專利名稱：：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及對至少像素部使用薄膜晶體管的發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
：近年來，將形成在具有絕緣表面的襯底上的半導(dǎo)體薄膜(厚度為幾十nm至幾百nm左右)用于溝道形成區(qū)域構(gòu)成薄膜晶體管的技術(shù)引人注目。薄膜晶體管廣泛地應(yīng)用于電子器件如IC及電光裝置，尤其是，正在加快開發(fā)作為圖像顯示裝置的開關(guān)元件的薄膜晶體管。作為圖像顯示裝置的開關(guān)元件，采用將非晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管、或?qū)⒍嗑О雽?dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管等。作為多晶半導(dǎo)體膜的形成方法，一般知道由光學(xué)系統(tǒng)將脈沖振蕩的受激準(zhǔn)分子激光束加工為線形，并對于非晶硅膜進(jìn)行線形光束的掃描和照射來晶化的技術(shù)。此外，作為圖像顯示裝置的開關(guān)元件，采用將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管(參照專利文獻(xiàn)1及2)。日本專利申請公開Hei4-242724號公報(bào)日本專利申請公開2005-49832號公報(bào)將多晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管具有如下優(yōu)點(diǎn)其電場效應(yīng)遷移率比將非晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管高兩個(gè)數(shù)量級以上，并且可以將半導(dǎo)體顯示裝置的像素部和其周邊的驅(qū)動電路一體形成在相同襯底上。然而，有如下問題與將非晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的情況相比，因使半導(dǎo)體膜晶化而工序較復(fù)雜，由此成品率降低且成本升高。此外，有微晶半導(dǎo)體膜的晶粒的表面容易氧化的問題。這個(gè)情況還引起如下問題當(dāng)溝道形成區(qū)域的晶粒氧化時(shí)，在晶粒的表面上形成氧化膜，并且該氧化膜障礙載流子的移動，從而薄膜晶體管的電特性降低。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供包括電特性良好且可靠性高的薄膜晶體管的發(fā)光裝置、以及批量生產(chǎn)性高地制造該發(fā)光裝置的方法。在包括反交錯(cuò)型薄膜晶體管的發(fā)光裝置的反交錯(cuò)型薄膜晶體管中，在柵電極上形成柵極絕緣膜，在柵極絕緣膜上形成用作溝道形成區(qū)域的微晶半導(dǎo)體膜(也稱為半非晶半導(dǎo)體膜)，在微晶半導(dǎo)體膜上形成緩沖層，在緩沖層上形成一對源區(qū)域及漏區(qū)域，以使源區(qū)域及漏區(qū)域的一部分露出的方式形成與源區(qū)域及漏區(qū)域接觸的一對源電極及漏電極。因此，源區(qū)域及漏區(qū)域具有與源電極及漏電極接觸的區(qū)域和不與源電極及漏電極接觸的區(qū)域。此外，在源電極及漏電極的外側(cè)，源區(qū)域及漏區(qū)域的一部分、以及緩沖層的一部分露出。此外，在源電極及漏電極的端部的外側(cè)形成源區(qū)域及漏區(qū)域的端部、以及緩沖層的端部。通過源電極及漏電極的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域的端部不一致，并在源電極及漏電極的端部的外側(cè)形成源區(qū)域及漏區(qū)域的端部，源電極及漏電極的端部之間的距離變長，從而可以防止源電極及漏電極之間的漏電流及短路。此外，緩沖層的一部分具有凹部，并且該凹部的側(cè)面與源區(qū)域及漏區(qū)域的端部一致。由于緩沖層的一部分具有凹部而源區(qū)域及漏區(qū)域之間的載流子移動的距離長，因此可以減少源區(qū)域及漏區(qū)域的之間產(chǎn)生的漏電流。此外，在微晶半導(dǎo)體膜和源區(qū)域及漏區(qū)域之間形成有緩沖層。微晶半導(dǎo)體膜用作溝道形成區(qū)域。另外，緩沖層在防止微晶半導(dǎo)體膜的氧化的同時(shí)用作高電阻區(qū)域。在微晶半導(dǎo)體膜和源區(qū)域及漏區(qū)域之間使用高電阻率的非晶半導(dǎo)體膜形成有緩沖層。由此，本發(fā)明的薄膜晶體管的電場效應(yīng)遷移率高，且截止時(shí)(即，對柵電極施加負(fù)電壓時(shí))的漏電流少，而漏耐壓性高。采用非晶半導(dǎo)體膜作為緩沖層。再者，優(yōu)選采用包含氮、氫、鹵素的任何一種以上的非晶半導(dǎo)體膜。通過非晶半導(dǎo)體膜包含氮、氫、鹵素的任何一種，可以減少包含在微晶半導(dǎo)體膜中的晶粒的氧化?？梢酝ㄟ^等離子體CVD法、濺射法等形成緩沖層。此外，在形成非晶半導(dǎo)體膜之后，通過對于非晶半導(dǎo)體膜進(jìn)行使用氮等離子體、氫等離子體、或鹵素等離子體的處理，來可以使非晶半導(dǎo)體膜氮化、氫化、或鹵化。通過在微晶半導(dǎo)體膜的表面上設(shè)置緩沖層來可以減少包含在微晶半導(dǎo)體膜中的晶粒的氧化，因此可以減少薄膜晶體管的電特性的退化。與多晶半導(dǎo)體膜不同，微晶半導(dǎo)體膜可以直接形成在襯底上。具體而言，可以將氫化硅作為原料氣體并使用等離子體CVD裝置來形成。通過上述方法制造的微晶半導(dǎo)體膜也包括在非晶半導(dǎo)體中含有0.5nm至20nm的晶粒的微晶半導(dǎo)體膜。因此，與使用多晶半導(dǎo)體膜的情況不同，不需要在形成半導(dǎo)體膜之后進(jìn)行晶化工序?？梢钥s減制造薄膜晶體管時(shí)的工序數(shù)，并且還可以提高發(fā)光裝置的成品率并抑制成本。此外，使用頻率為1GHz以上的微波的等離子體具有高電子密度，從而容易離解原料氣體的氫化硅。因此，通過使用頻率為lGHz以上的微波的等離子體CVD法，與頻率為幾十MHz至幾百M(fèi)Hz的微波等離子體CVD法相比，可以較容易制造微晶半導(dǎo)體膜，并可以提高成膜速度。因而，可以提高發(fā)光裝置的批量生產(chǎn)性。此外，將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域，制造薄膜晶體管(TFT)，并且將該薄膜晶體管使用于像素部、驅(qū)動電路來制造發(fā)光裝置。將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管的電場效應(yīng)遷移率為1craVVsec至20cra7Vsec，其是將非晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管的2倍至20倍。因此可以將驅(qū)動電路的一部分或全部形成于與像素部相同的襯底上，來形成系統(tǒng)型面板(systemonpanel)。此外，發(fā)光裝置包括發(fā)光元件。在發(fā)光元件的范圍中，包括由電流或電壓控制亮度的元件。具體而言，包括無機(jī)EL(ElectroLuminescence;電致發(fā)光)、有機(jī)EL等。另外，發(fā)光裝置還包括發(fā)光元件處于密封狀態(tài)的面板、以及處于將包括控制器的IC等安裝在該面板上的狀態(tài)的模塊。再者，本發(fā)明涉及對于制造該發(fā)光裝置的過程中的相當(dāng)于發(fā)光元件完成之前的一個(gè)方式的元件襯底，該元件襯底的多個(gè)像素的各個(gè)中具備將電流供給給發(fā)光元件的單元。元件襯底采用各種方式，既可以處于只形成有發(fā)光元件的像素電極的狀態(tài)，又可以處于在形成成為像素電極的導(dǎo)電膜之后并進(jìn)行蝕刻來形成像素電極之前的狀態(tài)。注意，本說明書中的發(fā)光裝置是指圖像顯示器件、發(fā)光器件、或光源(包括照明裝置)。此外，如下模塊也都包括在發(fā)光裝置中安裝有連接器如FPC(柔性印刷襯底)、TAB(帶式自動接合)膠帶、或TCP(帶載封裝)的?！姥耄籘AB膠帶及TCP的前端設(shè)置有印刷布線板的模塊；或通過C0G(晶玻接裝，chiponglass)方式將IC(集成電路)直接安裝在發(fā)光元件中的模塊。根據(jù)本發(fā)明，可以批量生產(chǎn)性高地制造包括電特性良好且可靠性高的薄膜晶體管的發(fā)光裝置。圖1A和1B是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的截面圖；圖2A至2C是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的截面圖；圖3A和3B是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的截面圖；圖4A和4B是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的截面圖5A至5C是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的俯視圖圖6A至6C是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的截面圖圖7A至7C是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的截面圖圖8A和8B是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的截面圖圖9A至9D是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的俯視圖圖IO是說明本發(fā)明的微波等離子體CVD裝置的俯視圖；圖IIA至IID是說明可以應(yīng)用于本發(fā)明的多灰度級掩模的圖；圖12A至12C是說明本發(fā)明的顯示面板的透視圖；圖13A至13D是說明使用本發(fā)明的發(fā)光裝置的電子設(shè)備的透視圖；圖14是說明使用本發(fā)明的發(fā)光裝置的電子設(shè)備的圖；圖15A和15B是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的截面圖；圖16A至16C是說明可以應(yīng)用于本發(fā)明的發(fā)光裝置的像素的截面圖；圖17A和17B是說明本發(fā)明的發(fā)光顯示面板的俯視圖及截面圖18是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的框圖19是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)的等效電路圖；圖20是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)的等效電路圖；圖21是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的驅(qū)動電路的布局的俯視圖；圖22A和22B是示出通過拉曼光譜法檢測微晶半導(dǎo)體膜的結(jié)果的圖；圖23是用于器件模擬的模型圖24是示出根據(jù)器件模擬得到的電流電壓特性的圖25A和25B是示出根據(jù)器件模擬得到的薄膜晶體管的電子濃度分布的圖。本發(fā)明的選擇圖為圖2A至2C。具體實(shí)施例方式下面，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式將參照附圖給予說明。但是，所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)，就是本發(fā)明可以以多個(gè)不同形式來實(shí)施，其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。實(shí)施方式l在本實(shí)施方式中，對于用于發(fā)光裝置的薄膜晶體管的制造工序，參照圖1A至圖12C進(jìn)行說明。圖1A至圖4B、圖6A至圖8B是示出薄膜晶體管的制造工序的截面圖，而圖5A至5C以及圖9A至9D是一個(gè)像素中的薄膜晶體管及像素電極的連接區(qū)域的俯視圖。具有微晶半導(dǎo)體膜的n型薄膜晶體管更優(yōu)選用于驅(qū)動電路，因?yàn)槠潆妶鲂?yīng)遷移率高于具有微晶半導(dǎo)體膜的P型薄膜晶體管的遷移率。優(yōu)選使形成在相同襯底上的所有薄膜晶體管的極性為相同，以抑制工序數(shù)的增加。在此，使用n溝道型的薄膜晶體管來進(jìn)行說明。如圖1A所示，在襯底50上形成柵電極51。襯底50可以使用通過熔化方法或浮發(fā)方法(floatmethod)制造的無堿玻璃襯底例如鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃等、或陶瓷襯底，還可以使用具有可承受本制造工序的處理溫度的耐熱性的塑料襯底等。此外，還可以使用在不銹鋼合金等金屬襯底表面上設(shè)置絕緣膜的襯底。在襯底50是母玻璃的情況下，其尺寸可以采用第一代(320mmx400ram)、第二代(400mmx500mm)、第三代(550mmx650mm)、第四代(680mmx880mm或730mmx920mm)、第五代(1000mmxl200mm或1100ramxl250mm)、第六代(1500mmxl800mm)、第七代(1900mmx2200mm)、第八代(2160mmx2460mm)、第九代(2400mmx2800nmi或2450mmx3050mm)、第十代(2950mmx3400mm)等。使用鈦、鉬、鉻、鉭、鎢、鋁等的金屬材料或其合金材料形成柵電極51?？梢酝ㄟ^濺射法、真空蒸鍍法在襯底50上形成導(dǎo)電膜，通過光刻技術(shù)或噴墨法在該導(dǎo)電膜上形成掩模，并使用該掩模蝕刻導(dǎo)電膜，來形成柵電極51。注意，作為用來提高柵電極51的緊密性并防止擴(kuò)散到基底的阻擋金屬，也可以將上述金屬材料的氮化物膜設(shè)置在襯底50和柵電極51之間。在此，通過采用使用第一光掩模形成的抗蝕劑掩模來蝕刻形成在襯底50上的導(dǎo)電膜，來形成柵電極51。注意，因?yàn)樵跂烹姌O51上形成絕緣膜、半導(dǎo)體膜及布線等，所以其端部優(yōu)選加工為錐形形狀，以便防止斷開。此外，雖然未圖示，但可以通過該工序同時(shí)形成連接到柵電極的布線。其次，在柵電極51上按順序形成柵極絕緣膜52a、52b、微晶半導(dǎo)體膜53、緩沖層54、以及添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55、導(dǎo)電膜65a至65c。接著，在導(dǎo)電膜65c上涂敷抗蝕劑80。