專利名稱：電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在表面形成有通過覆蓋Sn或Sn合金而構(gòu)成的Sn鍍層的電子部件。
背景技術(shù)：
鑒于由歐洲發(fā)起了原則上禁止使用Pb (鉛)的RoHS指令以及對(duì)減輕環(huán)境負(fù)擔(dān)的要求，近年來，在電子部件中，作為鍍層的材料，已經(jīng)替代含有Pb (鉛)的現(xiàn)有材料，而使用了以Sn(錫)或Sn合金為主要成分的無鉛材料。但是，在電子部件的表面形成覆蓋Sn或 Sn合金的Sn鍍層時(shí)，將產(chǎn)生被稱作晶須(whisker)的針狀結(jié)晶，存在容易誘發(fā)電短路的問題。另一方面，通過在電子部件的表面形成鍍金層來代替Sn鍍層，能夠避免產(chǎn)生晶須的問題。但是，金的價(jià)格昂貴，因此，存在導(dǎo)致制造成本上升的問題。因此，期望開發(fā)出抑制在Sn鍍層上產(chǎn)生晶須的技術(shù)。此外，在抑制晶須產(chǎn)生的同時(shí)，作為電子部件的性能，還需要確保焊料潤濕性和導(dǎo)電性。此外，在日本特開2005-109373號(hào)公報(bào)和日本特開2005-314750號(hào)公報(bào)中，公開了在表面形成有通過覆蓋Sn或Sn合金而構(gòu)成的Sn鍍層的電子部件。在日本特開 2005-109373號(hào)公報(bào)中公開了如下這樣的電子部件設(shè)置有由Ni(鎳)形成的層和由 Ni-P(鎳磷)合金形成的層作為底鍍層，在由Ni-P合金形成的底鍍層的表面上設(shè)置有作為焊錫鍍層的Sn鍍層。此外，在日本特開2005-314750號(hào)公報(bào)中公開了如下這樣的電子部件 設(shè)置有由鎳形成的底鍍層，該底鍍層以0.01 3%重量百分比的比例含有從由硼、硫和鐵構(gòu)成的組中選擇出的元素中的至少一種以上的元素，并且在該底鍍層的表面設(shè)置有Sn鍍層。日本特開2005-109373號(hào)公報(bào)和日本特開2005-314750號(hào)公報(bào)所公開的電子部件均是以抑制晶須的產(chǎn)生為目的的。但是，連接器用的端子等電子部件大多是在外部的其他部件在該電子部件表面的Sn鍍層上進(jìn)行滑動(dòng)或加壓的狀態(tài)下來使用的。因此，由于對(duì)Sn鍍層作用的外力的影響，存在容易促進(jìn)晶須產(chǎn)生的傾向。并且，即使是像日本特開 2005-109373號(hào)公報(bào)和日本特開2005-314750號(hào)公報(bào)所公開的電子部件那樣的、采取了抑制晶須產(chǎn)生的對(duì)策的電子部件，由于對(duì)Sn鍍層作用的外力的影響，還是存在容易促進(jìn)晶須產(chǎn)生的傾向，從而期望能夠進(jìn)一步抑制晶須的產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情況，目的在于提供一種確保了焊料潤濕性和導(dǎo)電性、即使對(duì)Sn 鍍層作用了外力也能夠抑制晶須產(chǎn)生的電子部件。用于達(dá)到上述目的的第1發(fā)明的電子部件在表面形成有鍍層，該電子部件具有 主體部，其由金屬材料形成；底鍍層，其覆蓋在所述主體部的表面上；以及Sn鍍層，其是通過在所述底鍍層的表面覆蓋Sn或Sn合金而形成的。而且，第1發(fā)明的電子部件的特征在于，所述底鍍層具有通過覆蓋Ni-B合金而形成的Ni-B鍍層和通過覆蓋Ni-P合金而形成的Ni-P鍍層中的至少任意一種鍍層，所述Sn鍍層的平均厚度尺寸被設(shè)定在0. 2 μ m以上且 0. 6μπι以下的范圍。根據(jù)本發(fā)明，在電子部件的主體部的表面，形成有包含Ni-B鍍層和Ni-P鍍層中的至少任意一種鍍層的底鍍層。因此，通過形成可發(fā)揮比較良好的焊料潤濕性和導(dǎo)電性的包含M-B合金或M-P合金的底鍍層，能夠保證用于確保電子部件的性能所需的充分的鍍覆厚度。此外，在該底鍍層的表面上進(jìn)一步形成有平均厚度尺寸為0. 2 μ m以上且0. 6 μ m以下的Sn鍍層。因此，焊料潤濕性和導(dǎo)電性非常優(yōu)異的由Sn或Sn合金形成的Sn鍍層以薄鍍覆化(薄化)后的狀態(tài)，形成在底鍍層的表面。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)焊料潤濕性和導(dǎo)電性的進(jìn)一步提高，并且，通過使Sn鍍層薄化，能夠抑制晶須的產(chǎn)生。此外，在本發(fā)明的電子部件中，通過使Sn鍍層薄化而降低了 Sn鍍層的變形量，因此，即使產(chǎn)生了外部的其他部件對(duì)Sn鍍層的表面進(jìn)行加壓的狀態(tài)而對(duì)Sn鍍層作用了外力， 也能夠抑制表面的Sn鍍層中的晶須產(chǎn)生。此外，即使外部的其他部件在電子部件的表面滑動(dòng)，也能夠降低Sn鍍層的變形量，因此能夠抑制表面的Sn鍍層中的晶須產(chǎn)生。此外，本發(fā)明人進(jìn)行驗(yàn)證后確認(rèn)到以下情況根據(jù)本發(fā)明的電子部件，通過將Sn 鍍層的平均厚度尺寸設(shè)定為0. 2μπι以上，能夠確保充分的焊料潤濕性和導(dǎo)電性。并且，通過將Sn鍍層的平均厚度尺寸設(shè)定為0. 6 μ m以下，也確認(rèn)到了上述效果，即，即使對(duì)Sn鍍層作用外力也能夠抑制晶須的產(chǎn)生。由此，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種確保了焊料潤濕性和導(dǎo)電性、即使對(duì)Sn鍍層作用外力也能夠抑制晶須產(chǎn)生的電子部件。第2發(fā)明的電子部件是第1發(fā)明的電子部件，其特征在于，該電子部件在與所述Sn 鍍層的表面接觸的其他部件對(duì)所述Sn鍍層的表面進(jìn)行了加壓的狀態(tài)下使用。根據(jù)本發(fā)明，即使在其他部件加壓地接觸Sn鍍層表面的狀態(tài)下使用電子部件，也能夠抑制Sn鍍層中的晶須產(chǎn)生。第3發(fā)明的電子部件是第2發(fā)明的電子部件，其特征在于，所述其他部件構(gòu)成為導(dǎo)體，所述Sn鍍層中的與所述其他部件接觸的部分構(gòu)成與所述其他部件電連接的電觸點(diǎn)部。根據(jù)本發(fā)明，即使以Sn鍍層中的被其他部件加壓接觸的部分構(gòu)成電觸點(diǎn)部的形式使用電子部件，也能夠抑制Sn鍍層中的晶須產(chǎn)生。因此，在電子部件中，能夠抑制因晶須引發(fā)電短路的情況發(fā)生。第4發(fā)明的電子部件是第2發(fā)明的電子部件，其特征在于，所述其他部件構(gòu)成為由絕緣性材料形成的外殼部件，通過將該電子部件壓入到所述外殼部件中，由此該外殼部件在所述Sn鍍層表面上滑動(dòng)并進(jìn)行加壓。根據(jù)本發(fā)明，即使電子部件被壓入由絕緣性材料形成的外殼部件、以滑動(dòng)狀態(tài)和加壓狀態(tài)對(duì)Sn鍍層作用外力，也能夠抑制Sn鍍層中的晶須產(chǎn)生。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種確保了焊料潤濕性和導(dǎo)電性、即使對(duì)Sn鍍層作用外力也能夠抑制晶須產(chǎn)生的電子部件。


