專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，且特別有關(guān)于一種利用掀離工
藝(lift-offprocess)來制作保護(hù)層的像素結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
顯示器為人與信息的溝通界面，目前以平面顯示器為主要發(fā)展趨勢。平 面顯示器主要有以下幾種有機(jī)電激發(fā)光顯示器(organic electroluminescence display)、等離子體顯示器(plasma display pand)以及薄膜晶體管液晶顯示器等 (thin film transistor liquid crystal display)。其中，又以薄膜晶體管液晶顯示器 的應(yīng)用最為廣泛。 一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器主要由薄膜晶體管陣列 基板(thin film transistor array substrate)、彩色濾光陣歹U基板(color filter substrate)和液晶層(liquid crystal layer)所構(gòu)成。其中，薄膜晶體管陣列基板包 括多條掃描線(scan lines)、多條數(shù)據(jù)線(data lines)以及多個陣列排列的像素結(jié) 構(gòu)(pixd imit)，且各個像素結(jié)構(gòu)分別與對應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接。
圖1A 圖1G為現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。首先，請參照圖1A，提 供一基板10，并通過第一道光掩模工藝于基板10上形成一柵極20。接著， 請參照圖1B，在基板10上形成一柵極絕緣層30以覆蓋住柵極20。然后， 請參照圖1C，通過第二道光掩模工藝于柵極絕緣層30上形成一位于柵極20 上方的通道層40。 一般而言，通道層40的材質(zhì)為非晶硅(amorphoussilicon)。 之后，請參照圖1D，通過第三道光掩模工藝于通道層40的部分區(qū)域以及柵 極絕緣層30的部分區(qū)域上形成一源極50以及一漏極60。由圖1D可知，源 極50與漏極60分別由通道層40的兩側(cè)延伸至柵極絕緣層30上，并將通道 層40的部分區(qū)域暴露。接著，請參照圖1E，于基板10上形成一保護(hù)層70 以覆蓋柵介電層30、通道層40、源極50以及漏極60。然后，請參照圖1F， 通過第四道光掩模工藝將保護(hù)層70圖案化，以于保護(hù)層70中形成一接觸孔 H。由圖1F可知，保護(hù)層70中的接觸孔H會將漏極60的部分區(qū)域暴露。之后，請參照圖1G，通過第五道光掩模工藝于保護(hù)層70上形成一像素電極 80，由圖1G可知，像素電極80會透過接觸孔H與漏極60電性連接。在像 素電極80制作完成之后，便完成了像素結(jié)構(gòu)90的制作。
可見，現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)90主要是通過五道光掩模工藝來進(jìn)行制作，換 言之，像素結(jié)構(gòu)90需采用五個具有不同圖案的光掩模(mask)來進(jìn)行制作。由 于光掩模的造價十分昂貴，且每道光掩模工藝皆須使用到具有不同圖案的光 掩模，因此，若無法縮減光掩模工藝的數(shù)目，像素結(jié)構(gòu)90的制造成本將無 法降低。
此外，隨著薄膜晶體管液晶顯示面板的尺寸日益增加，用來制作薄膜晶 體管陣列基板的光掩模尺寸也會隨之增加，而大尺寸的光掩模在造價上將更 為昂貴，使得像素結(jié)構(gòu)90的制造成本無法有效地降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，以適于降低制作成本。
