本發(fā)明涉及半導(dǎo)體輸送部件和半導(dǎo)體載置部件。
背景技術(shù)：
：在輸送硅晶片等半導(dǎo)體時(shí)，使用移動(dòng)臂或移動(dòng)臺(tái)等輸送基材對(duì)該半導(dǎo)體進(jìn)行輸送(例如參照專利文獻(xiàn)1、2)。在進(jìn)行這樣的輸送時(shí)，對(duì)載置半導(dǎo)體的部件(半導(dǎo)體載置部件)要求使得半導(dǎo)體在輸送中在該輸送基材上不偏移的強(qiáng)的抓持力。然而，以往的具有強(qiáng)的抓持力的半導(dǎo)體載置部件存在如下問(wèn)題：在輸送后將半導(dǎo)體從該半導(dǎo)體載置部件剝離時(shí)，污染物容易附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)。另一方面，若將污染物難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的陶瓷等材料用作半導(dǎo)體載置部件，則存在抓持力變?nèi)?，在輸送中在該半?dǎo)體載置部件上半導(dǎo)體偏移的問(wèn)題。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2001-351961號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2013-138152號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種具有能夠表現(xiàn)出強(qiáng)的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。另外，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種能夠表現(xiàn)出強(qiáng)的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件。用于解決技術(shù)問(wèn)題的手段本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件具有輸送基材和半導(dǎo)體載置部件，其特征在于：該半導(dǎo)體載置部件包含纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體，該纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體為具備多個(gè)纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體，該纖維狀柱狀物沿相對(duì)于該輸送基材大致垂直的方向取向，該纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的與該輸送基材相反的一側(cè)的表面相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)為2.0以上。在優(yōu)選實(shí)施方式中，在上述輸送基材與上述半導(dǎo)體載置部件之間具有粘合劑。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體為具備多個(gè)碳納米管的碳納米管集合體。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數(shù)分布的分布幅度為10層以上，該層數(shù)分布的最頻值的相對(duì)頻度為25％以下。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述碳納米管的長(zhǎng)度為300μm以上。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數(shù)分布的最頻值存在于層數(shù)10層以下，該最頻值的相對(duì)頻度為30％以上。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述碳納米管的長(zhǎng)度為500μm以上。本發(fā)明的半導(dǎo)體載置部件用于載置半導(dǎo)體，其特征在于：包含具備多個(gè)纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體，該纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的表面相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)為2.0以上。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體為具備多個(gè)碳納米管的碳納米管集合體。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數(shù)分布的分布幅度為10層以上，該層數(shù)分布的最頻值的相對(duì)頻度為25％以下。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述碳納米管的長(zhǎng)度為300μm以上。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數(shù)分布的最頻值存在于層數(shù)10層以下，該最頻值的相對(duì)頻度為30％以上。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述碳納米管的長(zhǎng)度為500μm以上。