注意，優(yōu)選至少連續(xù)形成柵極絕緣膜52a、52b、微晶半導(dǎo)體膜53及緩沖層54。再者，優(yōu)選連續(xù)形成柵極絕緣膜52a、52b、微晶半導(dǎo)體膜53、緩沖層54、以及添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55。通過在不接觸大氣的狀態(tài)下至少連續(xù)形成柵極絕緣膜52a、52b、微晶半導(dǎo)體膜53、及緩沖層54，可以形成各個(gè)疊層界面而不被大氣成分及懸浮在大氣中的污染雜質(zhì)元素污染，因此可以減少薄膜晶體管特性的不均勻。柵極絕緣膜52a、52b分別可以通過CVD法或?yàn)R射法等并使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、或氮氧化硅膜來形成。在此示出，按順序?qū)盈B氧化硅膜或氧氮化硅膜、和氮化硅膜或氮氧化硅膜來形成柵極絕緣膜52a、52b的方式。另外，柵極絕緣膜還可以不采用兩層結(jié)構(gòu)，而從襯底一側(cè)按順序?qū)盈B氮化硅膜或氮氧化硅膜、氧化硅膜或氧氮化硅膜、和氮化硅膜或氮氧化硅膜的三層來形成柵極絕緣膜。此外，還可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜或者氮氧化硅膜的單層來形成柵極絕緣膜。在此，氧氮化硅膜是指具有如下組成的膜氧的含有量比氮的含有量多，并且在采用盧瑟福背散射光譜學(xué)法(RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry)以及氫前方散射法(HFS:HydrogenForwardScattering)檢測時(shí)，作為濃度范圍，包含50原子％至70原子％的氧，包含O.5原子％至15原子％的氮，包含25原子％至35原子％的硅，包含O.1原子％至10原子％的氫。此外，氮氧化硅膜是指具有如下組成的膜氮的含量比氧的含量多，并且在采用RBS及HFS檢測時(shí)，作為濃度范圍，包含5原子％至30原子％的氧，包含20原子％至55原子％的氮，包含25原子％至35原子％的硅，包含10原子％至30原子%的氫。但是，在構(gòu)成氧氮化硅或氮氧化硅的原子的總和為100原子％時(shí)，氮、氧、硅及氫的含有比率包括在上述范圍內(nèi)。微晶半導(dǎo)體膜53是指包括非晶結(jié)構(gòu)和結(jié)晶結(jié)構(gòu)(包括單晶、多晶)之間的中間結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體的膜。該半導(dǎo)體為具有在自由能方面上很穩(wěn)定的第三狀態(tài)的半導(dǎo)體，并且具有短程有序且具有晶格應(yīng)變的結(jié)晶質(zhì)的半導(dǎo)體，粒徑為0.5rnn至20nm的柱狀或針狀結(jié)晶在對于襯底表面成為法線的方向上生長。此外，微晶半導(dǎo)體與非晶半導(dǎo)體混合在一起。在微晶半導(dǎo)體的典型例子的微晶硅中，其拉曼光譜轉(zhuǎn)移到比表示單晶硅的521cnf'低波數(shù)一側(cè)。即，微晶硅的拉曼光譜的峰值位于表示單晶硅的521cnf'和表示非晶硅的480cm—'之間。此外，包含有至少1原子％或更多的氫或鹵素，以便終止懸空鍵。再者，可以通過將氦、氬、氪、氖等的稀有氣體元素包含在微晶半導(dǎo)體膜中而進(jìn)一步促進(jìn)晶格應(yīng)變來提高穩(wěn)定性以獲得良好的微晶半導(dǎo)體膜。關(guān)于這種微晶半導(dǎo)體膜的記述例如在美國專利文件4，409，134號中公開。可以通過使用頻率為幾十MHz至幾百M(fèi)Hz的高頻率等離子體CVD法、或頻率為1GHz以上的微波等離子體CVD裝置形成該微晶半導(dǎo)體膜。代表性地，可以使用氫稀釋Si仏、Si晶等的氫化硅形成。另外，除了使用氫化硅及氫之外，還可以使用選自氦、氬、氪、氖中的一種或多種稀有氣體元素進(jìn)行稀釋，來形成微晶半導(dǎo)體膜。將氫的流量比設(shè)定為此時(shí)的氫化硅的50倍以上1000倍以下，優(yōu)選設(shè)定為50倍以上200倍以下，更優(yōu)選為100倍。注意，也可以使用SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等代替氫化硅。此外，由于當(dāng)示意性地不添加用于價(jià)電子控制的雜質(zhì)元素時(shí)，微晶半導(dǎo)體膜呈現(xiàn)弱n型導(dǎo)電性，因此可以通過在形成膜的同時(shí)或形成膜之后對于用作薄膜晶體管的溝道形成區(qū)域的微晶半導(dǎo)體膜添加賦予P型的雜質(zhì)元素，來控制閾值。作為賦予P型的雜質(zhì)元素的典型，可舉出硼，優(yōu)選將B2Hs、BF3等的雜質(zhì)氣體以lppm至1000ppm的比例，優(yōu)選以lppm至100ppm的比例混入到氫化硅中。而且，硼的濃度例如優(yōu)選為1X10(14)atoms/cm3至6X10(16)atoms/cm3。此外，微晶半導(dǎo)體膜的氧濃度優(yōu)選為5Xl(Tcm—3以下，更優(yōu)選為1X10"cnT3以下，且氮及碳的濃度分別為3X10、m—3以下。通過降低混入到微晶半導(dǎo)體膜中的氧、氮、及碳的濃度，可以防止微晶半導(dǎo)體膜的n型化。微晶半導(dǎo)體膜53以厚于Onm至200nm以下的厚度，優(yōu)選以lnm以上100nm以下的厚度，更優(yōu)選以5nm以上50nm以下的厚度形成。微晶半導(dǎo)體膜53用作后面形成的薄膜晶體管的溝道形成區(qū)域。通過以5rnn以上50nm的范圍內(nèi)的厚度形成微晶半導(dǎo)體膜53，后面形成的薄膜晶體管成為完全耗盡型。此外，因?yàn)槲⒕О雽?dǎo)體膜53的成膜速度比非晶半導(dǎo)體膜慢，即為非晶半導(dǎo)體膜的成膜速度的1/10至1/100，所以通過減薄膜厚度，可以提高生產(chǎn)率。由于微晶半導(dǎo)體膜由微晶構(gòu)成，因此其電阻比非晶半導(dǎo)體膜低。由此，在將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管中表示電流電壓特性的曲線的上升部分的傾斜急劇，其作為開關(guān)元件的響應(yīng)性優(yōu)良且可以進(jìn)行高速驅(qū)動。此外，通過將微晶半導(dǎo)體膜用于薄膜晶體管的溝道形成區(qū)域，可以抑制薄膜晶體管的閾值變動。因此，可以制造電特性的不均勻少的發(fā)光裝置。另外，微晶半導(dǎo)體膜的遷移率比非晶半導(dǎo)體膜高。因此，通過使用其溝道形成區(qū)域由微晶半導(dǎo)體膜形成的薄膜晶體管作為發(fā)光元件的開關(guān)，可以縮小溝道形成區(qū)域的面積，即薄膜晶體管的面積。由此，在每一個(gè)像素中薄膜晶體管所占的面積縮小，可以提高像素的開口率。結(jié)果，可以制造分辨率高的裝置可以通過使用SiH4、Si2H6等的氫化硅并采用等離子體CVD法形成緩沖層54。此外，可以對上述氫化硅添加選自氦、氬、氪、氖中的一種或多種的稀有氣體元素進(jìn)行稀釋形成非晶半導(dǎo)體膜。通過使用其流量為氫化硅的流量的l倍以上20倍以下，優(yōu)選為1倍以上10倍以下，更優(yōu)選為l倍以上5倍以下的氫，可以形成包含氫的非晶半導(dǎo)體膜。此外，通過使用上述氫化硅和氮或氨，可以形成包含氮的非晶半導(dǎo)體膜。另外，通過使用上述氫化硅和包含氟、氯、溴、或碘的氣體(F2、Cl2、Br2、12、HF、HC1、HBr、HI等)，可以形成包含氟、氯、溴、或碘的非晶半導(dǎo)體膜。注意，可以使用SiH2Ch、SiHCl3、SiCl4、Sih等。此外，作為緩沖層54，可以將非晶半導(dǎo)體用作靶子并使用氫或稀有氣體進(jìn)行濺射來形成非晶半導(dǎo)體膜。此時(shí)，通過將氨、氮、或N20包含在氣氛中，可以形成含有氮的非晶半導(dǎo)體膜。另外，通過將含有氟、氯、溴、或碘的氣體(F2、Cl2、Br2、12、HF、HC1、HBr、HI等)包含在氣氛中，可以形成含有氟、氯、溴、或碘的非晶半導(dǎo)體膜。此外，作為緩沖層54，也可以在微晶半導(dǎo)體膜53的表面上采用等離子體CVD法或?yàn)R射法形成非晶半導(dǎo)體膜，然后對非晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行使用氫等離子體、氮等離子體、或鹵素等離子體的處理，來使非晶半導(dǎo)體膜表面氫化、氮化、或鹵化?；蛘撸部梢詫Ψ蔷О雽?dǎo)體膜的表面進(jìn)行使用氦等離子體、氖等離子體、氬等離子體、氪等離子體等的處理。優(yōu)選使用不包含晶粒的非晶半導(dǎo)體膜形成緩沖層54。因此，在采用頻率為幾十MHz至幾百M(fèi)Hz的高頻等離子體CVD法、或微波等離子體CVD法形成非晶半導(dǎo)體膜的情況下，優(yōu)選控制成膜條件以使它成為不包含晶粒的非晶半導(dǎo)體膜。緩沖層54的一部分有時(shí)會在后面的源區(qū)域及漏區(qū)域的形成過程中被蝕刻，從而緩沖層54優(yōu)選以在蝕刻之后其一部分殘留的厚度來形成。典型地說，優(yōu)選以150nm以上200nm以下的厚度形成緩沖層54。注意，緩沖層54優(yōu)選不添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素如磷、硼等。尤其是，用來控制閾值包含在微晶半導(dǎo)體膜中的硼、或包含在添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜中的磷優(yōu)選不混入在緩沖層54中。結(jié)果，通過消除PN結(jié)所導(dǎo)致的漏電流的產(chǎn)生區(qū)域，可以實(shí)現(xiàn)漏電流的減少。此外，通過在添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜和微晶半導(dǎo)體膜之間形成不添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素如磷、硼等的非晶半導(dǎo)體膜，可以防止分別包含在微晶半導(dǎo)體膜和源區(qū)域及漏區(qū)域中的雜質(zhì)擴(kuò)散。通過在微晶半導(dǎo)體膜53的表面上形成非晶半導(dǎo)體膜，進(jìn)一步形成包含氫、氮、或卣素的非晶半導(dǎo)體膜，來可以防止包含在微晶半導(dǎo)體膜53的晶粒表面的自然氧化。特別是，在非晶半導(dǎo)體和微晶粒相接觸的區(qū)域中，因受局部應(yīng)力而容易產(chǎn)生裂縫。當(dāng)該裂縫與氧接觸時(shí)產(chǎn)生晶粒的氧化，并形成氧化硅。然而，通過在微晶半導(dǎo)體膜53的表面上形成緩沖層，可以防止微晶粒的氧化。此外，通過形成緩沖層，可以防止當(dāng)后面形成源區(qū)域及漏區(qū)域之際產(chǎn)生的蝕刻殘?jiān)烊氲轿⒕О雽?dǎo)體膜中。此外，使用非晶半導(dǎo)體膜或使用包含氫、氮、或鹵素的非晶半導(dǎo)體膜形成緩沖層54。因此非晶半導(dǎo)體膜的能隙比微晶半導(dǎo)體膜的能隙大(非晶半導(dǎo)體膜的能隙為1.leV至1.5eV，而微晶半導(dǎo)體膜的能隙為1.6eV至1.8eV)，電阻高，并且遷移率低，即為微晶半導(dǎo)體膜的1/5至1/10。由此，在后面形成的薄膜晶體管中，形成在源區(qū)域及漏區(qū)域和微晶半導(dǎo)體膜之間的緩沖層用作高電阻區(qū)域，而微晶半導(dǎo)體膜用作溝道形成區(qū)域。因此，可以減少薄膜晶體管的截止電流。當(dāng)將該薄膜晶體管用作發(fā)光裝置的開關(guān)元件時(shí)，可以提高發(fā)光裝置的對比度。在形成n溝道型薄膜晶體管的情況下，添加磷作為典型雜質(zhì)元素，即對于氫化硅添加PH3等的雜質(zhì)氣體，來形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55，即可。此外，在形成p溝道型薄膜晶體管的情況下，添加硼作為典型雜質(zhì)元素即可，即對于氫化硅添加B2H6等的雜質(zhì)氣體即可。可以使用微晶半導(dǎo)體膜或非晶半導(dǎo)體膜形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55。再者，也可以使用添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的非晶半導(dǎo)體膜和添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的微晶半導(dǎo)體膜的疊層形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55。通過在緩沖層54—側(cè)形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的非晶半導(dǎo)體膜，并在其上形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的微晶半導(dǎo)體膜，電阻逐漸變化，所以載流子容易流過，而可以提高遷移率。以2nm以上50nm以下的厚度形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55。通過減薄添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜的膜厚度，可以提高生產(chǎn)率。在此，參照圖IO示出一種等離子體CVD裝置，該微波等離子體CVD裝置能夠連續(xù)進(jìn)行從形成柵極絕緣膜52a、52b的步驟到形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55。圖10是示出等離子體CVD裝置的俯視截面的示意圖，其具有在公共室1120的周圍具備裝載室1110、卸載室1115、反應(yīng)室(1)1111至反應(yīng)室(4)1114的結(jié)構(gòu)。在公共室1120和每個(gè)室之間具備閘閥1122至1127，以防止在每個(gè)室內(nèi)進(jìn)行的處理互相干涉。襯底裝載在裝載室1110、卸載室1115的盒子1128、1129，然后由公共室1120的傳送單元1121傳送到反應(yīng)室(1)llll至反應(yīng)室(4)1114。該微波等離子體CVD裝置能夠?qū)τ诿總€(gè)堆積膜種類分配反應(yīng)室，從而可以在不與大氣接觸的狀態(tài)下連續(xù)形成多個(gè)不同的覆蓋膜。在反應(yīng)室(1)至反應(yīng)室(4)的各個(gè)中，分別層疊形成柵極絕緣膜52a、52b、微晶半導(dǎo)體膜53、緩沖層54、以及添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55。