專利名稱：一種等離子發(fā)生裝置及等離子處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子發(fā)生裝置，尤其是一種感應(yīng)耦合等離子發(fā)生裝置。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體基板、平板顯示基板、太陽能電池基板等的面積變大，處理這些基板的 制造裝置也隨之變大。等離子處理裝置用于蝕刻、沉積、離子注入、物質(zhì)表面處理等各種工 藝。 隨著等離子處理裝置的面積變大，其工藝均勻性及工藝速度成為最大的問題。工 藝均勻性可依賴于等離子的密度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可形成均勻等離子的等離子發(fā)生裝置。 根據(jù)本發(fā)明一實施例的一種等離子發(fā)生裝置，包括絕緣板(Smn)，沿第一方向及
跨過第一方向的第二方向以矩陣形式排列；金屬上板，包括其上設(shè)置絕緣板并具有四角形
形狀的貫通孔(Hmn);天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，設(shè)置于各絕緣板上。上述天線結(jié)構(gòu)體，包括第一
型天線結(jié)構(gòu)體，接近于金屬上板的邊緣而設(shè)置；第二型天線結(jié)構(gòu)體，接近于金屬上板的邊而
設(shè)置；其中，第一型天線結(jié)構(gòu)體比第二型天線結(jié)構(gòu)體消耗更多的電力，從而可形成均勻等離子。 在本發(fā)明一實施例中，上述天線結(jié)構(gòu)體還包括由上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及上述第 一型天線結(jié)構(gòu)體圍繞而成的第三型天線結(jié)構(gòu)體。 在本發(fā)明一實施例中，上述第二型天線結(jié)構(gòu)體比上述第三型天線結(jié)構(gòu)體消耗更多 電力。 在本發(fā)明一實施例中，沿上述第一方向排列的絕緣板的數(shù)(m)為3以上，而沿上述 第二方向排列的絕緣板的數(shù)(n)為3以上。 在本發(fā)明一實施例中，上述第一型天線結(jié)構(gòu)體相互電串聯(lián)，而上述第二型天線結(jié) 構(gòu)體相互電并聯(lián)。 在本發(fā)明一實施例中，上述第三型天線結(jié)構(gòu)體相互電并聯(lián)。 在本發(fā)明一實施例中，上述天線結(jié)構(gòu)體形成于印刷電路板或由導(dǎo)線彎曲形成。 在本發(fā)明一實施例中，上述印刷電路板為雙面基板，而上述天線結(jié)構(gòu)體包括金、
銀、銅、鎳、錫中的至少一種。 在本發(fā)明一實施例中，上述天線結(jié)構(gòu)體具有相同形狀。 在本發(fā)明一實施例中，還包括與上述第一型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第一電抗元件， 及與上述第二型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第二電抗元件中的至少一個。 在本發(fā)明一實施例中，還包括與上述第一型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第一電抗元件、 與上述第二型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第二電抗元件、及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第三 電抗元件中的至少一個。
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在本發(fā)明一實施例中，上述第一電抗元件、第二電抗元件及第三電抗元件，包括可 變電抗元件。 在本發(fā)明一實施例中，流經(jīng)上述第一型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第一電流大于
流經(jīng)上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第二電流，而流經(jīng)上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各天
線結(jié)構(gòu)體的第二電流大于流經(jīng)上述第三型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第三電流。 在本發(fā)明一實施例中，還包括向上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)提供電力的電源部，而上
述電源部電串聯(lián)于上述第一型天線結(jié)構(gòu)體、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體。 在本發(fā)明一實施例中，還包括向上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)提供電力的多個電源部， 第一 電源部向上述第一型天線結(jié)構(gòu)體提供電力，第二電源部向上述第二型天線結(jié)構(gòu)體提供 電力，而第三電源部向上述第三型天線結(jié)構(gòu)體提供電力。 在本發(fā)明一實施例中，上述第一電源部的第一驅(qū)動頻率、上述第二電源部的第二 驅(qū)動頻率及上述第三電源部的第三驅(qū)動頻率中的至少一個互相不同。 在本發(fā)明一實施例中，上述第一型天線結(jié)構(gòu)體、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及上述第 三型天線結(jié)構(gòu)體中的至少一個具有不同的結(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明一實施例中，上述第一型天線結(jié)構(gòu)體及上述第二型天線結(jié)構(gòu)體中的至少 一個具有不同的結(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明一實施例中，上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)各具有四角形形狀及雙層結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明一實施例中，上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)各由多個輔助天線構(gòu)成，且設(shè)置成 在相同平面形成閉環(huán)(closed loop)。 根據(jù)本發(fā)明一實施例的一種等離子處理裝置，包括真空容器，對基板進行等離子 處理；基板固定器，設(shè)置于上述真空容器內(nèi)部；金屬上板，設(shè)置于上述真空容器上部面且包 括多個貫通孔；及天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，設(shè)置于上述金屬上板上，沿第一方向及跨過第一方向 的第二方向以矩陣形式排列，從而形成四角形。上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，包括第一型天線 結(jié)構(gòu)體，設(shè)置于上述四角形邊緣；第二型天線結(jié)構(gòu)體，接近于四角形的邊而設(shè)置；及第三型 天線結(jié)構(gòu)體，由上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及第一型天線結(jié)構(gòu)體圍繞而成；其中，第一型天線結(jié) 構(gòu)體各消耗電力大于上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各消耗電力，而上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各消耗 電力大于上述第三型天線結(jié)構(gòu)體各消耗電力。 在本發(fā)明一實施例中，沿上述第一方向排列的絕緣板的數(shù)(m)為3以上，而沿上述 第二方向排列的絕緣板的數(shù)(n)為3以上。 在本發(fā)明一實施例中，上述第一型天線結(jié)構(gòu)體相互電并聯(lián)，上述第二型天線結(jié)構(gòu) 體相互電并聯(lián)，而上述第三型天線結(jié)構(gòu)體相互電并聯(lián)。 在本發(fā)明一實施例中，還包括與上述第一型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第一電抗元件、 與上述第二型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第二電抗元件、及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第三 電抗元件中的至少一個。 在本發(fā)明一實施例中，流經(jīng)上述第一型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第一電流大于