圖1是示出在連接器上安裝了作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件的端子的狀態(tài)的截面圖。圖2是示意性放大地示出圖1所示的端子的表面的一部分截面的示意性放大截面圖。圖3是示意性放大地示出在用于驗(yàn)證本發(fā)明的效果的驗(yàn)證試驗(yàn)中使用的作為試驗(yàn)片的端子的表面的一部分截面的示意性放大截面圖。圖4是示出為了驗(yàn)證本發(fā)明的效果而進(jìn)行的驗(yàn)證試驗(yàn)的結(jié)果的圖，示出了最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果。圖5例示了現(xiàn)有例的進(jìn)行了最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)的端子的電觸點(diǎn)部的Sn鍍層的表面的SEM照片的圖像。圖6例示了本發(fā)明實(shí)施例的進(jìn)行了最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)的端子的電觸點(diǎn)部的 Sn鍍層的表面的SEM照片的圖像。圖7是示出為了驗(yàn)證本發(fā)明的效果而進(jìn)行的驗(yàn)證試驗(yàn)結(jié)果的圖，示出了焊料潤濕性確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果。圖8是示出為了驗(yàn)證本發(fā)明的效果而進(jìn)行的驗(yàn)證試驗(yàn)的結(jié)果的圖，示出了導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果。圖9是示出為了驗(yàn)證本發(fā)明的效果而進(jìn)行的驗(yàn)證試驗(yàn)的結(jié)果的圖，示出了導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果。圖10是示出為了驗(yàn)證本發(fā)明的效果而進(jìn)行的驗(yàn)證試驗(yàn)的結(jié)果的圖，示出了導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果。圖11例示了本發(fā)明實(shí)施例的進(jìn)行了回流焊(reflow)工序后的端子表面部分的截面的SEM照片的圖像。圖12例示了本發(fā)明實(shí)施例的進(jìn)行了回流焊工序后的端子表面部分的截面的SEM 照片的圖像。標(biāo)號(hào)說明1、3:端子(電子部件)11 主體部12 :底鍍層13: Sn 鍍層15 =Ni-B 鍍層16 =Ni-P 鍍層
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖來說明用于實(shí)施本發(fā)明的方式。其中，在本實(shí)施方式的說明中，以將本發(fā)明應(yīng)用于構(gòu)成為連接器用端子的電子部件的情況為例進(jìn)行說明，但是，在該例以外的其他情況下也能夠應(yīng)用本發(fā)明。即，本發(fā)明能夠廣泛應(yīng)用于在表面形成有通過覆蓋Sn或 Sn合金而構(gòu)成的Sn鍍層的電子部件。圖1是示出在連接器100上安裝了構(gòu)成為本實(shí)施方式中的電子部件的連接器用端子1的狀態(tài)的截面圖。連接器100例如構(gòu)成為用于連接扁平電纜101的端部的連接器。需要說明的是，圖1示出了與連接器100的寬度方向垂直的截面。此外，在圖1中，用截面示出了連接器100中的外殼部件102和轉(zhuǎn)動(dòng)部件103、以及與端子1電連接的扁平電纜101， 且示出了端子1的外形。
如圖1所示，連接器100構(gòu)成為具有外殼部件102、轉(zhuǎn)動(dòng)部件103以及本實(shí)施方式的端子(電子部件)1。此外，在連接器100中具有多個(gè)端子1。外殼部件102和轉(zhuǎn)動(dòng)部件 103由作為絕緣性材料的樹脂材料形成。端子1的母材(后述的主體部11)由金屬材料形成，例如由磷青銅形成。此外，如后所述，在端子1的表面上形成有鍍層。在外殼部件102中，形成有分別插入多個(gè)端子1的多個(gè)插入口 102a，各插入口 10 形成為與外殼部件102的內(nèi)側(cè)的空間區(qū)域(后述的開放區(qū)域102b)連通。此外，多個(gè)插入口 10 是在連接器100的寬度方向上串聯(lián)地并排配置的。并且，在外殼部件102的與多個(gè)插入口 10 相反的一側(cè)形成了對(duì)外部開放的開放區(qū)域102b，該開放區(qū)域102b構(gòu)成配置扁平電纜101的端部的區(qū)域。此外，配置在開放區(qū)域102b中的扁平電纜101的端部的絕緣覆蓋層被剝離掉從而露出導(dǎo)體，形成為可與端子1電連接的狀態(tài)。此外，扁平電纜101例如被設(shè)為撓性扁平電纜或撓性印刷電路基板等，該扁平電纜101是通過對(duì)平行排列的多個(gè)導(dǎo)體一體地進(jìn)行絕緣覆蓋而形成的。端子1在一個(gè)端部，形成有一對(duì)突出片部(la、lb)，在另一個(gè)端部，通過裝配等方式而安裝在未圖示的其他設(shè)備或基板等上，其中，所述一對(duì)突出片部(la、lb)形成為呈兩股狀而突出。并且，端子1通過該一對(duì)突出片部(la、lb)而被插入到外殼部件102的插入孔10 中。此時(shí)，端子1是在被壓入到插入口 10 中的狀態(tài)下被插入到外殼部件102中。此外，在端子1的一個(gè)突出片部Ia處，呈突起狀地形成有與扁平電纜101的端部上的各個(gè)導(dǎo)體電連接的電觸點(diǎn)部lc。而在端子1的另一個(gè)突出片部Ib處，形成有對(duì)后述的轉(zhuǎn)動(dòng)部件103的各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸部103a的外周以滑動(dòng)自如的方式進(jìn)行卡定的卡定凹部Id。轉(zhuǎn)動(dòng)部件103被設(shè)置為以相對(duì)于外殼部件102和多個(gè)端子1轉(zhuǎn)動(dòng)的方式而操作的桿狀部件，并且被設(shè)置為在對(duì)各個(gè)端子1加壓的狀態(tài)下按壓扁平電纜101的端部的各個(gè)導(dǎo)體的部件。并且，該轉(zhuǎn)動(dòng)部件103形成為沿著外殼部件102的寬度方向延伸并且局部地覆蓋外殼部件102的開放區(qū)域102b。