在此情況下，通過轉(zhuǎn)換原料氣體，可以連續(xù)地層疊多個(gè)不同種類的膜。在此情況下，形成柵極絕緣膜，然后將硅垸等的氫化硅引入到反應(yīng)室內(nèi)，使殘留氧及氫化硅反應(yīng)，并將反應(yīng)物排出到反應(yīng)室的外部，從而可以降低反應(yīng)室內(nèi)的殘留氧濃度。結(jié)果，可以降低包含在微晶半導(dǎo)體膜中的氧濃度。此外，可以防止包含在微晶半導(dǎo)體膜中的晶粒的氧化。或者，在反應(yīng)室(1)及反應(yīng)室(3)中形成柵極絕緣膜52a、52b、微晶半導(dǎo)體膜53、以及緩沖層54，而在反應(yīng)室(2)及反應(yīng)室(4)中形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55。通過只使用賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)單獨(dú)地進(jìn)行成膜，可以防止殘留在反應(yīng)室中的賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素混入到其他膜中。像這樣，由于可以使用連接有多個(gè)反應(yīng)室的微波等離子體CVD裝置同時(shí)形成柵極絕緣膜52a、52b、微晶半導(dǎo)體膜53、緩沖層54、以及添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55，因此提高批量生產(chǎn)性。此外，即使在某個(gè)反應(yīng)室中進(jìn)行維護(hù)及清洗，也可以在其他反應(yīng)室中形成膜，從而可以縮短成膜周期(cycletime)。另外，因?yàn)榭梢栽诓槐淮髿獬煞旨皯腋≡诖髿庵械奈廴倦s質(zhì)元素污染的狀態(tài)下形成各個(gè)疊層界面，所以可以減少薄膜晶體管的特性的不均勻。此外，可以在反應(yīng)室(1)中形成柵極絕緣膜52a、52b，在反應(yīng)室(2)中形成微晶半導(dǎo)體膜53及緩沖層54，在反應(yīng)室(3)中形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55。另外，在使用氧化硅膜或氧氮化硅膜形成柵極絕緣膜52a，并使用氮化硅膜或氮氧化硅膜形成柵極絕緣膜52b的情況下，也可以設(shè)置五個(gè)反應(yīng)室，并且在反應(yīng)室(1)中形成柵極絕緣膜52a的氧化硅膜或氧氮化硅膜，在反應(yīng)室(2)中形成柵極絕緣膜52b的氮化硅膜或氮氧化硅膜，在反應(yīng)室(3)中形成微晶半導(dǎo)體膜，在反應(yīng)室(4)中形成緩沖層，在反應(yīng)室(5)中形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜。此外，因?yàn)槲⒕О雽?dǎo)體膜的成膜速度較慢，所以也可以在多個(gè)反應(yīng)室中形成微晶半導(dǎo)體膜。例如，也可以在反應(yīng)室(1)中形成柵極絕緣膜52a、52b，在反應(yīng)室(2)及(3)中形成微晶半導(dǎo)體膜53，在反應(yīng)室(4)中形成緩沖層54，在反應(yīng)室(5)中形成添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55。像這樣，通過在多個(gè)反應(yīng)室中同時(shí)形成微晶半導(dǎo)體膜53，可以提高生產(chǎn)率。注意，此時(shí)優(yōu)選使用要形成的種類的膜涂敷各個(gè)反應(yīng)室的內(nèi)壁。由于當(dāng)使用這種結(jié)構(gòu)的等離子體CVD裝置時(shí)，可以在各個(gè)反應(yīng)室中形成類似種類的膜或一種膜，并且在不暴露在大氣的狀態(tài)下連續(xù)形成上述膜，因此可以在不被已形成的膜的殘留物及懸浮在大氣中的雜質(zhì)元素污染的狀態(tài)下形成各個(gè)疊層界面。注意，雖然在圖IO所示的等離子體CVD裝置中分別設(shè)置有裝載室及卸裝室，但是也可以設(shè)置一個(gè)裝載/卸裝室。此外，在微波等離子體CVD裝置中也可以設(shè)置備用室。由于可以通過在備用室中對襯底進(jìn)行預(yù)熱而在各個(gè)反應(yīng)室中縮短到形成膜的加熱時(shí)間，因此可以提高生產(chǎn)率。下面，說明成膜處理。在這種成膜處理中，根據(jù)其目的而選擇從氣體供給部供給的氣體，即可。在此，作為一例舉出如下方法形成氧氮化硅膜作為柵極絕緣膜52a，并形成氮氧化硅膜作為柵極絕緣膜52b。首先，對于微波等離子體CVD裝置的反應(yīng)室的處理容器內(nèi)部使用氟自由基進(jìn)行清洗。注意，通過將氟化碳、氟化氮、或氟引入到設(shè)置在反應(yīng)室外側(cè)的等離子體產(chǎn)生器中并離解，然后將氟自由基引入到反應(yīng)室中，可以對反應(yīng)室進(jìn)行清洗。通過在使用氟自由基進(jìn)行清洗之后，將大量的氫引入到反應(yīng)室內(nèi)，來使反應(yīng)室內(nèi)的殘留氟和氫彼此反應(yīng)，從而可以降低殘留氟的濃度。由此，可以減少對于后面在反應(yīng)室內(nèi)壁形成的保護(hù)膜的氟混入量，并可以減薄保護(hù)膜的厚度。接著，在反應(yīng)室的處理容器的內(nèi)壁的表面上堆積氧氮化膜作為保護(hù)膜。在此，處理容器內(nèi)的壓力為1Pa至200Pa，優(yōu)選為1Pa至100Pa，并且引入氦、氬、氙、氪等的稀有氣體的任何一種以上的氣體作為等離子體點(diǎn)燃用氣體。再者，引入稀有氣體的任何一種及氫。特別是，優(yōu)選使用氦作為等離子體點(diǎn)燃用氣體，更優(yōu)選使用氦和氫作為等離子體點(diǎn)燃用氣體。氦的離子化能量較高，即為24.5eV。但是，由于準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)位于大約20eV，因此在放電中可以以大約4eV進(jìn)行離子化。由此，放電開始電壓低，且容易維持放電。從而可以均勻地維持等離子體且實(shí)現(xiàn)節(jié)能。此外，也可以引入使用氦、氬、氙、氪等的稀有氣體的任何一種以上及氧氣體作為等離子體點(diǎn)燃用氣體。通過將氧氣體與稀有氣體一起引入到處理容器中，可以容易進(jìn)行等離子體的點(diǎn)燃。接著，使電源裝置的電源開啟，并且在電源裝置的輸出為500W至6000W，優(yōu)選為4000W至6000W的情況下產(chǎn)生等離子體。接著，將原料氣體從氣體供應(yīng)部引入到處理容器內(nèi)。具體而言，通過引入一氧化二氮、稀有氣體、及硅烷作為原料氣體，在處理容器的內(nèi)壁表面上形成氧氮化硅膜作為保護(hù)膜。此時(shí)的氫化硅的流量為50sccm至300sccm，一氧化二氮的流量為500sccm至6000sccm，保護(hù)膜的膜厚度為500nm至2000nm。接著，在停止原料氣體的供給，降低處理容器內(nèi)的壓力，并使電源裝置的電源關(guān)閉之后，將襯底設(shè)置在處理容器內(nèi)的支架臺上。接著，通過與上述保護(hù)膜相同的工序，在襯底上堆積氧氮化硅膜作為柵極絕緣膜52a。在堆積預(yù)定的厚度的氧氮化硅膜之后，停止原料氣體的供給，降低處理容器內(nèi)的壓力，并使電源裝置的電源關(guān)閉。接著，處理容器內(nèi)的壓力為1Pa至200Pa，優(yōu)選為1Pa至100Pa，作為等離子體點(diǎn)燃用氣體，引入氦、氬、氙、氪等的稀有氣體的任何一種以上、原料氣體的硅垸、一氧化二氮、及氨。注意，作為原料氣體，也可以引入氮代替氨。接著，使電源裝置的電源開啟，并且在電源裝置的輸出為500W至6000W，優(yōu)選為4000W至6000W的情況下產(chǎn)生等離子體。接著，將原料氣體從氣體供應(yīng)部引入到處理容器內(nèi)，在襯底1130的氧氮化硅膜上形成氮氧化硅膜作為柵極絕緣膜52b。接著，停止原料氣體的供給，降低處理容器內(nèi)的壓力，并使電源裝置的電源關(guān)閉，來結(jié)束成膜過程。根據(jù)上述步驟，通過以反應(yīng)室內(nèi)壁的保護(hù)膜為氧氮化硅膜并在襯底上連續(xù)形成氧氮化硅膜及氮氧化硅膜，可以減少氧化硅等的雜質(zhì)混入到上層一側(cè)的氮氧化硅膜中。通過采用將能夠產(chǎn)生微波的電源裝置用作電源裝置的微波等離子體CVD法形成上述膜，等離子體密度提高而可以形成高耐壓性的膜。當(dāng)將該膜用作柵極絕緣膜時(shí)，可以減少晶體管的閾值的不均勻。此外，可以提高BT特性。另外，對于靜電的耐性提高，從而可以制造即使被施加高電壓也不容易破壞的晶體管。而且，還可以制造隨時(shí)間破壞少的晶體管、以及熱載流子損壞少的晶體管。此外，在將使用微波等離子體CVD裝置形成的氧氮化硅膜的單層作為柵極絕緣膜的情況下，采用上述保護(hù)膜的形成方法及氧氮化硅膜的形成方法。特別是，通過將對于硅垸的一氧化二氮的流量比設(shè)定為50倍以上300倍以下，優(yōu)選設(shè)定為50倍以上250倍以下，可以形成高耐壓性的氧氮化硅膜。接著，示出一種成膜處理方法，其中通過等離子體CVD法連續(xù)地形成微晶半導(dǎo)體膜及用作緩沖層非晶半導(dǎo)體膜。首先，與上述柵極絕緣膜同樣地進(jìn)行反應(yīng)室的清洗。接著，在處理容器內(nèi)堆積硅膜作為保護(hù)膜。在此，處理容器內(nèi)的壓力為1Pa至200Pa，優(yōu)選為1Pa至100Pa，并且引入氦、氬、氙、氪等的稀有氣體的任何一種以上的氣體作為等離子體點(diǎn)燃用氣體。此外，也可以與稀有氣體一起引入氫。接著，使電源裝置的電源開啟，并且在電源裝置的輸出為500W至6000W，優(yōu)選為4000W至6000W的情況下產(chǎn)生等離子體。接著，將原料氣體從氣體供應(yīng)部引入到處理容器內(nèi)。具體而言，通過引入氫化硅氣體、及氫氣體作為原料氣體，在處理容器的內(nèi)壁表面上形成微晶硅膜作為保護(hù)膜。此外，可以對氫化硅氣體及氫氣體添加選自氦、氬、氪、氖中的一種或多種稀有氣體元素進(jìn)行稀釋來形成微晶半導(dǎo)體膜。此時(shí)的對于氫化硅的氫的流量比為5倍以上1000倍以下，優(yōu)選為50倍以上200倍以下，更優(yōu)選為IOO倍以上150倍以下。另外，此時(shí)的保護(hù)膜的膜厚度為500nm至2000nm。注意，也可以在使電源裝置的電源開啟之前，在處理容器中除了上述稀有氣體之外還可以引入氫化硅氣體及氫氣體。此外，可以使用利用選自氦、氬、氪、氖中的一種或多種稀有氣體元素稀釋的氫化硅氣體及氫氣體來形成非晶半導(dǎo)體膜作為保護(hù)膜。接著，在停止原料氣體的供給，降低處理容器內(nèi)的壓力，并使電源裝置的電源關(guān)閉之后，將襯底設(shè)置在處理容器內(nèi)的支架臺上。接著，也可以對于形成在襯底上的柵極絕緣膜52b的表面進(jìn)行氫等離子體處理。通過在形成微晶半導(dǎo)體膜之前進(jìn)行氫等離氣體處理，可以減少柵極絕緣膜及微晶半導(dǎo)體膜的界面上的晶格應(yīng)變，并可以提高柵極絕緣膜及微晶半導(dǎo)體膜的界面特性。因此，可以提高后面形成的薄膜晶體管的電特性。此外，在上述氫等離子體處理中，通過也對形成在處理容器內(nèi)的保護(hù)膜的非晶半導(dǎo)體膜或微晶半導(dǎo)體膜進(jìn)行氫等離子體處理，保護(hù)膜被蝕刻而在柵極絕緣膜52b的表面上堆積有少量的半導(dǎo)體。該半導(dǎo)體成為結(jié)晶生長的核，因該核而微晶半導(dǎo)體膜堆積。結(jié)果，可以減少柵極絕緣膜及微晶半導(dǎo)體膜的界面的晶格應(yīng)變，并可以提高柵極絕緣膜及微晶半導(dǎo)體膜的界面特性。由此，可以提高后面形成的薄膜晶體管的電特性。接著，通過與上述保護(hù)膜相同的工序，在襯底上堆積微晶硅膜。微晶硅膜的膜厚度為厚于Onm至50mn以下，優(yōu)選厚于Onm至20nm以下。在堆積預(yù)定的厚度的微晶硅膜之后，停止原料氣體的供給，降低處理容器內(nèi)的壓力，并使電源裝置的電源關(guān)閉，來結(jié)束形成微晶硅膜的過程。接著，降低處理容器內(nèi)的壓力并調(diào)節(jié)原料氣體的流量。具體而言，將氫氣體的流量比微晶半導(dǎo)體膜的成膜條件大幅度地降低。典型地，要引入的氫氣體的流量為氫化硅的流量的l倍以上20倍以下，優(yōu)選為l倍以上IO倍以下，更優(yōu)選為1倍以上5倍以下?；蛘撸粚錃怏w引入到處理容器內(nèi)而引入氫化硅氣體。像這樣，通過減少對于氫化硅的氫的流量，可以提高作為緩沖層的非晶半導(dǎo)體膜的成膜速度?；蛘撸藲浠铓怏w之外還使用選自氦、氬、氪、氖中的一種或多種稀有氣體元素進(jìn)行稀釋。接著，通過使電源裝置的電源開啟并將其輸出設(shè)定為500W至6000W，優(yōu)選為4000W至6000W來產(chǎn)生等離子體，從而可以形成非晶半導(dǎo)體膜。由于非晶半導(dǎo)體膜的成膜速度比微晶半導(dǎo)體膜的成膜速度高，因此可以將處理容器內(nèi)的壓力設(shè)定得低。此時(shí)的非晶半導(dǎo)體膜的膜厚度為200nm至400nm。在堆積預(yù)定的厚度的非晶半導(dǎo)體膜之后，停止原料氣體的供給，降低處理容器內(nèi)的壓力，并使電源裝置的電源關(guān)閉，來結(jié)束形成非晶半導(dǎo)體膜的過程。注意，也可以在點(diǎn)燃等離子體的狀態(tài)下形成微晶半導(dǎo)體膜53及用作緩沖層54的非晶半導(dǎo)體膜。具體而言，逐漸減少對于用來形成微晶半導(dǎo)體膜53的原料氣體的氫化硅的氫的流量比而層疊微晶半導(dǎo)體膜53及用作緩沖層54的非晶半導(dǎo)體膜。通過上述方法，可以不使雜質(zhì)堆積在微晶半導(dǎo)體膜54及緩沖層54的界面上而形成應(yīng)變少的界面，并且可以提高后面形成的薄膜晶體管的電特性。在形成微晶半導(dǎo)體膜53的情況下，優(yōu)選使用頻率為1GHz以上的微波等離子體CVD裝置。由于微波等離子體的電子密度高，且從原料氣體形成多個(gè)自由基而供給給襯底1130，因此促進(jìn)襯底上的自由基表面反應(yīng)，來可以提高微晶硅的成膜速度?？梢允褂胠MHz至20MHz的高頻，典型為13.56MHz或大于20MHz至120MHz左右的VHF帶的高頻，典型為27.12MHz、60MHz的等離子體CVD法來形成微晶半導(dǎo)體膜。注意，在柵極絕緣膜及半導(dǎo)體膜的各個(gè)制造工序中，當(dāng)在反應(yīng)室的內(nèi)壁上形成有500nm至2000rnn的保護(hù)膜時(shí)，可以省略上述清洗處理及保護(hù)膜形成處理。接著，在添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55上形成導(dǎo)電膜65a至65c。