專利名稱：利用光酸產(chǎn)生劑制造半導(dǎo)體組件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體組件的方法，特別是一種利用光酸產(chǎn)生劑制造半導(dǎo)體組件的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體技術(shù)在一半導(dǎo)體組件的制造過程中，頻繁地利用微影(photolithography)步驟。而一微影步驟中，適當(dāng)?shù)木劢股疃?depth of focus，DOF)范圍，即沿著一光軸確認(rèn)一半導(dǎo)體組件的特征對焦(in focus)的距離，是需要被考慮的一個(gè)因素。一有效的DOF是適用于光阻厚度的不同變化、局部的基底階梯高度分布(topology step height)、圓片中心以及邊緣的階梯高度差。因此，一有效的DOF可以使得一半導(dǎo)體組件在一關(guān)鍵尺寸(criticaldimensions，CD)內(nèi)制造而不會產(chǎn)生浮污(scumming)(例如不充分顯影)、頂部損失缺陷、或者其它問題。然而，某些與DOF有關(guān)的問題由于微影步驟而發(fā)生，例如放射線劑量強(qiáng)度。舉例來說，在一微影過程中，一散焦(defocused)區(qū)域的光線劑量強(qiáng)度通常低于一聚焦區(qū)域的光線劑量強(qiáng)度，其可能導(dǎo)致非期望的光阻輪廓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種制造一半導(dǎo)體組件的方法，利用光酸產(chǎn)生劑制造半導(dǎo)體組件，解決現(xiàn)有技術(shù)中所產(chǎn)生的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所提供的方法，包括提供一基底；以及在該基底上形成一可微影疊層結(jié)構(gòu)，該可微影疊層結(jié)構(gòu)包括一第一光酸產(chǎn)生層和一光阻層，其中該第一光酸產(chǎn)生層包括至少一光酸產(chǎn)生劑。
在一實(shí)施例中，該方法包括提供一基底，在該基底上形成一光酸產(chǎn)生層，其中該光酸產(chǎn)生層包括至少一光酸產(chǎn)生劑，以及在該光酸產(chǎn)生層上形成一光阻層。
采用本發(fā)明的方法，可避免現(xiàn)有技術(shù)中某些由于微影步驟而發(fā)生的問題，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1a顯示一錐形光阻輪廓；圖1b顯示一底切光阻輪廓；圖1c顯示根據(jù)本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例所產(chǎn)生的一光阻輪廓；圖2a-2d顯示一實(shí)施例在不同制作階段中的部份半導(dǎo)體組件；圖3a-3d顯示另一實(shí)施例在不同制作階段中的部份半導(dǎo)體組件；圖4為一圖表顯示有關(guān)DOF的不同組合的劑量強(qiáng)度以及光酸產(chǎn)生劑強(qiáng)度之間的關(guān)系。
其中，附圖標(biāo)記10錐形光阻輪廓 12底切光阻輪廓14理想光阻輪廓 100部份半導(dǎo)體組件110基底112導(dǎo)體層114介電層 120光酸產(chǎn)生層121部分光酸產(chǎn)生層 122光阻層123錐形輪廓124、125部分光阻126光阻輪廓230圖表具體實(shí)施方式
接著的揭露內(nèi)容提供多個(gè)不同實(shí)施例來說明本發(fā)明的不同特征，并且利用如下所述的組成以及排列的特殊例子簡化本發(fā)明。當(dāng)然，此僅為范例而并非用來限制本發(fā)明。此外，揭露內(nèi)容可能在不同實(shí)施例中重復(fù)標(biāo)號以及/或者字母，其目的是為了內(nèi)容的簡化以及清晰，而并非意指不同實(shí)施例以及/或者結(jié)構(gòu)之間具有關(guān)聯(lián)。另外，揭露內(nèi)容其后描述在一第二特征上方形成一第一特征，可能包含利用該第一以及該第二特征直接接觸而形成，也可能包含在該第一以及該第二特征之間形成額外特征，如此該第一以及該第二特征并未直接接觸。
如圖1a-1c所示，具有不同DOF的微影步驟可以產(chǎn)生不同的輪廓。舉例來說，將一有限D(zhuǎn)OF用于一光阻可能導(dǎo)致相對較少量的光酸產(chǎn)生在一散焦區(qū)域。相對在圖1c所示的一理想光阻輪廓14，如此的一有限D(zhuǎn)OF可能導(dǎo)致一錐形(tapered)光阻輪廓10(圖1a)或是一底切(undercut)光阻輪廓12(圖1b)。