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出強(qiáng)的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。另外，能夠提供一種能夠表現(xiàn)出強(qiáng)的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中的半導(dǎo)體輸送部件的一個(gè)例子的概略剖視圖。圖2為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中的半導(dǎo)體載置部件的一個(gè)例子的概略剖視圖。圖3為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中的碳納米管集合體的制造裝置的概略剖視圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件具有輸送基材和半導(dǎo)體載置部件。作為本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件所具有的輸送基材，可采用半導(dǎo)體輸送部件中所用的任意適當(dāng)?shù)妮斔突?。作為這樣的輸送基材，例如可列舉：輸送臂、輸送臺(tái)、輸送環(huán)、輸送導(dǎo)軌、收納盒、鉤、輸送框架等。這樣的輸送基材的大小和形狀可根據(jù)目的而適當(dāng)選擇。本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件所具有的半導(dǎo)體載置部件為載置半導(dǎo)體的部件。本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件所具有的半導(dǎo)體載置部件包含纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體。本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件所具有的半導(dǎo)體載置部件只要包含纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體，則也可以在不損害本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)具有任意適當(dāng)?shù)钠渌考?。為了充分地表現(xiàn)出本發(fā)明的效果，本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件所具有的半導(dǎo)體載置部件優(yōu)選由纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成。纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體為具備多個(gè)纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體。纖維狀柱狀物的長(zhǎng)度優(yōu)選為100μm～3000μm，更優(yōu)選為200μm～2000μm，進(jìn)一步優(yōu)選為300μm～1500μm，特別優(yōu)選為400μm～1000μm，最優(yōu)選為500μm～1000μm。通過(guò)將纖維狀柱狀物的長(zhǎng)度控制在上述范圍內(nèi)，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件中，可以在輸送基材與半導(dǎo)體載置部件之間具有粘合劑。作為這樣的粘合劑，只要為具有能夠?qū)⑤斔突呐c半導(dǎo)體載置部件接合的效果的物質(zhì)，則可采用任意適當(dāng)?shù)恼澈蟿?。作為這樣的粘合劑，例如可列舉：碳漿、氧化鋁漿、銀漿、鎳漿、金漿、鋁漿、氧化鈦漿、氧化鐵漿、鉻漿等。通過(guò)具有這樣的粘合劑，輸送基材與半導(dǎo)體載置部件被充分地接合，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在圖1中示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中的半導(dǎo)體輸送部件的一個(gè)例子的概略剖視圖。在圖1中，半導(dǎo)體輸送部件1000具有：輸送基材100；粘合劑200；和作為半導(dǎo)體載置部件的纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體10。在圖1中，纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體10具備多個(gè)纖維狀柱狀物2。纖維狀柱狀物2的一端被固定于粘合劑200。纖維狀柱狀物2沿長(zhǎng)度L的方向取向。纖維狀柱狀物2沿相對(duì)于輸送基材100大致垂直的方向取向。此處，所謂“大致垂直的方向”，是指相對(duì)于輸送基材100的表面的角度優(yōu)選為90°±20°，更優(yōu)選為90°±15°，進(jìn)一步優(yōu)選為90°±10°，特別優(yōu)選為90°±5°。如上所述的用于載置半導(dǎo)體、且包含具備多個(gè)纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的半導(dǎo)體載置部件，也是本發(fā)明的半導(dǎo)體載置部件。即，本發(fā)明的半導(dǎo)體載置部件為用于載置半導(dǎo)體的半導(dǎo)體載置部件，其包含具備多個(gè)纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體。