優(yōu)選使用鋁、銅、或者添加有、硅、鈦、釹、鈧、鉬等耐熱性提高元素或小丘防止元素的鋁合金的單層或疊層形成導(dǎo)電膜65a至65c。此外，也可以采用如下疊層結(jié)構(gòu)使用鈦、鉭、鉬、鎢或上述元素的氮化物形成與添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜接觸一側(cè)的膜，在其上形成鋁或鋁合金。再者，還可以采用如下疊層結(jié)構(gòu)使用鈦、鉭、鉬、鎢或上述元素的氮化物夾鋁或鋁合金的上面及下面。在此，作為導(dǎo)電膜示出具有層疊有導(dǎo)電膜65a至65c的三層的結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜，例如示出將鉬膜用作導(dǎo)電膜65a、65c并將鋁膜用作導(dǎo)電膜65b的疊層導(dǎo)電膜、以及將鈦膜用作導(dǎo)電膜65a、65c并將鋁膜用作導(dǎo)電膜65b的疊層導(dǎo)電膜。通過濺射法或真空蒸鍍法形成導(dǎo)電膜65a至65c。作為抗蝕劑80可以使用正型抗蝕劑或負(fù)型抗蝕劑。在此使用正型抗蝕劑來示出。接著，使用多級灰度掩模59作為第二光掩模并對抗蝕劑80照射光來使抗蝕劑80曝光。在此，參照圖IIA至11D說明使用多級灰度掩模59的曝光。多級灰度掩模是可以對于曝光部分、中間曝光部分、以及未曝光部分以三種的曝光標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行曝光的掩模，并且可以通過一次的曝光及顯影工序形成具有多種(典型的是兩種)厚度的區(qū)域的抗蝕劑掩模。因此，通過使用多級灰度掩模，可以縮減光掩模的數(shù)量。作為多級灰度掩模的典型例子，具有圖11A所示的灰色色調(diào)掩模59a、圖11C所示的半色調(diào)掩模59b。如圖11A所示，灰色色調(diào)掩模59a由具有透光性的襯底163、形成在其上的遮光部164、以及衍射光柵165構(gòu)成。在遮光部164中，光的透過量為0%。另一方面，衍射光柵165通過將槽縫、點(diǎn)、網(wǎng)孔等光透過部的間隔成為用于曝光的光的分辨率限制以下的間隔來可以控制光的透過量。注意，衍射光柵165都可以使用周期性的槽縫、點(diǎn)、網(wǎng)孔、或非周期性的槽縫、點(diǎn)、網(wǎng)孔。具有透光性的襯底163可以使用石英等的具有透光性的襯底。遮光部164及衍射光柵165可以使用鉻、氧化鉻等的吸收光的遮光材料形成。在對灰色色調(diào)掩模59a照射曝光光線的情況下，如圖11B所示，遮光部164中的光透過量166為0%，而不設(shè)置有遮光部164及衍射光柵165的區(qū)域中的光透過量166為100%。此外，在衍射光柵165中，可以在10%至70%的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)光透過量166。通過調(diào)節(jié)衍射光柵165的槽縫、點(diǎn)、或網(wǎng)孔的間隔或間距，可以調(diào)節(jié)衍射光柵165中的光透過量。如圖11C所示，半色調(diào)掩模59b由具有透光性的襯底163及形成在其上的半透過部167以及遮光部168構(gòu)成。半透過部167可以使用MoSiN、MoSi、MoSiO、MoSiON、CrSi等。遮光部168可以使用鉻、氧化鉻等的吸收光的遮光材料形成。在對半色調(diào)掩模5%照射曝光光線的情況下，如圖11D所示，遮光部168中的光透過量169為0%，而不設(shè)置有遮光部168及半透過部167的區(qū)域中的光透過量169為100%。此外，在半透過部167中，可以在10%至70%的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)光透過量169。通過調(diào)節(jié)半透過部167的材料，可以調(diào)節(jié)半透過部167中的光透過量。在使用多級灰度掩模曝光之后，通過進(jìn)行顯影，可以如圖1B所示那樣地形成具有膜厚度不同的區(qū)域的抗蝕劑掩模81。接著，通過使用抗蝕劑掩模81，蝕刻微晶半導(dǎo)體膜53、緩沖層54、添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55、以及導(dǎo)電膜65a至65c來進(jìn)行分離。結(jié)果，可以形成如圖2A所示那樣的微晶半導(dǎo)體膜61、緩沖層62、添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜63、以及導(dǎo)電膜85a至85c。注意，圖2A相當(dāng)于沿著圖5A的A-B線的截面圖(但是抗蝕劑掩模86除外)。通過微晶半導(dǎo)體膜61、緩沖層62的端部側(cè)面傾斜，可以防止形成在緩沖層62上的源區(qū)域及漏區(qū)域和微晶半導(dǎo)體膜61之間產(chǎn)生的漏電流。此外，還可以防止源電極及漏電極和微晶半導(dǎo)體膜61之間產(chǎn)生的漏電流。微晶半導(dǎo)體膜61及緩沖層62的端部側(cè)面的傾斜角度為30。至90°，優(yōu)選為45°至80°。通過以這種角度形成，可以防止臺階狀所引起的源電極或漏電極的斷開。接著，對抗蝕劑掩模81進(jìn)行灰化處理。結(jié)果，抗蝕劑的面積縮小，而厚度減薄。此時(shí)，膜厚度薄的區(qū)域的抗蝕劑(與柵電極51的一部分重疊的區(qū)域)被去除，可以如圖2A所示那樣地形成被分離的抗蝕劑掩模86。接著，使用抗蝕劑掩模86蝕刻添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜63、以及導(dǎo)電膜85a至85c并使它們分離。在此，通過干蝕刻分離導(dǎo)電膜85a至85c。結(jié)果，可以形成如圖2B所示那樣的一對導(dǎo)電膜89a至89c、以及一對源區(qū)域及漏區(qū)域89。注意，在該蝕刻工序中，還蝕刻緩沖層62的一部分。將其一部分被蝕刻的緩沖層示出為緩沖層88?？梢酝ㄟ^與形成源區(qū)域及漏區(qū)域相同的工序形成緩沖層的凹部。在此，因?yàn)榫彌_層88的一部分被其面積縮小了的抗蝕劑掩模86蝕刻，所以緩沖層88突出在導(dǎo)電層85a至85c的外側(cè)。接著，如圖2C所示，蝕刻導(dǎo)電膜89a至89c的一部分形成源電極及漏電極92a至92c。在此，當(dāng)使用抗蝕劑掩模86對導(dǎo)電膜89a至89c濕蝕刻時(shí)，導(dǎo)電膜89a至89c的端部選擇性地被蝕刻。結(jié)果，可以形成其面積比抗蝕劑掩模86及導(dǎo)電膜89a至89c小的源電極及漏電極92a至92c。源電極92a至92c的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域89的端部不一致而偏離，即在源電極及漏電極92a至92c的端部的外側(cè)形成源區(qū)域及漏區(qū)域89的端部。然后，去除抗蝕劑掩模86。注意，圖2C相當(dāng)于沿著圖5B的A-B線的截面圖。參照圖5B就知道源區(qū)域及漏區(qū)域89的端部位于源電極及漏電極92c的端部的外側(cè)。此外緩沖層88的端部位于源電極及漏電極92c以及源區(qū)域及漏區(qū)域89的端部的外側(cè)。此外，源電極及漏電極的一方具有部分地圍繞源區(qū)域及漏區(qū)域的另一方的形狀(具體而言，U字型、C字型)。由此，可以增加載流子移動的區(qū)域的面積和電流量，以可以縮小薄膜晶體管的面積。另外，因?yàn)樵跂烹姌O的內(nèi)側(cè)重疊微晶半導(dǎo)體膜87和源電極及漏電極92c，所以在柵電極的端部產(chǎn)生的凹凸的影響少。從而可以抑制覆蓋率的降低和漏電流的產(chǎn)生。注意，源電極或漏電極的一方也起到源布線或漏布線的作用。如圖2C所示，由于通過將源電極及漏電極92a至92c的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域89的端部形成為不一致而偏離，使源電極及漏電極92a至92c的端部的距離遠(yuǎn)離，因此可以防止源電極及漏電極之間的漏電流和短路。由此，可以制造可靠性高且耐壓性高的薄膜晶體管。通過上述工序，可以形成溝道蝕刻型薄膜晶體管83。此外，可以使用兩個(gè)光掩模形成薄膜晶體管。在本實(shí)施方式所示的薄膜晶體管中，在柵電極上層疊有柵極絕緣膜、微晶半導(dǎo)體膜、緩沖層、源區(qū)域及漏區(qū)域、源電極及漏電極，并且緩沖層覆蓋用作溝道形成區(qū)域的微晶半導(dǎo)體膜的表面。此外，在緩沖層的一部分中形成有凹部(溝槽)，該凹部以外的區(qū)域被源區(qū)域及漏區(qū)域覆蓋。就是說，由于源區(qū)域及漏區(qū)域之間的載流子移動的距離因形成在緩沖層的凹部而變長，因此可以減少源區(qū)域及漏區(qū)域之間的漏電流。此外，因?yàn)橥ㄟ^蝕刻緩沖層的一部分形成凹部，所以可以去除在源區(qū)域及漏區(qū)域的形成工序中產(chǎn)生的蝕刻殘?jiān)亩梢员苊庠谠磪^(qū)域及漏區(qū)域中介于殘?jiān)a(chǎn)生漏電流(寄生溝道)。另外，在用作溝道形成區(qū)域的微晶半導(dǎo)體膜和源區(qū)域及漏區(qū)域之間形成有緩沖層。此外，微晶半導(dǎo)體膜的表面被緩沖層覆蓋。由于使用高電阻的非晶半導(dǎo)體膜形成的緩沖層延伸到微晶半導(dǎo)體膜和源區(qū)域及漏區(qū)域之間，可以減少在薄膜晶體管截止的情況(即，對柵電極施加負(fù)電壓的情況)下產(chǎn)生的漏電流和通過施加高電壓而發(fā)生的退化。另外，因?yàn)樵谖⒕О雽?dǎo)體膜的表面上形成有由氫終結(jié)表面的非晶半導(dǎo)體膜作為緩沖層，所以可以防止微晶半導(dǎo)體膜的氧化，并可以在源區(qū)域及漏區(qū)域的形成工序中產(chǎn)生的蝕刻殘?jiān)烊氲轿⒕О雽?dǎo)體膜中。由此，成為電特性高且漏耐壓性優(yōu)良的薄膜晶體管。此外，通過將源電極及漏電極的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域的端部形成為不一致而偏離，使源電極及漏電極的端部的距離遠(yuǎn)離，從而可以防止源電極及漏電極之間的漏電流和短路。接著，如圖3A所示，在源電極及漏電極92a至92c、源區(qū)域及漏區(qū)域89、緩沖層88、微晶半導(dǎo)體膜87、以及柵極絕緣膜52b上形成絕緣膜76。絕緣膜76可以與柵極絕緣膜52a、52b同樣地形成。注意，絕緣膜76用來防止懸浮在大氣中的有機(jī)物及金屬物、水蒸氣等的污染雜質(zhì)的侵入，優(yōu)選為致密的膜。此外，通過將氮化硅膜用作絕緣膜76，緩沖層88中的氧濃度可以為5X10、toms/cm3以下，并優(yōu)選為1X10"atoms/cm3以下。接著，在絕緣膜76中形成接觸孔，然后在該接觸孔中形成與源電極或漏電極92c接觸的像素電極77。注意，圖3B相當(dāng)于沿著圖5C的A-B線的截面圖。作為像素電極77，可以使用具有透光性的導(dǎo)電材料諸如包含氧化鉤的氧化銦、包含氧化鎢的氧化銦鋅、包含氧化鈦的氧化銦、包含氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫(下面，稱為IT0)、氧化銦鋅、添加有氧化硅的氧化銦錫等。另外，可以使用包含導(dǎo)電高分子(也稱為導(dǎo)電聚合體)的導(dǎo)電組成物來形成像素電極77。在使用導(dǎo)電組成物形成的像素電極優(yōu)選具有如下條件薄層電阻為10000Q/口以下，當(dāng)波長為550nm時(shí)的透光率為70。/。以上。此外，包含在導(dǎo)電組成物中的導(dǎo)電高分子的電阻率優(yōu)選為O.1Q，cm以下。作為導(dǎo)電高分子，可以使用所謂的^電子共軛類導(dǎo)電高分子。例如，可以舉出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、或者由上述物質(zhì)中的兩種以上而成的共聚體等。通過上述步驟，可以形成可使用于發(fā)光裝置的元件襯底。注意，如圖2A所示，在形成微晶半導(dǎo)體膜61、緩沖層62、添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜63、以及導(dǎo)電膜85a至85c之后，如圖4A所示，使用抗蝕劑掩模86蝕刻導(dǎo)電膜85a至85c。在此，通過使用抗蝕劑掩模86并采用濕蝕刻來各向同性地蝕刻，導(dǎo)電膜85a至85c的露出部及其附近選擇性地被蝕刻。結(jié)果，可以形成其面積與抗蝕劑掩模86小的源電極及漏電極92a至92c。接著，如圖4B所示，使用抗蝕劑掩模86蝕刻添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜63。在此，通過以干蝕刻各向異性地蝕刻添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜63，可以形成其面積與抗蝕劑掩模86大致相同的源區(qū)域及漏區(qū)域89。由于通過將源電極及漏電極92a至92c的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域89的端部形成為不一致而偏離，使源電極及漏電極92a至92c的端部的距離遠(yuǎn)離，因此可以防止源電極及漏電極之間的漏電流和短路。由此，可以制造可靠性高且耐壓性高的薄膜晶體管。圖1A至圖4B所示，通過采用濕蝕刻對導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻并采用干蝕刻對添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜進(jìn)行蝕刻，可以以少量的光掩模將源電極及漏電極的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域的端部構(gòu)成為不一致而不同。接著，對于與上述方式不同的薄膜晶體管的制造方法，參照圖6A至圖9D進(jìn)行說明。在此，下面示出源電極或漏電極和源布線或漏布線互不相同的結(jié)構(gòu)。如圖6A所示，在襯底50上形成柵電極51。其次，在柵電極51上按順序形成柵極絕緣膜52a、52b、微晶半導(dǎo)體膜53、緩沖層54、添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55、以及導(dǎo)電膜65a。接著，在導(dǎo)電膜65a上涂敷抗蝕劑，使用圖1A所示的多級灰度掩模形成具有厚度不同的區(qū)域的抗蝕劑掩模81。接著，使用抗蝕劑掩模81蝕刻微晶半導(dǎo)體膜53、緩沖層54、添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜55、以及導(dǎo)電膜65a以進(jìn)行分離。