如以下參考特定實(shí)施例所描述，可以通過增加該散焦區(qū)域的光酸量來減少或是避免輪廓10以及12，以產(chǎn)生類似于輪廓14的一光阻輪廓。在該散焦區(qū)域增加光酸量的方法，舉例來說，可利用一光酸產(chǎn)生(photo acid generator，PAG)層來實(shí)現(xiàn)。在一實(shí)施例中，如以下與圖2a相關(guān)的敘述，包含有一或多個(gè)光酸產(chǎn)生劑的一光酸產(chǎn)生層可以形成在一光阻層下方。在另一實(shí)施例中，如以下與圖3a相關(guān)的敘述，包含有一或多個(gè)光酸產(chǎn)生劑的一光酸產(chǎn)生層可以形成在一光阻層上方。
如圖2a所示，顯示一實(shí)施例中的一部份半導(dǎo)體組件100。組件100包括一基底110、一導(dǎo)體層112、一介電層114、一光酸產(chǎn)生層120、以及一光阻層122?；?10可以包括一或多個(gè)絕緣層、導(dǎo)體層、以及/或者半導(dǎo)體層。舉例來說，基底110可以包括一元素半導(dǎo)體，例如結(jié)晶硅、多晶硅、非晶硅以及/或者鍺；一化合物半導(dǎo)體，例如碳化硅以及/或者砷化鎵；或者合金半導(dǎo)體，例如硅鍺(SiGe)、磷砷化鎵(GaAsP)、砷化銦鋁(AlInAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)以及/或者磷化銦鎵(GaInP)。另外，基底110可以包括一主體半導(dǎo)體(bulk semiconductor)，例如一主體硅(bulk silicon)，并且此主體半導(dǎo)體可以包括一磊晶硅層，也可包括或者選擇地包括一絕緣半導(dǎo)體(semiconductor-on-insulator)基底，例如一絕緣層上覆硅(silicon-on-insulator，SOI)基底，或者一薄膜晶體管(TFT)基底?；?10也可包括或者選擇地包括一多層硅基底或者一多層化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
導(dǎo)體層112可以通過一化學(xué)氣相沉積(CVD)、電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)、物理氣相沉積(PVD)、離子化金屬濺鍍(I-PVD)、原子層沉積(ALD)、電鍍以及/或者其它制程形成于基板110中的一凹口內(nèi)。在形成導(dǎo)體層112的過程中，也可以進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械平坦化以及/或者化學(xué)機(jī)械研磨。舉例來說，導(dǎo)體層112被平坦化以與基底110的表面大體上同平面，如圖2a所示。其它實(shí)施例中，導(dǎo)體層112并未全面地平坦化，因此導(dǎo)體層112至少部分地延伸至基底110表面之上。在此對形成在基底110中的導(dǎo)體層112的特性描述預(yù)期可符合上述兩種實(shí)施例，以及其它可替代的實(shí)施例。
導(dǎo)體層112可以是與半導(dǎo)體組件、集成電路組件、集成電路零件連接的一導(dǎo)電特征，以及/或者其中的內(nèi)連接線路。導(dǎo)體層112可能包含鋁、鋁合金、銅、銅合金、鎢、以及/或者其它導(dǎo)電材料。
介電層114可以形成在基底110的表面，其可通過一化學(xué)氣相沉積(CVD)、電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、物理氣相沉積(PVD)、旋轉(zhuǎn)涂布(spin-on coating)以及/或者其它工藝形成。介電層114可能是一金屬層間介電層(IMD)，并且可能包含一低介電值(low-k)材料、二氧化硅、聚醯亞胺(polyimide)、旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(SOG)、氟化玻璃(FSG)、Black Diamond(加州，圣克拉拉應(yīng)用材料公司的產(chǎn)品)、干膠(Xerogel)、氣凝膠(Aerogel)、摻氟的非晶碳(fluorinated amorphous carbon)以及/或者其它材料。
