專利名稱：電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的某個方面涉及電子部件。
背景技術(shù)：
聲波器件被用作為無線通信終端中所包括的濾波器、雙工器等。作為聲波諧振器，有使用表面聲波的表面聲波(surface acoustic wave :SAW)諧振器、使用邊界波的邊界聲波諧振器、使用壓電薄膜的膜體聲波諧振器(Film Bulk Acoustic Resonator :FBAR)等。作為激勵聲波的功能部，例如在表面聲波器件中是諸如IDT (Inter Digital Transducer :叉指換能器)等的電極，在FBAR中是夾著壓電薄膜的多個電極交疊的區(qū)域。在聲波器件中，為了有效地激勵聲波，有時在聲波元件上方形成空隙。例如，日本專利申請公開第2008-227748號公報中公開了這樣的發(fā)明以在聲波元件上方形成空隙的方式，用由環(huán)氧樹脂和金屬制成的加強層對聲波元件進行密封。日本專利申請公開第2010-157956號公報公開了這樣的發(fā)明用由銅制成的頂板對聲波元件進行密封。日本專利申請?zhí)亻_平9-326447號公報公開了這樣的發(fā)明用熱塑性樹脂對聲波元件進行密封。但是，當位于功能部上方的由金屬形成的頂板(金屬頂板)接地時，電子部件的特性會劣化。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種電子部件，該電子部件包括基板；位于所述基板上的功能部；位于所述基板上并且電連接到所述功能部的布線；位于所述功能部上方的金屬頂板，在所述金屬頂板與所述功能部之間形成有空隙；以及位于所述金屬頂板上的密封部，其中所述金屬頂板電連接到所述布線中包含的傳輸高頻信號的信號布線。


圖1A和圖1B是示出根據(jù)第一比較例的梯型濾波器的平面圖；圖2是示出根據(jù)第一比較例的梯型濾波器的平面圖；圖3A和圖3B是示出仿真中使用的電路的電路圖；圖4A是示出向端口 11輸入信號并從端口 11輸出信號時的阻抗計算結(jié)果的曲線圖；而圖4B是示出向端口 13輸入信號而從端口 11輸出信號時的阻抗計算結(jié)果的曲線圖；圖5中A和B是示出根據(jù)第一實施方式的梯型濾波器的平面圖；圖6A至圖6C是示出根據(jù)第一實施方式的梯型濾波器的截面圖；圖7是示出根據(jù)第一實施方式的梯型濾波器的圖；圖8是示出根據(jù)第一實施方式的變型例的梯型濾波器的平面圖；圖9A和圖9B是示出根據(jù)第二實施方式的梯型濾波器的平面圖；圖1OA和圖1OB是示出根據(jù)第二比較例的梯型濾波器的平面圖11是示出根據(jù)第二比較例的梯型濾波器的截面圖；圖12是示出包含根據(jù)第二實施方式的梯型濾波器的雙工器的圖；圖13是示出包含根據(jù)第二比較例的梯型濾波器的雙工器的圖；圖14是示出梯型濾波器的頻率特性的計算結(jié)果的曲線圖；以及圖15A是示出根據(jù)第三實施方式的模塊的截面圖，而圖15B是示出根據(jù)第四實施方式的模塊的截面圖。
具體實施例方式為了明確實施方式所要解決的技術(shù)問題，首先對第一比較例進行說明。第一比較例是金屬頂板接地的例子。圖1A至圖2是根據(jù)第一比較例的梯型濾波器的平面圖。圖1A是圖2中的密封部和金屬頂板被透視的平面圖。圖1B是圖2中的密封部被透視的平面圖。在圖1A中，虛線示出的矩形表示金屬頂板120。在附圖中，標號116被賦予給多條信號布線中的一條信號布線，標號122被賦予給多個支柱中的兩個支柱，一個支柱位于串聯(lián)諧振器SI附近，另一個支柱位于信號布線116上。梯型濾波器中包含的端子包括基底層、柱狀端子以及焊球。在圖1A中，示出了基底層。在圖1B中，示出了柱狀端子。