此外，轉(zhuǎn)動(dòng)部件103的一個(gè)端部側(cè)形成為轉(zhuǎn)動(dòng)操作用的操作部103b，而在另一個(gè)端部側(cè)形成為沿著寬度方向排列配置有多個(gè)槽部103c。各槽部103c構(gòu)成插入各端子1的另一個(gè)突出片部Ib的前端部分的槽部。并且，在各槽部103c中，配置有各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸部103a， 該旋轉(zhuǎn)軸部103a形成為被架在該槽部103c的整體中。如前所述，該各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸部103a的外周被滑動(dòng)自如地卡定于端子1的另一個(gè)突出片部Ib的卡定凹部Id中。由此，轉(zhuǎn)動(dòng)部件 103以如下方式構(gòu)成被支撐為在通過各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸部103a卡定于各端子1的卡定凹部Id中的狀態(tài)下，相對(duì)于多個(gè)端子1轉(zhuǎn)動(dòng)自如。在連接器100中，各端子1從各插入口 10 被壓入到外殼部件102中。并且，在多個(gè)端子1被完全壓入到外殼部件102中的狀態(tài)下，安裝轉(zhuǎn)動(dòng)部件103。此時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)部件103 以與外殼部件102大致垂直的姿勢，通過各旋轉(zhuǎn)軸部103a而被卡定于各端子1的卡定凹部 Id中。通過將各旋轉(zhuǎn)軸部103a卡定于各卡定凹部Id中，將轉(zhuǎn)動(dòng)部件103支撐為相對(duì)于多個(gè)端子1轉(zhuǎn)動(dòng)自如。在如上述那樣組裝了連接器100的狀態(tài)下，將扁平電纜101的端部插入到配置于開放區(qū)域102b中的多個(gè)端子1各自的一對(duì)突出片部(la、lb)之間。此時(shí)，在處于轉(zhuǎn)動(dòng)部件 103與外殼部件102大致垂直的姿勢的狀態(tài)的連接器100中，扁平電纜101的端部被插入到各一對(duì)突出片部(la、lb)之間。并且，在插入扁平電纜101的端部后對(duì)操作部10 進(jìn)行操作，由此轉(zhuǎn)動(dòng)部件103能夠通過各旋轉(zhuǎn)軸部103a在各卡定凹部Id中滑動(dòng)，從而相對(duì)于多個(gè)端子1轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，通過轉(zhuǎn)動(dòng)部件103中被設(shè)置為與扁平電纜101相對(duì)的面的加壓面103d， 使得扁平電纜101的端部的各導(dǎo)體按壓各端子1的電觸點(diǎn)部lc，從而將各導(dǎo)體與各電觸點(diǎn)部Ic電連接。并且，在扁平電纜101端部的各導(dǎo)體對(duì)各端子1的電觸點(diǎn)部Ic進(jìn)行了加壓的狀態(tài)下，將扁平電纜101的端部保持在連接器1中，從而將連接器100與扁平電纜101連接起來。接著，對(duì)作為本實(shí)施方式的電子部件的端子1的表面的鍍層結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體說明。 圖2是示意性放大地示出端子1的表面的一部分截面的示意性放大截面圖。其中，在圖2 中，示出了被壓入到外殼部件102中的端子1在電觸點(diǎn)部Ic處與扁平電纜101的導(dǎo)體接觸的部分的示意性放大截面圖。如圖2所示，端子1具有由金屬材料(在本實(shí)施方式中為磷青銅)形成的作為母材的主體部11、覆蓋主體部11的表面的底鍍層12、以及覆蓋底鍍層12 的Sn鍍層13。底鍍層12構(gòu)成為具有覆蓋主體部11的表面而形成的Ni鍍層14、和進(jìn)一步覆蓋 Ni鍍層14的表面而形成的Ni-B鍍層15。Ni鍍層14是通過覆蓋Ni (鎳)或Ni合金而形成的，且是通過電解鍍或無電解鍍而形成的。另一方面，Ni-B鍍層15是通過覆蓋Ni-B (鎳-硼合金)而形成的，且是通過無電解鍍而形成的。此外，在本實(shí)施方式中，作為底鍍層12，以形成有Ni鍍層和Ni-B鍍層15的形式為例進(jìn)行了說明，但不限于此。底鍍層12只要具有Ni-B鍍層15、和通過覆蓋Ni-P合金 (鎳-磷合金)而形成的Ni-P鍍層中的至少任意一種鍍層即可。例如，也可以是如下形式在底鍍層12中，在Ni鍍層14的表面上，形成Ni-P鍍層而不是Ni-B鍍層15。此外，也可以構(gòu)成不具有Ni鍍層14的形式的底鍍層12。S卩，也可以構(gòu)成僅形成有Ni-B鍍層15的底鍍層12、僅形成有Ni-P鍍層的底鍍層12等。此外，也可以構(gòu)成具有Ni-B鍍層15和Ni-P鍍層這兩者的底鍍層12。此外，Ni-P鍍層是通過電解鍍或無電解鍍而形成的。此外，通過在主體部11的表面與Ni-B鍍層15之間、或者在主體部11的表面與 Ni-P鍍層之間形成Ni鍍層14，能夠?qū)崿F(xiàn)鍍覆材料的低成本化。即，通過配置Ni-B鍍層15 或M-P鍍層作為與后述的Sn鍍層相鄰的鍍層、并且使用較多的附，由此，既能削減M-B合金或Ni-P合金的使用量，又能形成足夠厚的底鍍層12。Sn鍍層13是通過在底鍍層12的Ni-B鍍層15的表面上覆蓋Sn (錫)或Sn合金而形成的，且是通過電解鍍或無電解鍍形成的。此外，該Sn鍍層13的厚度尺寸(在圖2中為用雙端箭頭Tsn示出的尺寸)的平均值即平均厚度尺寸被設(shè)定在0. 2 μ m以上且0. 6 μ m 以下的范圍。此外，Sn鍍層13的平均厚度尺寸可通過適當(dāng)設(shè)定鍍覆條件(例如電解鍍中的電流條件、鍍覆時(shí)間條件等)來進(jìn)行調(diào)整。并且，例如，根據(jù)端子1的表面部分的截面的 SEM(Scanning Electron Microscope 掃描型電子顯微鏡)照片的圖像計(jì)測Sn鍍層13的厚度尺寸iTsn15此外，如前所述，端子1被用在連接器100中。因此，端子1在與Sn鍍層13的表面接觸的作為其他部件的外殼部件102或扁平電纜101的導(dǎo)體對(duì)Sn鍍層13的表面進(jìn)行了加壓的狀態(tài)下使用。
