專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，且尤其涉及一種減少光掩模數(shù)目的 像素結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
顯示器為人與信息的溝通界面，目前以平面顯示器為主要發(fā)展的趨勢。平面顯示器主要有以下幾種有機電激發(fā)光顯示器(organic electroluminescence display)、等離子顯示器(plasma display panel)以及 薄膜晶體管液晶顯示器等(thin film transistor liquid crystal display)。 其中，低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的優(yōu)點在于其厚度薄、重量輕、分辨 率佳，特別適合應(yīng)用于要求輕巧省電的行動終端產(chǎn)品上。低溫多晶硅薄膜晶體管的像素制作流程繁瑣。 一般而言，首先利用在一基 板上形成一多晶硅層以及第一電容電極。接著，經(jīng)由離子摻雜工藝將多晶硅層 定義出通道區(qū)、源極區(qū)以及漏極區(qū)。之后，形成一柵介電層以覆蓋多晶硅層以 及第一電容電極。然后，在多晶硅層的通道區(qū)上方的柵介電層上形成一柵極。 接著，形成一介電層覆蓋柵極以與門絕緣層，并于介電層中形成暴露出源極區(qū) 以及漏極區(qū)的接觸 L。之后，形成一通過接觸孔與源極區(qū)連接的源極以及通過 接觸孔與漏極區(qū)連接的漏極。接著，形成一保護(hù)層以覆蓋源極、漏極以及介電 層，其中保護(hù)層具有一暴露出漏極的接觸開口。然后，形成一通過接觸開口與 漏極連接的像素電極。綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)的低溫多晶硅薄膜晶體管的像素結(jié)構(gòu)制作方法，主要 是通過第一道光掩模工藝形成多晶硅層以及第一電容電極，利用第二道光掩模 工藝形成柵極，而利用第三道光掩模工藝在介電層中形成接觸孔，并利用第四 道光掩模工藝形成源極以及漏極，接著利用第五道光掩模工藝在保護(hù)層中形成 接觸開口以及通過第六道光掩模工藝形成像素電極。此外，在上述低溫多晶硅 薄膜晶體管的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，形成通道區(qū)、源極區(qū)以及漏極區(qū)的離子摻 雜工藝通常需要利用二至三道的光掩模工藝。因此， 一般而言，現(xiàn)有技術(shù)的低 溫多晶硅薄膜晶體管的像素制作約采用八至九道光掩模工藝進(jìn)行制作，此種制 作方法步驟繁復(fù)，且制作時間冗長。當(dāng)制作步驟較繁復(fù)時，低溫多晶硅薄膜晶 體管的像素產(chǎn)生缺陷的機會較高，生產(chǎn)良率也較低。此外，現(xiàn)有技術(shù)的低溫多 晶硅薄膜晶體管的像素制作是采用較多的制作步驟且花費較長的制作時間，因 此不論是機臺設(shè)備添購的固定成本或是生產(chǎn)利用上的材料成本都會使生產(chǎn)總 成本變高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其適于降 低制作成本。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其先提供一基板， 且基板上己形成一有源元件，有源元件具有一柵極、 一柵介電層以及一半導(dǎo)體 層，其中半導(dǎo)體層具有一通道區(qū)對準(zhǔn)柵極，以及位于通道區(qū)兩側(cè)的一源極區(qū)以 及一漏極區(qū)。接著，形成一介電層覆蓋有源元件。繼之，形成一光刻膠層于介 電層上，光刻膠層具有一第一光刻膠區(qū)塊以及與第一光刻膠區(qū)塊鄰接的一第二 光刻膠區(qū)塊，其中第二光刻膠區(qū)塊具有位于源極區(qū)以及漏極區(qū)上方的一開口， 且第一光刻膠區(qū)塊的厚度大于第二光刻膠區(qū)塊的厚度。然后，以光刻膠層為掩 模移除部份介電層，以暴露出源極區(qū)以及漏極區(qū)。接著，減少光刻膠層的厚度 以完全移除第二光刻膠區(qū)塊。然后，形成一第二金屬層覆蓋第一光刻膠區(qū)塊、 介電層以及有源元件。接著，移除第一光刻膠區(qū)塊，以使第一光刻膠區(qū)塊上的 第二金屬層一并被移除，其中源極區(qū)以及漏極區(qū)上的第二金屬層分別構(gòu)成一源 極以及一漏極。繼之，形成一與漏極連接的像素電極。在本發(fā)明的一實施例中，像素結(jié)構(gòu)的制作方法還包括在形成該源極以及該 漏極之后，形成一保護(hù)層于該介電層與該第二金屬層上，該保護(hù)層具有暴露該 漏極的接觸開口，而該像素電極通過該接觸開口與該漏極連接。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，有源元件為一頂柵極薄膜晶體管。