光酸產(chǎn)生層120包括至少一光酸產(chǎn)生劑，其包括一或多個(gè)組成例如羫基銨鹽(aryl onium salt)或者塞吩(thiophene)。該光酸產(chǎn)生劑可以和多種物質(zhì)中的任一化合。舉例來說，該光酸產(chǎn)生劑可以溶解于一溶劑中，例如丁醇、水、以及/或者任何其它適合的溶劑。在另一實(shí)施例中，該光酸產(chǎn)生劑可與一或多種聚合物混合，例如丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、對羥基苯乙烯、以及/或者任何其它適合的聚合物，其可能是可顯影的(developable)或者不可顯影的(non-developable)。
在某些實(shí)施例中，該光酸產(chǎn)生劑可能包括一或多種離子的(ionic)或非離子的(non-ionic)組成。光酸產(chǎn)生層120可以通過多種技術(shù)形成于介電層114上，例如旋轉(zhuǎn)涂布、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、以及/或者其它工藝。舉例來說，光酸產(chǎn)生層120可以噴涂于介電層114上。可以理解的是光酸產(chǎn)生層120的形成方法是根據(jù)光酸產(chǎn)生層120的組成物質(zhì)而改變。
在某些實(shí)施例中，光酸產(chǎn)生層120可以形成一底部抗反射層(bottomanti-reflective layer，BARC)，其吸收穿透光阻層122底部的光線。為了達(dá)到上述目的，光阻層120包括一具有高消光系數(shù)(extinction coefficient)物質(zhì)以及/或者相當(dāng)?shù)暮穸?。然而，光酸產(chǎn)生層120的一高系數(shù)可能導(dǎo)致該光酸產(chǎn)生層的高反射性，其抵銷了該底部抗反射層的有效性。因此，經(jīng)過思考后光酸產(chǎn)生層具有一系數(shù)值大約介于0.2至0.5，以及具有一厚度大約200納米。然而，值得注意的是，其它范圍的系數(shù)值以及厚度也在本揭露內(nèi)容考慮之列。
此外，也可采用一指數(shù)相稱接近的光酸產(chǎn)生層120作為一底部抗反射層。舉例來說，光酸產(chǎn)生層120可以包含一具有一反射指數(shù)以及厚度與微影工藝使用的光線相稱的材料。實(shí)施時(shí)，當(dāng)光線照到光酸產(chǎn)生層120，一部份的光線及自該處反射。同時(shí)，另一部份的光線進(jìn)入光酸產(chǎn)生層120并且轉(zhuǎn)換為具有一相位移的光線，其與自光酸產(chǎn)生層120反射的第一部份光線發(fā)生干涉，造成光反射的降低。
光阻層122可以利用一例如旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on coating)形成于光酸產(chǎn)生層120上。舉例來說，一光阻溶液施加于光酸產(chǎn)生層120的表面，然后組件100快速旋轉(zhuǎn)直到該光阻溶液幾乎變干。光阻層122可以是一利用酸催化的化學(xué)增幅(Chemical amplify)阻劑。在此例中，光阻層是通過溶解一酸敏感聚合物在一鑄模溶液(casting solution)來配制。
在光阻層122的沉積以后，部分半導(dǎo)體組件100可以經(jīng)歷一軟烘烤(也稱為預(yù)先烘烤或者涂后烘烤)步驟以預(yù)進(jìn)行接下來的的顯影步驟。
如圖2b所示，部分半導(dǎo)體組件100在一曝光步驟期間暴露于放射線以在光阻層122中創(chuàng)造一潛像(latent image)。根據(jù)本實(shí)施例，該曝光步驟是在光阻層122造成一錐形輪廓(以標(biāo)號123表示)。除了錐形區(qū)域123的曝光之外，該曝光步驟是曝光一部分光酸產(chǎn)生層(以標(biāo)號121表示)并且在其中產(chǎn)生光酸。曝光的部分光酸產(chǎn)生層121的實(shí)際大小可以不同于圖2b所示(例如部分光酸產(chǎn)生層121可能為錐形等等)。
如圖2c所示，一曝光后烘烤(post-exposure baking)步驟是在該曝光工藝后實(shí)施在組件100。在該步驟過程中，由部分光酸產(chǎn)生層121產(chǎn)生的光酸擴(kuò)散至該光阻(特別是部分光阻124以及125)并且與其發(fā)生反應(yīng)，以通過該熱烘烤步驟起始的一催化反應(yīng)將該光阻去保護(hù)化(de-protect)(例如移除該光阻的保護(hù)群)。
如圖2d所示，在該曝光后烘烤步驟之后，組件100經(jīng)歷一顯影步驟以顯影光阻層122。由于自部分光酸產(chǎn)生層121擴(kuò)散的光酸引起的上述反應(yīng)，該顯影步驟產(chǎn)生一光阻輪廓126，第2b圖所示的錐形側(cè)壁明顯地被縮小或消除了。因此，光酸產(chǎn)生層120是導(dǎo)致一改良聚焦深度(DOF)。在一實(shí)施例中，改良的DOF可以接近0.15(相對于缺少光酸產(chǎn)生層120的DOF為0.05)。
