專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，且特別是有關(guān)于一種使用激光剝除工藝(laser ablation process)來制作像素電極的像素結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
顯示器為人與信息的溝通界面，目前以平面顯示器為主要發(fā)展的趨勢。平面顯示器主要有以下幾種有機電激發(fā)光顯示器(organicelectroluminescence display)、等離子顯示器(plasma display panel)以及薄膜晶體管液晶顯示器等(thin film transistor liquid crystaldisplay)。其中，又以薄膜晶體管液晶顯示器的應(yīng)用最為廣泛。一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器主要由薄膜晶體管數(shù)組基板(thin film transistorarray substrate)、彩色濾光數(shù)組基板(color filter substrate)和液晶層(liquid crystal layer)所構(gòu)成。其中，薄膜晶體管數(shù)組基板包括多條掃描線(scan lines)、多條數(shù)據(jù)線(data lines)以及多個數(shù)組排列的像素結(jié)構(gòu)(pixel unit)，且各個像素結(jié)構(gòu)分別與對應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接。
圖1A至圖1G為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。首先，請參照圖1A，提供一基板10，并通過第一道掩膜工藝于基板10上形成一柵極20。接著，請參照圖1B，在基板10上形成一柵極絕緣層30以覆蓋住柵極20。然后，請參照圖1C，通過笫二道掩膜工藝于柵極絕緣層30上形成一位于柵極20上方的溝道層40。一般而言，溝道層40的材質(zhì)為非晶硅(amorphous silicon)。之后，請參照圖1D，通過第三道掩膜工藝于溝道層40的部分區(qū)域以與柵極絕緣層30的部分區(qū)域上形成一源極50以及一漏極60。由圖1D可知，源極50與漏極60分別由溝道層40的兩側(cè)延伸至柵極絕緣層30上，并將溝道層40的部分區(qū)域暴露。接著，請參照圖1E，于基板10上形成一保護層70以覆蓋柵絕緣層30、溝道層40、源極50以及漏極60。然后，請參照圖1F，通過第四道掩膜工藝將保護層70圖案化，以于保護層70中形成一接觸孔H。由圖1F可知，保護層70中的的接觸孔H會將漏極60的部分區(qū)暴露。之后，請參照圖1G，通過第四道掩膜工藝于保護層70上形成一像素電極80，由圖1G可知，像素電極80會通過接觸孔H與漏極60電性連接。在像素電極80制作完成之后，便完成了像素結(jié)構(gòu)90的制作。
承上述，現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)90主要是通過五道掩膜工藝來進行制作，或者說，像素結(jié)構(gòu)90需采用五個具有不同圖案的掩膜(mask)來進行制作。由于掩膜的造價十分昂貴，且每道掩膜工藝皆須使用到具有不同圖案的掩膜，因此，若無法縮減掩膜工藝的數(shù)目，像素結(jié)構(gòu)90的制造成本將無法降低。
此外，隨著薄膜晶體管液晶顯示面板的尺寸日益增加，用來制作薄膜晶體管數(shù)組基板的掩膜尺寸也會隨之增加，而大尺寸的掩膜在造價上將更為昂貴，使得像素結(jié)構(gòu)90的制造成本無法有效地降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其適于降低制作成本。
為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其先提供一基板，且基板上已形成有一主動組件。接著，形成一圖案化保護層于基板與該主動組件上，其中該圖案化保護層暴露出部分的主動組件。再來，形成一導(dǎo)電層，覆蓋圖案化保護層。接著，提供一掩膜于導(dǎo)電層上方，且掩膜暴露出部分的導(dǎo)電層，再使用激光經(jīng)由掩膜照射導(dǎo)電層，以移除掩膜所暴露的部分導(dǎo)電層，而剩余的導(dǎo)電層構(gòu)成一像素電極，其中像素電極連接至主動組件。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，上述所提供基板上的主動組件例如是一薄膜晶體管，而形成薄膜晶體管的方法例如為先形成一柵極于基板上。接著，形成一柵絕緣層于基板上，使其覆蓋柵極。然后，形成一溝道層、一源極以及一漏極于柵極上方的柵絕緣層上，其中源極與漏極配置于溝道層的部分區(qū)域上。更詳細地說，上述的形成柵極的方法例如為先形成一第一金屬層于基板上，接著圖案化第一金屬層，以形成柵極。