在一 實施例中，形成頂柵極薄膜晶體管的方法例如包括下列步驟。首先，形成一半 導(dǎo)體層于基板上。接著，形成一柵介電層覆蓋半導(dǎo)體層。然后，形成一柵極于 半導(dǎo)體層上方的柵介電層上，再于半導(dǎo)體層的二端形成一源極區(qū)以及一漏極 區(qū)。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，有源元件為 一底柵極薄膜晶體管。在一 實施例中，形成底柵極薄膜晶體管的方法包括下列步驟。首先，形成一柵極于 基板上。接著，形成一柵介電層于基板上，以覆蓋柵極。然后，形成一半導(dǎo)體 層于柵極上方的柵介電層上，再于半導(dǎo)體層的二端形成一源極區(qū)以及一漏極 區(qū)。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，形成光刻膠層的方法包括經(jīng)由一半調(diào)式 光掩模工藝或一灰調(diào)式光掩模工藝。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，移除部份介電層的方法包括進(jìn)行一蝕刻工藝。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，減少光刻膠層厚度的方法包括進(jìn)行一灰化(ashing)工藝。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，移除第一光刻膠區(qū)塊的方法包括蝕刻工藝在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，半導(dǎo)體層的材料包括多晶硅。 在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，介電層的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅或有 機材料。本發(fā)明將制作圖案化介電層與源極/漏極導(dǎo)線的兩道光掩模工藝加以整 合，采用較少光掩模的工藝，相較于現(xiàn)有技術(shù)的像素制作方^ 不但可節(jié)省光掩 模的成本，還可減低因工藝冗長所造成的缺陷。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配 合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1A 圖II為本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖；圖2A為圖1A的上視圖；圖2B為圖1B的上視圖；圖2C為一種形成光刻膠層的光掩模；圖2D為圖1G的上視圖。其中，附圖標(biāo)記 300:像素結(jié)構(gòu) 202:緩沖層 210S:源極區(qū) 210C:通道區(qū) 220:柵介電層 240:有源元件 260:光刻膠層 260B:第二光刻膠區(qū)塊 270:第二金屬層 270D:漏極 290:像素電極 H:接觸開口 Rs:遮光區(qū) Rt:透光區(qū)具體實施方式
圖1A 圖II為本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。請參照圖1A， 首先提供一基板200，基板200的材質(zhì)例如為玻璃、塑料等硬質(zhì)或軟質(zhì)材料。 接著，在基板200上形成半導(dǎo)體層210。在本實施例中，形成半導(dǎo)體層210的 方法例如是先于基板200上形成半導(dǎo)體材料層(未繪示)。之后，再利用一道 光掩模工藝對半導(dǎo)體材料層進(jìn)行圖案化工藝，以形成半導(dǎo)體層210。圖2A為 圖1A的上視圖，而圖1A為圖2A中對應(yīng)于A-A，剖面線的剖面圖。另外，半導(dǎo) 體層210的材質(zhì)例如為多晶硅或是經(jīng)摻雜的多晶硅。在本實施例中，于形成半導(dǎo)體層210之前，可選擇性地先于基板200上形 成緩沖層202 (buffer layer)，用以抑制基板200中的雜質(zhì)在后續(xù)工藝中對 半導(dǎo)體層210造成污染。同時，緩沖層202可提升半導(dǎo)體層210與基板200 之間的附著性，而緩沖層202的材質(zhì)例如為氮化硅、氧化硅或其組合。接著，請參照圖1B，在基板200上形成一柵介電層220以覆蓋半導(dǎo)體層 210，其中柵介電層220例如是通過化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)或其它合適的薄膜沉積技術(shù)所形成，而柵介電層220的材200:基板210:半導(dǎo)體層210D:漏極區(qū)210L:淺摻雜區(qū)230:柵極250:介電層260A:第一光刻膠區(qū)塊260C:開口270S:源極280:保護(hù)層D:摻雜工藝M:光掩模RH:半穿透區(qū)