并且，在上述其他部件構(gòu)成為扁平電纜101的導(dǎo)體的情況下，端子1的Sn鍍層13 的與其他部件(扁平電纜101的導(dǎo)體)接觸的部分構(gòu)成與其他部件電連接的電觸點(diǎn)部lc。 此外，在上述其他部件構(gòu)成為外殼部件102的情況下，通過將端子1壓入到外殼部件102 中，由此外殼部件102在Sn鍍層13的表面上滑動(dòng)并進(jìn)行加壓。接著，對(duì)為了驗(yàn)證本發(fā)明的效果而進(jìn)行的驗(yàn)證試驗(yàn)的結(jié)果進(jìn)行說明。圖3是示意性放大地示出驗(yàn)證試驗(yàn)中使用的作為試驗(yàn)片的端子(1、2、3、4)的表面的一部分截面的示意性放大截面圖。圖3(a)是作為本發(fā)明第1實(shí)施例而制作的端子1的試驗(yàn)片的表面的一部分的示意性放大截面圖。圖3(b)是作為第1比較例而制作的端子2的試驗(yàn)片的表面的一部分的示意性放大截面圖。圖3(c)是作為本發(fā)明第2實(shí)施例而制作的端子3的試驗(yàn)片的表面的一部分的示意性放大截面圖。圖3(d)是作為第2比較例而制作的端子4的試驗(yàn)片的表面的一部分的示意性放大截面圖。在圖3(a)中示出了示意性放大截面圖的第1實(shí)施例的端子1的制作中，在形成為端子1的形狀的主體部11上，通過電解鍍形成Ni鍍層14，進(jìn)而通過無電解鍍在其表面上形成Ni-B鍍層15，從而形成了底鍍層12。接著，在該底鍍層12的表面上通過電解鍍形成了薄的Sn鍍層13。此外，在第1實(shí)施例中，制作多個(gè)端子1，并針對(duì)這多個(gè)端子1，根據(jù)SEM 照片的圖像，確認(rèn)到Sn鍍層13的平均厚度被設(shè)定在0. 2 0. 6 μ m的范圍。此外，對(duì)于在圖3(b)中示出了示意性放大截面圖的第1比較例的端子2，制作了如下形式的端子在主體部11的表面僅形成Ni鍍層14和Ni-B鍍層15，而未形成Sn鍍層13。該第1比較例的端子2也是被制作出了多個(gè)。在圖3(c)中示出了示意性放大截面圖的第2實(shí)施例的端子3的制作中，在形成為與端子1相同形狀的主體部11上，通過電解鍍形成Ni鍍層14，進(jìn)而利用無電解鍍在其表面上形成通過覆蓋Ni-P合金而形成的Ni-P鍍層16，從而形成了底鍍層12。接著，在該底鍍層12的表面上通過電解鍍形成了薄的Sn鍍層13。此外，在第2實(shí)施例中，制作了多個(gè)端子3，并針對(duì)這多個(gè)端子3，根據(jù)SEM照片的圖像，確認(rèn)到Sn鍍層13的平均厚度被設(shè)定為 0. 2 0. 6 μ m的范圍。此外，對(duì)于在圖3 (d)中示出了示意性放大截面圖的第2比較例的端子4，制作了如下形式的端子在主體部11的表面僅形成Ni鍍層14和Ni-P鍍層16，而未形成Sn鍍層13。該第2比較例的端子4也是被制作出了多個(gè)。此外，在驗(yàn)證試驗(yàn)中，如后所述，進(jìn)行了在圖4中示出試驗(yàn)結(jié)果的最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)、在圖7中示出試驗(yàn)結(jié)果的焊料潤濕性確認(rèn)試驗(yàn)、以及在圖8至圖10中示出試驗(yàn)結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)。以下，對(duì)這些試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說明。圖4示出了針對(duì)第1實(shí)施例的端子1、第1比較例的端子2、第2實(shí)施例的端子3和第2比較例的端子4實(shí)施最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)后的結(jié)果。在最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)中， 進(jìn)行了如下試驗(yàn)，即對(duì)有外力作用于第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)的Sn鍍層13時(shí)抑制從Sn鍍層13產(chǎn)生晶須的效果進(jìn)行驗(yàn)證。此外，在該試驗(yàn)中，還同時(shí)確認(rèn)了有外力作用于第 1和第2比較例的端子0、4)中的最外層即Ni-B鍍層15或Ni-P鍍層16時(shí)的晶須產(chǎn)生狀況。在最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)中，首先，針對(duì)第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)以及第1 和第2比較例的端子0、4)，以與實(shí)際使用情況相同的使用形式，將這些端子分別用作與被壓入外殼部件102中而與扁平電纜101的端部的導(dǎo)體電連接的端子，之后確認(rèn)了晶須產(chǎn)生狀況。在晶須產(chǎn)生狀況的確認(rèn)中，針對(duì)在加壓狀態(tài)下與扁平電纜101的導(dǎo)體接觸而通電的電觸點(diǎn)部進(jìn)行了基于SEM的觀察。然后，針對(duì)第1實(shí)施例、第2實(shí)施例、第1比較例和第2 比較例，確認(rèn)了通過基于該SEM的電觸點(diǎn)部表面的觀察而被確認(rèn)產(chǎn)生的晶須中長度最長的晶須(最長晶須)的長度。此外，在上述最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)中，假定將各個(gè)端子(1、2、3、4)用于裝配用途，制作了進(jìn)行回流焊工序后的試驗(yàn)片(端子)，在該回流焊工序中，使試驗(yàn)片經(jīng)過回流焊爐(在基板上通過焊膏進(jìn)行載置裝配時(shí)所使用的爐)。并且，對(duì)于這樣進(jìn)行了回流焊工序的試驗(yàn)片，實(shí)際上沒有被裝配于基板上，而是使試驗(yàn)片單獨(dú)通過了回流焊爐。此外，針對(duì)第 1和第2實(shí)施例的端子(1、3)以及第1和第2比較例的端子0、4)，分別制作了多個(gè)(120 個(gè))試驗(yàn)片，并確認(rèn)了最長晶須的長度。并且，還制作了與現(xiàn)有例對(duì)應(yīng)的端子，除了第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)以及第 1和第2比較例的端子0、4)以外，還針對(duì)現(xiàn)有例的端子(以下稱作“端子C”)進(jìn)行了最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)。此外，現(xiàn)有例的端子C是通過對(duì)主體部11的表面直接覆蓋厚的Sn鍍層而形成的，作為未進(jìn)行回流焊工序的試驗(yàn)片而制成。而且，針對(duì)現(xiàn)有例的端子C，也以與實(shí)際使用情況相同的使用形式，將該端子C用作與被壓入外殼部件102而與扁平電纜101的端部的導(dǎo)體電連接的端子，之后確認(rèn)晶須的產(chǎn)生狀況，并進(jìn)行了最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)。如圖4的最長晶須長度確認(rèn)試驗(yàn)的試驗(yàn)結(jié)果所示，在現(xiàn)有例的端子C中產(chǎn)生了 500 μ m長度的晶須。但是，對(duì)于第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)，即使是最長的晶須長度，也僅產(chǎn)生了 10 μ m到15 μ m左右長度的晶須。