本實用新型屬于晶片清洗的技術領域,特別涉及一種晶片清洗機。

背景技術：

石英晶體諧振器中的晶片，是制成石英晶體諧振元件的主體，石英晶體經切割定向、粗中細磨等加工后成為石英片，其被粘污的物質有油脂、蠟、研磨粉、研磨盤的金屬粒子等，為了去除這些污物，必須進行清洗，以使腐蝕均勻、銀層牢固，減小諧振電阻、降低老化率。由此晶片表面的清潔度程度是衡量產品能否在集成電路板上長期可靠工作的重要環(huán)節(jié)。由于酸性溶劑可以有效去除晶片表面在加工中附著的油脂、蠟、金屬顆粒類粘污物質，現(xiàn)傳統(tǒng)晶片清洗工藝多使用以酸性溶劑為主的清洗液如：硫酸、硝酸、鹽酸等，晶片浸沒在酸性清洗液內在電爐上加熱，然后再經過去離子水沖洗，接著通過超聲波清洗等步驟以達到去除粘污物質的目的；該種清洗方式雖清洗效果較理想，但使用電爐加熱煮洗在操作中有安全隱患、長期接觸酸性溶劑對人體有一定損害、清洗中產生的揮發(fā)氣體對環(huán)境有一定污染，由此迫切需要一種能取代酸性清洗工藝的新清洗工藝及清洗設備。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型所要解決的技術問題是克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種環(huán)境污染小、清洗效果好的晶片清洗機。

本實用新型所采用的技術方案是：本實用新型包括清洗機本體，所述本體內設置有清洗倉，所述本體上設置有控制面板，所述本體上設置有與所述清洗倉相適配的封倉門，所述清洗倉內依次設置有均與所述控制面板電性連接的超聲波NDK花王清洗裝置、噴淋洗凈裝置和超聲波純凈水清洗裝置，所述超聲波NDK花王清洗裝置、所述噴淋洗凈裝置和所述超聲波純凈水清洗裝置均設置有若干個網杯，所述網杯內均設置有晶片。

進一步的，所述超聲波NDK花王清洗裝置包括第一清洗槽、第一提籃機構、第一液體集裝箱、第一超聲波儀器、第一回收槽、第一管道和NDK花王清洗溶劑，所述第一清洗槽安裝于所述清洗倉的一端，所述第一提籃機構與所述第一清洗槽相適配且安裝于所述第一清洗槽內，所述第一提籃機構內設置有若干個所述網杯，所述第一液體集裝箱安裝于所述本體的一端且與所述第一清洗槽通過第一管道相連通，所述第一超聲波儀器安裝于所述第一清洗槽的底部，所述第一回收槽安裝于所述第一清洗槽的外側，且與所述第一液體集裝箱相連通，所述第一液體集裝箱內裝有所述NDK花王清洗溶劑，所述NDK花王清洗溶劑通過所述第一管道從所述第一液體集裝箱流入所述第一清洗槽。

進一步的，所述噴淋洗凈裝置包括安裝于所述清洗倉中間上的安裝底板和安裝于所述本體的一端上的第二液體集裝箱，所述第二液體集裝箱內裝有第一純水，所述安裝底板上設置有若干個與所述網杯相適配的網瓶，所述安裝底板的兩端設置均設置有若干個噴灑機構，所述噴灑機構均與所述第二液體集裝箱通過第二管道相連通，所述安裝底板的底端設置有廢液排放槽。

進一步的，所述超聲波純凈水清洗裝置包括第二清洗槽、第二提籃機構、第三液體集裝箱、第二超聲波儀器、第三管道和第二回收槽，所述第二清洗槽安裝于所述清洗倉的另一端，所述第二提籃機構與所述第二清洗槽相適配且安裝于所述第二清洗槽內，所述第二提籃機構內設置有若干個所述網杯，所述第三液體集裝箱與所述第二清洗槽通過所述第三管道相連通，所述第三液體集裝箱裝有第二純水，所述第二純水通過所述第三管道從所述第三液體集裝箱流入所述第二清洗槽，所述第二超聲波儀器安裝于所述第二清洗槽的底部，所述第二回收槽安裝于所述第二清洗槽的外側，且所述第二回收槽與所述第二液體集裝箱相連通。