質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其組合等介電材料。接著，于半導(dǎo)體層210上方的柵介電層220上形成一柵極230，其中形成柵極230的方法為例 如先形成一第一金屬層(未繪示)于基板200上，之后再利用第二道光掩模工 藝將第一金屬層圖案化，以形成柵極230。圖2B為圖1B的上視圖，而圖1B 為圖2B中對應(yīng)A-A'剖面線的剖面圖。此外，第一金屬層例如是通過濺鍍 (sputtering)、蒸鍍(evaporation)或是其它薄膜沉積技術(shù)所形成，而第一金 屬層的圖案化例如是通過微影及蝕刻工藝來進(jìn)行。請接著參照圖1C，進(jìn)行一摻雜工藝D，以使半導(dǎo)體層210具有對準(zhǔn)于柵極 230的通道區(qū)210C，以及位于半導(dǎo)體層210的二端的源極區(qū)210S以及漏極區(qū) 210D，其中摻雜工藝D為自行對準(zhǔn)(self-aligned)離子摻雜工藝。詳言之，利 用柵極230為自行對準(zhǔn)掩模，而對半導(dǎo)體層210進(jìn)行離子摻雜，其中離子摻雜 的方法例如是離子射叢工藝(ion shower)或離子植入(ion implantation)，而 摻雜的離子可以是正型摻質(zhì)(P-type dopant)，也可以是負(fù)型摻質(zhì)(n-type dopant)。此外，在本實施例中，更可以于源極區(qū)210S與通道區(qū)210C之間以 及漏極區(qū)210D與通道區(qū)210C之間再形成一淺摻雜區(qū)210L,以降低漏電流的 影響，其中形成淺摻雜區(qū)210L的方法例如是先利用一光刻膠層(未繪示)作 為掩模進(jìn)行重?fù)诫s工藝D，以形成源極區(qū)210S以及漏極區(qū)210D，然后移除光 刻膠層，接著以柵極為掩模進(jìn)行另一輕摻雜工藝，以將摻質(zhì)植入源極區(qū)210S 與通道區(qū)210C之間，以及漏極區(qū)210D與通道區(qū)210C之間。請繼續(xù)參照圖1C，在進(jìn)行完半導(dǎo)體層210的通道區(qū)210C、源極區(qū)210S 以及漏極區(qū)210D的制作之后，便完成有源元件240的初步制作。在本實施例 中，有源元件240為一頂柵極薄膜晶體管，然而，本發(fā)明并不限定有源元件 240的型態(tài)。舉例而言，有源元件240也可以為一底柵極薄膜晶體管，如圖1C， 所示，其中形成底柵極薄膜晶體管的方法例如先形成一柵極230于基板200 上，而基板200上可以選擇性地形成緩沖層202。接著，于緩沖層202上形成 一柵介電層220，以覆蓋柵極230。然后，于柵極230上方的柵介電層220上 形成一半導(dǎo)體層210,并于半導(dǎo)體層210的二端形成一源極區(qū)210S以及一漏 極區(qū)210D。請參照圖1D，在薄膜晶體管240制作完成之后，接著形成一介電層250 以覆蓋有源元件240與門介電層220。在本實施例中，介電層250例如是利用
化學(xué)氣相沉積法或其它合適的薄膜沉積技術(shù)所形成，而介電層250的材質(zhì)例如 是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其組合等介電材料。繼之，請參照圖1E，于介電層250上形成一圖案化光刻膠層260，光刻膠層 260具有第一光刻膠區(qū)塊260A以及與第一光刻膠區(qū)塊260A鄰接的第二光刻膠 區(qū)塊260B，其中第二光刻膠區(qū)塊260B具有位于源極區(qū)210S以及漏極區(qū)210D 上方的一開口 260C，且第一光刻膠區(qū)塊260A的厚度大于第二光刻膠區(qū)塊260B 的厚度。詳言之，光刻膠層260例如是利用光掩模M進(jìn)行一圖案化工藝所形成 的。圖2C繪示為一種形成上述光刻膠層的光掩模M，其中僅繪示部分的光掩 模圖案為代表進(jìn)行說明。請同時參照圖1E與圖2C，光掩模M具有對應(yīng)第一光 刻膠區(qū)塊260A的遮光區(qū)Rs、對應(yīng)第二光刻膠區(qū)塊260B的半穿透區(qū)RH以及一 對應(yīng)開口 260C的透光區(qū)RT，而光掩模M例如是半調(diào)式光掩模(half-tone mask)、灰調(diào)式光掩模(gray-tone mask)、柵狀圖案光掩模(siit-pattern mask) 或繞射式光掩模(diffraction mask)等。接著，如圖1E所示，以光刻膠層260 為掩模移除部份介電層250及部份柵介電層220，以暴露出源極區(qū)210S以及 漏極區(qū)210D。在本實施例中，移除部份介電層250及部份柵介電層220的方 法例如是進(jìn)行一濕式蝕刻工藝，在其它實施例中，移除部份介電層250及部份 柵介電層220的方法也可以是干式蝕刻工藝。