另外，上述的溝道層、源極與漏極的制作方法例如是由同一道掩膜工藝所形成。更具體而言，形成溝道層、源極與漏極的方法例如為先形成一半導(dǎo)體層于柵絕緣層上，接著，形成一第二金屬層于半導(dǎo)體層上。然后，形成一光刻膠層于柵極上方的第二金屬層上，其中光刻膠層可分為一第一光刻膠區(qū)塊與位于第一區(qū)塊兩側(cè)的第二光刻膠區(qū)塊，且第一光刻膠區(qū)塊的厚度小于第二光刻膠區(qū)塊的厚度。接著，以光刻膠層為掩膜對第二金屬層與半導(dǎo)體層進行一第一刻蝕工藝。然后，減少光刻膠層的厚度，直到第一光刻膠區(qū)塊被完全移除。最后，以剩余的第二光刻膠區(qū)塊為掩膜對第二金屬層進行一第二刻蝕工藝，以使剩余的第二金屬層構(gòu)成源極與漏極，而半導(dǎo)體層構(gòu)成溝道層。在其它實施例中，溝道層、源極與漏極的制作方法還包括先在形成半導(dǎo)體層之后，形成一歐姆接觸層于半導(dǎo)體層表面。接著，經(jīng)由第一刻蝕工藝與第二刻蝕工藝，移除對應(yīng)于第二光刻膠區(qū)塊之外的歐姆接觸層。上述的減少光刻膠層厚度的方法包括進行一灰化(ashing)工藝。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中形成圖案化保護層的方法，在一實施例中例如是形成一介電層于柵絕緣層以及剩余的第二光刻膠區(qū)塊上，接著，移除剩余的該第二光刻膠區(qū)塊，以使該第二光刻膠區(qū)塊上的該介電層一并被移除以成一圖案化保護層，其中移除剩余的該第二光刻膠區(qū)塊的方法包括掀離工藝。在另一實施例中，例如是通過光刻刻蝕工藝所形成，更具體而言，在進行完第一及第二刻蝕工藝并去除剩余的第二光刻膠區(qū)塊后，先形成一介電層于柵絕緣層上，且介電層覆蓋住薄膜晶體管，接著，在介電層中形成一接觸窗，以暴露出部分的漏極。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，形成導(dǎo)電層的方法例如是通過濺射形成一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，照射于導(dǎo)電層的激光能量例如是介于10至500mJ/cm2之間。另外，激光的波長例如是介于100nm至400nm之間。
本發(fā)明利用激光剝離(laser ablation)的方式來制作像素電極，相較于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)制作方法，可以減少工藝步驟及掩膜制作成本。此外，在制作像素電極時，激光剝離所使用的掩膜較小，故此工藝步驟中所使用的掩膜的造價較為低廉。


圖1A～圖1G為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。
圖2為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。
圖3A～圖3I為本發(fā)明的第一實施例中像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。
圖4為使用激光L的波長與導(dǎo)電層吸收率的關(guān)系圖。
圖5A～圖5H為本發(fā)明的第二實施例中像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。
附圖標(biāo)號10、200基板 20、222柵極30第一介電層40、226’溝道層50、228a源極60、228b漏極70第二介電層80、260’像素電極90像素結(jié)構(gòu) 220主動組件224柵絕緣層 226半導(dǎo)體層228第二金屬層 230光刻膠層230a第一光刻膠區(qū)塊 230b第二光刻膠區(qū)塊240介電層 250接觸窗
260導(dǎo)電層 L激光M掩膜具體實施方式