在圖2中，示出了焊球。如圖1A至圖2所示，串聯(lián)諧振器SI至S4、并聯(lián)諧振器Pl和P2、信號布線116、接地布線118和支柱122位于梯型濾波器100R的壓電基板110的上表面。諧振器SI至S4、Pl和P2被布置為梯形。串聯(lián)諧振器SI至S4在天線端子Ant與發(fā)射端子Tx之間通過信號布線116串聯(lián)連接。并聯(lián)諧振器Pl的一端通過信號布線116在串聯(lián)諧振器SI和S2之間并聯(lián)連接，而另一端通過接地布線118與接地端子GNDl電連接。并聯(lián)諧振器P2的一端在串聯(lián)諧振器S3和S4之間并聯(lián)連接，而另一端與接地端子GND2電連接。諧振器是包含IDT112和反射電極114的SAW諧振器。IDT 112由相互面對的梳狀電極構(gòu)成，激勵聲波。反射電極114位于IDT 112的沿著聲波傳播方向的兩側(cè)，并反射該聲波。支柱122與諧振器和信號布線116 二者隔開并絕緣。另外，位于信號布線116上的支柱122通過由諸如氮化硅(SiN)等的絕緣材料制成的絕緣層(未示出)與信號布線116絕緣。如圖1B所示，金屬頂板120位于壓電基板110上方，使得該金屬頂板120與諧振器、端子和布線交疊。金屬頂板120與支柱122的上表面接觸，并由支柱122支撐。金屬頂板120與支柱122、接地端子GNDl和GND2電連接，并與諧振器、信號布線116和端子Ant及Tx隔開并絕緣。圖2是未透視密封部124而示出梯型濾波器的上表面的圖。如圖2所示，密封部124位于整個壓電基板110上，使得該密封部124覆蓋金屬頂板120并密封諧振器、布線及各端子。焊球從貫通密封部124的孔中突出。焊球用作為連接電子部件和外部設(shè)備的外部連接端子。梯型濾波器100R的通帶由諧振器的諧振頻率和反諧振頻率確定。梯型濾波器100R使頻率在通帶內(nèi)的信號通過，并抑制頻率在通帶外的信號。高頻或RF信號輸入到發(fā)射端子Tx。信號布線116傳輸該高頻信號。天線端子Ant將梯型濾波器100R和未示出的天線相互連接起來，并輸出已通過梯型濾波器100R的高頻信號。
現(xiàn)在對梯型濾波器中的頻率特性的劣化進行說明。頻率特性的劣化原因包括在金屬頂板120與諧振器之間、以及在金屬頂板120與布線之間形成了電容。如圖1B所示，由于金屬頂板120連接到接地端子GNDl和GND2，所以在諧振器與接地端子GNDl和GND2之間并聯(lián)地形成了電容。為了考察由于形成電容而導(dǎo)致的梯型濾波器的頻率特性的變化，進行了仿真。圖3A和圖3B是示出仿真中使用的電路的電路圖。如圖3A所示，在電路102中，諧振器S串聯(lián)地連接在端口 11和端口 13之間。在諧振器S與端口 11之間的布線以及在諧振器S與端口 13之間的布線接地。如圖3B所示，電路104包括電容器Cl和C2(此后稱為Cl和C2)。電容器Cl的一端連接在諧振器S的一端與端口 11之間。電容器C2的一端連接在諧振器S的另一端與端口 13之間。電容器Cl和電容器C2的另一端接地。電容器Cl和電容器C2具有0. 5pF的電容。諧振器S是IDT位于由42度旋轉(zhuǎn)Y切鉭酸鋰(LiTaO3)制成的壓電基板上的SAW諧振器。電容器Cl和電容器C2對應(yīng)于圖1B中由金屬頂板120形成的電容。通過計算電路102和電路104的阻抗的各個虛部(阻抗虛部)，來考察由于添加了電各而導(dǎo)致的諧振頻率和反諧振頻率的變化。電路的諧振頻率被定乂為在向端口 11輸入信號并從端口 11輸出信號的情況下阻抗虛部從負變?yōu)檎龝r的頻率。電路的反諧振頻率被定義為在向端口 13輸入信號而從端口 11輸出信號的情況下阻抗虛部從負變?yōu)檎龝r的頻率。