在圖2中示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中的半導(dǎo)體載置部件的一個(gè)例子的概略剖視圖。在圖2中，半導(dǎo)體載置部件由纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體10構(gòu)成，纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體10具備多個(gè)纖維狀柱狀物2。纖維狀柱狀物2沿長(zhǎng)度L的方向取向。在本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件中，纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的與輸送基材相反的一側(cè)的表面相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)為2.0以上。所謂“纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的與輸送基材相反的一側(cè)的表面”，在圖1中是指纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體10的與輸送基材100相反的一側(cè)的表面10a。在本發(fā)明的半導(dǎo)體載置部件中，纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的表面相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)為2.0以上。所謂“纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的表面”，在圖2中是指纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體10的表面10a。在本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件中，纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的與輸送基材相反的一側(cè)的表面相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)為2.0以上，優(yōu)選為2.4以上，更優(yōu)選為3.0以上，進(jìn)一步優(yōu)選為3.4以上，進(jìn)一步優(yōu)選為3.5以上，特別優(yōu)選為3.6以上，最優(yōu)選為3.7以上。在本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件中，纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的與輸送基材相反的一側(cè)的表面相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)的上限值優(yōu)選為10。在本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件中，通過(guò)將纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的與輸送基材相反的一側(cè)的表面相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)控制在上述范圍內(nèi)，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出強(qiáng)的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。此外，相對(duì)于玻璃表面的摩擦系數(shù)大的上述輸送部件，相對(duì)于由玻璃以外的材料構(gòu)成的被輸送物(例如硅晶片)也能夠表現(xiàn)出強(qiáng)的抓持力，這是不言而喻的。在本發(fā)明的半導(dǎo)體載置部件中，纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的表面相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)為2.0以上，優(yōu)選為2.4以上，更優(yōu)選為3.0以上，進(jìn)一步優(yōu)選為3.4以上，進(jìn)一步優(yōu)選為3.5以上，特別優(yōu)選為3.6以上，最優(yōu)選為3.7以上。在本發(fā)明的半導(dǎo)體載置部件中，纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的表面相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)的上限值優(yōu)選為10。在本發(fā)明的半導(dǎo)體載置部件中，通過(guò)將纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的表面相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)控制在上述范圍內(nèi)，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出強(qiáng)的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。