因此，確認(rèn)到了以下情況對(duì)于第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)而言，即使對(duì)Sn鍍層13作用了外力，也能夠抑制晶須的產(chǎn)生。另一方面， 對(duì)于第1和第2比較例的端子(2、4)，由于在表面上未覆蓋形成Sn鍍層13，因此未確認(rèn)到 IOym以上長度的晶須產(chǎn)生。此外，在此次試驗(yàn)中，在現(xiàn)有例的端子C中確認(rèn)到的晶須長度為500 μ m,然而，通常眾所周知的是，在與上述現(xiàn)有例的端子C同樣形成的端子中，所產(chǎn)生的晶須的長度為1 2mm左右。這里，針對(duì)上述試驗(yàn)片中第1實(shí)施例的端子1和現(xiàn)有例的端子C的電觸點(diǎn)部的Sn 鍍層的表面的SEM照片的圖像進(jìn)行說明。圖5例示了現(xiàn)有例的端子C的電觸點(diǎn)部的Sn鍍層的表面的SEM照片的圖像。此外，圖6例示了第1實(shí)施例的未進(jìn)行回流焊工序的狀態(tài)下的端子1的Sn鍍層13的表面的SEM照片的圖像。此外，針對(duì)在圖6中示出了表面的SEM 照片的圖像的端子1，也以與實(shí)際使用情況相同的使用形式，將該端子1用作與被壓入外殼部件102而與扁平電纜101的端部的導(dǎo)體電連接的端子，之后確認(rèn)了晶須的產(chǎn)生狀況。如圖5的SEM圖像所示，在現(xiàn)有例的端子C中，產(chǎn)生了 500 μ m左右長度的較長地延伸的晶須。與此相對(duì)，如圖6的SEM圖像所示，在第1實(shí)施例的端子1中，處于基本上觀察不到晶須產(chǎn)生的狀態(tài)。此外，如圖6中用虛線圍起示出的那樣，在第1實(shí)施例的端子1中， 能夠確認(rèn)到以下狀態(tài)由于是薄薄地形成Sn鍍層13，因此Sn鍍層13的變形量小，Sn鍍層 13中的被削除的金屬量非常少。由此確認(rèn)到即使產(chǎn)生了外部的其他部件對(duì)Sn鍍層13的表面進(jìn)行加壓的狀態(tài)而對(duì)Sn鍍層13作用了外力，也能夠抑制表面的Sn鍍層13中的晶須產(chǎn)生。圖7是示出對(duì)第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)以及第1和第2比較例的端子(2、 4)實(shí)施了焊料潤濕性確認(rèn)試驗(yàn)后的結(jié)果的圖。在該焊料潤濕性確認(rèn)試驗(yàn)中，針對(duì)第1和第2實(shí)施例的端子(1、；3)以及第1和第2比較例的端子0、4)，使用加壓蒸煮測試儀(電子部件的耐濕評(píng)價(jià)的加速壽命試驗(yàn)機(jī))在溫度105°C、濕度100%、處理時(shí)間8小時(shí)的條件下進(jìn)行處理，之后進(jìn)行了利用弧面狀沾錫(Meniscograph)的焊料潤濕性確認(rèn)試驗(yàn)。并且，基于過零時(shí)間(zero cross time)(秒)對(duì)焊料潤濕性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。這里，所測定的過零時(shí)間為如下時(shí)間從作為試驗(yàn)片的端子的端部被浸漬到焊膏中起，到由焊料對(duì)端子作用的力一時(shí)經(jīng)過正負(fù)零的瞬間為止的時(shí)間。S卩，關(guān)于過零時(shí)間，將作為試驗(yàn)片的端子的端部浸漬到焊膏中，通過加熱使焊膏溶劑分離而開始產(chǎn)生潤濕現(xiàn)象， 發(fā)生了溶劑成分的溶解及與其相伴的產(chǎn)生浮力的現(xiàn)象和產(chǎn)生潤濕的現(xiàn)象，進(jìn)而發(fā)生了錫粉的溶解及與其伴隨的產(chǎn)生浮力的現(xiàn)象和產(chǎn)生潤濕的現(xiàn)象，對(duì)于以上過程，所計(jì)測的過零時(shí)間為以上過程中到由焊料對(duì)端子作用的力一時(shí)經(jīng)過正負(fù)零的瞬間為止的時(shí)間。此外，在上述焊料潤濕性確認(rèn)試驗(yàn)中，作為焊料，使用了 Sn-3Ag-0. 5Cu。并且，在該焊料潤濕性確認(rèn)試驗(yàn)中，將端子浸漬到焊膏中的浸漬深度設(shè)定為0. 2mm，能夠確保充分的焊料潤濕性的過零時(shí)間的要求水平為3秒以下，因此，將從端子被浸漬到焊膏起到提起端子為止的時(shí)間即浸漬時(shí)間設(shè)定為3秒。即，如果能夠在作為浸漬時(shí)間的3秒以內(nèi)計(jì)測到過零時(shí)間，則能夠確保充分的焊料潤濕性。此外，在上述焊料潤濕性確認(rèn)試驗(yàn)中，針對(duì)第1實(shí)施例的端子1(在圖7中用 “Ni-B+Sn”表示試驗(yàn)結(jié)果)、第1比較例的端子2 (在圖7中用“Ni_B”表示試驗(yàn)結(jié)果)、第2 實(shí)施例的端子3 (在圖7中用“Ni-P+Sn”表示試驗(yàn)結(jié)果)、第2比較例的端子4 (在圖7中用 “附-P”表示試驗(yàn)結(jié)果)，分別制成了多個(gè)( 個(gè))試驗(yàn)片而進(jìn)行了過零時(shí)間計(jì)測。并且，關(guān)于該計(jì)測結(jié)果，利用平均值、最大值和最小值進(jìn)行了評(píng)價(jià)。此外，在圖7中，用空白圖案表示平均值結(jié)果，用細(xì)點(diǎn)圖案的陰影表示最大值結(jié)果，用斜線圖案的陰影表示最小值結(jié)果。如圖7的焊料潤濕性確認(rèn)試驗(yàn)結(jié)果所示，對(duì)于第1和第2比較例的端子(2、4)均確認(rèn)到如下情況對(duì)于平均值、最大值和最小值，都未能在浸漬時(shí)間的3秒期間內(nèi)計(jì)測到過零時(shí)間，從而不能充分確保焊料潤濕性。與此相對(duì)，對(duì)于第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)均確認(rèn)到如下情況過零時(shí)間的平均值、最大值和最小值均為3秒以下，從而能夠確保充分的焊料潤濕性。圖8至圖10是示出對(duì)第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)以及第1和第2比較例的端子(2、4)實(shí)施了導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)后的結(jié)果的圖。在圖8至圖10中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)中，針對(duì)第1和第2實(shí)施例的端子(1、；3)以及第1和第2比較例的端子0、4)，在回流焊爐中將它們安裝于基板上，之后分別進(jìn)行后述的預(yù)定試驗(yàn)，并測定了因進(jìn)行該預(yù)定試驗(yàn)而引起的電阻上升值(πιΩ)。