光半導體密封用固化性組合物及使用其的光半導體裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種光半導體密封用固化性組合物及使用其的光半導體裝置。
【背景技術】
[0002] 目前，作為固化性組合物，公開了由1分子中具有2個以上的烯基且在主鏈中具有 全氟聚醚結構的直鏈狀氟聚醚化合物、1分子中具有2個以上與硅原子直接鍵合的氫原子 的含氟有機氫化聚硅氧烷及鉬族化合物構成的組合物，得到耐熱性、耐藥品性、耐溶劑性、 脫模性、防水性、防油性、低溫特性等性質的均衡性優(yōu)異的固化物（專利文獻1)。
[0003] 而且，公開了一種通過向上述組合物中添加具有氫化甲硅烷基和環(huán)氧基和/或三 烷氧基甲硅烷基的有機聚硅氧烷，而對金屬及塑料基體材料賦予了自粘接性的組合物（專 利文獻2)。
[0004] 進而，公開了一種通過向上述組合物中添加羧酸酐而提高了相對于各種基體材 料、特別是聚苯硫醚樹脂（PPS)或聚酰胺樹脂的粘接性的組合物（專利文獻3)。另外，在專 利文獻4中，公開了一種即使在腐蝕性的酸性氣體或堿性氣體的存在下也可以防止亮度降 低的組合物。
[0005] 但是，在將以這些現有技術實際制備的組合物進行固化而得到的固化物中，若將 JISK6253-3:2012所規(guī)定的A型肖氏硬度為20左右的低硬度固化物用作發(fā)光二極管（下 面，稱為"LED"）的密封材料，則有時作為密封材料的耐沖擊性不充分。例如，在使用碗型振 動送料器將以上述固化物對LED進行了密封的散裝（〃' 9積A)的光半導體裝置按照一定 方向、姿勢進行排列的情況下，經常產生連接LED芯片和電極的管芯鍵合線因光半導體裝 置彼此沖撞產生的沖擊而斷開這樣的問題。
[0006] 另一方面，關于以上述A型肖氏硬度超過90的該固化物對LED進行了密封的光半 導體裝置，若進行溫度循環(huán)試驗，則有時在該固化物上產生龜裂。
[0007] 進而，在對LED進行了密封的光半導體裝置中，為了提高亮度，有時在LED的周圍 鍍銀。若在暴露于硫系氣體中的環(huán)境下使用該光半導體裝置（其將對以上述現有技術所制 備的組合物進行固化而得到的固化物用作LED的密封材料），則硫系氣體經時透過該固化 物而使銀變?yōu)楹谏?，因此，經常產生亮度降低這樣的不良情況。因此，作為如上所述的組合 物，在固化而制成固化物時，期望其表現出更低的透氣性。
[0008] 現有技術文獻
[0009] 專利文獻
[0010] 專利文獻1 :日本國特開平8-199070號公報
[0011] 專利文獻2 :日本國特開平9-095615號公報
[0012] 專利文獻3 :日本國特開2001-072868號公報
[0013] 專利文獻4 :日本國特開2009-277887號公報

