專利名稱：：一種內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及芯片級封裝的導(dǎo)線架，尤其指一種內(nèi)存芯片的芯片級封裝導(dǎo)線架。
背景技術(shù)：
：由于各種電子產(chǎn)品日趨復(fù)雜與輕薄短小，為了配合這種趨勢，芯片的封裝也開始廣泛采用所謂的芯片尺寸封裝或芯片級封裝(chipscalepackage,CSP)。才艮才居EIA(ElectronicIndustriesAssociation)的IPC(InterconnectingandPackagingelectronicCircuit)定義，芯片級封裝是指封裝后封膠體的面積小于1.2倍的芯片尺寸，并可直接利用表面祐著技術(shù)加工的封裝(directsurfacemountable)。芯片級封裝有多種形式，其中所謂導(dǎo)線架型(leadframe-based)芯片級封裝，是以導(dǎo)線架為芯片的支撐，非常適合高頻(在400MHz以上)、低腳數(shù)(100以下)的應(yīng)用，像是手機(jī)的通訊芯片、數(shù)字信號處理芯片、以及內(nèi)存芯非常類似或相同，所以在良率與成本上也有優(yōu)勢。隨著中央處理器的運(yùn)算速度越來越高，相對的內(nèi)存芯片的處理速度也跟著要求越來越高。在這種趨勢之下，用于內(nèi)存芯片級封裝的導(dǎo)線架卻多還保持傳統(tǒng)的形式，因而有以下的一些缺點。首先，傳統(tǒng)的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架對于提供內(nèi)存芯片電力的Vdd引腳與提供接地的Vss引腳的處理，和其它的引腳沒有什么不同。通常Vdd引腳、Vss引腳、以及其它引腳的外部引腳是一起安排在導(dǎo)線架相對的兩側(cè)，而且所有這些引腳的間距(gap)都是相同的。這使得封裝過程中稍有不慎,就可能造成VDD引腳或Vss引腳與其它引腳的短路，使得封裝制程的良率下降。此外，內(nèi)存芯片的處理速度越高，所需要的功率也通常越大。但是在傳統(tǒng)的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架里，VDD引腳與Vss引腳的內(nèi)部引腳的線徑(pitch)以及銜接外部電路的外部引腳的面積也和其它31腳一樣，這意味著傳統(tǒng)的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架所能承受、提供的功率受到一定的限制。因此,要推動內(nèi)存芯片以更高速運(yùn)轉(zhuǎn)，導(dǎo)線架的Vdd引腳與Vss引腳必須有不同的設(shè)計。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問題，本發(fā)明提出一種內(nèi)存芯片級封裝的導(dǎo)線架，以提供高速內(nèi)存芯片運(yùn)作所需的更大功率，更能提高內(nèi)存芯片封裝制程的良率。本發(fā)明所提出的導(dǎo)線架最主要特征是至少有一對VDD引腳與一對vss引腳的外部引腳分別位于該導(dǎo)線架平行相對的第一、第三側(cè)，其它引腳的外部引腳則全部或多數(shù)分別位于該導(dǎo)線架平行相對的第二、第四側(cè)。這里所稱的第一、二、三、四側(cè)是沿著導(dǎo)線架的邊緣以順時針方向的順序加以編號的。通過將Vdd引腳與Vss引腳的位置、間距和其它全部或多數(shù)引腳進(jìn)行區(qū)別處理，以提供更大的接觸面積與間距。該Voo與該Vss引腳的外部引腳尺寸至少為0.4x1.15mm,或其面積為其它引腳的外部引腳的至少1.8倍；該VoD與該Vss引腳的外部引腳與其相鄰?fù)獠恳_的間距至少為l.Omm,或為其它引腳相鄰?fù)獠恳_間距的至少2倍。該對VDD引腳與該對Vss引腳的內(nèi)部引腳分別連通形成與該第一、第三側(cè)相垂直的兩條線段。其它引腳的內(nèi)部引腳分別位于該兩條線段與該第二、第四側(cè)之間。本發(fā)明所提出的導(dǎo)線架可以進(jìn)一步包括一個第二VDD引腳與一個第二Vss引腳，其外部引腳分別位于該第二、第四側(cè)，其內(nèi)部引腳則分別與該兩條線段連通。該第二VoD、Vss引腳的內(nèi)部引腳的線徑為其它引腳的至少2.5倍。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明提出一種內(nèi)存芯片級封裝的導(dǎo)線架,其通過將VDD引腳與Vss引腳和其它全部或多數(shù)的引腳予以分離，使導(dǎo)線架的Vdd引腳與Vss引腳的外部引腳可以具有更大的面積與間距，從而為高速內(nèi)存芯片提供運(yùn)作所需的更大功率，同時能進(jìn)一步提高內(nèi)存芯片封裝制程的良率。圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的導(dǎo)線架用于內(nèi)存芯片的芯片級封裝后的內(nèi)部俯^f見示意圖；圖2為圖1的芯片級封裝的外部仰視示意圖。