此外，針對(duì)第1實(shí)施例的端子1(在圖8中用“Ni-B+Sn”表示試驗(yàn)結(jié)果)、第1比較例的端子2 (在圖8中用“附-B”表示試驗(yàn)結(jié)果)、第2實(shí)施例的端子3(在圖8中用“Ni-P+Sn”表示試驗(yàn)結(jié)果)、第2比較例的端子4 (在圖8中用“Ni_P”表示試驗(yàn)結(jié)果)，分別制作了與各試驗(yàn)條件對(duì)應(yīng)的多個(gè)( 個(gè))試驗(yàn)片(即，按照每個(gè)試驗(yàn)條件分別制作M個(gè)端子)并進(jìn)行了電阻上升值的測定。然后，針對(duì)該測定結(jié)果，利用各試驗(yàn)條件中的電阻上升值的最大值即最大電阻上升值(πιΩ)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。在圖8中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)中，進(jìn)行了重復(fù)實(shí)施插拔作業(yè)的試驗(yàn)，在所述插拔作業(yè)中在處于被壓入到外殼部件102中的狀態(tài)的端子的一對(duì)突出片部之間插入扁平電纜101的端部，對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)部件103進(jìn)行操作而使端子與扁平電纜101的端部的導(dǎo)體連接，之后，對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)部件103進(jìn)行操作而拔出扁平電纜101。然后，在重復(fù)實(shí)施10次插拔作業(yè)的條件(插拔10次)、重復(fù)實(shí)施30次插拔作業(yè)的條件(插拔30次)、重復(fù)實(shí)施50次插拔作業(yè)的條件(50次)這三個(gè)條件下進(jìn)行試驗(yàn)，在各試驗(yàn)后測定電阻上升值而對(duì)上述最大電阻上升值(πιΩ)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。此外，在圖8中，用空白圖案表示上述插拔10次的結(jié)果，用細(xì)點(diǎn)圖案的陰影表示上述插拔30次的結(jié)果，用斜線圖案的陰影表示上述插拔50次的結(jié)果。作為即使重復(fù)上述插拔作業(yè)也能夠確保良好導(dǎo)電性的水平，通常要求在重復(fù)30 次插拔作業(yè)后的狀態(tài)下電阻上升值為20πιΩ以下。與此相對(duì)，如圖8的導(dǎo)電性試驗(yàn)結(jié)果所示，對(duì)于第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)以及第1和第2比較例的端子(2、4)均確認(rèn)到以下情況在插拔作業(yè)為10次、30次和50次中的任意一種情況下，都能夠確保最大電阻上升值為:ΜΩ以下這樣良好的水平。并且，對(duì)于第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)確認(rèn)到以下情況即使是承擔(dān)了比所要求的水平(插拔作業(yè)為30次的條件)更嚴(yán)格更苛刻的條件(插拔作業(yè)為50次的條件)的試驗(yàn)，也能夠維持良好的導(dǎo)電性。在圖9和圖10中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)中，針對(duì)第1實(shí)施例的端子1 (在圖9 和圖10中用“Ni-B+Sn”表示試驗(yàn)結(jié)果)、第1比較例的端子2(在圖9和圖10中用“Ni_B” 表示試驗(yàn)結(jié)果)、第2實(shí)施例的端子3 (在圖9和圖10中用“Ni-P+Sn”表示試驗(yàn)結(jié)果)、第2 比較例的端子4 (在圖9和圖10中用“附-P”表示試驗(yàn)結(jié)果)，分別進(jìn)行了熱沖擊試驗(yàn)、濕度試驗(yàn)、高溫試驗(yàn)以及硫化氫氣體試驗(yàn)。并且，在各試驗(yàn)(熱沖擊試驗(yàn)、濕度試驗(yàn)、高溫試驗(yàn)、 硫化氫氣體試驗(yàn))后，分別測定了進(jìn)行各試驗(yàn)后的各試驗(yàn)片的電阻上升值而對(duì)最大電阻上升值(m Ω )進(jìn)行了評(píng)價(jià)。此外，在圖9和圖10中，用空白圖案表示熱沖擊試驗(yàn)的結(jié)果，用細(xì)點(diǎn)圖案的陰影表示濕度試驗(yàn)的結(jié)果，用斜線圖案的陰影表示高溫試驗(yàn)的結(jié)果，用網(wǎng)格圖案的陰影表示硫化氫氣體試驗(yàn)的結(jié)果。在圖9中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的熱沖擊試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片置于如下環(huán)境中在500小時(shí)的期間重復(fù)500次使溫度在-55 0C到85 °C的范圍內(nèi)變化的熱循環(huán)(對(duì)于_55°C的溫度設(shè)定30分鐘的期間、對(duì)于85°C的溫度設(shè)定30分鐘的期間這一溫度模式的熱循環(huán))。另一方面，在圖10中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的熱沖擊試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片置于如下環(huán)境中在1000小時(shí)的期間，重復(fù)1000次使溫度以與上述相同的溫度模式在_55°C到 85°C的范圍內(nèi)變化的熱循環(huán)。此外，作為確認(rèn)端子的導(dǎo)電性所要求的熱沖擊試驗(yàn)的水平，通常設(shè)定如下條件將試驗(yàn)片置于在25小時(shí)的期間重復(fù)25次上述溫度范圍的熱循環(huán)的環(huán)境中。但是，在此次試驗(yàn)中，以更嚴(yán)格更苛刻的條件進(jìn)行了試驗(yàn)。在圖9中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的濕度試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片置于溫度為 400C 士2°C且濕度為90% 95%的環(huán)境中500小時(shí)。另一方面，在圖10中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的濕度試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片置于溫度為40°C 士2°C且濕度為90% 95%的環(huán)境中 1000小時(shí)。