結(jié)果，可以形成如圖6B所示那樣的微晶半導(dǎo)體膜61、緩沖層62、添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜63、以及導(dǎo)電膜85a。注意，圖6B相當(dāng)于沿著圖9A的A-B線的截面圖(但是，抗蝕劑掩模86除外)。接著，通過對抗蝕劑掩模81進(jìn)行灰化來形成分離了的抗蝕劑掩模86。然后，使用抗蝕劑掩模86蝕刻添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜63、以及導(dǎo)電膜85a以使它們分離。在此，通過干蝕刻分離添加有賦予一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜63、以及導(dǎo)電膜85a。結(jié)果，可以形成如圖6C所示那樣的一對導(dǎo)電膜89a、以及一對源區(qū)域及漏區(qū)域88。注意，在該蝕刻工序中，緩沖層62的一部分也被蝕刻。其一部分被蝕刻的緩沖層表示為緩沖層88。在此，因?yàn)榫彌_層88的一部分被其面積縮小了的抗蝕劑掩模86蝕刻，所以緩沖層88突出在導(dǎo)電層89a的外側(cè)。由于如本實(shí)施方式所示，緩沖層的側(cè)面成為階梯形狀，因此后面形成的絕緣膜的覆蓋率提高。由此，可以減少薄膜晶體管和形成在絕緣膜上的像素電極之間產(chǎn)生的漏電流。接著，對抗蝕劑掩模86進(jìn)行灰化。結(jié)果，如圖7A所示，抗蝕劑掩模的面積縮小，且其厚度變薄。然后，通過使用被灰化的抗蝕劑掩模91蝕刻導(dǎo)電膜89a的一部分，如圖7B所示那樣地形成源電極及漏電極92a。源電極及漏電極92a的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域89的端部不一致而偏離。在此，使用抗蝕劑掩模91并采用干蝕刻來各向異性地蝕刻導(dǎo)電膜89a的露出部。之后，去除抗蝕劑掩模91。結(jié)果，形成與導(dǎo)電膜89a的面積小的源電極及漏電極92a。然后，去除抗蝕劑掩模91。注意，圖7B相當(dāng)于沿著圖9B的A-B線的截面圖。參照圖9B就知道源區(qū)域及漏區(qū)域89的端部位于源電極及漏電極92a的端部的外側(cè)。此外，緩沖層88的端部位于源電極及漏電極92a、以及源區(qū)域及漏區(qū)域89的外側(cè)。此外，源電極及漏電極92a分別被分離，并不與形成在相鄰的像素中的電極接觸。注意，雖然在此使用對抗蝕劑掩模86灰化形成的抗蝕劑掩模91形成源電極及漏電極92a，但是，如圖1A至圖4B所示，也可以使用抗蝕劑掩模86進(jìn)行濕蝕刻形成源電極及漏電極92a。如圖7B所示，通過將源電極及漏電極92a的端部和源區(qū)域及漏區(qū)域89的端部形成為不一致而偏離，使源電極及漏電極92a的端部的距離遠(yuǎn)離，從而可以防止源電極及漏電極之間的漏電流和短路。由此，可以制造可靠性高且耐壓性高的薄膜晶體管。接著，圖7C所示，在源電極及漏電極92a、源區(qū)域及漏區(qū)域89、緩沖層88、以及柵極絕緣膜52b上形成絕緣膜76。可以與柵極絕緣膜52a、52b同樣地形成絕緣膜76。接著，圖8A所示，在絕緣膜76中形成接觸孔，并且還形成在該接觸孔中與源電極及漏電極92a的一方接觸并層疊的布線93b、93c。注意，圖8A相當(dāng)于沿著圖9C的A-B線的截面圖。此外，布線93a、93b是使形成在相鄰的像素中的源電極或漏電極連接的布線。接著，如圖8B所示形成，在接觸孔中與源電極或漏電極92a的另一方接觸的像素電極77。注意，圖8B相當(dāng)于沿著圖9D的A-B線的截面圖。通過上述工序，可以形成溝道蝕刻型薄膜晶體管84。溝道蝕刻型薄膜晶體管的制造工序少，從而可以縮減成本。此外，通過使用微晶半導(dǎo)體膜構(gòu)成溝道形成區(qū)域，可以獲得lcmVV'sec至20cra7V'sec的遷移率。因此，該薄膜晶體管可以用作像素部的像素的開關(guān)元件，還可以用作形成掃描線(柵極線)一側(cè)的驅(qū)動電路的元件。根據(jù)本實(shí)施方式，可以制造電特性的可靠性高的薄膜晶體管。實(shí)施方式2下面，參照圖2A至2C及圖15A和15B對發(fā)光裝置的制造工序進(jìn)行說明。在此使用利用電致發(fā)光的發(fā)光元件來表示發(fā)光裝置。根據(jù)發(fā)光材料是有機(jī)化合物還是無機(jī)化合物，對利用電致發(fā)光的發(fā)光元件進(jìn)行分類。一般地，前者被稱為有機(jī)EL元件，后者被稱為無機(jī)EL元件。另外，在此雖然使用圖IA和1B及圖2A至2C示出薄膜晶體管的制造工序，但也可適當(dāng)?shù)厥褂脠D4A和4B、圖6A至圖8B。有機(jī)EL元件通過對發(fā)光元件施加電壓，來自一對電極的電子及空穴分別注入到包含發(fā)光有機(jī)化合物的層中，由此電流流通。然后，通過這些載流子(電子及空穴)重組，該發(fā)光有機(jī)化合物形成激發(fā)態(tài)，并且從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時(shí)發(fā)光。由于這樣的機(jī)理，這樣的發(fā)光元件被稱為電流激發(fā)型發(fā)光元件。無機(jī)EL元件根據(jù)其元件結(jié)構(gòu)分類為分散型無機(jī)EL元件和薄膜型無機(jī)EL元件。分散型無機(jī)EL元件包括將發(fā)光材料顆粒分散在粘合劑中的發(fā)光層，并且其發(fā)光機(jī)理是利用施主能級和受主能級的施主-受主復(fù)合型發(fā)光。薄膜型無機(jī)EL元件是將發(fā)光層夾在電介質(zhì)層中，并將其夾在電極中的結(jié)構(gòu)，其發(fā)光機(jī)理是利用金屬離子內(nèi)殼層電子躍遷的局限型發(fā)光。注意，在此，使用有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件進(jìn)行說明。另外，雖然使用圖2C所示的溝道蝕刻型薄膜晶體管示出用來控制發(fā)光元件的驅(qū)動的薄膜晶體管，也可適當(dāng)?shù)厥褂脺系辣Ｗo(hù)型薄膜晶體管。經(jīng)過圖1A和1B及圖2A至2C的工序，如圖15A和15B所示，在襯底50上形成薄膜晶體管83以及85，在薄膜晶體管83上形成用作保護(hù)膜的絕緣膜76。注意，薄膜晶體管85是形成在驅(qū)動電路121中的，而薄膜晶體管83是形成在像素部122中的。接著，在絕緣膜76上形成平坦化膜111，并在平坦化膜111上形成與薄膜晶體管83的源電極或漏電極連接的像素電極112。平坦化膜lll優(yōu)選由丙烯、聚酰亞胺、聚酰胺等的有機(jī)樹脂或者硅氧烷形成。在圖15A中，由于像素的薄膜晶體管是n型，所以優(yōu)選將像素電極112用作陰極，但是相反的，如果像素的薄膜晶體管是p型的情況下則優(yōu)選用作陽極。具體地說，可以使用已知的功函數(shù)小的材料如Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等作為陰極。接著，如圖15B所示，在平坦化膜111及像素電極112的端部上形成分隔壁113。分隔壁113具有開口部，在該開口部中，像素電極112露出。分隔壁113使用有機(jī)樹脂膜、無機(jī)絕緣膜或有機(jī)聚硅氧烷形成。特別是，優(yōu)選使用感光材料，在像素電極上形成開口部，并以該開口部的側(cè)壁成為具有連續(xù)曲率形成的傾斜面的方式形成分隔壁113。接著，以在分隔壁113的開口部中與像素電極112接觸的方式形成發(fā)光層114。發(fā)光層114既可以由單層構(gòu)成，又可以由多個(gè)層的疊層構(gòu)成。而且，覆蓋發(fā)光層114地形成使用陽極材料的共同電極115?？梢圆捎迷趯?shí)施方式1中作為像素電極77舉出的使用具有透光性的導(dǎo)電材料的透光導(dǎo)電膜來形成共同電極115。作為共同電極115，除了上述透光導(dǎo)電膜之外，還可以使用氮化鈦膜或鈦膜。在圖15B中，使用IT0作為共同電極115。在分隔壁113的開口部中，通過像素電極112、發(fā)光層114以及共同電極115彼此重疊，形成發(fā)光元件117。然后，優(yōu)選在共同電極115及分隔壁113上形成保護(hù)膜116，以免氧、氫、水分、二氧化碳等侵入到發(fā)光元件117中。作為保護(hù)膜116，可以形成氮化硅膜、氮氧化硅膜、DLC膜等。再者，實(shí)際上，在圖15B的步驟之后，優(yōu)選使用氣密性高且漏氣少的保護(hù)薄膜(層壓薄膜、紫外線固化樹脂薄膜等)及覆蓋材料封裝(密封)，以免露出到外氣。接著，參照圖16A至16C說明發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。在此，作為例子舉出驅(qū)動TFT是n型的情況來說明像素的截面結(jié)構(gòu)。在發(fā)光元件中，為取出光而陽極及陰極的至少一方是透明，即可。而且，作為發(fā)光元件，具有在襯底上形成薄膜晶體管及發(fā)光元件且從與襯底相反一側(cè)取出光的頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)、從襯底一側(cè)取出光的底部發(fā)射結(jié)構(gòu)、從與襯底一側(cè)以及襯底相反一側(cè)的面取出光的雙面發(fā)射結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于任何發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。對于頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件，參照圖16A來說明。圖16A示出一種像素的截面圖，其中驅(qū)動TFT7001是n型，且從發(fā)光元件7002發(fā)射的光穿過到陽極7005—側(cè)。在圖16A中，發(fā)光元件7002的陰極7003和驅(qū)動TFT7001電連接，并且在陰極7003上按順序?qū)盈B發(fā)光層7004和陽極7005。陰極7003只要是功函數(shù)小且反射光的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜，而可以使用已知的材料。例如，優(yōu)選使用Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等。此外，發(fā)光層7004既可以由單層構(gòu)成，又可以多個(gè)層構(gòu)成。在由多個(gè)層構(gòu)成的情況下，在陰極7003上按順序?qū)盈B電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、以及空穴注入層。注意，不需要設(shè)置這種層的全部。陽極7005使用透過光的具有透光性的導(dǎo)電材料形成，例如，可以使用具有透光性的導(dǎo)電膜諸如包含氧化鎢的氧化銦、包含氧化鎢的氧化銦鋅、包含氧化鈦的氧化銦、包含氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫(下面，稱為ITO)、氧化銦鋅、添加有氧化硅的氧化錫等。由陰極7003以及陽極7005夾著發(fā)光層7004的區(qū)域相當(dāng)于發(fā)光元件7002。在圖16A所示的像素中，從發(fā)光元件7002發(fā)射的光如空心箭頭所示那樣發(fā)射到陽極7005一側(cè)。接著，參照圖16B來說明底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。圖16B示出一種像素的截面圖，其中驅(qū)動TFT7011是n型，從發(fā)光元件7012發(fā)射的光發(fā)射到陰極7013—側(cè)。在圖16B中，在與驅(qū)動TFT7011電連接的具有透光性的導(dǎo)電材料7017上形成了發(fā)光元件7012的陰極7013，而在陰極7013上按順序?qū)盈B發(fā)光層7014、陽極7015。注意，在陽極7015具有透光性的情況下，也可以以覆蓋陽極上的方式形成用來反射光或屏蔽光的屏蔽膜7016。與圖16A的情況相同，只要是功函數(shù)小的導(dǎo)電膜而可以使用已知的材料作為陰極7013。但是，其膜厚度為透過光的程度(優(yōu)選為5mn至30nm左右)。例如，可以將具有20nm的膜厚度的Al用作陰極7013。而且，與圖16A的情況相同，發(fā)光層7014既可以由單層構(gòu)成，又可以由多個(gè)層構(gòu)成。陽極7015不需要透過光，但是可以與圖16A的情況相同地使用具有透光性的導(dǎo)電材料形成。而且，例如可以使用反射光的金屬等作為屏蔽膜7016，然而不局限于金屬膜。比如說，也可以使用添加有黑顏料的樹脂等。由陰極7013及陽極7015夾著發(fā)光層7014的區(qū)域相當(dāng)于發(fā)光元件7012。在圖16B所示的像素中，從發(fā)光元件7012發(fā)射的光如空心箭頭所示那樣發(fā)射到陰極7013一側(cè)。接著，參照圖16C來說明雙面發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。在圖16C中，與驅(qū)動TFT7021電連接的具有透光性的導(dǎo)電材料7027上形成發(fā)光元件7022的陰極7023，在陰極7023上按順序?qū)盈B有發(fā)光層7024、陽極7025。與圖16A的情況相同，陰極7023只要是功函數(shù)小的導(dǎo)電膜，而可以使用已知的材料。但是，其膜厚度為透過光的程度。例如，可以將具有20nra的膜厚度的Al用作陰極7023。而且，與圖16A的情況相同，發(fā)光層7024既可以由單層構(gòu)成，又可以多個(gè)層的疊層構(gòu)成。陽極7025可以與圖16A的情況相同地使用具有透光性的導(dǎo)電材料形成。陰極7023、發(fā)光層7024、陽極7025重疊的部分相當(dāng)于發(fā)光元件7022。在圖16C所示的像素中，從發(fā)光元件7022發(fā)射的光如空心箭頭所示那樣發(fā)射到陽極7025一側(cè)和陰極7023—側(cè)。注意，在此描述有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件，但是也可以設(shè)置無機(jī)EL元件作為發(fā)光元件。注意，在本實(shí)施方式中，示出了控制發(fā)光元件的驅(qū)動的薄膜晶體管(驅(qū)動TFT)和發(fā)光元件彼此電連接的例子，但是也可以采用電流控制TFT連接到驅(qū)動TFT和發(fā)光元件之間的結(jié)構(gòu)。注意，本實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置不局限于圖16A至16C所示的結(jié)構(gòu)，而可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)想法改變?yōu)楦鞣N方式。