雖然在如圖2d所示的步驟之后可以接著進(jìn)行額外的制造步驟，由于此類制造步驟均與現(xiàn)有技術(shù)相似或相同，因而不在此贅述。
如圖3a所示，在另一實(shí)施例中，顯示一部份半導(dǎo)體組件100。組件100包括一基底110、一導(dǎo)電層112、一介電層114、一光阻層122、以及一光酸產(chǎn)生層120覆蓋該光阻層。基底110可以包括一或多個(gè)絕緣層、導(dǎo)電層、以及/或者半導(dǎo)體層。舉例來說，基底110可以包括一元素半導(dǎo)體，例如結(jié)晶硅、多晶硅、非晶硅、以及/或者鍺；一化合物半導(dǎo)體，例如碳化硅以及/或者砷化鎵；或者合金半導(dǎo)體，例如硅鍺(SiGe)、磷砷化鎵(GaAsP)、砷化銦鋁(AlInAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)以及/或者磷化銦鎵(GaInP)。再者，基底110可以包括一主體半導(dǎo)體，例如一主體硅，并且此主體半導(dǎo)體可以包括一磊晶硅層，也可包括或者選擇地包括一絕緣半導(dǎo)體基底，例如一絕緣層上覆硅(SOI)基底，或者一薄膜晶體管(TFT)基底?；?10也可包括或者選擇地包括一多層硅基底或者一多層化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
導(dǎo)體層112可以通過一化學(xué)氣相沉積(CVD)、電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)、物理氣相沉積(PVD)、離子化金屬濺鍍(I-PVD)、原子層沉積(ALD)、電鍍以及/或者其它工藝形成在基板110中的一凹口內(nèi)。在形成導(dǎo)體層112的過程中，也可以進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械平坦化以及/或者化學(xué)機(jī)械研磨。舉例來說，導(dǎo)體層112被平坦化以與基底110的表面大體上同平面，如圖2a所示。其它實(shí)施例中，導(dǎo)體層112并未全面地平坦化，因此導(dǎo)體層112至少部分地延伸至基底110表面之上。在此對形成在基底110中的導(dǎo)體層112的特性描述預(yù)期可符合上述兩種實(shí)施例，以及其它可替代的實(shí)施例。
導(dǎo)體層112可以是與半導(dǎo)體組件、集成電路組件、集成電路零件連接的一導(dǎo)電特征，以及/或者其中的內(nèi)連接線路。導(dǎo)體層112可能包含鋁、鋁合金、銅、銅合金、鎢、以及/或者其它導(dǎo)電材料。
介電層114可以形成在基底110的表面，其可通過一化學(xué)氣相沉積(CVD)、電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、物理氣相沉積(PVD)、旋轉(zhuǎn)涂布(spin-on coating)以及/或者其它工藝形成。介電層114可能是一金屬層間介電層(IMD)，并且可能包含一低介電值(low-k)材料、二氧化硅、聚醯亞胺(polyimide)、旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(SOG)、氟化玻璃(FSG)、Black Diamond(加州，圣克拉拉應(yīng)用材料公司的產(chǎn)品)、干膠(Xerogel)、氣凝膠(Aerogel)、摻氟的非晶碳以及/或者其它材料。
光阻層122可以利用一例如旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-on coating)形成在介電層114上。舉例來說，一光阻溶液施加于介電層114的表面，然后組件100快速旋轉(zhuǎn)直到該光阻溶液幾乎變干。光阻層122可以是一利用酸催化的化學(xué)增幅(Chemical amplify)阻劑。在此例中，光阻層通過溶解一酸敏感聚合物在一鑄模溶液來配制。