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖2為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。請參照圖2，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制作方法包括下列步驟首先，提供一基板，且基板上已形成有一主動組件(S110)。接著，形成一圖案化保護層于基板上，其中圖案化保護層覆蓋主動組件，并暴露出部分的主動組件(S120)。之后，形成一導(dǎo)電層于圖案化保護層上(S130)，并提供一掩膜于導(dǎo)電層上方，且掩膜暴露出部分的導(dǎo)電層(S140)。接著，使用激光經(jīng)由掩膜照射導(dǎo)電層，以移除掩膜所暴露的部分導(dǎo)電層，而剩余的導(dǎo)電層構(gòu)成一像素電極，其中像素電極連接至主動組件(S150)。為使本發(fā)明能夠繞熟習(xí)此項技術(shù)者夠容易理解，以下將舉出多個實施例進行詳細的說明。
第一實施例圖3A～圖3I為本發(fā)明的第一實施例中像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。請參照圖3A，首先提供一基板200，基板200的材質(zhì)例如為玻璃、塑料等硬質(zhì)或軟質(zhì)材料。接著，在基板200上形成一柵極222。本實施例可先形成一第一金屬層于基板200上，之后再將第一金屬層圖案化，以形成柵極222。其中，第一金屬層例如是通過濺射(sputtering)、蒸發(fā)(evaporation)或是其它薄膜沉積技術(shù)所形成，而第一金屬層的圖案化例如是通過通過光刻刻蝕工藝來進行。
接著請參照圖3B，于基板200上形成一覆蓋住柵極222的柵絕緣層224。在本實施例中，柵絕緣層224例如是通過化學(xué)氣相沉積法(chemical vapordeposition，CVD)或其它合適的薄膜沉積技術(shù)所形成，而柵絕緣層224的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等介電材料。接著，于柵絕緣層224上依序形成一半導(dǎo)體層226以及一第二金屬層228。在本實施例中，半導(dǎo)體層226的材質(zhì)例如是非晶硅(amorphous silicon)或其它半導(dǎo)體材料，而第二金屬層228的材質(zhì)例如為鋁(Al)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、釹(Nd)、上述的氮化物如氮化鉬(MoN)、氮化鈦(TiN)、其疊層、上述的合金或是其它導(dǎo)電材料。
接著請參照圖3C，在形成第二金屬層228之后，接著于柵極222上方的第二金屬層228上形成一光刻膠層230。由圖3C可知，光刻膠層230可分為一第一光刻膠區(qū)塊230a與位于第一區(qū)塊兩側(cè)的第二光刻膠區(qū)塊230b，且第一光刻膠區(qū)塊230a的厚度小于第二光刻膠區(qū)塊230b的厚度。之后，以光刻膠層230為掩膜對第二金屬層228與半導(dǎo)體層226進行一第一刻蝕工藝。在第一刻蝕工藝進行完之后，未被光刻膠層230覆蓋的第二金屬層228與半導(dǎo)體層226便被移除。接著，繼續(xù)減少光刻膠層230的厚度，直到第一光刻膠區(qū)塊230a被完全移除，在本實施例中，減少光刻膠層230厚度的方法例如是采用灰化(ashing)的方式。在第一光刻膠區(qū)塊230a被完全移除之后，再以剩余的第二光刻膠區(qū)塊230b為掩膜對第二金屬層228進行一第二刻蝕工藝。在第二刻蝕工藝進行完成之后，未被第二光刻膠區(qū)塊230b所覆蓋的部分第二金屬層228被移除，以同步形成源極228a、漏極228b以及溝道層226’(如圖3D所繪示)。
在本實施例中，第一刻蝕工藝、第二刻蝕工藝?yán)鐬檫M行一濕式刻蝕，在其它實施例中，刻蝕工藝也可以是干式刻蝕。另外，去除光刻膠層230的工藝?yán)缡菨袷娇涛g工藝。
請參照圖3D，在進行完第一及第二刻蝕工藝并去除剩余光刻膠層230之后，主動組件220便大致上制作完成。在本實施例中，主動組件220例如是一薄膜晶體管，然而，本發(fā)明并不限定主動組件220的型態(tài)。由圖3C與圖3D可知，主動組件220中的溝道層226’、源極228a與漏極228b例如是通過同一道半調(diào)式掩膜(half-tone mask)或灰調(diào)掩膜(gray-tone mask)工藝所形成。而在其它實施例中，在形成第二金屬層228以及光刻膠層230(繪示于圖3C)之前，可先在半導(dǎo)體層226的表面形成一歐姆接觸層(未繪示)，接著，再通過第一刻蝕工藝與第二刻蝕工藝移除部分的歐姆接觸層(未繪示)。舉例而言，可利用離子摻雜(ion doping)的方式于半導(dǎo)體層226的表面形成N型摻雜區(qū)，以減少半導(dǎo)體層226與第二金屬層228之間的接觸阻抗。
接著請參照圖3E，于基板200上形成一覆蓋主動組件220的介電層240。在本實施例中，介電層240的材質(zhì)例如為氮化硅或氧化硅，而其形成的方法例如是以物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法全面性地沉積在基板200上。