圖4A是示出向端口 11輸入信號并從端口 11輸出信號時的阻抗計算結(jié)果的曲線圖。圖4B是示出向端口 13輸入信號而從端口 11輸出信號時的阻抗計算結(jié)果的曲線圖。橫軸表示頻率，縱軸表示阻抗虛部。虛線表示電路102的阻抗虛部，而實線表示電路104的阻抗虛部。如圖4A中圓圈所圍起的，電路102的諧振頻率大約為1980MHz。電路104的諧振頻率大約為2010MHz。如圖4B中圓圈所圍起的，電路102的反諧振頻率和電路104的反諧振頻率大約為2050MHz。由此可以看出，由于添加了電容器Cl和C2，所以諧振頻率向高頻側(cè)偏移。如上所述，梯型濾波器的頻率特性由諧振器的諧振頻率和反諧振頻率來限定。圖4A所示的諧振頻率的偏移成為梯型濾波器的通帶特性劣化的原因。另外，梯型濾波器的通帶變窄。為了加寬梯型濾波器的帶寬，例如應(yīng)該使壓電基板的機電耦合系數(shù)k2變大。但是，機電耦合系數(shù)k2是由材料確定的材料值。因此，難以把機電耦合系數(shù)k2控制為所期望的值。如上所述，由于金屬頂板120連接到接地布線并形成了附加的電容，所以諸如梯型濾波 器等的電子部件的特性劣化。第一實施方式第一實施方式是金屬頂板與信號布線電連接的實施方式。現(xiàn)在對根據(jù)第一實施方式的梯型濾波器的結(jié)構(gòu)進行說明。圖5中A和B是示出根據(jù)第一實施方式的梯型濾波器的平面圖。省略了與圖2對應(yīng)的平面圖的例示，因為該平面圖與圖2相同，只是端子的數(shù)量不同。圖6A至圖6C是示出根據(jù)第一實施方式的梯型濾波器的截面圖。圖6A是沿圖5中B的折線A-A的截面圖，圖6B是沿圖5中B的線B-B的截面圖，而圖6C是沿圖5中B的折線C-C的截面圖。圖7是示出包含根據(jù)第一實施方式的梯型濾波器的雙工器的圖。雙工器101的發(fā)射濾波器是根據(jù)第一實施方式的梯型濾波器。梯型濾波器100的一端和接收濾波器106的一端連接到天線端子Ant。接收濾波器106的另一端連接到接收端子Rx。在例如評估板、印制電路板等中包括有電感器LI至L3。圖7中虛線所示的多邊形表示金屬頂板20。位于虛線與實線的交叉處的黑圓表示金屬頂板20與布線連接。在附圖中，省略了發(fā)射濾波器和諸如與天線端子Ant相關(guān)聯(lián)的電路等的元件的圖示。如圖5中A和B以及圖7所示，在根據(jù)第一實施方式的梯型濾波器100中，串聯(lián)諧振器SI至S6在天線端子Ant與發(fā)射端子Tx之間串聯(lián)連接。并聯(lián)諧振器Pl和P2的一端在串聯(lián)諧振器SI和S2之間并聯(lián)連接，而另一端連接到接地端子GNDl。同樣，并聯(lián)諧振器P3和P4連接在串聯(lián)諧振器S3和S4之間，并且連接到接地端子GND2。并聯(lián)諧振器P5和P6連接在串聯(lián)諧振器S5和S6之間，并且連接到接地端子GND3。如圖7所示，在雙工器101中，并聯(lián)諧振器Pl和P2連接到電感器LI的一端。并聯(lián)諧振器P3至P6連接到電感器L2的一端。電感器LI和L2的另一端連接到電感器L3的一端。電感器L3的另一端接地。如圖5中A所示，諧振器SI至S6和Pl至P6是包含IDT 12和反射電極14的SAW諧振器。如圖5中A和B所示，信號布線16把一個諧振器與另一個諧振器連接在一起，以及把諧振器連接到信號端子。信號布線16中包含的、連接天線端子Ant和串聯(lián)諧振器SI 的信號布線被稱為信號布線16a (第一布線)。信號布線16中包含的、連接串聯(lián)諧振器SI與諧振器S2、P1和P2的信號布線被稱為信號布線16b (第二布線)。在附圖中，未標注標號的信號布線被稱為信號布線16。