技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種高純鎵的電解裝置，包括電解槽、陰極板和陽極板，所述電解槽內(nèi)用隔板分隔出陽極區(qū)和陰極區(qū)，所述陽極區(qū)內(nèi)裝有不沒過所述隔板的原料鎵，所述陽極板置于所述陽極區(qū)，所述陰極板置于所述陰極區(qū)，所述陰極板具有中空結(jié)構(gòu)，所述陰極板通過與所述中空結(jié)構(gòu)連通的進水口和出水口外接循環(huán)冷卻裝置，所述電解槽內(nèi)裝有沒過所述隔板的電解液。本發(fā)明所使用的電解單晶生長技術(shù)操作簡便，成本低廉，提高了生產(chǎn)效率；得到的單晶鎵純度高，對雜質(zhì)的去除效果好；通過設(shè)置隔板，可有效將原料鎵和電解液區(qū)分開，方便陽極區(qū)產(chǎn)生的電解廢液的集中收集和再處理提純。

技術(shù)研發(fā)人員：易德福;守建川;陳佳麗
受保護的技術(shù)使用者：江西德義半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.09.01
技術(shù)公布日：2017.11.10