為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，在此提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列 步驟。首先，于基板上形成柵極，并于基板上形成柵介電層以覆蓋柵極。接 著，于柵介電層上形成通道層，并于通道層上形成第二金屬層。接著，于第 二金屬層上形成圖案化光致抗蝕劑層，并以圖案化光致抗蝕劑層為掩模移除 部分的第二金屬層，以于柵極兩側(cè)的通道層上形成源極與漏極，其中柵極、 通道層、源極以及漏極構(gòu)成薄膜晶體管。之后，于圖案化光致抗蝕劑層、柵 介電層以及薄膜晶體管上形成保護(hù)層。移除圖案化光致抗蝕劑層，以使圖案 化光致抗蝕劑層上的保護(hù)層一并被移除，而形成圖案化保護(hù)層，并暴露出源 極與漏極。接著，于圖案化保護(hù)層與漏極上形成像素電極。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的柵極的形成方法例如是先形成第一金屬 層于基板上，再將第一金屬層圖案化，以形成柵極。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一金屬層的圖案化方法例如是激光剝 離或微影蝕刻。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的通道層的形成方法例如是先于柵介電層 上形成半導(dǎo)體層，再將半導(dǎo)體層圖案化，以形成通道層。在本發(fā)明的一實施例中，上述的半導(dǎo)體層的圖案化方法例如是激光剝離 或微影蝕刻。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的柵介電層的形成方法例如是通過化學(xué)氣 相沉積形成氮化硅層。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素電極的形成方法例如是先于圖案化 保護(hù)層以及剩余的第二金屬層上形成導(dǎo)電層，接著再將導(dǎo)電層圖案化，以形 成像素電極。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的導(dǎo)電層的形成方法例如是通過濺鍍形成 銦錫氧化物層或銦鋅氧化物層。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的導(dǎo)電層的圖案化方法例如是激光剝離或 微影蝕刻。
為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，在此提出另一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下 列步驟。首先，于基板上形成柵極。接著，于基板上形成柵介電層，以覆蓋 柵極。于柵極上方的柵介電層上形成半導(dǎo)體層，并于半導(dǎo)體層上形成第二金 屬層。接著，于第二金屬層上形成圖案化光致抗蝕劑層，并以圖案化光致抗 蝕劑層為掩模移除部分的第二金屬層與部分的半導(dǎo)體層，以于柵極上方的柵 介電層上同時形成通道層、源極以及漏極，其中源極與漏極配置于通道層的 部分區(qū)域，且柵極、通道層、源極以及漏極構(gòu)成薄膜晶體管。于圖案化光致 抗蝕劑層、柵介電層以及薄膜晶體管上形成保護(hù)層，并移除圖案化光致抗蝕 劑層，以使圖案化光致抗蝕劑層上的保護(hù)層一并被移除，而形成圖案化保護(hù) 層，并暴露出源極與漏極。之后，于圖案化保護(hù)層與漏極上形成像素電極。
在本發(fā)明的一實施例中，形成該柵極的方法包括形成第一金屬層于該 基板上；以及圖案化該第一金屬層，以形成該柵極。
在本發(fā)明的一實施例中，圖案化該第一金屬層的方法包括激光剝離或微 影蝕刻。
在本發(fā)明的一實施例中，形成該柵介電層的方法包括通過化學(xué)氣相沉積 形成氮化硅層。
在本發(fā)明的一實施例中，形成該像素電極的方法包括形成導(dǎo)電層于該 圖案化保護(hù)層與該源極和該漏極上；以及圖案化該導(dǎo)電層，以形成該像素電 極。在本發(fā)明的一實施例中，形成該導(dǎo)電層的方法包括通過濺鍍形成銦錫氧 化物層或銦鋅氧化物層。
在本發(fā)明的一實施例中，圖案化該導(dǎo)電層的方法包括激光剝離或微影蝕刻。
在本發(fā)明的一實施例中，形成圖案化光致抗蝕劑層的步驟經(jīng)由半調(diào)式
(half-tone)光掩模工藝或灰調(diào)式(gray-tone)光掩模工藝完成。