接著請參考圖3F，將介電層240圖案化，以形成圖案化保護層240’。由圖3F可知，于圖案化保護層240’具有一接觸窗250，以暴露出部分的主動組件220的漏極228b。在本實施例中，例如可采用光刻刻蝕工藝來制作接觸窗250。
請繼續(xù)參考圖3G，在圖案化保護層240’上全面性地形成一導(dǎo)電層260，且導(dǎo)電層260會經(jīng)由接觸窗250連接至主動組件220的漏極228b。在本實施例中，形成導(dǎo)電層260的方法例如是通過濺射工藝形成一銦錫氧化物層(ITOlayer)或一銦鋅氧化物層(IZO layer)。
接著請參照圖3H，提供一掩膜M于導(dǎo)電層260上方，且掩膜M暴露出部分的導(dǎo)電層260，接著，使用激光L經(jīng)由掩膜M照射導(dǎo)電層260，以移除掩膜M所暴露的部分導(dǎo)電層260。在本實施例中，用來剝離部分導(dǎo)電層260的激光L的能量例如是介于10至500mJ/cm2之間。另外，激光L的波長例如是介于100nm至400nm之間。
圖4為實務(wù)上所使用激光L的波長與導(dǎo)電層260吸收率的關(guān)系圖，在本實施例中，所使用的導(dǎo)電層260為一銦錫氧化物層(ITO)。
請參照圖3I，經(jīng)激光L照射后的導(dǎo)電層260會吸收激光L的能量而從圖案化保護層240’表面剝離(lift-off)，而留下被掩膜M遮住的導(dǎo)電層260，進而構(gòu)成一像素電極260’。由圖3I可知，像素電極260’通過圖案化保護層240’中的接觸窗250與主動組件220的漏極228b連接。
第二實施例圖5A～圖5H為本發(fā)明的第二實施例中像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。由于圖5A～圖5C的步驟與第一實施例的圖3A～圖3C相似，故此處省略其描述。
請參照圖5D，在第二刻蝕工藝進行完之后，未被第二光刻膠區(qū)塊230b所覆蓋的部分第二金屬層228以及未被第二金屬層228覆蓋的部分半導(dǎo)體層226便會被移除，以同步形成源極228a、漏極228b以及溝道層226’。
接著請參照圖5E，在形成源極228a、漏極228b以及溝道層226’之后，接著形成一介電層240，以覆蓋住第二光刻膠區(qū)塊230b、未被第二光刻膠區(qū)塊230b覆蓋住的溝道層226’以及未被溝道層226’覆蓋住的柵絕緣層224。
接著請參照圖5F，移除剩余的第二光刻膠區(qū)塊230b，以使第二光刻膠區(qū)塊230b上的介電層240一并被移除。在第二光刻膠區(qū)塊230b被移除之后，介電層240便被圖案化成為一圖案化保護層240’，且源極228a、漏極228b會暴露于圖案化保護層240’外。在本實施例中，將第二光刻膠區(qū)塊230b移除的方式例如是掀離工藝(lift-offprocess)。值得注意的是，由于本實施例所使用的光刻膠層230可以用來形成源極228a、漏極228b、溝道層226’以及圖案化保護層240’，因此可以有效地減少制造成本。
接著請參照圖5G，在圖案化保護層240’上全面性地形成一導(dǎo)電層260，且導(dǎo)電層260會直接連接至主動組件220的漏極228b。之后，提供一掩膜M于導(dǎo)電層260上方，且掩膜M暴露出部分的導(dǎo)電層260，接著，使用激光L經(jīng)由掩膜M照射導(dǎo)電層260，以移除掩膜M所暴露的部分導(dǎo)電層260。在本實施例中，用來剝離部分導(dǎo)電層260的激光L的能量例如是介于10至500mJ/cm2之間。另外，激光L的波長例如是介于100nm至400nm之間。
接著請參照圖5H，經(jīng)激光L照射后的導(dǎo)電層260會吸收激光L的能量而從圖案化保護層240’表面剝離(lift-off)，而留下被掩膜M遮住的導(dǎo)電層260，進而構(gòu)成一像素電極260’。由圖5H可知，像素電極260’會直接與主動組件220的漏極228b連接。
綜上所述，由于本發(fā)明采用激光照射的方式形成像素電極，而非采用現(xiàn)有的光刻刻蝕工藝，因此本發(fā)明所提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法至少具有下列優(yōu)點1.本發(fā)明提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其像素電極工藝不需使用光刻工藝，故相較于光刻工藝所使用的高精度掩膜工藝，能降低掩膜的制作成本。