作為纖維狀柱狀物的材料，可采用任意適當(dāng)?shù)牟牧?。例如可列舉：鋁、鐵等金屬；硅等無(wú)機(jī)材料；碳納米纖維、碳納米管(CNT)等碳材料；工程塑料、超級(jí)工程塑料等高模數(shù)的樹(shù)脂等。作為樹(shù)脂的具體例，可列舉：聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、乙酰纖維素、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺等。樹(shù)脂的分子量等各種物性可在能達(dá)成本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)采用任意適當(dāng)?shù)奈镄?。纖維狀柱狀物的直徑優(yōu)選為0.3nm～2000nm，更優(yōu)選為1nm～1000nm，進(jìn)一步優(yōu)選為2nm～500nm，特別優(yōu)選為2nm～200nm，最優(yōu)選為2nm～100nm。通過(guò)將纖維狀柱狀物的直徑控制在上述范圍內(nèi)，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體優(yōu)選為具備多個(gè)碳納米管的碳納米管集合體。在該情況下，纖維狀柱狀物優(yōu)選為碳納米管。通過(guò)纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體為具備多個(gè)碳納米管的碳納米管集合體，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。作為碳納米管集合體，在更有效地表現(xiàn)出本發(fā)明的效果的方面，優(yōu)選可采用2個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式。碳納米管集合體的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式(以下，有時(shí)稱為第1優(yōu)選實(shí)施方式)具備多個(gè)碳納米管，該碳納米管具有多層，該碳納米管的層數(shù)分布的分布幅度為10層以上，該層數(shù)分布的最頻值的相對(duì)頻度為25％以下。通過(guò)碳納米管集合體采用這樣的構(gòu)成，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第1優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的層數(shù)分布的分布幅度優(yōu)選為10層以上，更優(yōu)選為10層～30層，進(jìn)一步優(yōu)選為10層～25層，特別優(yōu)選為10層～20層。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)分布的分布幅度調(diào)整至這樣的范圍內(nèi)，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。碳納米管的層數(shù)分布的“分布幅度”是指碳納米管的層數(shù)的最大層數(shù)與最小層數(shù)的差。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)分布的分布幅度調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。碳納米管的層數(shù)、層數(shù)分布只要通過(guò)任意適當(dāng)?shù)难b置測(cè)定即可。優(yōu)選通過(guò)掃描式電子顯微鏡(SEM)或透射電子顯微鏡(TEM)測(cè)定。例如，只要從碳納米管集合體中取出至少10根、優(yōu)選20根以上的碳納米管，通過(guò)SEM或TEM進(jìn)行測(cè)定，評(píng)價(jià)層數(shù)和層數(shù)分布即可。在第1優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的層數(shù)的最大層數(shù)優(yōu)選為5層～30層，更優(yōu)選為10層～30層，進(jìn)一步優(yōu)選為15層～30層，特別優(yōu)選為15層～25層。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)的最大層數(shù)調(diào)整至這樣的范圍內(nèi)，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第1優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的層數(shù)的最小層數(shù)優(yōu)選為1層～10層，更優(yōu)選為1層～5層。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)的最小層數(shù)調(diào)整至這樣的范圍內(nèi)，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第1優(yōu)選實(shí)施方式中，通過(guò)將碳納米管的層數(shù)的最大層數(shù)與最小層數(shù)調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第1優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的層數(shù)分布的最頻值的相對(duì)頻度優(yōu)選為25％以下，更優(yōu)選為1％～25％，進(jìn)一步優(yōu)選為5％～25％，特別優(yōu)選為10％～25％，最優(yōu)選為15％～25％。