在本發(fā)明的一實施例中，同時形成通道層、源極以及漏極的方法包括下 列步驟。首先，于柵介電層上形成半導(dǎo)體層，并于半導(dǎo)體層上形成第二金屬 層。接著，于柵極上方的第二金屬層上形成圖案化光致抗蝕劑層，其中圖案 化光致抗蝕劑層包括第一光致抗蝕劑區(qū)塊與位于第一光致抗蝕劑區(qū)塊兩側(cè) 的第二光致抗蝕劑區(qū)塊，且第一光致抗蝕劑區(qū)塊的厚度小于第二光致抗蝕劑 區(qū)塊的厚度。以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，對第二金屬層與半導(dǎo)體層進(jìn)行 第一蝕刻工藝。接著，減少圖案化光致抗蝕劑層的厚度，直到第一光致抗蝕 劑區(qū)塊被完全移除，再以剩余的第二光致抗蝕劑區(qū)塊為掩模，對第二金屬層 進(jìn)行第二蝕刻工藝，以使剩余的第二金屬層構(gòu)成源極以及漏極，而使半導(dǎo)體 層構(gòu)成通道層。
本發(fā)明利用光致抗蝕劑掀離工藝(photoresist lift-off process)來制作保護(hù) 層，相比于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)制作的方法，可以簡化工藝步驟并減少光掩模的 制作成本。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并 配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1A 圖1G為現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。
圖2A 圖21為本發(fā)明第一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。
圖3A 圖31為本發(fā)明第二實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下
10、 200:基板
20、 210':柵極
30、 220:柵介電層
840、 230':通道層
50、 242:源極
60、 244:漏極 70:保護(hù)層
80:像素電極 90:像素結(jié)構(gòu) 210:第一金屬層 230:半導(dǎo)體層 240:第二金屬層
260、 290:圖案化光致抗蝕劑層
290a:第一光致抗蝕劑區(qū)塊
290b、 290b，:第二光致抗蝕劑區(qū)塊
270:保護(hù)層
270':圖案化保護(hù)層
280:導(dǎo)電層
H:接觸開口
Ll、 L2、 L3:激光
Ml:第一遮罩 M2:第二遮罩 M3:第三遮罩
具體實施方式
第一實施例
圖2A 圖21為本發(fā)明第一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。請參 照圖2A，首先提供一基板200，基板200的材質(zhì)例如為玻璃、塑膠等硬質(zhì)或 軟質(zhì)材料。接著，形成一第一金屬層210于基板200上，其中第一金屬層210 例如是通過濺鍍(sputtering)、蒸鍍(ev叩omtion)或是其他薄膜沉積技術(shù)所形 成。接著，提供一第一遮罩M1于第一金屬層210上方，且第一遮罩M1暴 露出部分的第一金屬層210，并使用激光L1經(jīng)由第一遮罩M1照射第一金屬 層210。詳言之，經(jīng)激光L1照射后的第一金屬層210會吸收激光L1的能量而自基板200表面剝離(ablation)。具體而言，用來剝離第一金屬層210的 激光L1的能量例如是介于10至500 mJ/cn^之間。另外，激光Ll的波長例 如是介于100 nm至400 nm之間。
之后，移除第一遮罩Ml所暴露的部分第一金屬層210，形成一柵極210' 于基板200上。值得注意的是，不同于現(xiàn)有技術(shù)使用造價昂貴的光掩模來進(jìn) 行柵極210'的制作，本實施例使用造價低廉的遮罩M1完成柵極210'的制 作，因此能節(jié)省成本。然而，在本發(fā)明中，柵極210'的制作不限定必須是 采用前述方式來制作，換言之，柵極21(T的制作也可以是采用微影蝕刻工 藝來進(jìn)行。
接著，請參照圖2B，于基板200上形成一覆蓋柵極210，的柵介電層 220，其中柵介電層220例如是通過化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)或其他合適的薄膜沉積技術(shù)所形成，而柵介電層220的材 質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等介電材料。