流經(jīng)上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第二電流，而流經(jīng)上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各天
線結(jié)構(gòu)體的第二電流大于流經(jīng)上述第三型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第三電流。 在本發(fā)明一實施例中，還包括向上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)提供電力的電源部，而上述電源部電串聯(lián)于上述第一型天線結(jié)構(gòu)體、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及上述第三型天線結(jié)構(gòu) 體。 在本發(fā)明一實施例中，還包括向上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)提供電力的多個電源部， 第一 電源部向上述第一型天線結(jié)構(gòu)體提供電力，第二電源部向上述第二型天線結(jié)構(gòu)體提供 電力，而第三電源部向上述第三型天線結(jié)構(gòu)體提供電力。 在本發(fā)明一實施例中，上述第一電源部的第一驅(qū)動頻率、上述第二電源部的第二 驅(qū)動頻率及上述第三電源部的第三驅(qū)動頻率中的至少一個互相不同。 在本發(fā)明一實施例中，上述第一型天線結(jié)構(gòu)體、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及上述第 三型天線結(jié)構(gòu)體中的至少一個具有不同的結(jié)構(gòu)。 根據(jù)本發(fā)明一實施例的等離子發(fā)生裝置，按幾何位置對天線結(jié)構(gòu)體進行分類，從 而可不同的位置提供電力。因此，上述等離子發(fā)生裝置可形成均勻的大面積等離子。


圖1為本發(fā)明一實施例等離子發(fā)生裝置示意圖； 圖2為本發(fā)明一實施例等離子發(fā)生裝置平面圖； 圖3為本發(fā)明一實施例等離子發(fā)生裝置剖面圖； 圖4至圖5為本發(fā)明另一實施例等離子發(fā)生裝置平面圖； 圖6為本發(fā)明一實施例等離子發(fā)生裝置電路圖； 圖7為本發(fā)明一實施例等離子發(fā)生裝置不同區(qū)域特性示意圖； 圖8為本發(fā)明另一實施例等離子發(fā)生裝置電路圖； 圖9為本發(fā)明另一實施例等離子發(fā)生裝置示意圖； 圖10至圖12為本發(fā)明一實施例天線結(jié)構(gòu)體示意圖； 圖13為本發(fā)明另一實施例等離子發(fā)生裝置示意圖。
具體實施例方式
下面，結(jié)合附圖對本發(fā)明較佳實施例進行詳細說明。但是，本發(fā)明不限于在此說明
的實施例，而可具有其他的實現(xiàn)方式。這里所提供的實施例旨在幫助對本發(fā)明的理解并向
本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳遞本發(fā)明的思想。在附圖中，層(或膜)及區(qū)域的厚度，為說明的方
便夸張表示。另外，若提到層(或膜)位于其他層(或膜)或基板"上)，則意味著直接形
成于其他層(或膜)或基板上，或者在這些中間設(shè)置有第三層(或膜)。在整個說明書中，
由相同符號表示的部分意味著相同的結(jié)構(gòu)。
圖1為本發(fā)明一實施例等離子發(fā)生裝置示意圖。 如圖1所示，上述等離子發(fā)生裝置，包括絕緣板(Smn)130，沿第一方向及跨過第 一方向的第二方向以矩陣形式排列；金屬上板110，包括可設(shè)置上述絕緣板130且具有四角 形形狀的貫通孔(Hmn);天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)140，設(shè)置于上述各絕緣板130上。上述天線結(jié)構(gòu) 體(Tmn)140，在上述金屬上板110的下部形成等離子。上述m、n可為正整數(shù)。上述m可為 上述第一方向的孔(hole)數(shù)。上述n可為上述第二方向的孔(hole)數(shù)。
真空容器100可為四角形腔室。上述真空容器100可包括排氣部(未圖示)、氣體 供應(yīng)部(未圖示)、基板(未圖示)及基板固定器(未圖示)。上述真空容器100可執(zhí)行等離子處理工藝。上述等離子處理工藝，八廓蝕刻、沉積、離子注入及表面處理中的至少一種。 上述基板及上述基板固定器可為四角形。上述基板可為有機發(fā)光元件基板、太陽能電池基 板、液晶顯示基板或半導(dǎo)體基板。 上述金屬上板110可為平板。上述金屬上板110可為上述真空容器100的蓋子。 上述金屬上板110可呈四角形。上述金屬上板110可包括鋁、鐵、鎳中的至少一種。上述金 屬上板110的表面可由表面絕緣膜涂覆。上述表面絕緣膜可包括鋁氧化膜。上述金屬上板 IIO可包括多個貫通孔(Hmn)。上述多個貫通孔(Hmn)可為四角形。上述貫通孔(Hmn)可 沿上述第一方向及上述第二方向以矩陣形式排列。上述第一方向的孔的數(shù)(m)為3。上述 第二方向的孔的數(shù)(n)為3。上述貫通孔可具有孔突起(122)。上述孔突起(122)可為與 上述絕緣板的密封而包括密封部(未圖示)。上述密封部可包括O環(huán)(O-ring)槽。
上述絕緣板(Smn) 130可插入設(shè)置于上述貫通孔(Hmn)。上述絕緣板(130)可設(shè) 置于上述孔突起(122)上。上述金屬上板(130)可包括石英(quartz)、鋁氧化物及陶瓷中 的至少一種。為了便于說明，只顯示上述絕緣板(Smn)130中的S31。上述絕緣板(Smn) 130 的不同位置可具有均勻的厚度。根據(jù)本發(fā)明的變形實施例，上述絕緣板(Smn)130可根據(jù)不 同的位置具有不同的厚度。 隨著上述等離子發(fā)生裝置的面積變大，上述絕緣板(130)的加工或制作可能變 難。因此，較佳地，上述絕緣板(130)以適當?shù)拇笮”患庸せ蛑谱鳛橐?。在包括上述真空?器100的大面積等離子發(fā)生裝置中，若以上述真空容器100的上板形成電介質(zhì)上板(未圖 示)，則上述電介質(zhì)上板可能對壓力及設(shè)置于上述電介質(zhì)上板上的天線所產(chǎn)生的熱沖擊等 相對較脆弱。因此，為使上述電介質(zhì)上板克服上述壓力及熱沖擊，有必要增加上述電介質(zhì)上 板的厚度。但是，若增加上述電介質(zhì)上板的厚度，可能會減少感應(yīng)耦合等離子發(fā)生效率。因 此，較佳地，上述電介質(zhì)上板以適合的厚度及大小分離。 上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn) 140可在上述絕緣板(Smn) 130沿上述第一方向及上述第二 方向以矩陣型式排列。上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn) 140可在上述絕緣板(Smn) 130的下部生成感 應(yīng)耦合等離子(inductively coupled plasma)。為了便于說明，上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn) 140 中只表示T31。上述天線結(jié)構(gòu)體(140)可具有相同的物理性狀或結(jié)構(gòu)。上述天線結(jié)構(gòu)體 (Tmn)140可形成于印刷電路基板。上述印刷電路基板可具有雙層結(jié)構(gòu)。形成于上述印刷電 路基板的天線結(jié)構(gòu)體可維持相同的結(jié)構(gòu)。上述天線結(jié)構(gòu)體因容易制作及設(shè)計，可提高其生 產(chǎn)性。上述印刷電路基板可具有耐熱性。 根據(jù)本發(fā)明的變形實施例，上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn) 140可彎曲導(dǎo)線或?qū)Ч芩纬伞?