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)分布的最頻值的相對(duì)頻度調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第1優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的層數(shù)分布的最頻值優(yōu)選存在于層數(shù)2層至層數(shù)10層，進(jìn)一步優(yōu)選存在于層數(shù)3層至層數(shù)10層。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)分布的最頻值調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第1優(yōu)選實(shí)施方式中，作為碳納米管的形狀，只要其橫截面具有任意適當(dāng)?shù)男螤罴纯伞＠?，其橫截面可列舉大致圓形、橢圓形、n邊形(n為3以上的整數(shù))等。在第1優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的長(zhǎng)度優(yōu)選為50μm以上，更優(yōu)選為100μm～3000μm，進(jìn)一步優(yōu)選為300μm～1500μm，進(jìn)一步優(yōu)選為400μm～1000μm，特別優(yōu)選為500μm～1000μm。通過(guò)將碳納米管的長(zhǎng)度調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第1優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的直徑優(yōu)選為0.3nm～2000nm，更優(yōu)選為1nm～1000nm，進(jìn)一步優(yōu)選為2nm～500nm。通過(guò)將碳納米管的直徑調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第1優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的比表面積、密度可設(shè)定為任意適當(dāng)?shù)闹?。碳納米管集合體的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式(以下，有時(shí)稱為第2優(yōu)選實(shí)施方式)具備多個(gè)碳納米管，該碳納米管具有多層，該碳納米管的層數(shù)分布的最頻值存在于層數(shù)10層以下，該最頻值的相對(duì)頻度為30％以上。通過(guò)碳納米管集合體采用這樣的構(gòu)成，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第2優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的層數(shù)分布的分布幅度優(yōu)選為9層以下，更優(yōu)選為1層～9層，進(jìn)一步優(yōu)選為2層～8層，特別優(yōu)選為3層～8層。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)分布的分布幅度調(diào)整至這樣的范圍內(nèi)，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。碳納米管的層數(shù)分布的“分布幅度”是指碳納米管的層數(shù)的最大層數(shù)與最小層數(shù)的差。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)分布的分布幅度調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。碳納米管的層數(shù)、層數(shù)分布只要通過(guò)任意適當(dāng)?shù)难b置測(cè)定即可。優(yōu)選通過(guò)掃描式電子顯微鏡(SEM)或透射電子顯微鏡(TEM)測(cè)定。例如，只要從碳納米管集合體中取出至少10根、優(yōu)選20根以上的碳納米管，通過(guò)SEM或TEM進(jìn)行測(cè)定，評(píng)價(jià)層數(shù)和層數(shù)分布即可。在第2優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的層數(shù)的最大層數(shù)優(yōu)選為1層～20層，更優(yōu)選為2層～15層，進(jìn)一步優(yōu)選為3層～10層。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)的最大層數(shù)調(diào)整至這樣的范圍內(nèi)，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第2優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的層數(shù)的最小層數(shù)優(yōu)選為1層～10層，更優(yōu)選為1層～5層。