接著，請參照圖2C與圖2D，于柵介電層220上形成一半導(dǎo)體層230。 在本實施例中，半導(dǎo)體層230的材質(zhì)例如是非晶硅(amorphous silicon)或其他 半導(dǎo)體材料。接著，提供一第二遮罩M2于半導(dǎo)體層230上方，且第二遮罩 M2暴露出部分的半導(dǎo)體層230。然后，使用激光L2經(jīng)由第二遮罩M2照射 半導(dǎo)體層230，而經(jīng)激光L2照射后的半導(dǎo)體層230會吸收激光L2的能量而 自柵介電層220表面剝離。此時，通道層230'已形成于柵介電層220上。 然而，在本發(fā)明中，通道層230'的制作不限定必須是采用前述方式來制作， 換言之，通道層230'的制作亦可以是采用微影蝕刻工藝來進(jìn)行。
接著請參考圖2E，于柵介電層220以及通道層230'形成一第二金屬層 240 (未繪示)，并以一圖案化光致抗蝕劑層260為掩模，對第二金屬層240 進(jìn)行圖案化工藝，以形成一源極242以及一漏極244。其中柵極210'、通 道層230'、源極242以及漏極244構(gòu)成薄膜晶體管。在本實施例中，源極 242與漏極244的材質(zhì)例如為鋁(A1)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、釹(Nd)、上述的氮化 物如氮化鉬(MoN)、氮化鈦(TiN)、其疊層、上述的合金或是其他導(dǎo)電材料。
接著請參考圖2F,在形成源極242與漏極244之后，于圖案化光致抗蝕 劑層260、柵介電層220以及薄膜晶體管上全面性地形成一保護(hù)層270。在 本實施例中，保護(hù)層270的材質(zhì)例如為氮化硅或氧化硅，而其形成的方法例如是物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。
接著請參考圖2G，移除圖案化光致抗蝕劑層260，以使圖案化光致抗蝕 劑層260上的部分保護(hù)層270 —并被移除，并暴露出源極242與漏極244。 此時，保護(hù)層270己被圖案化為圖案化保護(hù)層270'。值得注意的是，前述 將圖案化光致抗蝕劑層260與部分保護(hù)層270 —并移除的工藝屬于一種掀離 工藝，其可有效地達(dá)到將保護(hù)層270圖案化的目的。
接著請參考圖2H與圖21，于源極242、漏極244以及圖案化保護(hù)層270， 上形成一導(dǎo)電層280。在本實施例中，導(dǎo)電層280的材質(zhì)例如是銦錫氧化物、 銦鋅氧化物或其他導(dǎo)電材料。接著，提供一第三遮罩M3于導(dǎo)電層280上方， 且第三遮罩M3暴露出部分的導(dǎo)電層280。然后，使用激光L3經(jīng)由第二遮罩 M3照射導(dǎo)電層280，而經(jīng)激光U照射后的導(dǎo)電層280會吸收激光L3的能 量而自部分的圖案化保護(hù)層270'與源極242表面剝離，進(jìn)而在漏極244以 及部分的圖案化保護(hù)層270'上形成像素電極280'。然而，在本發(fā)明中， 像素電極280'的制作不限定必須是采用前述方式來制作，換言之，像素電 極280'的制作也可以是采用微影蝕刻工藝來進(jìn)行。第二實施例
圖3A 圖31為本發(fā)明第二實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。在本 實施例中，通道層、源極與漏極是同時形成的，以下將搭配圖3C 圖3I進(jìn)行 詳細(xì)的說明。由于圖3A至圖3B中所揭示的工藝與圖2A至圖2B中所揭示 的工藝相同，且圖3F至31中所揭示的工藝與圖2F至圖21中所揭示的工藝 相類似，故此處不再重述。
請參照圖3C，于柵介電層220上依序形成一半導(dǎo)體層230以及一第二 金屬層240。在本實施例中，半導(dǎo)體層230的材質(zhì)例如是非晶硅(amorphous silicon)或其他半導(dǎo)體材料。
請參照圖3D，在形成第二金屬層240之后，于柵極210'上方的第二金 屬層240上形成一圖案化光致抗蝕劑層290。如圖3D所示，圖案化光致抗 蝕劑層290可分為一第一光致抗蝕劑區(qū)塊290a與位于第一光致抗蝕劑區(qū)塊 290a兩側(cè)的第二光致抗蝕劑區(qū)塊290b，且第一光致抗蝕劑區(qū)塊290a的厚度 小于第二光致抗蝕劑區(qū)塊290b的厚度。接著，以圖案化光致抗蝕劑層290 為掩模對第二金屬層240與半導(dǎo)體層230進(jìn)行一第一蝕刻工藝。接著，減少圖案化光致抗蝕劑層290的厚度，直到第一光致抗蝕劑區(qū)塊