請接著參照圖1F，減少光刻膠層260的厚度，直到第二光刻膠區(qū)塊260B (繪示于圖IE)被完全移除，在本實施例中，減少光刻膠層260厚度的方法 例如是進(jìn)行一灰化工藝(ashing process)。接著，形成一第二金屬層270覆蓋 第一光刻膠區(qū)塊260A、介電層250以及有源元件240，其中第二金屬層270 例如是通過濺鍍、蒸鍍或是其它薄膜沉積技術(shù)所形成，第二金屬層270的材質(zhì) 例如為例如為鋁(A1)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、釹(Nd)、上述的氮化物如氮化鉬(MoN)、 氮化鈦(TiN)、其迭層、上述的合金或是其它導(dǎo)電材料。然后，請參照圖1G,移除第一光刻膠區(qū)塊260A，以使第一光刻膠區(qū)塊260A 上的部分第二金屬層270 —并被移除，其中留在源極區(qū)210S以及漏極區(qū)210D 上的第二金屬層270分別構(gòu)成一源極270S以及一漏極270D，如圖2D所示， 圖2D為圖1G的上視圖，而圖1G為圖2D中對應(yīng)于A-A，剖面線的剖面圖。另外， 移除第一光刻膠區(qū)塊260A的方法例如使用一剝離液于第一光刻膠區(qū)塊260A 以及第二金屬層270的表面，使得第一光刻膠區(qū)塊260A的底表面因剝離液的
侵入而自介電層250表面剝離。此外，可輔以超音波震蕩，增進(jìn)剝離效果。在其它實施例中，移除第一光刻膠區(qū)塊260A的方法也可以是進(jìn)行一蝕刻工藝， 或者是使用激光剝離工藝來移除第一光刻膠區(qū)塊260A。值得注意的是，不同 于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的介電層250的圖案化以及源極270S、漏極270D為利用 一道光掩模形成的，因此可以減少一道光掩模工藝，并降低工藝的復(fù)雜度。接著，請參照圖1H，在本實施例中，可以于介電層250與第二金屬層270 上形成一保護(hù)層280，保護(hù)層280具有一將漏極270D暴露的接觸開口 H。通過 保護(hù)層280的保護(hù)可以避免有源元件240受到水氣的侵入而影響元件特性，同 時可以避免源極270S與漏極270D受到損傷。在本實施例中，保護(hù)層280的材 質(zhì)例如為氮化硅或氧化硅，而其形成的方法例如是以物理氣相沉積法或化學(xué)氣 相沉積法全面性地沉積在基板200上。接著，再通過第四光掩模(未繪示)進(jìn) 行圖案化工藝。在其它實施例中，保護(hù)層280的材質(zhì)也可以是有機材料，例如 感旋光性樹脂。之后，請參照圖II，形成一像素電極290于保護(hù)層280上，且像素電極 290通過接觸開口 H連接至漏極270D，其中形成像素電極290的方法例如是通 過濺鍍形成一導(dǎo)電層，例如銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。之后，再通過第 五光掩模(未繪示)圖案化導(dǎo)電層以制得像素電極290。在其它實施例中，形 成像素電極290的方法也可以是利用激光剝離工藝(laser ablation process) 或其它適合工藝。經(jīng)由上述的圖1A 圖II的步驟，可制得像素結(jié)構(gòu)300，其 中本發(fā)明并不限定圖1A 圖1C的有源元件的制作方法與步驟?；谏鲜?，本發(fā)明不同于現(xiàn)有技術(shù)，將介電層的圖案化工藝與形成源極、 漏極的圖案化工藝加以整合。換言之，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制作方法僅需使用 較少的光掩模工藝，因此相較于現(xiàn)有技術(shù)，具有減少光掩模的使用數(shù)量，簡化 工藝步驟，進(jìn)而降低工藝成本的優(yōu)點。并且，由于制作像素結(jié)構(gòu)的工藝較少， 可以減少冗長的光掩模工藝(如光刻膠涂布、軟烤、硬烤、曝光、顯影、蝕刻、 光刻膠剝除等)制作像素結(jié)構(gòu)時所產(chǎn)生缺陷，提升良率。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明做出各種相應(yīng)的改變和變 形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、 一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括提供一基板，且該基板上已形成一有源元件，該有源元件具有一半導(dǎo)體層、 一柵介電層以及一柵極，其中該半導(dǎo)體層具有一通道區(qū)，以及位于該通道區(qū)兩 側(cè)的一源極區(qū)以及一漏極區(qū)，且該柵極對準(zhǔn)該通道區(qū)；形成一介電層覆蓋該有源元件；形成一圖案化光刻膠層于該介電層上，該圖案化光刻膠層具有一第一光刻 