技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于晶體制備領(lǐng)域，特別涉及一種氮化鋁晶體的生長(zhǎng)裝置及對(duì)應(yīng)的工藝。本發(fā)明提供溫度場(chǎng)可控的氮化鋁晶體生長(zhǎng)裝置及工藝，具有溫度場(chǎng)控制精確、操作性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，由此發(fā)展的相應(yīng)生長(zhǎng)工藝符合氮化鋁晶體的結(jié)晶特性。該制備裝置包括頂加熱器、中加熱器、底加熱器、頂保溫層、側(cè)保溫層、底保溫層、紅外測(cè)溫儀、坩堝和坩堝支架組成。裝置根據(jù)三個(gè)紅外測(cè)溫儀返回的生長(zhǎng)區(qū)域三個(gè)不同位置的溫度信號(hào)，進(jìn)行頂加熱器、中加熱器和底加熱器加熱功率的溫控調(diào)節(jié)，滿足了氮化鋁晶體生長(zhǎng)的合適溫度場(chǎng)條件。本發(fā)明為制備大尺寸、高品質(zhì)的氮化鋁單晶體提供合適的生長(zhǎng)裝置及有效、可行的工藝。

技術(shù)研發(fā)人員：武紅磊;鄭瑞生;徐百勝;梁逸;賀姝慜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳大學(xué)
文檔號(hào)碼：201510116383
技術(shù)研發(fā)日：2015.03.10
技術(shù)公布日：2016.11.23