光酸產(chǎn)生層120形成于光阻層122上方。光酸產(chǎn)生層120包括至少一光酸產(chǎn)生劑，其包括一個(gè)或多個(gè)組成例如羫基銨鹽(aryl onium salt)、塞吩(thiophene)、或者任何其它適合的組成。該光酸產(chǎn)生劑可以和多種物質(zhì)中的任一化合。舉例來說，該光酸產(chǎn)生劑可以溶解于一溶劑中，例如丁醇、水、以及/或者任何其它適合的溶劑。在其它實(shí)施例中，該光酸產(chǎn)生劑可與一或多種聚合物混合，例如丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、對羥基苯乙烯、以及/或者任何其它適合的聚合物，其可能是可顯影的或者不可顯影的。在某些實(shí)施例中，該光酸產(chǎn)生劑可能包括一個(gè)或多種離子的或非離子的組成。光酸產(chǎn)生層120可以通過多種技術(shù)形成于光阻層122上，例如旋轉(zhuǎn)涂布、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、以及/或者其它工藝。舉例來說，光酸產(chǎn)生層120可以噴涂于光阻層122上?？梢岳斫獾氖枪馑岙a(chǎn)生層120的形成方法是根據(jù)光酸產(chǎn)生層120的組成物質(zhì)而改變。
在某些實(shí)施例中，光酸產(chǎn)生層120可以形成一頂部抗反射層(topanti-reflective coating，TARC)。作為一頂部抗反射層，光酸產(chǎn)生層120可以是半透明或透明，并且其作用相似于一指數(shù)相稱(index-matched)的底部抗反射層(如同前述內(nèi)容所揭露)。
在光酸產(chǎn)生層120的沉積以后，部分半導(dǎo)體組件100可以經(jīng)歷一軟烘烤(也稱為預(yù)先烘烤或者涂后烘烤)步驟以預(yù)進(jìn)行接下來的的顯影步驟。
如圖3b所示，部分半導(dǎo)體組件100在一曝光步驟期間暴露于放射線以在光阻層122中創(chuàng)造一潛像。根據(jù)本實(shí)施例，該曝光步驟是在光阻層122造成一底切或者一T-top輪廓(以標(biāo)號123表示)。除了錐形區(qū)域123的曝光之外，該曝光步驟是曝光一部分光酸產(chǎn)生層(以標(biāo)號121表示)并且在其中產(chǎn)生光酸。曝光的部分光酸產(chǎn)生層121的實(shí)際大小可以不同于圖3b所示。
如圖3c所示，一曝光后烘烤(post-exposure baking)步驟是在該曝光工藝后實(shí)施于組件100。在該步驟過程中，由部分光酸產(chǎn)生層121產(chǎn)生的光酸是擴(kuò)散至該光阻(特別是部分光阻124以及125)并且與其發(fā)生反應(yīng)，以通過該熱烘烤步驟起始的一催化反應(yīng)將該光阻去保護(hù)化(例如移除該光阻的保護(hù)群)。
如圖3d所示，在該曝光后烘烤步驟之后，組件100經(jīng)歷一顯影步驟以顯影光阻層122。由于自部分光酸產(chǎn)生層121擴(kuò)散的光酸引起的上述反應(yīng)，該顯影步驟產(chǎn)生一光阻輪廓126，圖3b所示的錐形側(cè)壁明顯地被縮小或消除了。因此，光酸產(chǎn)生層120導(dǎo)致一改良聚焦深度(DOF)。在一實(shí)施例中，改良的DOF可以接近0.15(相對于缺少光酸產(chǎn)生層120的DOF為0.05)。
雖然在如圖3d所示的步驟之后可以接著進(jìn)行額外的制造步驟，由于此類制造步驟均與現(xiàn)有技術(shù)相似或相同，因而不在此贅述。
上述實(shí)施例的多種延伸變化可在此考慮。舉例來說，圖2a-2d的光酸產(chǎn)生層120可以包括兩層一第一層，其包括至少一光酸產(chǎn)生劑溶解于一溶劑并且噴涂在基底110上，以及一第二層，其包括一含有至少一光酸產(chǎn)生劑的一底部抗反射層。在另一例子中，圖3a-3d的光酸產(chǎn)生劑層120可以包括兩層一第一層，其包括至少一光酸產(chǎn)生劑溶解于一溶劑并且噴涂在光阻層122上，以及一第二層，其包括一含有至少一光酸產(chǎn)生劑的一頂部抗反射層。在另一實(shí)施例中，組件100可以同時(shí)包括一光酸產(chǎn)生層位于光阻層122下方(如圖2a-2d所示)以及一光酸產(chǎn)生層位于光阻層122上方(如圖3a-3d所示)。再在另一實(shí)施例中，組件100可以包括兩層光酸產(chǎn)生層(一位于光阻層122上方，另一位于光阻層120下方)，并且至少其中一光酸產(chǎn)生層包括多數(shù)層(即一底部抗反射層或者一頂部抗反射層)。