圖2為本發(fā)明一實施例等離子發(fā)生裝置示意圖。圖2為圖1的平面圖。
如圖2及圖1所示，上述等離子發(fā)生裝置，包括絕緣板(Smn)，沿第一方向及跨過 第一方向的第二方向以矩陣形式排列；金屬上板110，包括可設(shè)置上述絕緣板130且具有四 角形形狀的貫通孔(Hmn);天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，設(shè)置于上述各絕緣板(Smn)上上述天線結(jié)構(gòu) 體(Tmn)可在上述上板下部IIO形成等離子。上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)可形成3*3矩陣。根 據(jù)本發(fā)明的變形實施例，m及/或n可為3以上。 上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，包括第一型天線結(jié)構(gòu)體A，接近于金屬上板110的邊緣 而設(shè)置；第二型天線結(jié)構(gòu)體B，接近于金屬上板110的邊而設(shè)置；及第三天線結(jié)構(gòu)體C，由上 述第二型天線結(jié)構(gòu)體B及第一型天線結(jié)構(gòu)體A圍繞而成。上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A可包括T31、T33、T13及T11。上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B可包括T32、 T23、 T12及T21 。上述第三天 線結(jié)構(gòu)體C可包括T22。上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A的各天線結(jié)構(gòu)體可比上述第二型天線結(jié) 構(gòu)體B的各天線結(jié)構(gòu)體消耗更多電力。上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B的各天線結(jié)構(gòu)體可比上述 第三型天線結(jié)構(gòu)體C消耗更多電力。 上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A的各天線結(jié)構(gòu)體、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B的各天線結(jié) 構(gòu)體及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體可具有相同結(jié)構(gòu)。通過真空容器的壁損失的等 離子，上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A所形成等離子比上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B所形成的等離子 多。因此，為使上述金屬上板110下部的等離子密度變得均勻，上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A的 消耗電力可大于上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B的消耗電力。通過真空容器的壁損失的等離子， 上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B所形成等離子比上述第三型天線結(jié)構(gòu)體C所形成的等離子多。上 述第二型天線結(jié)構(gòu)體B的消耗電力可大于上述第三型天線結(jié)構(gòu)體C的消耗電力。因此，可 通過向上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)提供空間上不均勻的電力形成均勻等離子。
圖3為本發(fā)明一實施例等離子發(fā)生裝置剖面圖。圖3為圖1的沿I-I'線切開的 剖面圖。 如圖1至圖3所示，上述第一型天線結(jié)構(gòu)體T31、T33、T13、T11 ;A所形成的第一型 等離子PA，在上述真空容器100的兩邊比其他方向損失更多。上述第二型天線結(jié)構(gòu)體T32、 T23、T12、T21 ;B所形成的第二型等離子PB，在上述真空容器的一邊的方向比其他方向損失 更多。上述第三型天線結(jié)構(gòu)體T22;C所形成的第三型等離子PC，可向四周均勻損失。
上述第一型等離子PA可包括P31、P33、P13及P11。上述P31、 P33、 P13及Pll可 各設(shè)置于T31、T33、T13及T11的下部，且可各通過上述T31、T33、T13及Tll形成。上述第 二型等離子PB可包括P32、 P23、 P12及P21。上述P32、 P23、 P12及P21可各設(shè)置于T32、 T23、 T12及T21的下部。上述P32、 P23、 P12及P21可各通過上述T32、 T23、 T12及T21形 成。上述第三型等離子PC可包括P22。上述P22可通過T22形成。 等離子可通過重新結(jié)合于上述真空容器100的壁而被消滅。越接近于上述真空容 器100的壁，因等離子密度差所造成的擴散損失(diffusion loss)更多。上述第一型天線 結(jié)構(gòu)體A、第二型天線結(jié)構(gòu)體B及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體C的天線結(jié)構(gòu)體可具有相同的物理 性狀。若上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A的天線結(jié)構(gòu)體各消耗電力與上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B的 天線結(jié)構(gòu)體的消耗電力相同，則上述第一型等離子PA的平均等離子密度可小于上述第二 型等離子PB的平均等離子密度。另外，若上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B的天線結(jié)構(gòu)體各消耗電 力和上述第三型天線結(jié)構(gòu)體C的天線的各消耗電力相同，則上述第二型等離子PB的平均等 離子密度可小于上述第三型等離子PA的平均等離子密度。這種等離子密度在空間上的不 均勻可對等離子處理產(chǎn)生負面影響。因此，為消除等離子密度在空間上的不均勻，有必要維 持上述第一至第三型等離子PA、 PB、 PC的等離子密度的均勻性。上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A 的天線結(jié)構(gòu)體的消耗電力、第二型天線結(jié)構(gòu)體B的天線結(jié)構(gòu)體的消耗電力及上述第三型天 線結(jié)構(gòu)體C的天線結(jié)構(gòu)體的消耗電力，有必要各不相同。
圖4至圖5為本發(fā)明一實施例天線結(jié)構(gòu)體示意圖。 如圖4所示，上述等離子發(fā)生裝置，包括絕緣板(Smn)，沿第一方向及跨過第一方 向的第二方向以矩陣形式排列；金屬上板110，包括可設(shè)置上述絕緣板130且具有四角形形 狀的貫通孔(Hmn);天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，設(shè)置于上述各絕緣板上上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，在上述金屬上板110的下部形成等離子。上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)可形成4*4矩陣。