此外，作為確認(rèn)端子的導(dǎo)電性所要求的濕度試驗(yàn)的水平，通常設(shè)定如下條件將試驗(yàn)片置于上述溫度和濕度的環(huán)境中240小時(shí)。但是，在此次試驗(yàn)中以更嚴(yán)格更苛刻的條件進(jìn)行了試驗(yàn)。在圖9中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的高溫試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片置于溫度為 850C 士2°C的環(huán)境中500小時(shí)。另一方面，在圖10中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的高溫試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片置于溫度為85°C 士 2°C的環(huán)境中1000小時(shí)。此外，作為確認(rèn)端子的導(dǎo)電性所要求的高溫試驗(yàn)的水平，通常設(shè)定如下條件將試驗(yàn)片置于上述溫度環(huán)境中250小時(shí)。但是，在此次試驗(yàn)中以更嚴(yán)格更苛刻的條件進(jìn)行了試驗(yàn)。在圖9中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的硫化氫氣體試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片置于硫化氫濃度為3ppm士 lppm、溫度為40°C 士2°C、濕度為80% 士5%的環(huán)境中500小時(shí)。另一方面， 在圖10中示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的硫化氫氣體試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片置于硫化氫濃度為 3ppm 士 lppm、溫度為40°C 士 2°C、濕度為80% 士 5%的環(huán)境中1000小時(shí)。此外，作為確認(rèn)端子的導(dǎo)電性所要求的硫化氫氣體試驗(yàn)的水平，通常設(shè)定如下條件將試驗(yàn)片置于上述溫度環(huán)境中96小時(shí)。但是，在此次試驗(yàn)中以更嚴(yán)格更苛刻的條件進(jìn)行了試驗(yàn)。作為即使進(jìn)行了上述各個(gè)試驗(yàn)(熱沖擊試驗(yàn)、濕度試驗(yàn)、高溫試驗(yàn)、硫化氫氣體試驗(yàn))也能夠確保良好導(dǎo)電性的水平，通常要求電阻上升值為20πιΩ以下。但是，如圖9的導(dǎo)電性試驗(yàn)結(jié)果所示，對(duì)于第1和第2比較例的端子(2、4)確認(rèn)到以下情況在一部分試驗(yàn)中最大電阻上升值超過了 20πιΩ，隨環(huán)境不同有時(shí)難以得到良好的導(dǎo)電性。與此相對(duì)，對(duì)于第 1和第2實(shí)施例的端子(1、；3)均確認(rèn)到以下情況在各個(gè)試驗(yàn)(熱沖擊試驗(yàn)、濕度試驗(yàn)、高溫試驗(yàn)、硫化氫氣體試驗(yàn))的試驗(yàn)時(shí)間為500小時(shí)的條件下，都能夠確保最大電阻上升值為 4mΩ以下這樣良好的水平。此外，如圖10的導(dǎo)電性試驗(yàn)結(jié)果所示，對(duì)于第1和第2比較例的端子(2、4)確認(rèn)到以下情況在一半試驗(yàn)中最大電阻上升值超過了 20πιΩ，隨環(huán)境不同有時(shí)難以得到良好的導(dǎo)電性。與此相對(duì)，對(duì)于第1和第2實(shí)施例的端子(1、；3)均確認(rèn)到以下情況在各個(gè)試驗(yàn) (熱沖擊試驗(yàn)、濕度試驗(yàn)、高溫試驗(yàn)、硫化氫氣體試驗(yàn))的試驗(yàn)時(shí)間為1000小時(shí)的條件下，都能夠確保最大電阻上升值為17πιΩ以下這樣良好的水平。并且，能夠確認(rèn)到以下情況對(duì)于第1和第2實(shí)施例的端子(1、3)，即使是實(shí)施了比所要求的水平更嚴(yán)格更苛刻的條件的各個(gè)試驗(yàn)(熱沖擊試驗(yàn)、濕度試驗(yàn)、高溫試驗(yàn)、硫化氫氣體試驗(yàn))，也能夠維持良好的導(dǎo)電性。這里，還對(duì)進(jìn)行回流焊工序后的狀態(tài)下的Sn鍍層13的狀態(tài)的確認(rèn)結(jié)果進(jìn)行說明。 圖11例示了第1實(shí)施例的進(jìn)行了回流焊工序的端子1的表面部分的截面的SEM照片的圖像。此外，圖12例示了第2實(shí)施例的進(jìn)行了回流焊工序的端子3的表面部分的截面的SEM 照片的圖像。如圖11所示，在進(jìn)行了回流焊工序后的端子1中，在構(gòu)成主體部11的磷青銅層的上層形成有構(gòu)成Ni鍍層14的Ni層，進(jìn)一步在其上層形成有構(gòu)成Ni-B鍍層15的Ni-B合金層。并且，在Ni-B合金層的上層，形成有Ni-B合金與Sn的合金層。但是，在Ni-B合金與Sn的合金層的上層，成為殘留了構(gòu)成Sn鍍層13的Sn層的狀態(tài)，只是比進(jìn)行回流焊工序前要薄。由此，即使進(jìn)行了回流焊工序，對(duì)于第1實(shí)施例的端子1而言，也能夠保留焊料潤濕性和導(dǎo)電性非常優(yōu)異的Sn鍍層13。此外，在Sn鍍層13的表面上附著有在回流焊工序中產(chǎn)生的碳。此外，如圖12所示，在進(jìn)行了回流焊工序后的端子3中，在構(gòu)成主體部11的磷青銅層的上層形成有構(gòu)成Ni鍍層14的Ni層，進(jìn)一步在其上層形成有構(gòu)成Ni-P鍍層16的 Ni-P合金層。并且，在Ni-P合金層的上層，形成有Ni-P合金與Sn的合金層。但是，在Ni-P 合金與Sn的合金層的上層，成為殘留有構(gòu)成Sn鍍層13的Sn層的狀態(tài)，只是比進(jìn)行回流焊工序前要薄。由此，即使進(jìn)行了回流焊工序，對(duì)于第2實(shí)施例的端子3而言，也能夠保留焊料潤濕性和導(dǎo)電性非常優(yōu)異的Sn鍍層13。此外，在Sn鍍層13的表面上附著有在回流焊工序中產(chǎn)生的碳。