通過上述工序，可以制造發(fā)光裝置。由于本實(shí)施方式的發(fā)光裝置使用截止電流少且電特性的可靠性高的薄膜晶體管，因此成為對比度高且可見度高的發(fā)光裝置。此外，因?yàn)椴捎脹]有激光晶化工序的微晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管，所以可以批量生產(chǎn)性高地制造可見度高的發(fā)光裝置。實(shí)施方式3接著，下面示出本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個(gè)方式的發(fā)光面板結(jié)構(gòu)。圖12A示出一種發(fā)光面板的方式，其中另行形成信號線驅(qū)動電路6013且將該信號線驅(qū)動電路6013與形成在襯底6011上的像素部6012連接。像素部6012及掃描線驅(qū)動電路6014采用將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管形成。通過采用可獲得比將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管高的電場效應(yīng)遷移率的晶體管形成信號線驅(qū)動電路，可以使被要求比掃描線驅(qū)動電路高的驅(qū)動頻率的信號線驅(qū)動電路的工作穩(wěn)定。注意，信號線驅(qū)動電路6013也可以是將單晶半導(dǎo)體用于溝道形成區(qū)域的晶體管、將多晶半導(dǎo)體用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管、或使用SOI的晶體管。對于像素部6012、信號線驅(qū)動電路6013、掃描線驅(qū)動電路6014分別通過FPC6015供給電源電位、各種信號等。此外，信號線驅(qū)動電路及掃描線驅(qū)動電路也可以一起形成在與像素部相同的襯底上。另外，在另行形成驅(qū)動電路的情況下，不一定需要將形成有驅(qū)動電路的襯底貼附在形成有像素部的襯底上，例如也可以貼附在FPC上。圖12B示出一種發(fā)光裝置面板的方式，其中另行形成信號線驅(qū)動電路6023，且將形成在襯底6021上的像素部6022和信號線驅(qū)動電路6023彼此連接。像素部6022及掃描線驅(qū)動電路6024釆用將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管形成。信號線驅(qū)動電路6023通過FPC6025與像素部6022連接。對于像素部6022、信號線驅(qū)動電路6023、掃描線驅(qū)動電路6024分別通過FPC6025供給電源電位、各種信號等。此外，也可以采用將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管只將信號線驅(qū)動電路的一部分或掃描線驅(qū)動電路的一部分形成在與像素部相同的襯底上，并且另行形成其他部分并使它電連接到像素部。圖12C示出一種發(fā)光裝置面板的方式，將信號線驅(qū)動電路所具有的模擬開關(guān)6033a形成在與像素部6032、掃描線驅(qū)動電路6034相同的襯底6031上，并且將信號線驅(qū)動電路所具有的移位寄存器6033b另行形成在不同的襯底上并彼此貼合。像素部6032及掃描線驅(qū)動電路6034采用將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管形成。信號線驅(qū)動電路所具有的移位寄存器6033b通過FPC6035與像素部6032連接。對于像素部6032、信號線驅(qū)動電路、掃描線驅(qū)動電路6034分別通過FPC6035供給電源電位、各種信號等。如圖12A至12C所示，在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，可以采用將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管將驅(qū)動電路的一部分或全部形成在與像素部相同的襯底上。注意，對于另行形成的襯底的連接方法沒有特別的限制，可以釆用已知的COG方法、引線鍵合方法、或TAB方法等。此外，若是能夠電連接，連接位置不局限于圖12A至12C所示的位置。另夕卜，也可以另行形成控制器、CPU、存儲器等而連接。注意，用于本發(fā)明的信號線驅(qū)動電路不局限于只有移位寄存器和模擬開關(guān)的方式。除了移位寄存器和模擬開關(guān)之外，也可以具有其他電路如緩沖器、電平轉(zhuǎn)移器、源極跟隨器等。此外，不一定設(shè)置移位寄存器和模擬開關(guān)，例如既可以使用如譯碼器電路的能夠選擇信號線的其他電路代替移位寄存器，又可以使用鎖存器等代替模擬開關(guān)。圖18示出本發(fā)明的發(fā)光裝置的框圖。圖18所示的發(fā)光裝置包括具有多個(gè)具備發(fā)光元件的像素的像素部700、選擇各個(gè)像素的掃描線驅(qū)動電路702、控制對被選擇的像素的視頻信號的輸入的信號線驅(qū)動電路703。在圖18中，信號線驅(qū)動電路703包括移位寄存器704和模擬開關(guān)705。時(shí)鐘信號(CLK)、起始脈沖信號(SP)輸入到移位寄存器704中。當(dāng)時(shí)鐘信號(CLK)和起始脈沖信號(SP)被輸入時(shí)，在移位寄存器704中產(chǎn)生時(shí)序信號，并輸入到模擬開關(guān)705。此外，模擬開關(guān)705提供有視頻信號。模擬開關(guān)705根據(jù)被輸入的時(shí)序信號對視頻信號進(jìn)行取樣，然后供給給后級的信號線。接著，說明掃描線驅(qū)動電路702的結(jié)構(gòu)。掃描線驅(qū)動電路702包括移位寄存器706、緩沖器707。此外，也可以根據(jù)情況包括電平轉(zhuǎn)移器。在掃描線驅(qū)動電路702的移位寄存器706中，通過時(shí)鐘信號(CLK)及起始脈沖信號(SP)被輸入，產(chǎn)生選擇信號。產(chǎn)生了的選擇信號在緩沖器707中被緩沖放大，并被供給到對應(yīng)的掃描線。一個(gè)像素的晶體管的柵極連接到掃描線。而且，由于需要使一條線上的像素的晶體管同時(shí)導(dǎo)通，因此使用能夠流過大電流的緩沖器707。在全彩色發(fā)光裝置中，在將對應(yīng)于R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))的視頻信號按順序進(jìn)行取樣而供給給對應(yīng)的信號線的情況下，用來連接移位寄存器704和模擬開關(guān)705的端子數(shù)相當(dāng)于用來連接模擬開關(guān)705和像素部700的信號線的端子數(shù)的l/3左右。因此，通過將模擬開關(guān)705形成在與像素部700相同的襯底上，與將模擬開關(guān)705形成在與像素部700不同的襯底上時(shí)相比，可以減少用來連接另行形成的襯底的端子數(shù)，并且抑制連接不良的發(fā)生比率，以可以提高成品率。此外，圖18的掃描線驅(qū)動電路702包括移位寄存器706、及緩沖器707，但是也可以由移位寄存器706構(gòu)成掃描線驅(qū)動電路702。注意，圖18所示的結(jié)構(gòu)只是本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個(gè)方式，信號線驅(qū)動電路和掃描線驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)不局限于此。接著，參照圖19及圖20說明包括將極性都相同的微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管的移位寄存器的一個(gè)方式。圖19示出本實(shí)施方式的移位寄存器的結(jié)構(gòu)。圖19所示的移位寄存器由多個(gè)觸發(fā)器(觸發(fā)器701-1至701-n)構(gòu)成。此外，被輸入第一時(shí)鐘信號、第二時(shí)鐘信號、起始脈沖信號、復(fù)位信號而工作。說明圖19的移位寄存器的連接關(guān)系。在圖19的移位寄存器的第i級的觸發(fā)器701-i(觸發(fā)器701-1至701-n中任何一個(gè))中，圖20所示的第一布線501連接到第七布線717-i-1，圖20所示的第二布線502連接到第七布線717-i+l，圖20所示的第三布線503連接到第七布線717-i，圖20所示的第六布線506連接到第五布線715。此外，圖20所示的第四布線504在第奇數(shù)級的觸發(fā)器中連接到第二布線712，在第偶數(shù)級的觸發(fā)器中連接到第三布線713，圖20所示的第五布線505連接到第四布線714。但是，第一級的觸發(fā)器701-1中的圖20所示的第一布線501連接到第一布線711，第n級的觸發(fā)器701-n的圖20所示的第二布線502連接到第六布線716。注意，第一布線711、第二布線712、第三布線713、第六布線716也可以分別稱為第一信號線、第二信號線、第三信號線、第四信號線。再者，第四布線714、第五布線715也可以分別稱為第一電源線、第二電源線。接著，圖20示出圖19所示的觸發(fā)器的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖20所示的觸發(fā)器包括第一薄膜晶體管171、第二薄膜晶體管172、第三薄膜晶體管173、第四薄膜晶體管174、第五薄膜晶體管175、第六薄膜晶體管176、第七薄膜晶體管177、以及第八薄膜晶體管178。在本實(shí)施方式中，第一薄膜晶體管171、第二薄膜晶體管172、第三薄膜晶體管173、第四薄膜晶體管174、第五薄膜晶體管175、第六薄膜晶體管176、第七薄膜晶體管177、以及第八薄膜晶體管178是n型溝道晶體管，并且當(dāng)柵極-漏極之間的電壓(Vgs)大于閾值電壓(Vth)時(shí)其處于導(dǎo)通狀態(tài)。接著，下面示出圖20所示的觸發(fā)器的連接結(jié)構(gòu)。第一薄膜晶體管171的第一電極(源電極及漏電極的一方)連接到第四布線504，第一薄膜晶體管171的第二電極(源電極及漏電極的另一方)連接到第三布線503。第二薄膜晶體管172的第一電極連接到第六布線506，第二薄膜晶體管172的第二電極連接到第三布線503。第三薄膜晶體管173的第一電極連接到第五布線505，第三薄膜晶體管173的第二電極連接到第二薄膜晶體管172的柵電極，第三薄膜晶體管173的柵電極連接到第五布線505。第四薄膜晶體管174的第一電極連接到第六布線506，第四薄膜晶體管174的第二電極連接到第二薄膜晶體管172的柵電極，第四薄膜晶體管174的柵電極連接到第一薄膜晶體管171的柵電極。第五薄膜晶體管175的第一電極連接到第五布線505，第五薄膜晶體管175的第二電極連接到第一薄膜晶體管171的柵電極，第五薄膜晶體管175的柵電極連接到第一布線501。第六薄膜晶體管176的第一電極連接到第六布線506，第六薄膜晶體管176的第二電極連接到第一薄膜晶體管171的柵電極，第六薄膜晶體管176的柵電極連接到第二薄膜晶體管172的柵電極。第七薄膜晶體管177的第一電極連接到第六布線506，第七薄膜晶體管177的第二電極連接到第一薄膜晶體管171的柵電極，第七薄膜晶體管177的柵電極連接到第二布線502。第八薄膜晶體管178的第一電極連接到第六布線506，第八薄膜晶體管178的第二電極連接到第二薄膜晶體管172的柵電極，第八薄膜晶體管178的柵電極連接到第一布線501。注意，以第一薄膜晶體管171的柵電極、第四薄膜晶體管174的柵電極、第五薄膜晶體管175的第二電極、第六薄膜晶體管176的第二電極、以及第七薄膜晶體管177的第二電極的連接部分為節(jié)點(diǎn)143。再者，以第二薄膜晶體管172的柵電極、第三薄膜晶體管173的第二電極、第四薄膜晶體管174的第二電極、第六薄膜晶體管176的柵電極、以及第八薄膜晶體管178的第二電極的連接部分為節(jié)點(diǎn)144。注意，第一布線501、第二布線502、第三布線503、第四布線504也可以分別稱為第一信號線、第二信號線、第三信號線、第四信號線。再者，第五布線505、第六布線506也可以分別稱為第一電源線、第二電源線。圖21示出圖20所示的觸發(fā)器的俯視圖的一個(gè)例子。導(dǎo)電膜901包括用作第一薄膜晶體管171的第一電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線951與第四布線504連接。導(dǎo)電膜902包括用作第一薄膜晶體管171的第二電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線952與第三布線503連接。導(dǎo)電膜903包括用作第一薄膜晶體管171的柵電極的部分、以及第四薄膜晶體管174的用作柵電極的部分。導(dǎo)電膜904包括用作第二薄膜晶體管172的第一電極的部分、用作第六薄膜晶體管176的第一電極的部分、用作第四薄膜晶體管174的第一電極的部分、以及用作第八薄膜晶體管178的第一電極的部分，并與第六布線506連接。導(dǎo)電膜905包括用作第二薄膜晶體管172的第二電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線954與第三布線503連接。導(dǎo)電膜906包括用作第二薄膜晶體管172的柵電極的部分、以及用作第六薄膜晶體管176的柵電極的部分。導(dǎo)電膜907包括用作第三薄膜晶體管173的第一電極的部分，并通過布線955與第五布線505連接。導(dǎo)電膜908包括用作第三薄膜晶體管173的第二電極的部分、以及用作第四薄膜晶體管174的第二電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線956與導(dǎo)電膜906連接。導(dǎo)電膜909包括用作第三薄膜晶體管173的柵電極的部分，并通過布線955與第五布線505連接。導(dǎo)電膜910包括用作第五薄膜晶體管175的第一電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線959與第五布線505連接。導(dǎo)電膜911包括用作第五薄膜晶體管175的第二電極的部分、以及用作第七薄膜晶體管177的第二電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線958與導(dǎo)電膜903連接。導(dǎo)電膜912包括用作第五薄膜晶體管175的柵電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線960與第一布線501連接。