在金屬頂板20中，位于串聯(lián)諧振器SI上方的金屬頂板被稱為金屬頂板20a,位于諧振器S2、P1和P2上方的金屬頂板被稱為金屬頂板20b,位于并聯(lián)諧振器P5和P6上方的金屬頂板被稱為金屬頂板20c,而位于并聯(lián)諧振器P3和P4上方的金屬頂板被稱為金屬頂板20d。附圖中未標注標號的金屬頂板被稱為金屬頂板20。金屬頂板20d連接到接地布線18，接地布線18把并聯(lián)諧振器P3、P4連接到接地端子GND2。金屬頂板20d之外的金屬頂板20、20a、20b和20c不連接到接地布線18或接地端子GNDl至GND3，而是連接到信號布線16。因此，減小了金屬頂板20在諧振器和布線二者與接地端子GNDl至GND3之間形成的電容。結(jié)果，根據(jù)第一實施方式，抑制了圖5中A所示的諧振頻率偏移，抑制了梯型濾波器的頻率特性劣化。如圖5中A和B和圖7所示，金屬頂板20中包含的金屬頂板20a連接到信號布線16a，而不連接到信號布線16b。因此，抑制信號布線16a與信號布線16b之間的短路。同樣，其它金屬頂板20連接到與金屬頂板20下的諧振器的一端相連接的布線，而不連接到與諧振器的另一端相連接的布線。如圖5中A至圖6A所示，金屬頂板20b由支柱22支撐，所以在諧振器S2、P1和P2上方形成了空隙23。支柱22的高度例如為Ιμπι至30μπι。其它諧振器也在空隙23中露出。由于密封部24由具有高粘性的樹脂等制成，所以可以抑制流入到金屬頂板20b內(nèi)部，確保了空隙23。因此，不會抑制諧振器激勵聲波。支柱22與籽晶金屬21接觸。籽晶金屬21用作為形成支柱22和柱狀端子32的電解電鍍法中的電源線，并且在電解電鍍之后，成為支柱22和柱狀端子32的一部分。如圖5中A和B所示，支柱22位于金屬頂板20的四角和沿著側(cè)邊的位置等處。因此，金屬頂板20被牢固地支撐。如圖6B所示，支撐金屬頂板20c的支柱22中的具有最大寬度的支柱22a與信號布線16接觸，并機械地支撐金屬頂板20c的截面的中央?yún)^(qū)域。因此，金屬頂板20c被牢固地支撐。例如,在形成密封部24的工序中，對金屬頂板20施加壓力。根據(jù)第一實施方式，如圖6B所示，由金屬頂板20和支柱22形成的矩形的邊的中央?yún)^(qū)域由支柱22a牢固地支撐，所以該矩形不易崩潰。因此，確保了諧振器上方的空隙23。如圖5中A和B所示，支撐金屬頂板20c的兩個支柱22連接到與并聯(lián)諧振器P5和P6公共連接的信號布線16 (第三布線)，由于支柱22連接到同一布線，所以抑制了布線之間的短路，更牢固地支撐金屬頂板20c。 如圖6A至圖6C所示，密封部24接觸、粘接至并覆蓋金屬頂板20b的側(cè)面和頂面以及支柱22的側(cè)面。因此，改善了梯型濾波器100的防潮性。如圖6C所示，端子Ant和GNDl包括基底層30、柱狀端子32和焊球34?；讓?0位于壓電基板10上。籽晶金屬21位于基底層30上，而柱狀端子32設(shè)置為被籽晶金屬21覆蓋。焊球34位于柱狀端子32上，從密封部24露出。端子Tx、GND2和GND3具有相同的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在對第一實施方式的變型例進行說明。圖8是示出根據(jù)第一實施方式的變型例的梯型濾波器的平面圖。省略圖5中A至圖6C中已經(jīng)說明過的結(jié)構(gòu)的說明。如圖8所示，金屬頂板20d連接到信號布線16，而不連接到接地布線18。通過把梯型濾波器100V中包含的所有金屬頂板20連接到信號布線16，可以減小諧振器與接地端子GNDl至GND3之間的電容。另外，例如，可以是兩個以上的金屬頂板20連接到接地布線18，而一個以上的金屬頂板20連接到信號布線16。