根據(jù)以上所說明的本實(shí)施方式的端子(1、3)，在主體部11的表面上，形成有包含 Ni-B鍍層15和Ni-P鍍層16中的至少任意一種鍍層的底鍍層12。因此，通過形成可發(fā)揮比較良好的焊料潤濕性和導(dǎo)電性的包含Ni-B合金或Ni-P合金的底鍍層12，能夠保證用于確保電子部件的端子(1、；3)的性能所需的充分的鍍覆厚度。此外，在該底鍍層12的表面上進(jìn)一步形成有平均厚度尺寸為0. 2 μ m以上且0. 6 μ m以下的Sn鍍層13。因此，焊料潤濕性和導(dǎo)電性非常優(yōu)異的由Sn或Sn合金形成的Sn鍍層13以薄鍍覆化(薄化)后的狀態(tài)，形成在底鍍層12的表面。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)焊料潤濕性和導(dǎo)電性的進(jìn)一步提高，并且通過使Sn 鍍層13薄化，能夠抑制晶須的產(chǎn)生。此外，對(duì)于本實(shí)施方式的端子(1、3)，通過使Sn鍍層13薄化而降低了 Sn鍍層13 的變形量，因此，即使產(chǎn)生了外部的其他部件對(duì)Sn鍍層13的表面進(jìn)行加壓的狀態(tài)而對(duì)Sn 鍍層13作用了外力，也能夠抑制表面的Sn鍍層13中的晶須產(chǎn)生。此外，即使外部的其他部件在端子(U)的表面滑動(dòng)，也能夠降低Sn鍍層13的變形量，因此能夠抑制表面的Sn 鍍層13中的晶須產(chǎn)生。此外，在本發(fā)明人進(jìn)行驗(yàn)證后確認(rèn)到以下情況根據(jù)作為本實(shí)施方式的電子部件的端子(1、3)，通過將Sn鍍層13的平均厚度尺寸設(shè)定為0. 2 μ m以上，能夠確保充分的焊料潤濕性和導(dǎo)電性。并且，通過將Sn鍍層13的平均厚度尺寸設(shè)定為0. 6 μ m以下，也能夠確認(rèn)到上述效果，即，即使對(duì)Sn鍍層13作用了外力也能夠抑制晶須產(chǎn)生。由此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠提供確保了焊料潤濕性和導(dǎo)電性、即使對(duì)Sn鍍層13作用外力也能夠抑制晶須產(chǎn)生的作為電子部件的端子(1、3)。此外，根據(jù)本實(shí)施方式，即使在扁平電纜101的導(dǎo)體或外殼部件102那樣的其他部件加壓地接觸Sn鍍層13表面的狀態(tài)下使用端子(1、3)，也能夠抑制Sn鍍層13中的晶須產(chǎn)生。此外，根據(jù)本實(shí)施方式，即使以Sn鍍層13中的被其他部件(扁平電纜101的導(dǎo)體)加壓地接觸的部分構(gòu)成電觸點(diǎn)部的形式使用端子(1、3)，也能夠抑制Sn鍍層13中的晶須產(chǎn)生。因此，在作為電子部件的端子(1、3)中，能夠抑制因晶須引發(fā)電短路的情況發(fā)生。 而且，對(duì)于與扁平電纜101連接的設(shè)置于連接器100中的端子(1、3)，能夠抑制在相鄰的端子(1、；3)彼此之間產(chǎn)生短路。此外，根據(jù)本實(shí)施方式，即使作為電子部件的端子(1、；3)被壓入到由絕緣性材料形成的外殼部件102中、且以滑動(dòng)狀態(tài)和加壓狀態(tài)對(duì)Sn鍍層13作用外力，也能夠抑制Sn 鍍層13中的晶須產(chǎn)生。以上對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，可在權(quán)利要求所記載的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。例如，也可以按如下方式進(jìn)行變更來實(shí)施。(1)在上述實(shí)施方式中，以將本發(fā)明應(yīng)用于構(gòu)成為端子的電子部件的情況為例進(jìn)行了說明，但是在端子以外的其他情況下也能夠應(yīng)用本發(fā)明。即，只要是在表面形成有通過覆蓋Sn或Sn合金而構(gòu)成的Sn鍍層的電子部件，即可廣泛應(yīng)用本發(fā)明。此外，在將本發(fā)明應(yīng)用于構(gòu)成為端子的電子部件的情況下，也不限于上述實(shí)施方式中例示的端子的形式，可以進(jìn)行各種變更來實(shí)施。例如，可以將本發(fā)明應(yīng)用于針狀端子、插槽狀端子等各種形式的端子。(2)也可以實(shí)施如下的電子部件該電子部件除了在主體部表面進(jìn)行覆蓋而形成了具有Ni-B鍍層和Ni-P鍍層中的至少任意一種鍍層的底鍍層和Sn鍍層以外，還在Sn鍍層的表面形成有防銹劑的層(防銹劑層)。防銹劑層是通過在電子部件的Sn鍍層表面涂覆防銹劑、或者將電子部件浸漬到防銹劑液體中等方式而形成的。根據(jù)這種具有防銹劑層的電子部件，能夠進(jìn)一步提高焊料潤濕性。即，形成在Sn鍍層表面的防銹劑層構(gòu)成起到耐水效果的有機(jī)膜和起到耐熱效果的無機(jī)膜，能夠防止生成會(huì)引起焊料潤濕性劣化的氧化膜 (隔斷氧)。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)焊料潤濕性的進(jìn)一步提高。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠廣泛應(yīng)用于在表面形成有通過覆蓋Sn或Sn合金而構(gòu)成的Sn鍍層的電子部件。
權(quán)利要求
1.一種電子部件，其在表面形成有鍍層，該電子部件的特征在于，具有 主體部，其由金屬材料形成；底鍍層，其覆蓋在所述主體部的表面上；以及Sn鍍層，其是通過在所述底鍍層的表面上覆蓋Sn或Sn合金而形成的， 所述底鍍層具有通過覆蓋Ni-B合金而形成的Ni-B鍍層以及通過覆蓋Ni-P合金而形成的Ni-P鍍層中的至少任意一種鍍層，所述Sn鍍層的平均厚度尺寸被設(shè)定在0. 2 μ m以上且0. 6 μ m以下的范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，該電子部件在與所述Sn鍍層的表面接觸的其他部件對(duì)該Sn鍍層的表面進(jìn)行了加壓的狀態(tài)下使用。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其特征在于， 所述其他部件構(gòu)成為導(dǎo)體，所述Sn鍍層中的與所述其他部件接觸的部分構(gòu)成與所述其他部件電連接的電觸點(diǎn)部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件，其特征在于， 所述其他部件構(gòu)成為由絕緣性材料形成的外殼部件，通過將該電子部件壓入到所述外殼部件中，由此該外殼部件在所述Sn鍍層的表面上滑動(dòng)并進(jìn)行加壓。
全文摘要
本發(fā)明的課題在于提供一種電子部件，其能夠確保焊料潤濕性和導(dǎo)電性，即使對(duì)Sn鍍層作用外力也能夠抑制晶須的產(chǎn)生。作為解決手段，電子部件(1)具有主體部(11)，其由金屬材料形成；底鍍層(12)，其覆蓋在主體部(11)的表面上；以及Sn鍍層(13)，其是通過在底鍍層(12)上覆蓋Sn或Sn合金而形成的。底鍍層(12)具有通過覆蓋Ni-B合金而形成的Ni-B鍍層(15)和通過覆蓋Ni-P合金而形成的Ni-P鍍層(16)中的至少任意一種鍍層。Sn鍍層的厚度尺寸(Tsn)的平均尺寸被設(shè)定在0.2μm以上且0.6μm以下的范圍。
文檔編號(hào)C25D3/30GK102394413SQ20111016647
公開日2012年3月28日 申請(qǐng)日期2011年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月28日
發(fā)明者雨宮直人 申請(qǐng)人:日本壓著端子制造株式會(huì)社