【發(fā)明內容】

[0014] 發(fā)明所要解決的課題
[0015] 本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種能夠形成耐沖擊性及耐龜 裂性優(yōu)異、且具有低透氣性的固化物的光半導體密封用固化性組合物、及利用將該光半導 體密封用固化性組合物進行固化而得到的固化物對光半導體元件進行了密封的光半導體 裝直。
[0016] 用于解決課題的技術方案
[0017] 為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種光半導體密封用固化性組合物，其含有：
[0018] (A)l分子中具有2個以上的烯基、在主鏈中具有全氟聚醚結構、且烯基含量為 0. 0050?0. 200mol/100g的直鏈狀多氟化合物：100質量份；
[0019] (B)下述通式（1)所示的有機氫化聚硅氧烷，
[0020] [化學式1]
[0021]
【主權項】
1. 一種光半導體密封用固化性組合物，其含有： (A)l分子中具有2個W上的帰基、在主鏈中具有全氣聚離結構、且?guī)⒒繛? 0. 0050?0. 200mol/100g的直鏈狀多氣化合物；100質量份； 炬）下述通式（1)所示的有機氨化聚娃氧焼，
式中，a為3?10的整數，A為全氣亞焼基、全氣氧亞焼基、或含有該兩者的2價有機基 團，D彼此獨立地為任選含有娃原子、氧原子或氮原子的取代或未取代的2價姪基，Ri彼此 獨立地為取代或未取代的1價姪基，R 2彼此獨立地為氨原子、或者通過任選含有娃原子、氧 原子或氮原子的2價姪基與娃原子鍵合的1價全氣焼基或1價全氣氧焼基，R 2中的H個W 上為氨原子； (C)笛族金屬類催化劑；換算成笛族金屬原子為0. 1?50化pm ; 值）下述通式（2)所示的環(huán)狀有機聚娃氧焼；0. 10?10. 0質量份，
式中，b為1?6的整數，C為1?4的整數，d為1?4的整數，b+c+d為4?10的 整數，R3彼此獨立地為取代或未取代的1價姪基，E彼此獨立地為通過任選含有娃原子、氧 原子或氮原子的2價姪基與娃原子鍵合的1價全氣焼基或1價全氣氧焼基，G彼此獨立地 為通過任選含有氧原子的2價姪基與娃原子鍵合的環(huán)氧基或H焼氧基甲娃焼基、或者該兩 者，其中，-儀0)做3 3-、-儀0)巧)護-、及-儀0)似護-的鍵合順序沒有限制； 巧）駿酸??；〇. 010?10. 0質量份； 其中，相對于該組合物中所含的帰基1摩爾，所述炬）成分的配合量為使與所述炬）成 分中的娃原子直接鍵合的氨原子達到0. 50?2. 0摩爾的量，使該光半導體密封用固化性組 合物進行固化而得到的固化物的硬度WJISK6253-3:2012所規(guī)定的A型硬度計測定的值為 30 ?90。
2. 如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其還含有下述通式（3)所示的 環(huán)狀有機聚娃氧焼0. 10?50. 0質量份作為（巧成分，
式中，e為1?4的整數，f為3?6的整數，e+f為4?10的整數，R4彼此獨立地為 取代或未取代的1價姪基，J彼此獨立地為通過任選含有娃原子、氧原子或氮原子的2價姪

基與娃原子鍵合的1價全氣焼基或1價全氣氧焼基，L彼此獨立地為與娃原子直接鍵合的 帰基，其中，-(SiO) (J)R4-及-(SiO) (L)R4-的鍵合順序沒有限制。
3. 如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述（A)成分為下述通式 (4)所示的直鏈狀多氣化合物，
式中，R6及R7彼此獨立地為帰基、或者取代或未取代的1價姪基，R6及R 7中的一個W 上為帰基，R8彼此獨立地為氨原子、或者取代或未取代的1價姪基，g及h分別為1?150 的整數，且g+h的平均值為2?300, i為0?6的整數。
4. 如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述（A)成分為選自下述 通式巧）、下述通式化）、及下述通式（7)中的1種W上直鏈狀多氣化合物，
式中，R8彼此獨立地為氨原子、或者取代或未取代的1價姪基，g及h分別為1?150 的整數，且g+h的平均值為2?300, i為0?6的整數，R9彼此獨立地為取代或未取代的1 價姪基，
式中，R8、R9、g、h及i與上述相同，
式中，R8、g、h及i與上述相同。
5. 如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述炬）成分的A中所含 的全氣氧亞焼基為含有1?500個下述通式（8)所示的重復單元的基團， -Ce' Fae' 0-做 式中，e'在各單元中獨立地為1?6的整數。
6. 如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述做成分的A為選自 下述通式巧）、下述通式（10)、及下述通式（11)中的基團，