如圖4所示，圖表230說明有關(guān)DOF的不同示范組合的劑量強(qiáng)度以及光酸產(chǎn)生劑強(qiáng)度。左邊坐標(biāo)軸，是表示光(以μm為單位)，說明各個(gè)劑量強(qiáng)度的示范大小。如同圖表230所示，光酸產(chǎn)生劑強(qiáng)度(即需要的光酸產(chǎn)生劑量)是隨著劑量強(qiáng)度脫離理想值(以0表示)而增加?？梢岳斫獾氖牵谀骋怀潭鹊膭┝繌?qiáng)度時(shí)，進(jìn)一步增加光酸產(chǎn)生劑強(qiáng)度可能無法額外改善DOF。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體組件的制作方法，包含提供一基底；以及在該基底上形成一可微影疊層結(jié)構(gòu)，該可微影疊層結(jié)構(gòu)包括一第一光酸產(chǎn)生層和一光阻層，其中該第一光酸產(chǎn)生層包括至少一光酸產(chǎn)生劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第一光酸產(chǎn)生層介于該基底和該光阻層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該第一光酸產(chǎn)生層為一底部抗反射層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含屏蔽該光阻層；曝光該光阻層，并且利用該屏蔽步驟定義該第一光酸產(chǎn)生層；對該曝光的光阻層以及該第一光酸產(chǎn)生層進(jìn)行一熱烘烤步驟；以及顯影該曝光的光阻層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含在該光阻層上形成一第二光酸產(chǎn)生層，其中，該第二光酸產(chǎn)生層至少包括一光酸產(chǎn)生劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該第二光酸產(chǎn)生層為一頂部抗反射層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含屏蔽該第二光酸產(chǎn)生層；曝光該第二光酸產(chǎn)生層、該光阻層，并且利用該屏蔽步驟定義該第一光酸產(chǎn)生層；對該第二光酸產(chǎn)生層、該光阻層，以及該第一光酸產(chǎn)生層進(jìn)行一熱烘烤步驟；以及顯影該曝光的光阻層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含在該顯影步驟之前移除該第二光酸產(chǎn)生層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該光阻層介于該基底和該光酸產(chǎn)生層之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該光酸產(chǎn)生層為一頂部抗反射層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含屏蔽該光酸產(chǎn)生層；曝光該光酸產(chǎn)生層，并且利用該屏蔽步驟定義該光阻層；對該曝光的光酸產(chǎn)生層以及該光阻層進(jìn)行一熱烘烤步驟；以及顯影該曝光的光阻層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含在該顯影步驟之前移除該光酸產(chǎn)生層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第一光酸產(chǎn)生層包括該至少一光酸產(chǎn)生劑溶解于一溶劑中。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第一光酸產(chǎn)生層包含該至少一光酸產(chǎn)生劑摻合于一聚合物中。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該至少一光酸產(chǎn)生劑為離子組成或一非離子組成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種利用光酸產(chǎn)生劑制造半導(dǎo)體組件的方法，該方法包括提供一基底，在該基底上形成一可微影疊層結(jié)構(gòu)，該可微影疊層結(jié)構(gòu)包括一第一光酸產(chǎn)生層和一光阻層，其中該第一光酸產(chǎn)生層包括至少一光酸產(chǎn)生劑。采用本發(fā)明的方法，可避免現(xiàn)有技術(shù)中某些由于微影步驟而發(fā)生的問題。
文檔編號H01L21/02GK1828424SQ20051013287
公開日2006年9月6日 申請日期2005年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月1日
發(fā)明者施仁杰 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司