進一步的，所述第一提籃機構和所述第二提籃機構均包括清洗框、連桿和與控制面板電性連接的驅動氣缸，所述第一清洗槽和所述第二清洗槽內均設置有所述清洗框，所述清洗框上均設置有若干個所述網杯，所述清洗框的上端兩側與所述連桿相連接，所述連桿與所述驅動氣缸相連接，所述驅動氣缸安裝于所述清洗倉的壁內。

進一步的，所述噴灑機構包括支架和噴灑頭，所述支架位于所述安裝底板的兩端，所述噴灑頭安裝于所述支架的頂端，所述噴灑頭與所述第二管道相連接。

進一步的，所述第一液體集裝箱與第一管道的連接出口處設置有第一負吸裝置，所述第二液體集裝箱與第二管道的連接出口處設置有第二負吸裝置，所述第三液體集裝箱與第三管道的連接出口處設置有第三負吸裝置。

進一步的，所述第一負吸裝置、所述第二負吸裝置、所述第三負吸裝置均為抽水泵，且所述第一負吸裝置、所述第二負吸裝置、所述第三負吸裝置均與所述控制面板電性連接。

進一步的，所述控制面板包括MCU控制模塊和與MCU控制模塊均電性連接的第一啟動開關、第二啟動開關和第三啟動開關，所述第一啟動開關、所述第二啟動開關、所述第三啟動開關分別與所述第一負吸裝置、所述第二負吸裝置、所述第三負吸裝置電性連接，所述控制面板還包括有分別與所述第一啟動開關、所述第二啟動開關、所述第三啟動開關電性連接的第一計時顯示器、第二計時顯示器、第三計時顯示器，所述第一提籃機構上的所述驅動氣缸和所述第二提籃機構上的所述驅動氣缸分別與所述第一啟動開關和所述第三啟動開關電性連接，所述控制面板還設置有與所述第一超聲波儀器電性連接的第一超聲開關和與所述第二超聲波儀器電性連接的第二超聲開關，所述第一超聲開關和所述第二超聲開關均與所述MCU控制模塊電性連接。

本實用新型的有益效果是：由于本實用新型包括清洗機本體，所述本體內設置有清洗倉，所述本體上設置有控制面板，所述本體上設置有與所述清洗倉相適配的封倉門，所述清洗倉內依次設置有均與所述控制面板電性連接的超聲波NDK花王清洗裝置、噴淋洗凈裝置和超聲波純凈水清洗裝置，所述超聲波NDK花王清洗裝置、所述噴淋洗凈裝置和所述超聲波純凈水清洗裝置上均設置有若干個網杯，所述網杯內均設置有晶片,所以本實用新型與現(xiàn)有酸性溶劑電爐加熱清洗晶片工藝相比，利用所述晶片清洗機可進行一種新的晶片清洗作業(yè)，使清洗操作安全性提高、使用專用環(huán)保清洗劑對人體去損害、對環(huán)境幾乎無污臟；并且清洗全過程能減少異物附著；通過清洗效果實驗及顯微鏡下清潔效果的檢查證實其可達到甚至高于酸性溶劑的效果，晶片在鍍膜時銀層和水晶片的附著力也能達到檢驗標準。

附圖說明

圖1是本實用新型的示意圖；

圖2是清洗倉的俯視圖；

圖3是提籃機構的示意圖。

具體實施方式

如圖1至圖3所示，在本實施例中，本實用新型包括清洗機本體1，所述本體1內設置有清洗倉2，所述本體1上設置有控制面板3，所述本體1上設置有與所述清洗倉2相適配的封倉門4，所述清洗倉2內依次設置有均與所述控制面板3電性連接的超聲波NDK花王清洗裝置5、噴淋洗凈裝置6和超聲波純凈水清洗裝置7，所述超聲波NDK花王清洗裝置5、所述噴淋洗凈裝置6和所述超聲波純凈水清洗裝置7均設置有若干個網杯8，所述網杯8內均設置有晶片。