如上所述，至少一個金屬頂板20連接到信號布線16就夠了。例如，壓電基板10由諸如鉭酸鋰(LiTaO3)和鈮酸鋰(LiNbO3)等的壓電物質(zhì)制成。IDT12、反射電極14、信號布線16、接地布線18和基底層30由材料為諸如鋁(Al)等的金屬膜形成。例如,金屬頂板20、支柱22和柱狀端子32由諸如銅(Cu)等的金屬形成。使用Cu或含Cu的合金作為材料，可以通過電解電鍍法容易地形成金屬頂板20、支柱22和柱狀端子32。另外，由于金屬頂板20和壓電基板10之間的熱膨脹系數(shù)之差變小，所以抑制了壓電基板10的變形，提高了梯型濾波器的可靠性。例如，焊球34由諸如錫銀合金(SnAg)等的焊料制成。密封部24由液晶聚合物、諸如聚酰亞胺等的樹脂、或者除樹脂之外的絕緣材料制成。由于液晶聚合物對于Cu具有高的粘接性，優(yōu)選地是使用液晶聚合物作為密封部24。由于串聯(lián)諧振器SI至S6不連接到接地布線18并且位于串聯(lián)諧振器SI至S6上方的金屬頂板20連接到信號布線16，所以可以有效抑制梯型濾波器的頻率特性劣化。在第一實施方式中，例如使用了梯型濾波器，但是本實施方式的結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用于單體諧振器、多模濾波器、對偶濾波器、雙工器等。另外，根據(jù)本實施方式的濾波器可以適用于雙工器的發(fā)射濾波器和接收濾波器。功能部是實現(xiàn)電子部件的功能的元件，除了表面聲波諧振器之夕卜，還可以是諸如邊界聲波諧振器和壓電薄膜諧振器等的聲波諧振器。當使用壓電薄膜諧振器時，使用由硅(Si)制成的基板來代替壓電基板10。另外，取代IDT 12，夾著由壓電物質(zhì)制成的壓電薄膜的上電極和下電極二者交疊的區(qū)域成為激勵聲波的功能元件。另外，本實施方式甚至還可應(yīng)用于諸如壓電陀螺儀和MEMS (微機電系統(tǒng))等的不使用聲波的電子部件，只要該電子部件需要在功能部上方設(shè)置空隙。第二實施方式第二實施方式是對金屬頂板20進行了分割的實施方式。圖9A和圖9B是示出根據(jù)第二實施方式的梯型濾波器的平面圖。省略圖5中A至圖6C中以前已經(jīng)說明過的結(jié)構(gòu)的說明。如圖9A和圖9B所示，在根據(jù)第二實施方式的梯型濾波器200中，各個金屬頂板20位于相應(yīng)的一個諧振器上方。其它結(jié)構(gòu)與根據(jù)第一實施方式的梯型濾波器100的結(jié)構(gòu)相同。
現(xiàn)在對梯型濾波器中的頻率特性的仿真進行說明。在仿真中，在第二實施方式與第二比較例之間對頻率特性進行比較。第二比較例是金屬頂板接地的例子。現(xiàn)在對根據(jù)第二比較例的梯型濾波器的結(jié)構(gòu)進行說明。圖1OA和圖1OB是示出根據(jù)第二比較例的梯型濾波器的平面圖。圖11是示出根據(jù)第二比較例的梯型濾波器的截面圖。圖1OA的布線中的白色區(qū)域表示位于布線上的支柱122。如圖1OA和圖1OB所示，在根據(jù)第二比較例的梯型濾波器200R中，一個金屬頂板120位于串聯(lián)諧振器SI上方,另一個金屬頂板120位于諧振器S2至S6、Pl和P2上方,而另一個金屬頂板120位于并聯(lián)諧振器P3至P6上方。如圖1OA和圖1OB中的虛線圓圈所示，由與金屬頂板120接觸的焊球制成的接地端子GND4位于串聯(lián)諧振器SI上。金屬頂板120不與信號布線116連接，而是連接到接地端子GNDl至GND4。如圖1OB中的點劃線所示，多個金屬頂板120中的一個金屬頂板120與接地端子GNDl交疊并結(jié)合至接地端子GNDl。多個金屬頂板120中的一個金屬頂板120結(jié)合至接地端子GND2和GND3。