多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法
【專利摘要】一種多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，包括步驟：對多晶硅鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎處理，得到目標(biāo)尺寸的多晶硅料；將目標(biāo)尺寸的多晶硅料放置于酸性腐蝕液或堿性腐蝕液中浸泡，去除多晶硅料表面的碳化硅、氮化硅或金屬等雜質(zhì)；將浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性；將多晶硅料烘干。通過先利用顎式破碎機(jī)將片狀或塊狀的多晶硅鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎，得到顆粒狀的多晶硅料，從而使得更多的內(nèi)嵌雜質(zhì)暴露于多晶硅料表面，進(jìn)而利用酸溶液或堿溶液對多晶硅料進(jìn)行腐蝕，使得內(nèi)嵌雜質(zhì)從多晶硅料表面剝離，達(dá)到除去雜質(zhì)的效果。
【專利說明】多晶娃鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及多晶硅處理領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法。

【背景技術(shù)】
[0002]由于多晶娃原料及鑄錠環(huán)境的影響，在多晶娃鑄錠過程中產(chǎn)生一些雜質(zhì)如碳化娃及氮化硅雜質(zhì)，這類雜質(zhì)在定向凝固排雜的作用下而聚集于硅錠上下表面及四周，硅錠經(jīng)過開方、去頭尾后會產(chǎn)生大量的含有上述雜質(zhì)(碳化硅、氮化硅等)的邊皮料，這部分硅料由于雜質(zhì)含量過多，不能直接回爐，且由于雜質(zhì)內(nèi)嵌于多晶硅鑄錠邊皮料中，目前傳統(tǒng)的回收方法無法達(dá)到去雜的目的。
[0003]目前傳統(tǒng)的多晶硅錠邊皮料的回收方法一般采用酸洗或者堿洗的方法，即通過硝酸/氫氟酸或濃堿在高溫條件下對硅塊表面進(jìn)行腐蝕，通過不斷腐蝕使得硅片表面雜質(zhì)從硅塊基體脫落，從而實現(xiàn)硅塊的回收處理。采用上述方法，對于表面含雜質(zhì)的多晶硅錠邊皮料可以起到較好的去雜效果，但是對于內(nèi)嵌固體雜質(zhì)的多晶硅邊皮料，無法進(jìn)行處理，從而導(dǎo)致此類資源的浪費。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種可以除去多晶硅內(nèi)嵌雜質(zhì)的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其中，包括以下步驟:
[0006](1)對多晶娃鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎處理，得到目標(biāo)尺寸的多晶娃料；
[0007](2)將目標(biāo)尺寸的多晶硅料放置于酸性腐蝕液或堿性腐蝕液中浸泡，去除多晶硅料表面的碳化硅、氮化硅或金屬等雜質(zhì)；
[0008](3)將浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性；
[0009](4)將多晶硅料烘干。
[0010]本發(fā)明提供的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，通過先對多晶硅鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎，得到顆粒狀的多晶硅料，從而使得更多的內(nèi)嵌雜質(zhì)暴露于多晶硅料表面，進(jìn)而利用酸溶液或堿溶液對多晶硅料進(jìn)行腐蝕，使得內(nèi)嵌雜質(zhì)從多晶硅料表面剝離，達(dá)到除去雜質(zhì)的效果。
[0011]本發(fā)明還提供了一種多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其中，包括以下步驟:
[0012](1)對多晶娃鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎處理，得到目標(biāo)尺寸的多晶娃料；
[0013](2)將目標(biāo)尺寸的多晶硅料放置于酸性腐蝕液中浸泡，去除多晶硅料表面的碳化娃、氮化娃或金屬等雜質(zhì)；
[0014](3)將酸性腐蝕液浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性；
[0015](4)將沖洗后的多晶硅料放置于堿性腐蝕液中浸泡，進(jìn)一步去除多晶硅料表面的碳化娃、氮化娃或金屬等雜質(zhì)；