上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，可分離為第一型天線結(jié)構(gòu)體A，接近于金屬上板110的兩 側(cè)面而設(shè)置；第二型天線結(jié)構(gòu)體B，接近于金屬上板一側(cè)面而設(shè)置；及第三型天線結(jié)構(gòu)體C， 設(shè)置于上述第二型天線結(jié)構(gòu)體之間。上述金屬上板(110)可呈四角形。上述第一型天線結(jié) 構(gòu)體A可接近于上述金屬上板110的邊緣而設(shè)置。上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B可接近于上述 金屬上板110的邊而設(shè)置。上述第三型天線結(jié)構(gòu)體C可設(shè)置于上述金屬上板110的中心。 上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A可包括Tll、 T41、 T44及T14。上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B可包括 T21、 T31、 T42、 T43、 T34、 T24、 T13、 T12。上述第三天線結(jié)構(gòu)體C可包括T22、 T32、 T33、 T23。
如圖5所示，上述等離子發(fā)生裝置，包括絕緣板(Smn)，沿第一方向及跨過第一方 向的第二方向以矩陣形式排列；金屬上板，包括可設(shè)置上述絕緣板130且具有四角形形狀 的貫通孔(Hmn);天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，設(shè)置于上述各絕緣板上上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)在上述 上板下部形成等離子。上述天線結(jié)構(gòu)體可形成2*3矩陣。 上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，可分離為第一型天線結(jié)構(gòu)體A，接近于金屬上板110的兩
側(cè)面而設(shè)置；第二型天線結(jié)構(gòu)體B，接近于金屬上板一側(cè)面而設(shè)置。上述金屬上板110可呈
四角形。上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A可接近于上述金屬上板110的邊緣而設(shè)置。上述第二型
天線結(jié)構(gòu)體B可接近于上述金屬上板110的邊而設(shè)置。上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A可包括
Tll、 T31、 T32及T12。上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B可包括T21、 T12。 圖6為本發(fā)明一實施例等離子發(fā)生裝置電路圖。 圖7為本發(fā)明一實施例等離子發(fā)生裝置不同區(qū)域特性示意圖。 如圖6，圖7及圖2所示，電源部170可與天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)電連接。在上述電源
部170和上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)之間，可設(shè)置用于匹配(matching)阻抗的匹配電路部160。 上述電源部170可為AC、RF電源。上述電源部170的輸出阻抗可為50歐姆(Ohm)。
上述電源部170可以連續(xù)模式或場模式運行。上述匹配電路部160可為向包括上述天線結(jié)
構(gòu)體(Tmn)在內(nèi)的負載(Load)，最大限度地傳遞上述電源部170電力的手段。 上述電源部170可向上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)提供電力。上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)可
包括第一型天線結(jié)構(gòu)體240a、第二型天線結(jié)構(gòu)體240b及第三型天線結(jié)構(gòu)體240c。上述電
源部170可并聯(lián)于上述第一型天線結(jié)構(gòu)體240a、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體240b及上述第三型
天線結(jié)構(gòu)體240c。上述第一型天線結(jié)構(gòu)體240a可設(shè)置于A區(qū)域。上述第二型天線結(jié)構(gòu)體
240b可設(shè)置于B區(qū)域。上述第三型天線結(jié)構(gòu)體240c可設(shè)置于C區(qū)域。 上述第一型天線結(jié)構(gòu)體240a可與第一電抗元件150a電串聯(lián)。上述第二型天線結(jié)
構(gòu)體240b可與第二電抗元件150b電串聯(lián)。上述第三型天線結(jié)構(gòu)體240c可與第三電抗元件
150c電串聯(lián)。根據(jù)上述第一型至第三型天線結(jié)構(gòu)體，上述第一至第三電抗元件150a、150b、
150c可為分配不同電力的手段。上述電抗元件150a、150b、150c可包括可變電抗元件。上
述可變電抗元件可為可變電容器或可變感應(yīng)器。 根據(jù)本發(fā)明的變形實施例，可只利用上述第二及第三可變元件150b、150c，向上述
第一至第三天線結(jié)構(gòu)體提供不同電力。 上述第一型天線結(jié)構(gòu)體240a可包括4個天線結(jié)構(gòu)體T31、T33、T13、T11。上述第 一型天線結(jié)構(gòu)體240a的天線結(jié)構(gòu)體T31、 T33、 T13、 Tll可相互電并聯(lián)。Z(T31) 、 Z(T33)、 Z(T13)及Z(Tll)可為各包括T31、T33、T13及T11的等價阻抗。
上述第二型天線結(jié)構(gòu)體240b可包括4個天線結(jié)構(gòu)體T32、T23、T12、T21。上述第 二型天線結(jié)構(gòu)體240b的天線結(jié)構(gòu)體T32、 T23、 T12及T21可相互電并聯(lián)。Z (T32) 、 Z (T23)、 Z(T12)及Z(T21)可為包括T32、T23、T12及T21的等價阻抗。 上述第三型天線結(jié)構(gòu)體240c可包括1個天線結(jié)構(gòu)體T22。 Z(T22)可為包括上述 第三型天線結(jié)構(gòu)體C、240c的等價阻抗。上述第一型天線結(jié)構(gòu)體240a的總阻抗可等于上述 第二型天線結(jié)構(gòu)體240b的總阻抗。為了向上述第一型天線結(jié)構(gòu)體240a的天線結(jié)構(gòu)體提供 更多電力，上述第一電抗元件150a的阻抗可小于上述第二電抗元件150b的阻抗。另外，上 述第二型天線結(jié)構(gòu)體240b的總阻抗可小于上述第三型天線結(jié)構(gòu)體240c的總阻抗。為了向 上述第二型天線結(jié)構(gòu)體240b提供更多電力，上述第二電抗元件150b的阻抗可小于上述第 三電抗元件150c的阻抗。因此，可確保等離子密度的均勻性。 上述第一天線結(jié)構(gòu)體240a的各天線結(jié)構(gòu)體所消耗的電力PA，可大于上述第二天 線結(jié)構(gòu)體240b的各天線結(jié)構(gòu)體所消耗的電力PB。上述第二天線結(jié)構(gòu)體240b的各天線結(jié) 構(gòu)體所消耗的電力PB，可大于上述第三天線結(jié)構(gòu)體240c的各天線結(jié)構(gòu)體所消耗的電力PC。 因此，可確保上述第一天線結(jié)構(gòu)體A下部的等離子密度NpA、上述第二天線結(jié)構(gòu)體B下部的 等離子密度NpB及上述第三天線結(jié)構(gòu)體C下部的等離子密度NpC的均勻性。