290a被完全移除，如圖3E所示，其中減少圖案化光致抗蝕劑層290厚度的 方法例如是采用灰化的方式。請繼續(xù)參照圖3E，在第一光致抗蝕劑區(qū)塊2卯a(chǎn) 被完全移除之后，再以剩余的第二光致抗蝕劑區(qū)塊290b'為掩模對第二金屬 層240進(jìn)行一第二蝕刻工藝。在本實施例中，第一蝕刻工藝、第二蝕刻工藝 例如為進(jìn)行一濕式蝕刻，在其他實施例中，蝕刻工藝也可以是干式蝕刻。 基于上述，本發(fā)明所提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法至少具有下列優(yōu)點
1. 本發(fā)明提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其保護(hù)層的圖案化步驟不需使用 微影工藝，故相較于微影工藝所使用的高精度光掩模工藝，能降低光掩模的 制作成本。
2. 由于制作像素結(jié)構(gòu)的工藝較少，可以減少冗長的光掩模工藝(如光致 抗蝕劑涂布、軟烤、硬烤、曝光、顯影、蝕刻、光致抗蝕劑剝除等)制作像 素結(jié)構(gòu)時所產(chǎn)生的缺陷。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許更動與 潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視隨附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
1權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供基板；形成柵極于該基板上；形成柵介電層于該基板上，以覆蓋該柵極；形成通道層于該柵極上方的該柵介電層上；形成第二金屬層于該通道層上；形成圖案化光致抗蝕劑層于該第二金屬層上，并以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模移除部分的該第二金屬層，以于該柵極兩側(cè)的該通道層上形成源極以及漏極，其中該柵極、該通道層、該源極以及該漏極構(gòu)成薄膜晶體管；形成保護(hù)層于該圖案化光致抗蝕劑層、該柵介電層以及該薄膜晶體管上；移除該圖案化光致抗蝕劑層，以使該圖案化光致抗蝕劑層上的該保護(hù)層一并被移除，而形成圖案化保護(hù)層，并暴露出該源極與該漏極；以及形成像素電極于該圖案化保護(hù)層與該漏極上。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該柵極的方法包括形成第一金屬層于該基板上；以及 圖案化該第一金屬層，以形成該柵極。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中圖案化該第一金屬層 的方法包括激光剝離或微影蝕刻。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該通道層的方法 包括形成半導(dǎo)體層于該柵介電層上；以及 圖案化該半導(dǎo)體層以形成該通道層。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中圖案化該半導(dǎo)體層的 方法包括激光剝離或微影蝕刻。
6. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該柵介電層的方 法包括通過化學(xué)氣相沉積形成氮化硅層。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該像素電極的方法包括-形成導(dǎo)電層于該圖案化保護(hù)層與剩余的該第二金屬層上；以及圖案化該導(dǎo)電層，以形成該像素電極。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該導(dǎo)電層的方法 包括通過濺鍍形成銦錫氧化物層或銦鋅氧化物層。
9. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中圖案化該導(dǎo)電層的方 法包括激光剝離或微影蝕刻。