在本實施例中，所述超聲波NDK花王清洗裝置5包括第一清洗槽51、第一提籃機構52、第一液體集裝箱53、第一超聲波儀器、第一回收槽54、第一管道55和NDK花王清洗溶劑，所述第一清洗槽51設置于所述清洗倉2的一端，所述第一提籃機構52與所述第一清洗槽51相適配且安裝于所述第一清洗槽51內，所述第一提籃機構52內設置有若干個所述網杯8，所述第一液體集裝箱53安裝于所述本體1的一端且與所述第一清洗槽51通過第一管道55相連通，所述第一液體集裝箱53與第一管道55的連接出口處設置有第一負吸裝置，所述第一超聲波儀器安裝于所述第一清洗槽51的底部，所述第一回收槽54安裝于所述第一清洗槽51的外側，且與所述第一液體集裝箱53相連通，所述第一液體集裝箱53內裝有所述NDK花王清洗溶劑，此設計可以通過所述第一負吸裝置將所述第一液體集裝箱53內的所述NDK花王清洗溶劑通過所述第一管道55流入所述第一清洗槽51，當所述NDK花王清洗溶劑從所述第一清洗槽51溢出時，溢滿出的所述NDK花王清洗溶劑可流入所述第一回收槽54，從而流回所述第一液體集裝箱53內，從而到達所述NDK花王清洗溶劑循環(huán)利用的效果，且所述NDK花王清洗溶劑使用一段時間后續(xù)更新新的所述NDK花王清洗溶劑。

在本實施例中，所述噴淋洗凈裝置6包括安裝于所述清洗倉2中間上的安裝底板61和安裝于所述本體1的一端上的第二液體集裝箱，所述第二液體集裝箱內裝有第一純水，所述安裝底板61上設置有若干個與所述網杯8相適配的網瓶62，所述安裝底板61的兩端設置均設置有若干個噴灑機構63，所述噴灑機構63包括支架631和噴灑頭632，所述支架631位于所述安裝底板61的兩端，所述噴灑頭632安裝于所述支架631的頂端，所述噴灑機構63均與所述第二液體集裝箱通過第二管道相連通，所述安裝底板61的底端設置有廢液排放槽64，所述第二液體集裝箱與第二管道的連接出口處設置有第二負吸裝置，所述第二管道的一端與所述第二液體集裝箱相連接，所述第二管道的另一端設置有若干個與所述噴灑頭632相連通的分支管；此設計可以通過所述第二負吸裝置將所述第二液體集裝箱內的所述第一純水輸送到各個所述噴灑頭632上，并通過所述噴灑頭632對安裝于所述安裝底板61上的若干個所述網杯8進行不斷沖淋，沖淋完后的所述第一純水流入到所述廢液排放槽64內排放。

在本實施例中，所述超聲波純凈水清洗裝置7包括第二清洗槽71、第二提籃機構72、第三液體集裝箱、第二超聲波儀器、第三管道73和第二回收槽74，所述第二清洗槽71安裝于所述清洗倉2的另一端，所述第二提籃機構72與所述第二清洗槽71相適配且安裝于所述第二清洗槽71內，所述第二提籃機構72內設置有若干個所述網杯8，所述第三液體集裝箱與所述第二清洗槽71通過所述第三管道73相連通，所述第三液體集裝箱與第三管道73的連接出口處設置有第三負吸裝置，所述第三液體集裝箱裝有第二純水，所述第二純水通過所述第三管道73從所述第三液體集裝箱流入所述第二清洗槽71，所述第二超聲波儀器安裝于所述第二清洗槽71的底部，所述第二回收槽74安裝于所述第二清洗槽的外側，且所述第二回收槽74與所述第二液體集裝箱相連通，此設計可以通過所述第三負吸裝置將所述第三液體集裝箱內的所述第二純水通過所述第三管道73流入所述第二清洗槽71，當所述第二純水從所述第二清洗槽71溢出時，溢滿出的所述第二純水可流入所述第二回收槽74，從而流入于所述第二液體集裝箱內，從而可使所述第二純水在所述第二清洗槽71利用完后，可再次利用于所述噴淋洗凈裝置6上。