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)的最小層數(shù)調(diào)整至這樣的范圍內(nèi)，能夠提供一種具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第2優(yōu)選實(shí)施方式中，通過(guò)將碳納米管的層數(shù)的最大層數(shù)與最小層數(shù)調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第2優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的層數(shù)分布的最頻值的相對(duì)頻度優(yōu)選為30％以上，更優(yōu)選為30％～100％，進(jìn)一步優(yōu)選為30％～90％，特別優(yōu)選為30％～80％，最優(yōu)選為30％～70％。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)分布的最頻值的相對(duì)頻度調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第2優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的層數(shù)分布的最頻值優(yōu)選存在于層數(shù)10層以下，更優(yōu)選存在于層數(shù)1層至層數(shù)10層，進(jìn)一步優(yōu)選存在于層數(shù)2層至層數(shù)8層，特別優(yōu)選存在于層數(shù)2層至層數(shù)6層。通過(guò)將碳納米管的層數(shù)分布的最頻值調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第2優(yōu)選實(shí)施方式中，作為碳納米管的形狀，只要其橫截面具有任意適當(dāng)?shù)男螤罴纯?。例如，其橫截面可列舉大致圓形、橢圓形、n邊形(n為3以上的整數(shù))等。在第2優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的長(zhǎng)度優(yōu)選為50μm以上，更優(yōu)選為550μm～3000μm，進(jìn)一步優(yōu)選為600μm～2000μm，進(jìn)一步優(yōu)選為650μm～1000μm，特別優(yōu)選為700μm～1000μm。通過(guò)將碳納米管的長(zhǎng)度調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第2優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的直徑優(yōu)選為0.3nm～2000nm，更優(yōu)選為1nm～1000nm，進(jìn)一步優(yōu)選為2nm～500nm。通過(guò)將碳納米管的直徑調(diào)整至上述范圍內(nèi)，該碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。在第2優(yōu)選實(shí)施方式中，碳納米管的比表面積、密度可設(shè)定為任意適當(dāng)?shù)闹怠Ｗ鳛樘技{米管集合體的制造方法，可采用任意適當(dāng)?shù)姆椒āＷ鳛樘技{米管集合體的制造方法，例如可列舉：在平滑的基板上構(gòu)成催化劑層，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法(ChemicalVaporDeposition：CVD法)，制造從基板大致垂直地取向的碳納米管集合體的方法，上述化學(xué)氣相沉積法在通過(guò)熱、等離子體等使催化劑活化的狀態(tài)下填充碳源，使碳納米管沉積。在該情況下，例如，若去掉基板，則獲得沿長(zhǎng)度方向取向的碳納米管集合體。作為可在碳納米管集合體的制造方法中使用的基板，可采用任意適當(dāng)?shù)幕?。例如可列舉：具有平滑性、且具有可耐受碳納米管的制造的高溫耐熱性的材料。作為這樣的材料，例如可列舉石英玻璃、硅(硅晶片等)、鋁等金屬板等。作為用于制造碳納米管集合體的裝置，可采用任意適當(dāng)?shù)难b置。例如，作為熱CVD裝置，可列舉如圖3所示的利用電阻加熱式電管狀爐包圍筒型的反應(yīng)容器而構(gòu)成的熱壁型等。在該情況下，作為反應(yīng)容器，例如可優(yōu)選使用耐熱性的石英管等。作為可用于制造碳納米管集合體的催化劑(催化劑層的材料)，可使用任意適當(dāng)?shù)拇呋瘎?。例如可列舉鐵、鈷、鎳、金、鉑、銀、銅等金屬催化劑。在制造碳納米管集合體時(shí)，根據(jù)需要也可以在基板與催化劑層的中間設(shè)置氧化鋁/親水性膜。作為氧化鋁/親水性膜的制作方法，可采用任意適當(dāng)?shù)姆椒ā＠缈赏ㄟ^(guò)以下方式獲得：在基板上制作SiO2膜，蒸鍍Al之后，升溫至450℃而使其氧化。根據(jù)這樣的制作方法，Al2O3與親水性的SiO2膜相互作用，與直接蒸鍍Al2O3的情況相比，形成粒徑不同的Al2O3面。即使在基板上不制作親水性膜而在蒸鍍Al之后升溫至450℃使其氧化，也有可能難以形成粒徑不同的Al2O3面。另外，即使在基板上制作親水性膜并直接蒸鍍Al2O3，也有可能難以形成粒徑不同的Al2O3面。為了形成微顆粒，可用于制造碳納米管集合體的催化劑層的厚度優(yōu)選為0.01nm～20nm，更優(yōu)選為0.1nm～10nm。通過(guò)將可用于制造碳納米管集合體的催化劑層的厚度調(diào)整至上述范圍內(nèi)，所形成的碳納米管能夠兼具優(yōu)異的機(jī)械特性和高的比表面積，進(jìn)而，該碳納米管能夠形成顯示出優(yōu)異的粘附特性的碳納米管集合體。