10. —種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括 提供基板；形成柵極于該基板上； 形成柵介電層于該基板上，以覆蓋該柵極； 形成半導(dǎo)體層于該柵極上方的該柵介電層上； 形成第二金屬層于該半導(dǎo)體層上；形成圖案化光致抗蝕劑層于該第二金屬層上，并以該圖案化光致抗蝕劑 層為掩模移除部分的該第二金屬層與部分的該半導(dǎo)體層，以同時形成通道 層、源極以及漏極于該柵極上方的該柵介電層上，其中該源極與該漏極配置 于該通道層的部分區(qū)域，且該柵極、該通道層、該源極以及該漏極構(gòu)成薄膜 晶體管；形成保護(hù)層于該圖案化光致抗蝕劑層、該柵介電層以及該薄膜晶體管上；移除該圖案化光致抗蝕劑層，以使該圖案化光致抗蝕劑層上的該保護(hù)層 一并被移除，而形成圖案化保護(hù)層，并暴露出該源極與該漏極；以及 形成像素電極于該圖案化保護(hù)層與該漏極上。
11. 如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該柵極的方法 包括形成第一金屬層于該基板上；以及 圖案化該第一金屬層，以形成該柵極。
12. 如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中圖案化該第一金屬 層的方法包括激光剝離或微影蝕刻。
13.如權(quán)利要求IO所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該柵介電層的方法包括通過化學(xué)氣相沉積形成氮化硅層。
14. 如權(quán)利要求IO所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該像素電極的方法包括形成導(dǎo)電層于該圖案化保護(hù)層與該源極和該漏極上；以及圖案化該導(dǎo)電層，以形成該像素電極。
15. 如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該導(dǎo)電層的方 法包括通過濺鍍形成銦錫氧化物層或銦鋅氧化物層。
16. 如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中圖案化該導(dǎo)電層的 方法包括激光剝離或微影蝕刻。
17. 如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該圖案化光致 抗蝕劑層的步驟經(jīng)由半調(diào)式光掩模工藝或灰調(diào)式光掩模工藝完成。
18. 如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中同時形成該通道層、 該源極以及該漏極的方法包括形成該半導(dǎo)體層于該柵介電層上； 形成該第二金屬層于該半導(dǎo)體層上；形成該圖案化光致抗蝕劑層于該柵極上方的該第二金屬層上，其中該圖 案化光致抗蝕劑層包括第一光致抗蝕劑區(qū)塊與位于該第一光致抗蝕劑區(qū)塊 兩側(cè)的第二光致抗蝕劑區(qū)塊，且該第一光致抗蝕劑區(qū)塊的厚度小于該第二光 致抗蝕劑區(qū)塊的厚度；以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模對該第二金屬層與該半導(dǎo)體層進(jìn)行第 一蝕刻工藝；減少該圖案化光致抗蝕劑層的厚度，直到該第一光致抗蝕劑區(qū)塊被完全 移除；以及以剩余的該第二光致抗蝕劑區(qū)塊為掩模對該第二金屬層進(jìn)行第二蝕刻 工藝，以使剩余的該第二金屬層構(gòu)成該源極以及該漏極，而該半導(dǎo)體層構(gòu)成 該通道層。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟。首先，于基板上形成柵極，并于基板上形成柵介電層以覆蓋柵極。接著，于柵介電層上形成通道層，并于通道層上形成第二金屬層。接著，于第二金屬層上形成圖案化光致抗蝕劑層，并以圖案化光致抗蝕劑層為掩模移除部分的第二金屬層，以于柵極兩側(cè)的通道層上形成源極與漏極，其中柵極、通道層、源極以及漏極構(gòu)成薄膜晶體管。之后，于圖案化光致抗蝕劑層、柵介電層以及薄膜晶體管上形成保護(hù)層。移除圖案化光致抗蝕劑層，以使圖案化光致抗蝕劑層上的保護(hù)層一并被移除，而形成圖案化保護(hù)層，并暴露出漏極。接著，于圖案化保護(hù)層與漏極上形成一像素電極。本發(fā)明可以簡化工藝步驟并減少光掩模的制作成本。
文檔編號H01L21/70GK101315909SQ20081013783
公開日2008年12月3日 申請日期2008年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月8日
發(fā)明者廖達(dá)文, 方國龍, 楊智鈞, 林漢涂, 石志鴻, 蔡佳琪, 黃明遠(yuǎn) 申請人:友達(dá)光電股份有限公司