[0016](5)將堿性腐蝕液浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性；
[0017](6)將多晶硅料烘干。
[0018]本發(fā)明提供的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，通過先利用酸性腐蝕液對顆粒狀的多晶硅料進(jìn)行一次腐蝕，除掉碳化硅、氮化硅或金屬雜質(zhì)后，對多晶硅料進(jìn)行清洗，然后再利用喊性腐蝕液對多晶娃料更進(jìn)一步的除掉雜質(zhì)，使得多晶娃料的純度更聞，有效提聞除去雜質(zhì)的效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1是本發(fā)明提供的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法第一實施例的流程圖；
[0021]圖2是本發(fā)明提供的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法第二實施例的流程圖；
[0022]圖3是本發(fā)明提供的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法第三實施例的流程圖。

【具體實施方式】
[0023]下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0024]請參閱圖1，本發(fā)明提供的第一實施例中的一種多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法。該方法包括以下步驟:
[0025]步驟101:對多晶娃鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎處理,得到目標(biāo)尺寸的顆粒狀多晶娃料。
[0026]由于多晶硅鑄錠經(jīng)過開方、去頭尾后會形成塊狀或片狀的多晶硅鑄錠邊皮料，利用顎式破碎機(jī)對所述多晶硅鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎后，得到顆粒狀的多晶硅料，從而使得更多的內(nèi)嵌雜質(zhì)暴露于多晶娃料表面。本實施例中，所述多晶娃娃料的直徑目標(biāo)尺寸的平均值為5?具體的，作為優(yōu)選值，所述目標(biāo)尺寸的平均值為即在破碎后得到顆粒狀多晶硅料平均直徑為30皿時，停止破碎。在其他實施方式中，所述目標(biāo)尺寸也可以是40111111，或者是1 0麵。
[0027]步驟102:將目標(biāo)尺寸的多晶硅料放置于酸性腐蝕液中浸泡，去除多晶硅料表面的碳化娃、氮化娃或金屬等雜質(zhì)。
[0028]本實施例中，在對所述顆粒狀多晶硅料進(jìn)行腐蝕之前，先將所述多晶硅料放置入純水槽中進(jìn)行清洗，去除一些如污泥、灰塵等雜質(zhì)，再將硅料置于所述酸性腐蝕溶液中，并利用超聲波或攪拌裝置加速所述顆粒狀多晶硅料的腐蝕，控制所述酸性腐蝕溶液的溫度在20 V -501之間，具體的，可以是401，持續(xù)預(yù)設(shè)時間的清洗。
[0029]所述酸性腐蝕液為混合酸和強(qiáng)氧化劑的混合溶液，利用所述酸性腐蝕液與所述顆粒狀多晶硅料的表面硅分子進(jìn)行反應(yīng)，從而使得碳化硅和氮化硅等難以分解的雜質(zhì)從硅料中剝離，達(dá)到除雜質(zhì)目的。作為一種較優(yōu)方案，提供第一實施方式，所述酸性腐蝕液的配置為:取體積濃度為40%?60%的氫氟酸、體積濃度為60%?80%的硝酸、體積濃度為25%?45%的過氧化氫及純水，具體的，取體積濃度為49%的氫氟酸、體積濃度為68%的硝酸、體積濃度為35%的過氧化氫及純水。所述酸性腐蝕液中，各組份的體積比為氫氟酸:硝酸:過氧化氫:純水=1: 1: 1: 2。
[0030]本實施例中，提供第一實施方式，所述預(yù)設(shè)時間為0.1?1.2小時，具體的，所述預(yù)設(shè)時間為0.5小時。當(dāng)然，在其他實施例中，所述酸性腐蝕液還可以是硝酸、氫氟酸和醋酸的混合液；混合酸和強(qiáng)氧化劑的混合溶液中還可以取體積濃度為42%的氫氟酸、體積濃度為75%的硝酸、體積濃度為40%的過氧化氫及純水；還可以是控制所述酸性腐蝕溶液的溫度在501 -801之間，所述預(yù)設(shè)時間還可以是1.2?2.0小時。
[0031〕 本實施例中，提供第二實施方式，第二實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是所述混合酸還包含無機(jī)酸，所述無機(jī)酸是鹽酸，在其他實施方式中，所述無機(jī)酸還可以是磷酸或硫酸。
[0032]本實施例中，提供第三實施方式，第三實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是所述混合酸還包含無機(jī)酸，所述無機(jī)酸是鹽酸和磷酸的組合，在其他實施方式中，所述無機(jī)酸還可以是鹽酸和硫酸的組合，或者是磷酸和硫酸的組合。
