、錯(cuò)誤校正碼(ECC)單元1250和存儲(chǔ)器接口1260。

在存儲(chǔ)器控制器1200可以控制存儲(chǔ)器件1100的同時(shí)，緩沖存儲(chǔ)器1210可以臨時(shí)地儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。CPU 1220可以執(zhí)行用于存儲(chǔ)器控制器1200的數(shù)據(jù)交換的控制操作。SRAM1230可以用作CPU 1220的工作存儲(chǔ)器。主機(jī)接口1240可以被提供有耦接至存儲(chǔ)系統(tǒng)3000的主機(jī)2000的數(shù)據(jù)交換協(xié)議。ECC單元1250可以檢測(cè)并校正從存儲(chǔ)器件1100讀出的數(shù)據(jù)中所包括的錯(cuò)誤。存儲(chǔ)器接口1260可以與存儲(chǔ)器件1100交互。盡管在圖11中未示出，但存儲(chǔ)系統(tǒng)3000還可以包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)(未示出)以用于儲(chǔ)存用于與主機(jī)2000交互的編碼數(shù)據(jù)。

可使用存儲(chǔ)系統(tǒng)3000的主機(jī)2000可以包括計(jì)算機(jī)、超移動(dòng)PC(UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板電腦、無(wú)線電話、移動(dòng)電話、智能電話、數(shù)字照相機(jī)、數(shù)字錄音機(jī)、數(shù)字音頻播放器、數(shù)字錄像機(jī)、數(shù)字圖像播放器、能夠在無(wú)線環(huán)境中發(fā)送/接收信息的設(shè)備和/或構(gòu)成家庭網(wǎng)絡(luò)的各種電子設(shè)備之一等等。

圖12是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括存儲(chǔ)系統(tǒng)的計(jì)算系統(tǒng)的示圖。例如，圖12的計(jì)算系統(tǒng)可以包括圖1的存儲(chǔ)系統(tǒng)。

參照?qǐng)D12，計(jì)算系統(tǒng)4000可以包括電耦接至總線的存儲(chǔ)器件1110、存儲(chǔ)器控制器1200、微處理器4100、用戶接口4200和調(diào)制解調(diào)器4400。當(dāng)計(jì)算系統(tǒng)4000是移動(dòng)設(shè)備時(shí)，可以在計(jì)算系統(tǒng)4000中額外地提供用于供應(yīng)計(jì)算系統(tǒng)4000的操作電壓的電池4300。盡管在該圖中未示出，但計(jì)算系統(tǒng)4000還可以包括應(yīng)用芯片組、相機(jī)圖像處理器(CIS)和移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)等。存儲(chǔ)器控制器1200和存儲(chǔ)器件1110可以構(gòu)成固態(tài)驅(qū)動(dòng)器/固態(tài)盤(pán)(SSD)。

計(jì)算系統(tǒng)4000可以以各種形式來(lái)封裝。例如，計(jì)算系統(tǒng)4000可以以諸如層疊封裝(PoP)、球柵陣列(BGA)、芯片級(jí)封裝(CSP)、塑料引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插封裝(PDIP)、華夫包式裸片、晶片形式裸片、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插封裝(CERDIP)、塑料度量四方扁平封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外形集成電路(SOIC)、收縮型小外形封裝(SSOP)、薄型小外形封裝(TSOP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級(jí)制造封裝(WFP)或晶片級(jí)處理層疊封裝(WSP)等的方式來(lái)封裝。

根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)執(zhí)行擦除操作時(shí)，可以同時(shí)擦除多個(gè)存儲(chǔ)塊，由此提升了擦除操作速度。因此，可以提高儲(chǔ)存器件和包括該儲(chǔ)存器件的存儲(chǔ)器件的速度性能。

本文已公開(kāi)了示例性實(shí)施例，盡管采用了特定術(shù)語(yǔ)，但其僅以一般和描述性意義來(lái)使用和解釋?zhuān)怯糜谙拗票景l(fā)明的目的。此外，除非另外特別說(shuō)明，否則關(guān)于特定實(shí)施例所描述的特征、特性和/或元件可以單獨(dú)使用或者可以結(jié)合關(guān)于其它實(shí)施例所描述的特征、特性和/或元件來(lái)使用。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不背離如所附權(quán)利要求中所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。