流經(jīng)上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A的各天線結(jié)構(gòu)體的第一電流IA，可大于流經(jīng)上述第 二型天線結(jié)構(gòu)體B的各天線結(jié)構(gòu)體的第二電流IB。流經(jīng)上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B的各天 線結(jié)構(gòu)體的第二電流IB，可大于流經(jīng)上述第三型天線結(jié)構(gòu)體C的各天線結(jié)構(gòu)體的第三電流 IC。因此，可確保上述第一天線結(jié)構(gòu)體A下部的等離子密度NpA、上述第二天線結(jié)構(gòu)體B下 部的等離子密度NpB及上述第三天線結(jié)構(gòu)體C下部的等離子密度NpC的均勻性。
圖8為本發(fā)明另一實施例等離子發(fā)生裝置電路圖。 如圖2及圖8所示，電源部170可與天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)電連接。上述電源部170 可為多個。上述電源部170可包括第一電源部170a、第二電源部170b及第三電源部170c。 上述第一電源部170a、第二電源部170b及第三電源部170c的驅(qū)動頻率可相同。
上述電源部170可向上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)提供電力。上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)可 分離為上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體B及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體C。
在上述第一 電源部170a和上述第一型天線結(jié)構(gòu)體240a之間，可設(shè)置用于匹配 (matching)阻抗的第一匹配電路部160a。上述第二電源部170b和上述第二型天線結(jié)構(gòu)體 240b之間，可設(shè)置用于匹配(matching)阻抗的第二匹配電路部160b。在上述第三電源部 170c和上述第三型天線結(jié)構(gòu)體240c之間，可設(shè)置用于匹配(matching)阻抗的第三匹配電 路部160c。上述電源部170a、170b、170c可為AC、RF電源。上述電源部170a、 170b、 170c的 輸出阻抗可為50歐姆(Ohm)。 上述第一電源部170a可電連接至第一型天線結(jié)構(gòu)體240a。上述第一型天線結(jié)構(gòu)
體240a可包括4個天線結(jié)構(gòu)體T31、T33、T13、T11。 Z(T31) 、 Z(T33) 、 Z(T13)及Z(Tll)可
為各包括T31、T33、T13及T11的等價阻抗。T31、 T33、 T13及Til可并聯(lián)。 上述第二電源部170b可電連接至上述第二型天線結(jié)構(gòu)體240b。上述第二型天線
結(jié)構(gòu)體240b可包括4個天線結(jié)構(gòu)體T32、T23、T12、T21 。 Z (T32) 、Z (T23) 、Z (T12)及Z (T21)
可為包括T32、 T23、 T12及T21的等價阻抗。T32、 T23， T12及T21可并聯(lián)。 上述第三電源部170c可電連接至上述第三型天線結(jié)構(gòu)體240c。上述第三型天線結(jié)構(gòu)體C可包括一個天線結(jié)構(gòu)體T22。 Z(T22)為包括T33的等價阻抗。 上述第一天線結(jié)構(gòu)體240a的各天線結(jié)構(gòu)體所消耗的電力，可大于上述第二天線
結(jié)構(gòu)體240b的各天線結(jié)構(gòu)體所消耗的電力。上述第二天線結(jié)構(gòu)體240b的各天線結(jié)構(gòu)體所
消耗的電力，可大于上述第三天線結(jié)構(gòu)體240c的各天線結(jié)構(gòu)體所消耗的電力。 流經(jīng)上述第一型天線結(jié)構(gòu)體240a的各天線結(jié)構(gòu)體的第一電流IA，可大于流經(jīng)上
述第二型天線結(jié)構(gòu)體240b的各天線結(jié)構(gòu)體的第二電流IB。流經(jīng)上述第二型天線結(jié)構(gòu)體
240b的各天線結(jié)構(gòu)體的第二電流IB，可大于流經(jīng)上述第三型天線結(jié)構(gòu)體240c的各天線結(jié)
構(gòu)體的第三電流IC。 根據(jù)本發(fā)明的變形實施例，上述第一電源部170a、第二電源部170b及第三電源部 170c的驅(qū)動頻率可各不相同。 圖9為本發(fā)明另一實施例等離子發(fā)生裝置示意圖。圖9為圖1的沿II-II'線剖 面圖。 如圖1、圖3及圖9所示，上述等離子發(fā)生裝置，包括絕緣板(Smn)130，沿第一 方向及跨過第一方向的第二方向以矩陣形式排列；金屬上板(Hmn)120，包括其上設(shè)置絕 緣板130并具有四角形形狀的貫通孔(Hmn)120;天線結(jié)構(gòu)體(Tmn) 140，設(shè)置于各絕緣板 (Smn) 130上。上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn) 140，在上述絕緣體板下部下部形成等離子。
真空容器100可為四角形腔室。上述真空容器100可包括排氣部(未圖示)、氣 體供應(yīng)部(未圖示)、基板202及基板固定器204。上述真空容器10)可執(zhí)行等離子處理工 藝。上述等離子處理工藝可包括蝕刻、沉積、離子注入及表面處理中的至少一種。上述基板 202及上述基板固定器204可為四角形。上述基板202可為有機發(fā)光元件基板、太陽能電 池基板、液晶顯示基板或半導(dǎo)體基板。上述基板固定器可包括溫度調(diào)解部(未圖示)、靜電 夾頭(electrostatic chuck)、電源施加部中的至少一種。上述溫度調(diào)解部可調(diào)節(jié)上述基 板的溫度。上述靜電夾頭可為裝卸上述基板的手段。上述電源施加部可為向上述基板施加 RF bias電壓的手段。 上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn) 140可分離為上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A、上述第二型天線結(jié)
構(gòu)體B及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體C。 T21可在絕緣板S21下部形成等離子P21。 T23可在絕
緣板S23下部形成等離子P23。 T22可在絕緣板S22下部形成等離子P22。 上述第一型天線結(jié)構(gòu)體A相互并聯(lián)，且串聯(lián)于第一電抗元件(未圖示)。上述第二
型天線結(jié)構(gòu)體B相互并聯(lián)，且串聯(lián)于第二電抗元件電抗元件150b。上述第三型天線結(jié)構(gòu)體
C可串聯(lián)于第三電抗元件150c。上述第一至第三電抗元件可電連接于匹配電路部160。上
述匹配電路部160可電連接于電源部170。 圖10至圖12為本發(fā)明一實施例天線結(jié)構(gòu)體示意圖。 如圖10所示，天線結(jié)構(gòu)體540可包括第一至第四輔助天線540a、540b、540c、540d。 上述天線結(jié)構(gòu)體540可為四角形。上述天線結(jié)構(gòu)體540可包括上層及下層的雙層結(jié)構(gòu)。上 述天線結(jié)構(gòu)體540可形成于印刷電路基板559。上述天線結(jié)構(gòu)體的厚度可為數(shù)毫米至數(shù)厘 米。上述天線結(jié)構(gòu)體540可在平面圖上為四角形。沿第一方向的上述天線結(jié)構(gòu)體的長度為 數(shù)十厘米至數(shù)米。沿跨過上述第一方向的第二方向的上述天線結(jié)構(gòu)體的長度為數(shù)十厘米至 數(shù)米。上述輔助天線可通過連接線(未圖示)相并聯(lián)并形成一個天線結(jié)構(gòu)體。電力端P1、 P2、 P3、 P4可通過上述連接線連接于電源部。另外，接地端Gl、 G2、 G3、 G4可通過上述連接線接地。上述連接線可形成于印刷電路基板。流經(jīng)上述各第一至第四輔助天線540a、540b、 540c、540d的電流，可在上面及/或下面實際上形成閉環(huán)(closed loop)。