在圖1OA或圖1OB中沒有示出后述的絕緣層117。如圖11所示，一個支柱122和一個籽晶金屬121位于信號布線116上。絕緣層117位于支柱122a和信號布線116之間。因此，支柱122a與信號布線116絕緣。絕緣層117的上表面的長度和寬度大于支柱122a的底面的長度和寬度。另外，盡管密封部124會流入到圖11中點劃線所示的位置中，但是因為密封部124有很高的粘性，所以密封部124流入金屬頂板120內(nèi)側(cè)的情況被大為抑制?，F(xiàn)在對仿真中使用的電路進行說明。在評估板上安裝了包含根據(jù)第二實施方式的梯型濾波器200的雙工器和包含根據(jù)第二比較例的梯型濾波器200R的雙工器的情況下進行仿真。該雙工器支持LTE (Long Term Evolution :長期演進)Band I。LTE Band I的發(fā)射頻帶為1920MHz至1980MHz。圖12是示出包含根據(jù)第二實施方式的梯型濾波器的雙工器的圖。在圖12和圖13中，省略了發(fā)射濾波器和諸如與天線端子Ant相關(guān)聯(lián)的電路等的元件的圖示。附圖中的虛線表示金屬頂板20。如圖12所示，雙工器201的發(fā)射濾波器是根據(jù)第二實施方式的梯型濾波器200。在用于評估雙工器的評估板中包含電感器LI至L3。圖13是示出包含根據(jù)第二比較例的梯型濾波器的雙工器的圖。雙工器201R的發(fā)射濾波器是根據(jù)第二比較例的梯型濾波器200R。在圖13中，用虛的直線連接起來而示出圖1OA和圖1OB中的一個金屬頂板120。圖14是示出梯型濾波器的頻率特性計算結(jié)果的曲線圖。橫軸表示頻率，而縱軸表示衰減。實線表示第二實施方式的計算結(jié)果，而虛線表示第二比較例的計算結(jié)果。如圖14中的虛線所示，在第二比較例中，通帶內(nèi)的衰減增大。另外，通帶外的衰減減小。如圖所示，在第二比較例中，頻率特性劣化。另一方面，在第二實施方式中，如圖14中的實線所示，通帶內(nèi)的衰減小并且通帶外的衰減大。另外，在第二實施方式和第二比較例中，通帶的寬度基本相等。如上所述，根據(jù)第二實施方式，可以抑制特性的劣化。如第二實施方式那樣，可以在每一個諧振器上方設(shè)置各金屬頂板，或者如第一實施方式那樣，可以在多個諧振器上方設(shè)置一個金屬頂板。由于可以根據(jù)諧振器、端子和布線等的布局改變金屬頂板的數(shù)量，所以提高了梯型濾波器的設(shè)計自由度。第三實施方式
第三實施方式是包含電子部件的模塊的例子。圖15A是示出根據(jù)第三實施方式的模塊的截面圖。圖15A中的梯型濾波器100的截面是沿著圖6B中的線C-C截取的。如圖15A所示，根據(jù)第三實施方式的模塊300包括梯型濾波器100、印制電路板70和成型樹脂76。印制電路板70例如由樹脂制成，并包括布線72。多層印制電路板70層疊在一起，布線72通過布線74相互電連接。梯型濾波器100通過焊球與布線72電連接。如上所述，梯型濾波器100倒裝地安裝在印制電路板70上。對梯型濾波器100進行密封的成型樹脂76位于最上層中的印制電路板70上。根據(jù)第三實施方式，抑制了模塊300的頻率特性劣化。另外，除了密封部24之外，還用成型樹脂76密封梯型濾波器100中包含的諧振器，所以這些諧振器被更有效地保護。第四實施方式第四實施方式是包含嵌入在印制電路板中的梯型濾波器的聲波器件的例子。圖15B是示出根據(jù)第四實施方式的聲波器件的截面圖。圖15B中的梯型濾波器100的截面是沿著圖6B中的線A-A截取的。如圖15B所示，在根據(jù)第四實施方式的模塊400中，梯型濾波器100嵌入在層疊的印制電路板70中。梯型濾波器100被諸如樹脂等的絕緣材料制成的絕緣部78覆蓋。