在本實施例中，所述第一提籃機構52和所述第二提籃機構72均包括清洗框9、連桿10和與控制面板3電性連接的驅動氣缸11，所述第一清洗槽51和所述第二清洗槽71內均設置有所述清洗框9，所述清洗框9上均設置有若干個所述網杯8，所述清洗框9的上端兩側與所述連桿10相連接，所述連桿10與所述驅動氣缸11相連接，所述驅動氣缸11安裝于所述清洗倉2的壁內，此設計可通過所述驅動氣缸帶動所述連桿10上下移動，從而使放置于所述清洗框9上的所述網杯8上下移動，從而使放置于所述網杯8內的晶片上下浮動，使晶片清洗效果更好。

在本實施例中，所述第一負吸裝置、所述第二負吸裝置、所述第三負吸裝置均為抽水泵，且所述第一負吸裝置、所述第二負吸裝置、所述第三負吸裝置均與所述控制面板3電性連接。

在本實施例中，所述控制面板3包括MCU控制模塊和與MCU控制模塊均電性連接的第一啟動開關31、第二啟動開關32和第三啟動開關33，所述第一啟動開關31、所述第二啟動開關32、所述第三啟動開關33分別與所述第一負吸裝置、所述第二負吸裝置、所述第三負吸裝置電性連接，所述控制面板3還包括有分別與所述第一啟動開關31、所述第二啟動開關32、所述第三啟動開關33電性連接的第一計時顯示器34、第二計時顯示器35、第三計時顯示器36，所述第一提籃機構52上的所述驅動氣缸和所述第二提籃機構72上的所述驅動氣缸分別與所述第一啟動開關31和所述第三啟動開關33電性連接，所述控制面板3還設置有與所述第一超聲波儀器電性連接的第一超聲開關37和與所述第二超聲波儀器電性連接的第二超聲開關38，所述第一超聲開關37和所述第二超聲開關38均與所述MCU控制模塊電性連接。

在本實施例中，其工作步驟包括：

a.將晶片放入于所述網杯8內，再將裝有晶片的所述網杯8放入第一提籃機構52，按下所述第一啟動開關31和所述第一超聲開關37，所述第一超聲波儀器開始工作且所述第一計時顯示器34開始顯示計時時間，所述第一液體集裝箱53開始通過所述第一管道55向所述第一清洗槽51流入代替酸性溶劑的所述NDK花王清洗溶劑，所述第一提籃機構52帶動所述網杯8在充滿所述NDK花王清洗溶劑的所述第一清洗槽51上下運動，晶片可在所述網杯8內浮動，使晶片清洗效果更好，所述步驟a至少清洗三十分鐘；

b.將完成步驟a的所述網杯8轉移至所述噴淋洗凈裝置6，按下所述第二啟動開關32，所述第二計時顯示器35開始顯示計時時間，通過所述噴灑機構63向所述網杯8不斷沖淋裝于所述第二液體集裝箱內的所述第一純水，所述第一純水為導電率1.0μ以下的純水，所述步驟b至少沖淋三十分鐘；

c.將完成步驟b的所述網杯8轉移至所述超聲波純凈水清洗裝置7，按下所述第三啟動開關33和所述第二超聲開關38，所述第二超聲波儀器開始工作且所述第三計時顯示器36開始顯示計時時間，所述第三液體集裝箱開始通過所述第三管道73向所述第二清洗槽71流入導電率1.0μ以下的所述第二純水，所述第二提籃機構72帶動所述網杯8在充滿所述第二純水的所述第二清洗槽71上下運動，晶片可在所述網杯8內浮動，使晶片清洗效果更好，所述步驟c至少清洗三十分鐘；

以上步驟均在所述清洗倉2內封閉進行作業(yè)。

本實用新型應用于晶片清洗的技術領域。

雖然本實用新型的實施例是以實際方案來描述的，但是并不構成對本實用新型含義的限制，對于本領域的技術人員，根據本說明書對其實施方案的修改及與其他方案的組合都是顯而易見的。