因此，具有這樣的碳納米管集合體的半導(dǎo)體輸送部件能夠成為：具有能夠表現(xiàn)出更強(qiáng)的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導(dǎo)體側(cè)的半導(dǎo)體載置部件的半導(dǎo)體輸送部件。催化劑層的形成方法可采用任意適當(dāng)?shù)姆椒?。例如可列舉：通過(guò)EB(電子束)、濺射等蒸鍍金屬催化劑的方法；將金屬催化劑微顆粒的懸濁液涂敷在基板上的方法等。作為可用于制造碳納米管集合體的碳源，可使用任意適當(dāng)?shù)奶荚础＠缈闪信e：甲烷、乙烯、乙炔、苯等烴；甲醇、乙醇等醇等。作為碳納米管集合體的制造中的制造溫度，可采用任意適當(dāng)?shù)臏囟?。例如，為了形成可充分地表現(xiàn)出本發(fā)明的效果的催化劑顆粒，優(yōu)選為400℃～1000℃，更優(yōu)選為500℃～900℃，進(jìn)一步優(yōu)選為600℃～800℃。實(shí)施例以下，根據(jù)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。此外，各種評(píng)價(jià)或測(cè)定通過(guò)以下方法進(jìn)行。＜纖維狀柱狀物的長(zhǎng)度L的測(cè)定＞纖維狀柱狀物的長(zhǎng)度L通過(guò)掃描式電子顯微鏡(SEM)測(cè)定。＜碳納米管集合體中的碳納米管的層數(shù)和層數(shù)分布的評(píng)價(jià)＞碳納米管集合體中的碳納米管的層數(shù)和層數(shù)分布通過(guò)掃描式電子顯微鏡(SEM)和/或透射電子顯微鏡(TEM)測(cè)定。通過(guò)SEM和/或TEM觀察所獲得的碳納米管集合體中的至少10根以上、優(yōu)選20根以上的碳納米管，研究各碳納米管的層數(shù)，制作層數(shù)分布。＜相對(duì)于玻璃表面的靜摩擦系數(shù)的測(cè)定＞依據(jù)JISK7125進(jìn)行測(cè)定。將硅晶片上的碳納米管柱狀結(jié)構(gòu)體(80mm×200mm)按壓在加熱至200℃的聚丙烯基材(30μm厚)上，使碳納米管柱狀結(jié)構(gòu)體從硅晶片轉(zhuǎn)印至聚丙烯基材上，制作碳納米管結(jié)構(gòu)體/聚丙烯膜的帶形狀的試驗(yàn)片。將帶形狀的試驗(yàn)片的碳納米管側(cè)放置在載玻片(松浪硝子工業(yè)株式會(huì)社制造)上，在從其上載置滑片(底面：毛氈，63mm×63mm)、進(jìn)而在該滑片上載置砝碼(使滑片的總質(zhì)量成為200g的重量的砝碼)的狀態(tài)下，將試驗(yàn)片以試驗(yàn)速度100mm/min拉伸，根據(jù)試驗(yàn)片開(kāi)始移動(dòng)時(shí)的最大負(fù)載算出靜摩擦系數(shù)。＜表面污染的評(píng)價(jià)＞將碳納米管柱狀結(jié)構(gòu)體按壓貼合在硅晶片(SiliconTechnologyCorporation制造)上。然后，以180°剝離將碳納米管柱狀結(jié)構(gòu)體從硅晶片(SiliconTechnologyCorporation制造)剝離。利用SEM對(duì)硅晶片的貼合面?zhèn)冗M(jìn)行形態(tài)觀察，確認(rèn)附著于表面的異物。[實(shí)施例1]通過(guò)濺射裝置(ULVAC制造，RFS-200)在作為基板的硅晶片(SiliconTechnologyCorporation制造)上形成Al薄膜(厚度10nm)。在該Al薄膜上，進(jìn)一步利用濺射裝置(ULVAC制造，RFS-200)蒸鍍Fe薄膜(厚度1nm)。然后，將該基板載置在30mmφ的石英管內(nèi)，向石英管內(nèi)流通水分保持在600ppm的氦氣/氫氣(90/50sccm)混合氣體30分鐘，對(duì)管內(nèi)進(jìn)行置換。然后，使用電管狀爐使管內(nèi)升溫至765℃，使其穩(wěn)定在765℃。在將溫度保持在765℃的狀態(tài)下，使氦氣/氫氣/乙烯(85/50/5sccm，水分率600ppm)混合氣體填充至管內(nèi)，放置5分鐘，使碳納米管在基板上生長(zhǎng)，獲得碳納米管沿長(zhǎng)度方向取向的碳納米管集合體(1)。碳納米管集合體(1)所具備的碳納米管的長(zhǎng)度為100μm。在碳納米管集合體(1)所具備的碳納米管的層數(shù)分布中，最頻值存在于2層，相對(duì)頻度為75％。通過(guò)將形成在基板上的碳納米管集合體(1)從基板剝離，獲得半導(dǎo)體載置部件(1)。對(duì)于所獲得的半導(dǎo)體載置部件(1)，將從基板剝離的一側(cè)的端面埋入超耐熱碳漿(EMJapan制造)中，使其固化(室溫×2小時(shí)、90℃×2小時(shí)、260℃×2小時(shí)、450℃×3小時(shí))并固定在輸送臺(tái)上，由此獲得半導(dǎo)體輸送部件(1)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。[實(shí)施例2]除了在實(shí)施例1中將放置時(shí)間改變?yōu)?5分鐘以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行操作，獲得碳納米管沿長(zhǎng)度方向取向的碳納米管集合體(2)。碳納米管集合體(2)所具備的碳納米管的長(zhǎng)度為500μm。在碳納米管集合體(2)所具備的碳納米管的層數(shù)分布中，最頻值存在于2層，相對(duì)頻度為75％。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行操作，獲得半導(dǎo)體載置部件(2)和半導(dǎo)體輸送部件(2)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。