梯型濾波器100被絕緣部78密封并固定。根據(jù)第四實施方式，抑制了模塊400的頻率特性劣化。另外，除了密封部24 (圖15A和圖15B中未示出)之外，絕緣部78也密封梯型濾波器100中包含的諧振器，所以這些諧振器被更有效地保護。在第三實施方式和第四實施方式中，作為示例采用了包含梯型濾波器100的模塊，但是該模塊也可以包含對偶濾波器或雙工器等。另外，該模塊可以是諸如電容器、電感器和傳輸線等的無源元件與濾波器集成在一起的模塊。雖然上面對本發(fā)明的實施方式進行了詳細說明，但是應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對本發(fā)明進行各種改變、替換和變型。
權(quán)利要求
1.一種電子部件，該電子部件包括基板；功能部，該功能部位于所述基板上；布線，該布線位于所述基板上并且電連接到所述功能部；金屬頂板，該金屬頂板位于所述功能部上方，使得在所述金屬頂板與所述功能部之間形成空隙；以及密封部，該密封部位于所述金屬頂板上，其中，所述金屬頂板電連接到所述布線中包含的傳輸高頻信號的信號布線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，該電子部件還包括支柱，該支柱把所述金屬頂板電連接到所述信號布線，并支撐所述金屬頂板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件，其中，所述功能部是聲波諧振器，所述布線中包含的第一布線電連接到所述聲波諧振器的一端，而所述布線中包含的第二布線電連接到所述聲波諧振器的另一端，并且所述金屬頂板電連接到所述第一布線而不電連接到所述第二布線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其中，多個所述金屬頂板分別位于多個所述聲波諧振器中的相應(yīng)一個聲波諧振器上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其中，所述金屬頂板是位于多個所述聲波諧振器上方的單個金屬頂板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子部件，其中，多個所述支柱把所述單個金屬頂板電連接到第三布線，該第三布線與所述多個所述聲波諧振器公共地電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其中，多個所述聲波諧振器連接成梯形，所述連接成梯形的多個所述聲波諧振器中包含的串聯(lián)諧振器連接到所述信號布線，并且位于所述串聯(lián)諧振器上方的所述金屬頂板連接到與所述串聯(lián)諧振器電連接的所述信號布線。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其中，所述聲波諧振器是表面聲波諧振器。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其中，所述聲波諧振器是壓電薄膜諧振器。
全文摘要
本發(fā)明提供了電子部件。一種電子部件包含基板；功能部，該功能部位于所述基板上；布線，該布線位于所述基板上并且電連接到所述功能部；金屬頂板，該金屬頂板位于所述功能部上方，使得在所述金屬頂板與所述功能部之間形成有空隙；以及密封部，該密封部位于所述金屬頂板上，其中，所述金屬頂板電連接到所述布線中包含的傳輸高頻信號的信號布線。
文檔編號H03H9/17GK103001601SQ20121032573
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者松田隆志, 井上和則 申請人:太陽誘電株式會社