2.由于制作像素結(jié)構(gòu)的工藝較少，可以減少冗長的掩膜工藝(如光刻膠涂布、軟烤、硬烤、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝除等)制作像素結(jié)構(gòu)時所產(chǎn)生缺陷。
3.本發(fā)明所提出的激光剝離部份像素電極的方法可以應(yīng)用于像素修補，以在像素結(jié)構(gòu)工藝中，移除可能殘留的像素電極(ITO residue)，解決像素電極之間的短路問題，進而增加生產(chǎn)良率。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，該像素結(jié)構(gòu)的制作方法包括提供一基板，且該基板上已形成有一主動組件；形成一圖案化保護層于該基板與該主動組件上，其中該圖案化保護層暴露出部分的主動組件；形成一導(dǎo)電層于該圖案化保護層上；提供一掩膜于該導(dǎo)電層上方，且該掩膜暴露出部分的導(dǎo)電層；以及使用激光經(jīng)由該掩膜照射該導(dǎo)電層，以移除該掩膜所暴露的部分導(dǎo)電層，而剩余的該導(dǎo)電層構(gòu)成一像素電極，其中該像素電極連接至所述的主動組件。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，所述的主動組件為一薄膜晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的薄膜晶體管的方法包括形成一柵極于所述的基板上；形成一柵絕緣層于該基板上，使其覆蓋所述的柵極；以及形成一溝道層、一源極以及一漏極于所述的柵極上方的柵絕緣層上，其中該源極與該漏極配置于該溝道層的部分區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的柵極的方法包括形成一第一金屬層于所述的基板上；以及圖案化該第一金屬層，以形成所述的柵極。
5.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，所述的溝道層、源極以及漏極是由同一道掩膜工藝所形成。
6.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的溝道層、源極以及漏極的方法包括形成一半導(dǎo)體層于所述的柵絕緣層上；形成一第二金屬層于該半導(dǎo)體層上；形成一光刻膠層于所述的柵極上方的第二金屬層上，其中該光刻膠層可分為一第一光刻膠區(qū)塊與位于該第一區(qū)塊兩側(cè)的一第二光刻膠區(qū)塊，且該第一光刻膠區(qū)塊的厚度小于該第二光刻膠區(qū)塊的厚度；以所述的光刻膠層為掩膜對所述的第二金屬層與半導(dǎo)體層進行一第一刻蝕工藝；減少所述的光刻膠層的厚度，直到所述的第一光刻膠區(qū)塊被完全移除；以及以剩余的所述的第二光刻膠區(qū)塊為掩膜對所述的第二金屬層進行一第二刻蝕工藝，以使剩余的第二金屬層構(gòu)成所述的源極以及漏極，而所述的半導(dǎo)體層構(gòu)成所述的溝道層。
7.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的溝道層、源極以及漏極的方法還包括在形成所述的半導(dǎo)體層之后，形成一歐姆接觸層于該半導(dǎo)體層表面以及經(jīng)由所述的第一刻蝕工藝與第二刻蝕工藝，移除對應(yīng)于所述的第二光刻膠區(qū)塊之外的歐姆接觸層。
8. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，減少所述的光刻膠層厚度的方法包括進行一灰化工藝。
9.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的導(dǎo)電層的方法包括通過濺射形成一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。
10.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，所述的激光的能量介于10至500mJ/cm2之間。
11.權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，所述的激光的波長介于100nm至400nm之間。
12.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，該像素結(jié)構(gòu)的制作方法包括提供一基板；形成一柵極于該基板上；形成一柵絕緣層于該基板上，使其覆蓋該柵極；同時形成一溝道層、一源極以及一漏極于該柵極上方的柵絕緣層上，其中該源極與漏極配置于該溝道層的部分區(qū)域，且所述的柵極、溝道層、源極以及漏極構(gòu)成一薄膜晶體管；形成一圖案化保護層于所述的柵絕緣層與薄膜晶體管上；形成一導(dǎo)電層，以覆蓋所述的圖案化保護層；提供一掩膜于所述的導(dǎo)電層上方，且該掩膜暴露出部分的導(dǎo)電層；以及使用激光經(jīng)由所述的掩膜照射所述的導(dǎo)電層，以移除該掩膜所暴露的部分導(dǎo)電層，而剩余的導(dǎo)電層構(gòu)成一像素電極，其中該像素電極連接至所述的漏極。