導(dǎo)電膜913包括用作第六薄膜晶體管176的第二電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線957與導(dǎo)電膜903連接。導(dǎo)電膜914包括用作第七薄膜晶體管177的柵電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線962與第二布線502連接。導(dǎo)電膜915包括用作第八薄膜晶體管178的柵電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線961與導(dǎo)電膜912連接。導(dǎo)電膜916包括第八薄膜晶體管178的用作第二電極的部分，并通過與像素電極同時(shí)形成的布線953與導(dǎo)電膜906連接。注意，微晶半導(dǎo)體膜981至988的一部分分別用作第一至第八薄膜晶體管的溝道形成區(qū)域。注意，通過由將微晶半導(dǎo)體用于溝道形成區(qū)域的晶體管構(gòu)成圖19和圖20所示的電路，可以縮小設(shè)計(jì)面積。因此，可以縮小發(fā)光裝置的邊框。例如，當(dāng)對將非晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的情況和將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的情況進(jìn)行比較時(shí)，將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的情況下的薄膜晶體管的電場效應(yīng)遷移率較高，因此可以縮小晶體管的溝道寬度。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光裝置的窄邊框化。作為一個(gè)例子，第二薄膜晶體管172的溝道寬度為3000iim以下，更優(yōu)選為2000um以下。注意，在圖20的第二薄膜晶體管172中，對于第三布線503輸出低電平的信號的期間長。其間，第二薄膜晶體管172—直處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，第二薄膜晶體管172受到很強(qiáng)的壓力，而晶體管特性容易退化。當(dāng)晶體管特性退化時(shí)，閾值電壓逐漸增大。結(jié)果，電流值逐漸縮小。于是，第二薄膜晶體管172的溝道寬度優(yōu)選大，以便即使晶體管退化也能夠供給充分的電流?；蛘?，優(yōu)選被補(bǔ)償以便防止在晶體管的退化時(shí)產(chǎn)生的電路工作的障礙。例如，優(yōu)選通過與第二薄膜晶體管172并列地配置晶體管，并使它與第二薄膜晶體管172交替處于導(dǎo)通狀態(tài)，不容易受到退化的影響。然而，當(dāng)對將非晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的情況和將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的情況進(jìn)行比較時(shí)，將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的晶體管較不容易退化。因此，在將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的情況下，可以縮小晶體管的溝道寬度。或者，即使不設(shè)置對于退化的補(bǔ)償用電路也可以進(jìn)行正常工作。由此，可以縮小設(shè)計(jì)面積。接著，參照圖17A和17B說明相當(dāng)于本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個(gè)方式的發(fā)光顯示面板的外觀及截面。圖17A是一種面板的俯視圖，其中在與第二襯底之間使用密封材料密封將形成在第一襯底上的具有微晶半導(dǎo)體膜用作溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管及發(fā)光元件。圖17B相當(dāng)于沿著圖17A的A-A'線的截面圖。以圍繞形成在第一襯底4001上的像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004的方式設(shè)置有密封材料4005。此外，在像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004上設(shè)置第二襯底4006。因此，使用第一襯底4001、密封材料4005以及第二襯底4006將像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004與填充材料4007—起密封。另外，在第一襯底4001上的與由密封材料4005圍繞的區(qū)域不同的區(qū)域中安裝有使用多晶半導(dǎo)體膜形成在另行準(zhǔn)備的襯底上的信號線驅(qū)動電路4003。注意，本實(shí)施方式說明具有將多晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管的信號線驅(qū)動電路貼附到第一襯底4001的例子，但是也可以采用將單晶半導(dǎo)體用于溝道形成區(qū)域的晶體管形成信號線驅(qū)動電路并貼合。圖17A和17B例示包括在信號線驅(qū)動電路4003中的由多晶半導(dǎo)體膜形成的薄膜晶體管4009。此外，設(shè)置在第一襯底4001上的像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004包括多個(gè)薄膜晶體管，圖17B例示包括在像素部4002中的薄膜晶體管4010。注意，雖然在本實(shí)施方式中，薄膜晶體管4010假定是驅(qū)動TFT，但是薄膜晶體管4010既可以是電流控制TFT，又可以是擦除TFT。薄膜晶體管4010相當(dāng)于將微晶半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管。另外，附圖標(biāo)記4011相當(dāng)于發(fā)光元件，發(fā)光元件4011所具有的像素電極4030與薄膜晶體管4010的源電極或漏電極4017電連接。而且，在本實(shí)施方式中，發(fā)光元件4011的具有透光性的導(dǎo)電材料4012電連接。注意，發(fā)光元件4011的結(jié)構(gòu)不局限于本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)?？梢愿鶕?jù)從發(fā)光元件4011取出的光的方向、以及薄膜晶體管4010的極性而適當(dāng)?shù)馗淖儼l(fā)光元件4011的結(jié)構(gòu)。此外，雖然在圖17B所示的截面圖中未圖示，但是提供到另行形成的信號線驅(qū)動電路4003和掃描線驅(qū)動電路4004或像素部4002的各種信號及電位通過引導(dǎo)布線4014以及4015從FPC4018供給。在本實(shí)施方式中，連接端子4016由與發(fā)光元件4011所具有的像素電極4030相同的導(dǎo)電膜形成。此外，引導(dǎo)布線4014、4015由與布線4017相同的導(dǎo)電膜形成。連接端子4016通過各向異性導(dǎo)電膜4019電連接到FPC4018所具有的端子。位于從發(fā)光元件4011取出光的方向上的襯底必須是透明的襯底。在此情況下，使用具有透光性的材料如玻璃片、塑料片、聚酯薄膜、或丙烯薄膜。此外，作為填充材料4007，除了氮、氬等的惰性氣體之外，還可以使用紫外線固化樹脂、熱固化樹脂、PVC(聚氯乙烯)、丙烯、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、硅樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)、或EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)。在本實(shí)施方式中，使用氮作為填充材料。另外，如果需要，也可以在發(fā)光元件的發(fā)射面上適當(dāng)?shù)卦O(shè)置光學(xué)薄膜如偏振片、圓偏振片(橢圓偏振片)、相位差板(A/4板、A/2板)、或顏色濾光片等。此外，還可以在偏振片或圓偏振片上設(shè)置防反射膜。例如，可以執(zhí)行抗眩光處理，該處理是利用表面的凹凸來擴(kuò)散反射光并降低眩光的。注意，圖17A和17B示出另行形成信號線驅(qū)動電路4003而安裝到第一襯底4001的例子，但是本實(shí)施方式不局限于此。既可以另行形成掃描線驅(qū)動電路而安裝，又可以另行形成信號線驅(qū)動電路的一部分或掃描線驅(qū)動電路的一部分而安裝。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所記載的結(jié)構(gòu)組合而實(shí)施。實(shí)施方式4通過采用根據(jù)本發(fā)明獲得的發(fā)光裝置等，可以使用于有源矩陣型EL模塊。就是說，在將它們安裝到顯示部中的所有電子設(shè)備中可以實(shí)施本發(fā)明。作為這種電子設(shè)備的例子，可以舉出如下拍攝裝置如攝影機(jī)及數(shù)字照相機(jī)等；頭戴式顯示器(護(hù)目鏡型顯示器)；汽車導(dǎo)航系統(tǒng)；投影機(jī)；汽車音響；個(gè)人計(jì)算機(jī)；便攜式信息終端(便攜式計(jì)算機(jī)、移動電話、或電子書籍等)。圖13A至13D示出了它們的一個(gè)例子。圖13A示出電視裝置。如圖13A所示，可以將顯示模塊嵌入到框體中來完成電視裝置。還安裝有FPC的顯示面板稱為顯示模塊。由顯示模塊形成主屏2003，并且作為其他輔助設(shè)備還具有揚(yáng)聲器部2009、操作開關(guān)等。像這樣，可以完成電視裝置。如圖13A所示，將利用發(fā)光元件的顯示用面板2002安裝在框體2001中，不僅可以由接收器2005接收普通的電視廣播，而且可以通過經(jīng)由調(diào)制解調(diào)器2004連接到釆用有線或無線方式的通信網(wǎng)絡(luò)，進(jìn)行單方向(從發(fā)送者到接收者)或雙方向(在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間)的信息通信?？梢允褂冒惭b在框體中的開關(guān)或遙控裝置2006來操作電視裝置。也可以在遙控裝置2006中設(shè)置用于顯示輸出信息的顯示部2007。另外，除了主屏2003之外，在電視裝置中，可以使用第二顯示用面板形成子屏2008，且附加有顯示頻道或音量等的結(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中，可以使用視角優(yōu)良的發(fā)光顯示面板形成主屏2003，而使用能夠以低耗電量來顯示的發(fā)光顯示面板形成子屏。另外，為了優(yōu)先降低耗電量，也可以使用發(fā)光顯示面板形成主屏2003，而使用發(fā)光顯示面板形成子屏，并使子屏可以閃亮和閃滅。圖14示出表示電視裝置的主要結(jié)構(gòu)的框圖。在顯示面板900中，形成有像素部921。信號線驅(qū)動電路922和掃描線驅(qū)動電路923也可以以COG方式安裝到顯示面板900。作為其他外部電路的結(jié)構(gòu)，在圖像信號的輸入一側(cè)包括圖像信號放大電路925、圖像信號處理電路926、以及控制電路927等。該圖像信號放大電路925放大由調(diào)諧器924接收的信號中的放大圖像信號，該圖像信號處理電路926將從圖像信號放大電路925輸出的信號轉(zhuǎn)換為與紅、綠、藍(lán)每種顏色相應(yīng)的色信號，該控制電路927將該圖像信號轉(zhuǎn)換為驅(qū)動器IC的輸入規(guī)格?？刂齐娐?27將信號分別輸出到掃描線一側(cè)和信號線一側(cè)。在進(jìn)行數(shù)字驅(qū)動的情況下，也可以具有如下結(jié)構(gòu)，即在信號線一側(cè)設(shè)置信號分割電路928，并且將輸入數(shù)字信號分成m個(gè)來供給。由調(diào)諧器924接收的信號中的音頻信號被傳送到音頻信號放大電路929，并且其輸出經(jīng)過音頻信號處理電路930供給到揚(yáng)聲器933?？刂齐娐?31從輸入部932接收接收站(接收頻率)和音量的控制信息，并且將信號傳送到調(diào)諧器924、音頻信號處理電路930。當(dāng)然，本發(fā)明不局限于電視裝置，并且可以適用于各種各樣的用途，如個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、以及大面積的顯示媒體如火車站或機(jī)場等的信息顯示板或者街頭上的廣告顯示板等。圖13B示出移動電話2201的一個(gè)例子。該移動電話2201包括顯示部2202、操作部2203等構(gòu)成。在顯示部2202中，通過應(yīng)用上述實(shí)施方式所說明的發(fā)光裝置可以提高批量生產(chǎn)性。此外，圖13C所示的便攜式計(jì)算機(jī)包括主體2401、顯示部2402等。通過將上述實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置應(yīng)用于顯示部2402，可以提高批量生產(chǎn)性。圖13D示出了臺式照明設(shè)備，包括照明部2501、燈罩2502、可變臂(adjustablearm)2503、支柱2504、臺子2505、電源2506。該臺式照明設(shè)備是通過將使用本發(fā)明形成的發(fā)光裝置用于其照明部2501來制造的。另外，照明設(shè)備還包括固定在天花板上的照明設(shè)備或掛壁式照明設(shè)備等。借助于本發(fā)明，可以大幅度地減少制造成本，并且可以提供廉價(jià)的臺式照明設(shè)備。實(shí)施例1圖22A和22B示出形成微晶硅膜并通過拉曼光譜法檢測該膜的結(jié)晶性的結(jié)果。以如下成膜條件形成微晶硅膜RF電源頻率為13.56MHz;成膜溫度為280°C;氫流量和硅烷氣體流量的比率為100:1;壓力為280Pa。此外，圖22A是拉曼散射光譜，并且是對成膜時(shí)的RF電源的電力為100W的微晶硅膜和成膜時(shí)的RF電源的電力為300W的微晶硅膜進(jìn)行比較的檢測結(jié)果。注意，單晶硅膜的結(jié)晶峰值位置為521cm—'。注意，當(dāng)然非晶硅不能檢測可說結(jié)晶峰值的值。如圖22B所示，只檢測出以480cn^為頂點(diǎn)的不陡的山形。本說明書中的微晶硅膜是指當(dāng)使用拉曼光譜器檢測時(shí)在481cm—1以上至520cm—1以下確認(rèn)結(jié)晶峰值的膜。成膜時(shí)的RF電源的電力為100W的微晶硅膜的結(jié)晶峰值位置為518.6cm—、半峰全寬(FWHM)為11.9cm—1，結(jié)晶/非晶峰值強(qiáng)度比(Ic/Ia)為4.1。