膠區(qū)塊以及與該第一光刻膠區(qū)塊鄰接的一第二光刻膠區(qū)塊，其中該第二光刻膠 區(qū)塊具有位于該源極區(qū)以及該漏極區(qū)上方的開口 ，且該第一光刻膠區(qū)塊的厚度 大于該第二光刻膠區(qū)塊的厚度；以該圖案化光刻膠層為掩模，移除部份該介電層，以暴露出該源極區(qū)以及 該漏極區(qū)；減少該圖案化光刻膠層的厚度，以完全移除該第二光刻膠區(qū)塊； 形成一第二金屬層覆蓋該第一光刻膠區(qū)塊、該介電層以及該有源元件； 移除該第一光刻膠區(qū)塊，以使該第一光刻膠區(qū)塊上的該第二金屬層一并被移除，其中該源極區(qū)以及該漏極區(qū)上的該第二金屬層分別構(gòu)成一源極以及一漏極；以及形成與該漏極連接的一像素電極。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括在 形成該源極以及該漏極之后，形成一保護(hù)層于該介電層與該第二金屬層上，該 保護(hù)層具有暴露該漏極的一接觸開口 ，而該像素電極通過該接觸開口與該漏極 連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該有源元 件為一頂柵極薄膜晶體管。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該頂 柵極薄膜晶體管的方法包括形成一半導(dǎo)體層于該基板上； 形成一柵介電層覆蓋該半導(dǎo)體層 ， 形成一柵極于該半導(dǎo)體層上方的該柵介電層上；以及于該半導(dǎo)體層中形成-通道區(qū)，以及位于該通道區(qū)兩側(cè)的一源極區(qū)以及--漏極區(qū)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該有源元 件為一底柵極薄膜晶體管。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該底 柵極薄膜晶體管的方法包括形成一柵極于該基板上；形成一柵介電層于該基板上，以覆蓋該柵極； 形成一半導(dǎo)體層于該柵極上方的該柵介電層上；以及于該半導(dǎo)體層中形成一通道區(qū)，以及位于該通道區(qū)兩側(cè)的一源極區(qū)以及一 漏極區(qū)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該圖 案化光刻膠層的方法包括經(jīng)由一半調(diào)式光掩模工藝或一灰調(diào)式光掩模工藝。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，移除部份 該介電層的方法包括進(jìn)行一蝕刻工藝。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，減少該圖 案化光刻膠層厚度的方法包括進(jìn)行一灰化工藝。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，移除該第 一光刻膠區(qū)塊的方法包括蝕刻工藝。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，移除該第 一光刻膠區(qū)塊的方法包括激光剝離工藝。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該半導(dǎo)體 層的材料包括多晶硅。
13、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該介電層 的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅或有機材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟先提供一已形成有源元件的基板，有源元件具有柵極、柵介電層與半導(dǎo)體層，其中半導(dǎo)體層具有通道區(qū)、源極區(qū)與漏極區(qū)。形成介電層覆蓋有源元件，再形成光刻膠層于介電層上。光刻膠層具有相鄰接的第一與第二光刻膠區(qū)塊，且第一光刻膠區(qū)塊厚度大于第二光刻膠區(qū)塊厚度。第二光刻膠區(qū)塊具有位于源極區(qū)與漏極區(qū)上方的開口。以光刻膠層為掩模移除部份介電層以暴露出源極區(qū)與漏極區(qū)，并在移除第二光刻膠區(qū)塊后，形成第二金屬層，接著移除第一光刻膠區(qū)塊以構(gòu)成源極與漏極。接著，形成與漏極連接的像素電極。
文檔編號H01L21/28GK101123224SQ20071015302
公開日2008年2月13日 申請日期2007年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月18日
發(fā)明者蔡佳琪, 鄭逸圣 申請人:友達(dá)光電股份有限公司