13.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的柵極的方法包括形成一第一金屬層于所述的基板上；以及圖案化該第一金屬層，以形成所述的柵極。
14.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的溝道層、源極以及漏極的方法包括形成一半導(dǎo)體層于所述的柵絕緣層上；形成一第二金屬層于該半導(dǎo)體層上；形成一光刻膠層于所述的柵極上方的第二金屬層上，其中該光刻膠層可分為一第一光刻膠區(qū)塊與位于該第一區(qū)塊兩側(cè)的一第二光刻膠區(qū)塊，且該第一光刻膠區(qū)塊的厚度小于第二光刻膠區(qū)塊的厚度；以及以所述的光刻膠層為掩膜對所述的第二金屬層與半導(dǎo)體層進行一第一刻蝕工藝；減少所述的光刻膠層的厚度，直到所述的第一光刻膠區(qū)塊被完全移除；以及以剩余的第二光刻膠區(qū)塊為掩膜對所述的第二金屬層進行一第二刻蝕工藝，以使剩余的第二金屬層構(gòu)成所述的源極以及漏極，而所述的半導(dǎo)體層構(gòu)成溝道層。
15.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的圖案化保護層的方法包括形成一介電層于所述的柵絕緣層以及剩余的第二光刻膠區(qū)塊上；以及移除剩余的第二光刻膠區(qū)塊，以使該第二光刻膠區(qū)塊上的介電層一并被移除。
16.如權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，移除剩余的第二光刻膠區(qū)塊的方法包括掀離工藝。
17.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的溝道層、源極以及漏極的方法還包括在形成所述的半導(dǎo)體層之后，形成一歐姆接觸層于該半導(dǎo)體層表面以及經(jīng)由所述的第一刻蝕工藝與第二刻蝕工藝，移除對應(yīng)于所述的第二光刻膠區(qū)塊之外的歐姆接觸層。
18.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，減少所述的光刻膠層厚度的方法包括進行一灰化工藝。
19.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的圖案化保護層的方法包括形成一介電層于所述的柵絕緣層上，且該介電層覆蓋所述的薄膜晶體管；以及在所述的介電層中形成接觸窗，以暴露出部分的漏極。
20.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，形成所述的導(dǎo)電層的方法包括通過濺射形成一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。
21.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，所述的激光的能量介于10至500mJ/cm2之間。
22.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，所述的激光的波長介于100nm至400nm之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括下列步驟首先，提供一已形成有一主動組件的基板。接著，形成一圖案化保護層于基板與主動組件上，圖案化保護層暴露出部分的主動組件。繼之，形成一導(dǎo)電層覆蓋該圖案化保護層，且導(dǎo)電層電性連接至主動組件。接著，提供一掩膜于導(dǎo)電層上方，且掩膜暴露出部分的導(dǎo)電層，再使用激光經(jīng)由掩膜照射導(dǎo)電層，以移除掩膜所暴露的部分導(dǎo)電層，而剩余的導(dǎo)電層構(gòu)成一像素電極且電性連接至該主動組件。此制作方法較為簡單因而降低制作成本。
文檔編號H01L21/28GK101022093SQ20071008834
公開日2007年8月22日 申請日期2007年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月16日
發(fā)明者石志鴻, 黃明遠, 楊智鈞, 林漢涂, 廖達文, 方國龍, 蔡佳琪 申請人:友達光電股份有限公司