主要組件符號說明如下160引腳100內(nèi)存芯片110膠帶120焊墊130導(dǎo)線具體實施方式本發(fā)明提出一種內(nèi)存芯片級封裝的導(dǎo)線架，以提供高速內(nèi)存芯片運(yùn)作所需的更大功率，其更能提高內(nèi)存芯片封裝制程的良率。本發(fā)明對于該導(dǎo)線架所適用的封裝制程、內(nèi)存芯片采用的規(guī)格或技術(shù)、以及封裝完成后的形式都不特別設(shè)限。圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的導(dǎo)線架用于內(nèi)存芯片(例如512M的DDRI1內(nèi)存)的芯片級封裝后的內(nèi)部俯視示意圖。為了筒化起見，內(nèi)存芯片100是以實線框表示其位置，翁連內(nèi)存芯片100與導(dǎo)線架的膠帶110則是以虛線框表示其位置，內(nèi)存芯片100的焊墊(bondpad)120是通過導(dǎo)線130的打線(wirebonding)來與導(dǎo)線架的適當(dāng)引腳建立電性連接。圖中的導(dǎo)線架共包括60只引腳160,但其僅為一個具體實施例，本發(fā)明同樣適用于其它引腳數(shù)的導(dǎo)線架。每一條引腳可以分為封裝后包覆于封膠體內(nèi)的內(nèi)部引腳與暴露于封膠體外的外部引腳兩個部分。圖1所示為封膠體內(nèi)部的情形，所以都是引腳160的內(nèi)部引腳。外部引腳可以由圖2所示的外部仰視示意圖看出。本導(dǎo)線架和傳統(tǒng)導(dǎo)線架一樣，呈矩形。該矩形一組平行相對的兩側(cè)，以下分別稱為第一、第三側(cè)，另一組平行相對的兩側(cè)，以下則分別稱為第二、第四側(cè)。如圖1、圖2所示，本發(fā)明所提出的導(dǎo)線架最主要特征是至少有一對vdd引腳59、32與一對Vss引腳2、29的外部引腳分別位于該導(dǎo)線架平行相對的第一、第三側(cè)，其它引腳的外部引腳則全部或多數(shù)分別位于該導(dǎo)線架另一組平行相對的第二、第四側(cè)。如圖所示，還可以有額外的Vdd引腳(例如引腳1、30)或Vss引腳(例如60、31)也分別4立于第一、第三側(cè)。通過將VDD引腳與Vss引腳和其它全部或多數(shù)的引腳予以分離，本發(fā)明的導(dǎo)線架的Vdd引腳與Vss引腳的外部引腳可以具有更大的面積與間距。根振末發(fā)明，位于第一、三側(cè)的Vdd與Vss引腳的外部引腳面積(Llxb2)是其它引腳(非Vdd與Vss引腳)外部引腳面積(Lxb)的至少1.8倍，或者其尺寸至少為0.4x1.15mm(b2^0.4mm,L1^1.15mm)。同樣才艮據(jù)本發(fā)明，Vdd引腳的外部引腳與其相鄰?fù)獠恳_的間距(例如Vdd引腳59和相鄰的引腳60的間距e2)至少要有l(wèi).Omm,或是其它非Vdd與Vss引腳的間距e的至少2倍。同樣地，Vss引腳的外部引腳與其相鄰?fù)獠恳_的間距(例如Vss引腳29和相鄰的引腳30的間距e2)至少為l.Omm,或是其它非Vd。與Vss引腳的間距e的至少2倍。Vdd引腳59、32的內(nèi)部引腳是彼此連通且形成與第一、第三側(cè)相垂直、而與相鄰的第二側(cè)平行的線段，另外，Vdd引腳1、30的內(nèi)部引腳也是彼此連通且形成與第一、第三側(cè)相垂直、而與相鄰的第四側(cè)平行的線段。相對地，V化引腳2、29的內(nèi)部引腳是彼此連通且形成與第一、第三側(cè)相垂直、而與相鄰的第四側(cè)平行的線段，另外，Vss引腳60、31的內(nèi)部引腳也是彼此連通且形成與第一、第三側(cè)相垂直、而與相鄰的第二側(cè)平行的線段。這些線段由于彎折少，線徑還可以適當(dāng)?shù)姆糯?，所以可以承載更大的功率。此外，如圖1所示，本發(fā)明的導(dǎo)線架可以進(jìn)一步在第二、四側(cè)提供至少一只額外的Vdd引腳(例如引腳46)或至少一只Vss引腳(例如引腳15)。這些額外的Vdd引腳與Vss引腳的內(nèi)部引腳分別和其相鄰的V。d線段與Vss線^殳連通，而且其內(nèi)部引腳的線徑至少是其它非VDD、Vss引腳的內(nèi)部引腳的2.5倍，以便承載更大的功率。另外，如圖2所示，這些額外的Vdd引腳與Vss引腳的外部引腳的尺寸、間距和其它非VoD、Vss引腳可以沒有不同。以上公開的僅為本發(fā)明的幾個具體實施例，但是，本發(fā)明并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。