此外，成膜時(shí)的RF電源的電力為300W的微晶硅膜的結(jié)晶峰值位置為514.8cm—'，半峰全寬(FWHM)為18.7cm—、結(jié)晶/非晶峰值強(qiáng)度比(Ic/Ia)為4.4。如圖22A所示，因RF電力而產(chǎn)生結(jié)晶峰值位置和半峰全寬之間的大差異。這是因?yàn)槿缦戮壒示哂性谑褂么箅娏Φ那闆r下增加離子沖擊而障礙粒子的生長，從而粒徑小的傾向。此外，由于形成用于圖22A的檢測的微晶硅膜的CVD裝置的電源頻率為13.56MHz,因此結(jié)晶/非晶峰值強(qiáng)度比(Ic/Ia)為4.1或4.4。但是，已確認(rèn)若是RF電源頻率為27MHz就可以將結(jié)晶/非晶峰值強(qiáng)度比(Ic/Ia)設(shè)定為6。因此，通過將RF電源頻率設(shè)定為比27MHz更高，例如2.45GHz，可以進(jìn)一步提高結(jié)晶/非晶峰值強(qiáng)度比(Ic/Ia)。實(shí)施例2在本實(shí)施例中，示出對于本發(fā)明所示的薄膜晶體管的晶體管特性以及電子密度分布，進(jìn)行器件模擬而獲得的結(jié)果。使用矽谷科技(Silvaco)公司制造的器件模擬器"ATLAS"進(jìn)行器件模擬。圖23示出器件結(jié)構(gòu)。假定絕緣襯底2301是以氧化硅(介電常數(shù)為4.1)為主要成分的玻璃襯底(厚度為0.5m)。注意，在實(shí)際的制造工序上，大多使用0.5mm、0.7mm等的絕緣襯底作為絕緣襯底2301，，但是以絕緣襯底2301之下面的電場不影響到薄膜晶體管特性的程度，定義充分的厚度。在絕緣襯底2301上層疊由鉬形成的柵電極2303(厚度為150nm)。鉬的功函數(shù)設(shè)定為4.6eV。在柵電極2303上層疊具有氮化硅膜(介電常數(shù)為7.0，厚度為110nm)和氧氮化硅膜(介電常數(shù)為4.1，厚度為110nm)的疊層結(jié)構(gòu)的柵絕緣膜2305。在柵極絕緣膜2305上層疊uc-Si膜2307和a-Si膜2309。在此的各個(gè)疊層條件為如下厚度為Onra的uc-Si膜2307和厚度為100nm的a-Si膜2309的疊層；厚度為lOnm的uc-Si膜2307和厚度為90nm的a-Si膜2309的疊層；厚度為50nm的uc-Si膜2307和厚度為50nm的a-Si膜2309的疊層；厚度為90nm的uc-Si膜2307和厚度為lOnm的a—Si膜2309的疊層；以及厚度為lOOnm的uc—Si膜2307和厚度為0nm的a-Si膜2309的疊層。此外，在與第一a-Si(n+)膜2311和第二a-Si(n+)膜2313重疊的區(qū)域中，a-Si膜2309除了上述厚度之外還層疊有50nm的a-Si。就是說，在不形成第一a-Si(n+)膜2311和第二a-Si(n+)膜2313的區(qū)域中，a-Si2309具有其一部分被蝕刻50nm的凹部狀。在a-Si2309上層疊有第一a-Si(n+)膜2311(厚度為50nm)和第二a-Si(n+)膜2313(厚度為50nm)。在圖23所示的薄膜晶體管中，第一a-Si(n+)膜2311和第二a-Si(n+)膜2313之間的距離成為溝道長度L。在此，溝道長度L設(shè)定為6um。此外，溝道寬度W設(shè)定為15um。在第一a-Si(n+)膜2311和第二a-Si(n+)膜2313上分別層疊由鉬(Mo)形成的源電極2315和漏電極2317(厚度為300nm)。將源電極2315和第一a-Si(n+)膜2311之間、以及漏電極2317和第二a-Si(n+)膜2313之間定義為歐姆接觸。圖24示出當(dāng)在圖23所示的薄膜晶體管中，改變uc-Si膜及a-Si膜的膜厚度來進(jìn)行器件模擬之際獲得的DC特性(Vg-Id特性、Vd=14V)的結(jié)果。此外，圖25A和25B示出當(dāng)uc-Si膜2307的厚度為10nra，而a-Si膜的厚度為90nm時(shí)的薄膜晶體管的電子濃度分布。圖25A示出當(dāng)薄膜晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)(Vg為+10V，Vd為14V)時(shí)的電子濃度分布，而圖25B示出當(dāng)薄膜晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)(Vg為-IOV，Vd為14V)時(shí)的電子濃度的分布結(jié)果。參照圖24就知道，隨著使a-Si膜的膜厚度變厚而截止電流減少。此外，通過將a-Si膜的厚度設(shè)定為50nra以上，可以將Vg是-20V時(shí)的漏電流設(shè)定為低于1X10—13A。另外，在此知道，隨著使uc-Si膜的膜厚度變厚而導(dǎo)通電流增加。此外，通過將"c-Si膜的厚度設(shè)定為10nra以上，可以將Vg是20V時(shí)的漏電流設(shè)定為lX10—5A以上。參照圖25A就知道，在導(dǎo)通狀態(tài)下，uc-Si膜中的電子密度比a-Si膜中的電子密度高。就是說，由于導(dǎo)電率高的"c-Si膜中的電子密度高，因此在導(dǎo)通狀態(tài)下電子容易流過，從而漏電流升高。參照圖25B就知道，在截止?fàn)顟B(tài)下，a-Si膜中的電子密度比uc-Si膜中的電子密度高。就是說，由于導(dǎo)電率低的a-Si膜中的電子密度高，因此在截止?fàn)顟B(tài)下電子難以流過，從而產(chǎn)生與將a-Si膜用作溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管同樣的漏電流。根據(jù)上述事實(shí)就知道，如圖23所示那樣的薄膜晶體管可以在減少截止電流的同時(shí)提高導(dǎo)通電流，在該薄膜晶體管中，在柵極絕緣膜上形成Pc-Si膜，在"c-Si膜上形成a-Si膜，并在a-Si膜上形成源區(qū)域及漏區(qū)域。本說明書根據(jù)2007年7月6日在日本專利局受理的日本專利申請編號2007-179091而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。權(quán)利要求1.一種顯示裝置，包括柵電極；形成在所述柵電極上的柵極絕緣膜；形成在所述柵極絕緣膜上的微晶半導(dǎo)體膜；形成在所述微晶半導(dǎo)體膜上并具有凹部的緩沖層；形成在所述緩沖層上的源區(qū)域及漏區(qū)域；以及與所述源區(qū)域及漏區(qū)域接觸的源電極及漏電極，其中，所述源區(qū)域及漏區(qū)域的一部分與所述源電極及漏電極接觸，并且，所述源區(qū)域及漏區(qū)域的另一部分不與所述源電極和漏電極接觸，并且，所述緩沖層露出在所述源電極及漏電極的外側(cè)，并且，與所述柵電極重疊的所述源區(qū)域及漏區(qū)域的端部及所述緩沖層的凹部的側(cè)面相一致。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由非晶半導(dǎo)體膜形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氮的非晶半導(dǎo)體膜形成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氫的非晶半導(dǎo)體膜形成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氟、氯、溴、或碘的非晶半導(dǎo)體膜形成。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是發(fā)光裝置。7.—種顯示裝置，包括柵電極；形成在所述柵電極上的柵極絕緣膜；形成在所述柵極絕緣膜上的微晶半導(dǎo)體膜；形成在所述微晶半導(dǎo)體膜上并具有凹部的緩沖層；形成在所述緩沖層上的源區(qū)域及漏區(qū)域；以及與所述源區(qū)域及漏區(qū)域接觸的源電極及漏電極，其中，所述源區(qū)域及漏區(qū)域的一部分以及所述緩沖層的一部分露出在所述源電極及漏電極的外側(cè)，并且，與所述柵電極重疊的所述源區(qū)域及漏區(qū)域的端部及所述緩沖層的凹部的側(cè)面相一致。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由非晶半導(dǎo)體膜形成。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氮的非晶半導(dǎo)體膜形成。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氫的非晶半導(dǎo)體膜形成。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氟、氯、溴、或碘的非晶半導(dǎo)體膜形成。12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是發(fā)光裝置。13.—種顯示裝置，包括柵電極；形成在所述柵電極上的柵極絕緣膜；形成在所述柵極絕緣膜上的微晶半導(dǎo)體膜；形成在所述微晶半導(dǎo)體膜上并具有凹部的緩沖層；形成在所述緩沖層上的源區(qū)域及漏區(qū)域；與所述源區(qū)域及漏區(qū)域接觸的源電極及漏電極；與所述源電極及漏電極、所述源區(qū)域及漏區(qū)域的一部分、以及所述緩沖層的一部分接觸的絕緣膜；以及形成在所述絕緣膜上并通過形成在所述絕緣膜中的接觸孔與所述源電極及漏電極的一方相連接的像素電極，其中，所述源區(qū)域及漏區(qū)域的一部分與所述源電極及漏電極接觸，并且，所述源區(qū)域及漏區(qū)域的另一部分不與所述源電極及漏電極接觸，并且，所述緩沖層露出在所述源電極及漏電極的外側(cè)，并且，與所述柵電極重疊的所述源區(qū)域及漏區(qū)域的端部和所述緩沖層的凹部側(cè)面相一致。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由非晶半導(dǎo)體膜形成。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氮的非晶半導(dǎo)體膜形成。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氫的非晶半導(dǎo)體膜形成。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氟、氯、溴、或碘的非晶半導(dǎo)體膜形成。18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是發(fā)光裝置。19.一種顯示裝置，包括柵電極；形成在所述柵電極上的柵極絕緣膜；形成在所述柵極絕緣膜上的微晶半導(dǎo)體膜；形成在所述微晶半導(dǎo)體膜上并具有凹部的緩沖層；形成在所述緩沖層上的源區(qū)域及漏區(qū)域；與所述源區(qū)域及漏區(qū)域接觸的源電極及漏電極；與所述源電極及漏電極、所述源區(qū)域及漏區(qū)域的一部分、以及所述緩沖層的一部分接觸的絕緣膜；以及形成在所述絕緣膜上并通過形成在所述絕緣膜中的接觸孔與所述源電極或漏電極的一方相連接的像素電極，其中，所述源區(qū)域及漏區(qū)域的一部分和所述緩沖層的一部分露出在所述源電極及漏電極的外側(cè)，并且，與所述柵電極重疊的所述源區(qū)域及漏區(qū)域的端部和所述緩沖層的凹部側(cè)面相一致。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由非晶半導(dǎo)體膜形成。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氮的非晶半導(dǎo)體膜形成。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氫的非晶半導(dǎo)體膜形成。23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氟、氯、溴、或碘的非晶半導(dǎo)體膜形成。24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是發(fā)光裝置。25.—種顯示裝置，包括柵電極；形成在所述柵電極上的柵極絕緣膜；形成在所述柵極絕緣膜上的微晶半導(dǎo)體膜；形成在所述微晶半導(dǎo)體膜上的緩沖層；形成在所述緩沖層上的源區(qū)域及漏區(qū)域；以及形成在所述源區(qū)域及漏區(qū)域上的源電極及漏電極，其中，所述源區(qū)域及漏區(qū)域延伸到所述源電極及漏電極的側(cè)端部的外側(cè)，并且，減薄所述緩沖層的所述源區(qū)域及漏區(qū)域之間的一部分，并且，所述緩沖層延伸到所述源區(qū)域及漏區(qū)域的側(cè)端部的外側(cè)。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中所述緩沖層的一部分的側(cè)端部和所述源區(qū)域及漏區(qū)域的側(cè)端部的內(nèi)側(cè)相一致。27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由非晶半導(dǎo)體膜形成。28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氮的非晶半導(dǎo)體膜形成。29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氫的非晶半導(dǎo)體膜形成。30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中所述緩沖層由包含氟、氯、溴、或碘的非晶半導(dǎo)體膜形成。31.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是發(fā)光裝置。全文摘要本發(fā)明的目的在于提出批量生產(chǎn)性高地制造包括電特性良好且可靠性高的薄膜晶體管的發(fā)光裝置的方法。本發(fā)明的要旨在于在包括反交錯(cuò)型薄膜晶體管的發(fā)光裝置的反交錯(cuò)型薄膜晶體管中，在柵電極上形成柵極絕緣膜，在柵極絕緣膜上形成用作溝道形成區(qū)域的微晶半導(dǎo)體膜，在微晶半導(dǎo)體膜上形成緩沖層，在緩沖層上形成一對源區(qū)域及漏區(qū)域，以使源區(qū)域及漏區(qū)域的一部分露出的方式形成與源區(qū)域及漏區(qū)域接觸的一對源電極及漏電極。文檔編號H01L29/417GK101339960SQ20081013790公開日2009年1月7日申請日期2008年7月3日優(yōu)先權(quán)日2007年7月6日發(fā)明者山崎舜平,桑原秀明,鈴木幸惠申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所