上述第一輔助天線540a可包括第一電力部541、第一延長部543、平面移動部547、 第二延長部545及第一接地部549。上述第一電力部541、第一延長部543、平面移動部547、 第二延長部(546)及第一接地部549可相互連續(xù)電連接。 上述第一電力部541可包括平行設(shè)置于上層的內(nèi)線541a及外線541b。上述內(nèi)線 541a的兩端呈直角彎曲以與上述外線541b連接。上述第一電力部541的一端Pl提供電 力，而上述第一電力部541的另一端可為上述外線541b的延長部。 上述第一延長部543可包括平行設(shè)置于上層的543a及外線543b 。上述內(nèi)線543a 的兩端呈直角彎曲以與上述外線543b連接。上述外線543b的一端可延長形成。上述第一 電力部541的上述外線541b的另一端和上述第一延長部543的上述外線543b的一端可相 互呈直角交叉接觸。上述第一延長部543和上述第一電力部541的接觸部可設(shè)置于四角形 的邊緣。 上述第二延長部545可具有與上述第一延長部相同的形式。 上述第一接地部549可具有與上述電力部相同的形式。上述第二延長部545和上 述第一接地部549可設(shè)置于沿順時針方向旋轉(zhuǎn)90度的其他邊緣。上述第一電力部541和 上述第一延長部543可設(shè)置于上層，而上述第二延長部545及上述第一接地部549可設(shè)置 于下層。 上述第一延長部543的上述內(nèi)線543a的另一端和上述外線543b的另一端，可各 連接于上述第二延長部545的內(nèi)線545a的另一端和外線545b的另一端。上述平面移動部 可在貫通上述印刷電路基板的貫通孔中填充導(dǎo)電物質(zhì)而形成。 上述第二至第四輔助天線540b、540c、540c及540d與上述第一輔助天線一樣，可 沿順時針方向旋轉(zhuǎn)對稱排列。 如圖ll所示，天線結(jié)構(gòu)體1140可包括第一及第二輔助天線1140a、1140b。上述天 線結(jié)構(gòu)體1140可形成于印刷電路基板1149。電力端P1、 P2可連接于電源部。另外，接地 端G1、G2可接地。上述天線結(jié)構(gòu)體1140可由上、下兩層構(gòu)成。上述天線結(jié)構(gòu)體1140可為 四角形。上述第一輔助天線1140a可包括第一電力部1141、第一延長部1142、第二延長部 1143、平面移動部1144、第三延長部1145、第四延長部1146及第一接地部1147。
第一電力部1141、第一延長部1142、第二延長部1143、平面移動部1144、第三延長 部1145、第四延長部1146及第一接地部1147可相互連續(xù)電連接。 上述第一電力部1141可設(shè)置于上面的第一邊。上述第一延長部1142可設(shè)置于上 面的第二邊。上述第二延長部1143可設(shè)置于上面的第三邊。上述第三延長部1145可設(shè)置 于下面的第三邊。上述第四延長部1146可設(shè)置于下面的第四邊。上述第一接地部1147可 設(shè)置于下面的第一邊。第一電力部1141、第二延長部1143、第三延長部1145及第一接地部 1147可具有相同的長度。上述第一延長部1142及上述第四延長部1146的長度可相同。上 述第一延長部1142的長度可為上述第一電力部的長度的兩倍。上述第一電力部1141可具 有與上述第一接地部1147相同的形狀。上述第二延長部1143和上述第三延長部1145可 具有相同的形狀。上述第一延長部1142和上述第四延長部1146可具有相同的形狀。
上述第一電力部1141可包括平行設(shè)置于上層的內(nèi)線1141a及外線1141b，且上述內(nèi)線1141a的兩端呈直角彎曲以連接至上述外線1141b。上述第一電力部1141的一端Pl 可提供電力，而上述第一電力部1141的另一端可為上述外線1141的延長部分。
上述第一延長部1142可包括平行設(shè)置于上層的1142a及外線1142b。上述內(nèi)線 的兩端可彎曲以與外線連接。上述內(nèi)線1142a可呈直角彎曲以連接至上述外線1142b。上 述第一延長部1142的上述外線1142b兩端可延長形成。上述第一電力部1141的上述外線 1141b的另一端和上述第一延長部1142的上述外線1142b的一端可呈直角交叉接觸。
上述第二延長部1143可包括平行設(shè)置于上層的1143a及外線1143b。上述內(nèi)線 1143a的一端可彎曲以與上述外線1143b連接。上述第二延長部1143的上述外線1143b 的兩端可延長形成。上述第一延長部1142的上述外線1142b的另一端和上述第二延長部 1143的上述外線1143b的一端可呈直角交叉接觸。 上述第三延長部1145可具有與上述第二延長部1143相同的形式。 上述平面移動部1144相互連接上述第二延長部1143和上述第三延長部1145且
從上層向下層延長形成。 上述第四延長部可具有與上述第一延長部相同的形式。上述第三延長部1145可 與上述第四延長部1146呈直角連接。 上述第一接地部1147可具有與上述第一電力部1141相同的形式。上述第四延長 部1146可呈直角連接于上述第一接地部1141。 上述第二輔助天線1140b可與上述第一輔助天線1140a—樣，沿順時針方向旋轉(zhuǎn) 180度對稱排列。 如圖12所示，天線結(jié)構(gòu)體2140可包括第一及第二輔助天線2140a、2140b。上述天 線結(jié)構(gòu)體2140可形成于印刷電路基板2249。電力端P1、 P2可連接于電源部。另外，接地 端G1、G2可接地。上述天線結(jié)構(gòu)體2140可為雙層結(jié)構(gòu)。 上述第一輔助天線2140a可包括第一電力部2141、第一延長部2142、第二延長部 2143、平面移動部2144、第三延長部2145、第四延長部2146及第一接地部2147。上述第一 電力部2141、第一延長部2142、第二延長部2143、平面移動部2144、第三延長部2145、第四 延長部2146及第一接地部2147可相互連續(xù)電連接。 上述第一電力部2141可設(shè)置于上層的第一邊。上述第一延長部2142可設(shè)置于上 面的第二邊。上述第二延長部2143可設(shè)置于上面的第三邊。上述第三延長部2145可設(shè)置 于下面的第三邊。上述第四延長部2146可設(shè)置于下面的第四邊。上述第一接地部2147可 設(shè)置于下面的第一邊。上述電力部2141、第二延長部2143、第三延長部2145及第一接地部 2147的長度可相同。上述第一延長部2142及第四延長部2146的長度可相同。
上述第一電力部2141、第二延長部2143、第三延長部2145及第一接地部2147可 具有相同形狀。上述第一延長部2142及第四延長部2146可具有相同形狀。上述平面移動 部2144可與上面的第二延長部2143 —起連接至第三延長部2145。 上述第二輔助天線2140b可具有與上述第一輔助天線相同的形狀，且可沿順指針 方向旋轉(zhuǎn)180度對稱排列。 上述天線結(jié)構(gòu)體2140可形成于雙面印刷電路基板2249。上述天線結(jié)構(gòu)體2140可 通過對上述印刷電路基板2249構(gòu)成圖案(patterning)而形成。上述天線結(jié)構(gòu)體可包括銅、 金、銀、鋁、錫中的至少一種。