[實(shí)施例3]除了在實(shí)施例1中將Fe薄膜改變?yōu)?nm厚，且將反應(yīng)放置時(shí)間改變?yōu)?5分鐘以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行操作，獲得碳納米管沿長(zhǎng)度方向取向的碳納米管集合體(3)。碳納米管集合體(3)所具備的碳納米管的長(zhǎng)度為700μm。在碳納米管集合體(3)所具備的碳納米管的層數(shù)分布中，最頻值存在于3層，相對(duì)頻度為72％。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行操作，獲得半導(dǎo)體載置部件(3)和半導(dǎo)體輸送部件(3)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。[實(shí)施例4]通過(guò)真空蒸鍍裝置(JEOL制造，JEE-4XVacuumEvaporator)在硅基板(KST制造，帶熱氧化膜的晶片，厚度1000μm)上形成Al薄膜(厚度10nm)之后，在450℃實(shí)施1小時(shí)氧化處理。這樣，在硅基板上形成Al2O3膜。在該Al2O3膜上，進(jìn)一步利用濺射裝置(ULVAC制造，RFS-200)蒸鍍Fe薄膜(厚度2nm)形成催化劑層。然后，將所獲得的帶催化劑層的硅基板切斷，載置在30mmφ的石英管內(nèi)，向石英管內(nèi)流通水分保持在350ppm的氦氣/氫氣(120/80sccm)混合氣體30分鐘，對(duì)管內(nèi)進(jìn)行置換。然后，使用電管狀爐使管內(nèi)以35分鐘分階段地升溫至765℃，使其穩(wěn)定在765℃。在將溫度保持在765℃的狀態(tài)下，使氦氣/氫氣/乙烯(105/80/15sccm，水分率350ppm)混合氣體填充至管內(nèi)，放置5分鐘，使碳納米管在基板上生長(zhǎng)，獲得碳納米管沿長(zhǎng)度方向取向的碳納米管集合體(4)。碳納米管集合體(4)所具備的碳納米管的長(zhǎng)度為100μm。在碳納米管集合體(4)所具備的碳納米管的層數(shù)分布中，層數(shù)分布的分布幅度為17層(4層～20層)，最頻值存在于4層和8層，相對(duì)頻度分別為20％和20％。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行操作，獲得半導(dǎo)體載置部件(4)和半導(dǎo)體輸送部件(4)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。[實(shí)施例5]除了在實(shí)施例4中將放置時(shí)間改變?yōu)?5分鐘以外，與實(shí)施例4同樣地進(jìn)行操作，獲得碳納米管沿長(zhǎng)度方向取向的碳納米管集合體(5)。碳納米管集合體(5)所具備的碳納米管的長(zhǎng)度為300μm。在碳納米管集合體(5)所具備的碳納米管的層數(shù)分布中，層數(shù)分布的分布幅度為17層(4層～20層)，最頻值存在于4層和8層，相對(duì)頻度分別為20％和20％。與實(shí)施例4同樣地進(jìn)行操作，獲得半導(dǎo)體載置部件(5)和半導(dǎo)體輸送部件(5)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。[實(shí)施例6]除了在實(shí)施例4中將放置時(shí)間改變?yōu)?5分鐘以外，與實(shí)施例4同樣地進(jìn)行操作，獲得碳納米管沿長(zhǎng)度方向取向的碳納米管集合體(6)。碳納米管集合體(6)所具備的碳納米管的長(zhǎng)度為500μm。在碳納米管集合體(6)所具備的碳納米管的層數(shù)分布中，層數(shù)分布的分布幅度為17層(4層～20層)，最頻值存在于4層和8層，相對(duì)頻度分別為20％和20％。與實(shí)施例4同樣地進(jìn)行操作，獲得半導(dǎo)體載置部件(6)和半導(dǎo)體輸送部件(6)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。[比較例1]將PDMS聚二甲基硅氧烷(商品名“Sylgard184”，DowCorning制造)制成半導(dǎo)體載置部件(C1)。通過(guò)將所獲得的半導(dǎo)體載置部件(C1)以500μm厚度成形、固化，獲得半導(dǎo)體輸送部件(C1)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。[表1]類型長(zhǎng)度(μm)靜摩擦系數(shù)表面污染實(shí)施例1DW-751002.45無(wú)實(shí)施例2DW-755003.48無(wú)實(shí)施例3TW-727003.72無(wú)實(shí)施例4Broad1002.90無(wú)實(shí)施例5Broad3003.55無(wú)實(shí)施例6Broad5003.81無(wú)比較例1硅橡膠5000.03有產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的半導(dǎo)體輸送部件和半導(dǎo)體載置部件能夠用于例如半導(dǎo)體制造工藝。符號(hào)說(shuō)明1000半導(dǎo)體輸送部件100輸送基材200粘合劑10纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體10a纖維狀柱狀結(jié)構(gòu)體的表面2纖維狀柱狀物當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3