式中，RW彼此獨立地為氣原子或CFs基，j為1?4的整數，k及n分別為0?200的 整數，k+n的平均值為0?400,1為2?6的整數，而且，各重復單元的鍵合順序沒有限制， -Cj&j (CF2CF2CF2O) 口化廣（10) 式中，P為！?200的整數，j與上述相同，
式中，Rw、j、k及n與上述相同，而且，各重復單元的鍵合順序沒有限制。
7. 如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述巧）成分為選自下述 通式（12)及下述通式（13)中的駿酸酢，
式中，q為1?6的整數，r為1?4的整數，S為1?4的整數，q+r+s為4?10的整 數，r彼此獨立地為取代或未取代的1價姪基，M彼此獨立地為通過任選含有娃原子、氧原 子或氮原子的2價姪基與娃原子鍵合的1價全氣焼基或1價全氣氧焼基，Q彼此獨立地為通 過2價姪基與娃原子鍵合的環(huán)狀駿酸酢殘基，其中，-(SiO) ^)Rii-、-(SiO) (M)Rii-及-(SiO) (Q)Rii-的鍵合順序沒有限制，
式中，Rii、M及Q與上述相同，t為1?3的整數，U為0?2的整數，t+u為3。
8. 如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述通式（1)中的R2及 所述通式（2)中的E所含的1價全氣焼基或1價全氣氧焼基彼此獨立地為下述通式（14) 或通式（15)所示的基團， CyFav+i- (14) 式中，V為1?10的整數，
式中，W為1?10的整數。
9. 如權利要求2所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述通式（3)中的J所含 的1價全氣焼基或1價全氣氧焼基彼此獨立地為下述通式（14)或通式（15)所示的基團， 化州-(14) 式中，V為1?10的整數，


式中，w為1?10的整數。
10. 如權利要求7所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述通式（12)中的M所 含的1價全氣焼基或1價全氣氧焼基彼此獨立地為下述通式（14)或通式（15)所示的基團， CyFav+i- (14) 式中，V為1?10的整數，
式中，W為1?10的整數。
11. 如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，使所述光半導體密封用 固化性組合物進行固化而得到的1mm厚的固化物的水蒸氣透過率為15. Og/m2 ?天W下。
12. 如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，所述光半導體密封用固 化性組合物在JIS K7117-1:1999所規(guī)定的23°C下的粘度為50. 0?50, OOOmPa ? S。
13. 如權利要求1至權利要求12中任一項所述的光半導體密封用固化性組合物，其中， 使所述光半導體密封用固化性組合物進行固化而得到的固化物在25C、589nm(軸D線）下 的折射率為1. 30 W上且低于1. 40。
14. 一種光半導體裝置，其具有；光半導體元件、和用于密封該光半導體元件且由權利 要求1至權利要求13中任一項所述的光半導體密封用固化性組合物固化而得到的固化物。
15. 如權利要求14所述的光半導體裝置，其中，所述光半導體元件為發(fā)光二極管。

【專利摘要】本發(fā)明提供一種供給耐沖擊性及耐龜裂性優(yōu)異，進而具有低的透氣性的固化物的光半導體密封用固化性組合物、及利用對該光半導體密封用固化性組合物進行固化而得到的固化物對光半導體元件進行了密封的光半導體裝置。所述光半導體密封用固化性組合物含有(A)1分子中具有2個以上的烯基，進而，在主鏈中具有全氟聚醚結構的直鏈狀多氟化合物、(B)下述通式(1)所示的有機氫化聚硅氧烷、(C)鉑族金屬類催化劑、(D)下述通式(2)所示的環(huán)狀有機聚硅氧烷、(E)羧酸酐，其中，對光半導體密封用固化性組合物進行固化而得到的固化物的硬度以JIS K6253-3中所規(guī)定的A型硬度計測定為30～90的值。[化學式1][化學式2]
【IPC分類】H01L33-56, C08L71-00, C08L83-04, C08L83-05
【公開號】CN104592734
【申請?zhí)枴緾N201410599331
【發(fā)明人】越川英紀, 坂野安則
【申請人】信越化學工業(yè)株式會社
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2014年10月30日