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圖13為本發(fā)明另一實施例等離子發(fā)生裝置示意圖。 如圖13所示，上述等離子發(fā)生裝置包括沿第一方向及跨過上述第一方向的第二 方向以矩陣形式排列并呈四角形形狀的天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)3140a、3140b、3140c。沿第一方 向及跨過上述第一方向的第二方向以矩陣形式排列的絕緣板(Smn)130設(shè)置于上述天線結(jié) 構(gòu)體下方。金屬上板110包括設(shè)置于上述絕緣板130并呈四角形形狀的貫通孔(Hmn) 120。 上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，在上述金屬上板110的下部形成等離子。上述天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)， 包括第一型天線結(jié)構(gòu)體3140a，設(shè)置于上述四角形邊緣；第二型天線結(jié)構(gòu)體3140b，接近于 上述四角形的邊而設(shè)置；及第三型天線結(jié)構(gòu)體3140c，由上述第二型天線結(jié)構(gòu)體3140b及第 一型天線結(jié)構(gòu)體3140a圍繞而成。上述第一型天線結(jié)構(gòu)體3140a可設(shè)置于A區(qū)域，而上述 第二天線結(jié)構(gòu)體3140b可設(shè)置于B區(qū)域。上述第三型天線結(jié)構(gòu)體3140c可設(shè)置于C區(qū)域。
上述金屬上板110可呈四角形形狀。上述第一型天線結(jié)構(gòu)體3140a可接近于上述 金屬上板110的邊緣而設(shè)置。上述第二型天線結(jié)構(gòu)體3140b可接近于上述金屬上板110的 邊而設(shè)置。上述第三型天線結(jié)構(gòu)體3140c可設(shè)置于上述金屬上板110的中心。
如圖10至12所示，上述第一型天線結(jié)構(gòu)體3140a、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體3140b 及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體3140c可具有不同的物理結(jié)構(gòu)。上述第一型天線結(jié)構(gòu)體3140a、上 述第二型天線結(jié)構(gòu)體3140b及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體3140c可具有各不相同的阻抗。
通過上述第一型天線結(jié)構(gòu)體3140a、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體3140b及上述第三型 天線結(jié)構(gòu)體3140c形成于上述金屬上板110下部的等離子可具有均勻性。上述第一型天 線結(jié)構(gòu)體3140a可相互并聯(lián)。上述第二型天線結(jié)構(gòu)體3140b可相互并聯(lián)。電源部(未圖 示)可電并聯(lián)于上述第一型天線結(jié)構(gòu)體3140a、第二型天線結(jié)構(gòu)體3140b及上述第三型天線 3140c。
權(quán)利要求
一種等離子發(fā)生裝置，包括絕緣板，沿第一方向及跨過第一方向的第二方向以矩陣形式排列；金屬上板，包括其上設(shè)置絕緣板并具有四角形形狀的貫通孔；及天線結(jié)構(gòu)體，設(shè)置于各絕緣板上；其特征在于上述天線結(jié)構(gòu)體，包括第一型天線結(jié)構(gòu)體，接近于金屬上板的邊緣而設(shè)置；第二型天線結(jié)構(gòu)體，接近于金屬上板的邊而設(shè)置；其中，第一型天線結(jié)構(gòu)體比第二型天線結(jié)構(gòu)體消耗更多的電力，從而可形成均勻等離子。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述天線結(jié)構(gòu)體還包括 由上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及上述第一型天線結(jié)構(gòu)體圍繞而成的第三型天線結(jié)構(gòu)體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述第二型天線結(jié)構(gòu)體 比上述第三型天線結(jié)構(gòu)體消耗更多電力。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于沿上述第一方向排列的 絕緣板的數(shù)為3以上，而沿上述第二方向排列的絕緣板的數(shù)為3以上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述第一型天線結(jié)構(gòu)體 相互電串聯(lián)，而上述第二型天線結(jié)構(gòu)體相互電并聯(lián)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述第三型天線結(jié)構(gòu)體 相互電并聯(lián)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述天線結(jié)構(gòu)體形成于 印刷電路板或由導(dǎo)線彎曲形成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述印刷電路板為雙面 基板，而上述天線結(jié)構(gòu)體包括金、銀、銅、鎳、錫中的至少一種。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述天線結(jié)構(gòu)體可 具有相同形狀。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于還包括與上述第一型天 線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第一電抗元件，及與上述第二型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第二電抗元件中的 至少一個。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于還包括與上述第一型天 線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第一電抗元件、與上述第二型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第二電抗元件、及上 述第三型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第三電抗元件中的至少一個。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述第一電抗元件、第 二電抗元件及第三電抗元件，包括可變電抗元件。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于流經(jīng)上述第一型天線 結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第一電流大于流經(jīng)上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第二電 流，而流經(jīng)上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第二電流大于流經(jīng)上述第三型天線結(jié)構(gòu) 體各天線結(jié)構(gòu)體的第三電流。
14. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于還包括向上述天線結(jié)構(gòu) 體提供電力的電源部，而上述電源部電串聯(lián)于上述第一型天線結(jié)構(gòu)體、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體。
15. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于還包括向上述天線結(jié)構(gòu)體提供電力的多個電源部，其中，第一電源部向上述第一型天線結(jié)構(gòu)體提供電力，第二電源部向上述第二型天線結(jié)構(gòu)體提供電力，而第三電源部向上述第三型天線結(jié)構(gòu)體提供電力。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述第一電源部的第一驅(qū)動頻率、上述第二電源部的第二驅(qū)動頻率及上述第三電源部的第三驅(qū)動頻率中的至少一個互相不同。
17. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述第一型天線結(jié)構(gòu)體、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體中的至少一個具有不同的結(jié)構(gòu)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述第一型天線結(jié)構(gòu)體及上述第二型天線結(jié)構(gòu)體中的至少一個具有不同的結(jié)構(gòu)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述天線結(jié)構(gòu)體各具有四角形形狀及雙層結(jié)構(gòu)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子發(fā)生裝置，其特征在于上述天線結(jié)構(gòu)體各由多個輔助天線構(gòu)成，且設(shè)置成在相同平面形成閉環(huán)。
21. —種等離子處理裝置，包括真空容器，對基板進行等離子處理；基板固定器，設(shè)置于上述真空容器內(nèi)部；金屬上板，設(shè)置于上述真空容器上部面且包括多個貫通孔；及天線結(jié)構(gòu)體，設(shè)置于上述金屬上板上，沿第一方向及跨過第一方向的第二方向以矩陣形式排列，從而形成四角形；其特征在于上述天線結(jié)構(gòu)體，包括第一型天線結(jié)構(gòu)體，設(shè)置于上述四角形邊緣；第二型天線結(jié)構(gòu)體，接近于四角形的邊而設(shè)置；及第三型天線結(jié)構(gòu)體，由上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及第一型天線結(jié)構(gòu)體圍繞而成；其中，第一型天線結(jié)構(gòu)體各消耗電力大于上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各消耗電力，而上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各消耗電力大于上述第三型天線結(jié)構(gòu)體各消耗電力。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的一種等離子處理裝置，其特征在于沿上述第一方向排列的絕緣板的數(shù)為3以上，而沿上述第二方向排列的絕緣板的數(shù)為3以上。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的一種等離子處理裝置，其特征在于上述第一型天線結(jié)構(gòu)體相互電并聯(lián)，上述第二型天線結(jié)構(gòu)體相互電并聯(lián)，而上述第三型天線結(jié)構(gòu)體相互電并聯(lián)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的一種等離子處理裝置，其特征在于還包括與上述第一型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第一電抗元件、與上述第二型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第二電抗元件、及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體電串聯(lián)的第三電抗元件中的至少一個。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的一種等離子處理裝置，其特征在于流經(jīng)上述第一型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第一電流大于流經(jīng)上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第二電流，而流經(jīng)上述第二型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第二電流大于流經(jīng)上述第三型天線結(jié)構(gòu)體各天線結(jié)構(gòu)體的第三電流。
26. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的一種等離子處理裝置，其特征在于還包括向上述天線結(jié)構(gòu)體提供電力的電源部，而上述電源部電并聯(lián)于上述第一型天線結(jié)構(gòu)體、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體。
27. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的一種等離子處理裝置，其特征在于還包括向上述天線結(jié)構(gòu)體提供電力的多個電源部，其中，第一電源部向上述第一型天線結(jié)構(gòu)體提供電力，第二電源部向上述第二型天線結(jié)構(gòu)體提供電力，而第三電源部向上述第三型天線結(jié)構(gòu)體提供電力。
28. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的一種等離子處理裝置，其特征在于上述第一電源部的第一驅(qū)動頻率、上述第二電源部的第二驅(qū)動頻率及上述第三電源部的第三驅(qū)動頻率中的至少一個互相不同。
29. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的一種等離子處理裝置，其特征在于上述第一型天線結(jié)構(gòu) 體、上述第二型天線結(jié)構(gòu)體及上述第三型天線結(jié)構(gòu)體中的至少一個具有不同的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子發(fā)生裝置。此裝置包括絕緣板(Smn)，沿第一方向及跨過第一方向的第二方向以矩陣形式排列；金屬上板，包括其上設(shè)置絕緣板并具有四角形形狀的貫通孔(Hmn)；天線結(jié)構(gòu)體(Tmn)，設(shè)置于各絕緣板上。天線結(jié)構(gòu)體包括第一型天線結(jié)構(gòu)體，接近于金屬上板的邊緣而設(shè)置；第二型天線結(jié)構(gòu)體，接近于金屬上板的邊而設(shè)置；其中，第一型天線結(jié)構(gòu)體比第二型天線結(jié)構(gòu)體消耗更多的電力，從而可形成均勻等離子。
文檔編號H01L21/00GK101742807SQ20091021124
公開日2010年6月16日 申請日期2009年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月5日
發(fā)明者安成一, 宋尚鎬 申請人:Ips有限公司