權(quán)利要求1、一種內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架的邊緣依順時針方向至少包括平行相對的第一側(cè)與第三側(cè)、平行相對的第二側(cè)與第四側(cè)，該導(dǎo)線架至少包括多條引腳，每一條該引腳分為封裝后包覆于封膠體內(nèi)的內(nèi)部引腳與外露于封膠體外的外部引腳，其特征在于，該多條引腳中，至少一對VDD引腳的外部引腳分別位于該導(dǎo)線架的該第一、第三側(cè)，該對VDD引腳的內(nèi)部引腳相連通且形成與該第一、第三側(cè)相垂直、以及與該第二側(cè)相鄰平行的第一線段；該多條引腳中，至少一對Vss引腳的外部引腳分別位于該導(dǎo)線架的該第一、第三側(cè)，該對Vss引腳的內(nèi)部引腳相連通且形成與該第一、第三側(cè)相垂直、以及與該第四側(cè)相鄰平行的第二線段；該多條引腳中其它引腳的外部引腳至少分布于該第二、第四側(cè)；以及該多條引腳中其它引腳的內(nèi)部引腳分別位于該第一線段與該第二側(cè)之間、以及該第二線段與該第四側(cè)之間。2、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該其它引腳中至少一條位于該對VDD引腳的外部引腳與該第二側(cè)之間的該導(dǎo)線架邊緣上。3、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該其它引腳中至少一條位于該對Vss引腳的外部引腳與該第四側(cè)之間的該導(dǎo)線架邊緣上。4、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該vdd引至少2倍。5、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該Vss引至少2倍。6、如權(quán)利要求l所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，拔Vdd引腳的外部引腳與其相鄰?fù)獠恳_的間3巨至少為1.0mm。7、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該Vss引腳的外部引腳與其相鄰?fù)獠恳_的間距至少為1.0mm。8、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該VDD引腳的外部引腳面積是該其它引腳的外部引腳面積的至少1.8倍。9、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該Vss引腳的外部引腳面積是該其它引腳的外部引腳面積的至少1.8倍。10、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該VDD引腳的外部引腳尺寸至少為0.4x1.15mm。11、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該Vss引腳的外部引腳尺寸至少為0.4x1.15mm。12、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該多條引腳中，至少有一條第二VDD引腳的外部引腳位于該導(dǎo)線架的該第二側(cè)，該第二VDD引腳的內(nèi)部引腳與該第一線段連通。13、如權(quán)利要求12所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該第二VDD引腳的內(nèi)部引腳線徑是該其它引腳的內(nèi)部引腳線徑的至少2.5倍。14、如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該多條引腳中，至少有一條第二Vss引腳的外部引腳位于該導(dǎo)線架的該第四側(cè)，該第二Vss引腳的內(nèi)部引腳與該第二線段連通。15、如權(quán)利要求14所述的內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架，其特征在于，該第二Vss引腳的內(nèi)部引腳線徑是該其它引腳的內(nèi)部引腳線徑的至少2.5倍。全文摘要本發(fā)明提出一種內(nèi)存芯片級封裝導(dǎo)線架。該導(dǎo)線架的多條引腳中，至少有一對V_DD引腳與一對V_SS引腳的外部引腳分別位于該導(dǎo)線架平行相對的第一、第三側(cè)，該對V_DD引腳與該對V_SS引腳的內(nèi)部引腳分別連通形成與該第一、第三側(cè)相垂直的兩條線段。其它引腳的外部引腳則全部或多數(shù)分別位于該導(dǎo)線架平行相對的第二、第四側(cè)，該其它引腳的內(nèi)部引腳分別位于該兩條線段與該第二、第四側(cè)之間。該V_DD與該V_SS引腳外部引腳的面積是其它引腳外部引腳的至少1.8倍；該V_DD與該V_SS引腳的外部引腳與其相鄰?fù)獠恳_的間距是其它引腳相鄰?fù)獠恳_間距的至少2倍。文檔編號H01L23/495GK101123237SQ200610104368公開日2008年2月13日申請日期2006年8月10日優(yōu)先權(quán)日2006年8月10日發(fā)明者何思學(xué),張弘立,黃啟芳申請人:泰特科技股份有限公司