[0033]本實施例中，提供第四實施方式，第四實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是所述混合酸還包含無機(jī)酸，所述無機(jī)酸是鹽酸、磷酸和硫酸的組合。
[0034]本實施例中，提供第五實施方式，第五實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是所述混合酸還包含有機(jī)酸，所述有機(jī)酸是甲酸，在其他實施方式中，所述有機(jī)酸還可以是乙酸或丙酸。
[0035]本實施例中，提供第六實施方式，第六實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是所述混合酸還包含有機(jī)酸，所述有機(jī)酸是甲酸和乙酸的組合，在其他實施方式中，所述有機(jī)酸還可以是甲酸和丙酸的組合，或者是乙酸和丙酸的組合。
[0036]本實施例中，提供第七實施方式，第七實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是所述混合酸還包含有機(jī)酸，所述有機(jī)酸是甲酸、乙酸和丙酸的組合。
[0037]本實施例中，提供第八實施方式，第八實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是，所述混合酸還包括有機(jī)酸和無機(jī)酸的混合，所述有機(jī)酸是甲酸、乙酸和丙酸的組合，所述無機(jī)酸是鹽酸、磷酸和硫酸的組合。在其他實施方式中，所述有機(jī)酸還可以是甲酸和乙酸的組合，或甲酸和丙酸的組合，或乙酸和丙酸的組合，或甲酸、乙酸和丙酸的任意一種；所述無機(jī)酸還可以是鹽酸和磷酸的組合，或鹽酸和硫酸的組合，或磷酸和硫酸的組合，或鹽酸、磷酸、硫酸的任意一種。
[0038]本實施例中，提供第九實施方式，第九實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是，所述強(qiáng)氧化劑是標(biāo)準(zhǔn)電極電勢高于硝酸的氧化劑，例如:所述強(qiáng)氧化劑是過硫酸鹽。
[0039]本實施例中，提供第十實施方式，第十實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是，所述強(qiáng)氧化劑是過氧化物，例如:所述強(qiáng)氧化劑是過氧化氫。在其他實施方式中，所述強(qiáng)氧化劑還可以是過氧乙酸，或者是過氧化氫和過氧化氫的組合。
[0040]本實施例中，提供第^^一實施方式，第^^一實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是，所述強(qiáng)氧化劑是金屬氧化物，例如:所述強(qiáng)氧化劑是二氧化鉛。在其他實施方式中，所述強(qiáng)氧化劑還可以是二氧化錳或二氧化鈷，或者所述強(qiáng)化劑還可以是二氧化鉛和二氧化錳，或二氧化鉛與二氧化鈷的組合，或二氧化錳與二氧化鈷的組合，或二氧化鉛、二氧化錳和二氧化鈷的組合。
[0041]本實施例中，提供第十二實施方式，第十二實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是，所述強(qiáng)氧化劑是鹽類，例如:所述強(qiáng)氧化劑是高錳酸鉀。在其他實施方式中，所述強(qiáng)氧化劑還可以是重鉻酸鉀或氯酸鉀，或高錳酸鉀與重鉻酸鉀的組合，或高錳酸鉀與氯酸鉀的組合，或重鉻酸鉀與氯酸鉀的組合，或高錳酸鉀、重鉻酸鉀和氯酸鉀的組合。
[0042]本實施例中，提供第十三實施方式，第十三實施方式與第一實施方式大致相同，不同的是，所述強(qiáng)氧化劑是氣體，例如:所述強(qiáng)氧化劑是臭氧。在其他實施方式中，所述強(qiáng)氧化劑還可以是氯氣或氟氣，或臭氧與氯氣的組合，或臭氧與氟氣的組合，或氯氣與氟氣的組合，或臭氧、氯氣和氟氣的組合。
[0043]本實施例中，所述混合酸和所述強(qiáng)氧化劑還可以是以上實施方式的多種形式的相彡口口。
[0044]步驟103:將浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性。
[0045]本實施例中，將所述多晶硅料撈起后置于濾水槽中，并用純水沖洗，待多晶硅表面的溶液呈中性時，再次將所述多晶硅料撈起，放置于容器中。
[0046]步驟104:將多晶硅料烘干。
[0047]本實施例中，將放置于容器中的所述多晶硅料放置于烘烤設(shè)備中，設(shè)置烘烤溫度在1001 -1501，烘烤時間在12小時-30小時，進(jìn)行烘干，并將烘干后的多晶硅料進(jìn)行包裝，備用。
[0048]請參閱圖2，本發(fā)明提供第二實施例中的一種多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法。該方法包括以下步驟:
[0049]步驟201:對多晶硅鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎處理，得到目標(biāo)尺寸的多晶硅料。
[0050]本實施例中，調(diào)整所述顎式破碎機(jī)的破碎比，使得所述片狀或塊狀多晶硅鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎后，得到目標(biāo)尺寸為20臟?100臟的顆粒狀多晶硅料。作為優(yōu)選值，所述目標(biāo)尺寸的平均值為60皿。即在破碎后得到顆粒狀多晶硅料平均直徑為60皿時，停止破碎。在其他實施方式中，所述目標(biāo)尺寸的平均值也可以是50臟，或者是90臟。
[0051〕 步驟202:將顆粒狀多晶硅料放置于堿性腐蝕液中，浸泡預(yù)設(shè)時間。
[0052]本實施例中，在對所述顆粒狀多晶硅料進(jìn)行腐蝕之前，先將所述多晶硅料放置入純水槽中進(jìn)行清洗，去除一些如污泥、灰塵等雜質(zhì)，再將硅料置于所述堿性腐蝕溶液中，并利用超聲波或攪拌裝置加速所述顆粒狀多晶硅料的腐蝕，控制所述堿性腐蝕溶液的溫度在581?751之間，具體的，可以是701，持續(xù)所述預(yù)設(shè)時間的清洗。
[0053]所述堿性腐蝕液為堿和水的混合溶液，所述堿性腐蝕液的質(zhì)量百分濃度為
0.5% -35%，利用所述堿性腐蝕液與所述顆粒狀多晶硅料的表面硅分子進(jìn)行反應(yīng)，從而使得碳化硅和氮化硅等難以分解的雜質(zhì)從硅料中剝離，達(dá)到除雜質(zhì)目的。作為一種較優(yōu)實施方式，該堿性腐蝕液由堿液和水混合而成，其中堿液是氫氧化鈉，其中氫氧化鈉(^10?)的質(zhì)量百分濃度為0.5% -20%。具體的，所述氫氧化鈉的質(zhì)量百分濃度為15%，所述預(yù)設(shè)時間為1小時-3小時。所述預(yù)設(shè)時間為1.5小時，即將所述顆料狀多晶硅料置于所述堿性腐蝕溶液中反應(yīng)1.5小時。在其他實施方式中，所述氫氧化鈉和水的質(zhì)量百分濃度還可以是20 % -35 % ；所述堿液還可以是氫氧化鉀，所述堿液還可以是氫氧化鈉和氫氧化鉀的混合液，還可以控制所述堿性腐蝕溶液的溫度在801?901之間，所述預(yù)設(shè)時間還可以是2小時-4小時。
[0054]步驟203:將浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性。
[0055]本實施例中，將所述多晶硅料撈起后置于濾水槽中沖洗，待多晶硅料的表面溶液呈中性時，再次將所述多晶硅料撈起，放置于容器中。
[0056]步驟204:將多晶硅料烘干。
[0057]本實施例中，將放置于容器中的所述多晶硅料放置于烘烤設(shè)備中，設(shè)置烘烤溫度在801-1201，烘烤時間在24小時-48小時，進(jìn)行烘干，并將烘干后的多晶硅料進(jìn)行包裝，備用。
[0058]本發(fā)明提供的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，通過先對多晶硅鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎，得到顆粒狀的多晶硅料，從而使得更多的內(nèi)嵌雜質(zhì)暴露于多晶硅料表面，進(jìn)而利用酸溶液或堿溶液對多晶硅料進(jìn)行腐蝕，使得內(nèi)嵌雜質(zhì)從多晶硅料表面剝離，達(dá)到除去雜質(zhì)的效果。
[0059]請參閱圖3，本發(fā)明提供的第三實施例的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法。該方法包括步驟:
[0060]步驟301:對多晶硅鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎處理，得到目標(biāo)尺寸的多晶硅料。
[0061]本實施例中，步驟301與第一實施例中的步驟101大致相同，不同的是所述目標(biāo)尺寸的平均值為5-100臟。作為優(yōu)選值，所述目標(biāo)尺寸的平均值為80臟。即在破碎后得到顆粒狀多晶硅料平均直徑為80皿時，停止破碎。在其他實施方式中，所述目標(biāo)尺寸的平均值還可以是20111111，或者70111111。
[0062]步驟302:將目標(biāo)尺寸的多晶硅料放置于酸性腐蝕液中浸泡，去除多晶硅料表面的碳化硅、氮化硅或金屬等雜質(zhì)；
[0063]本實施例中，步驟302與第一實施例中的步驟102大致相同，不同的是所述酸性腐蝕液取體積濃度為50%的氫氟酸、體積濃度為65%的硝酸、體積濃度為30%的過氧化氫及純水。所述多晶硅料在酸性腐蝕液中浸泡的預(yù)設(shè)時間可以是0.5-3小時，具體的，可以是
2.5小時。所述酸性腐蝕液的溫度可以是401-601，具體的，可以是451。利用所述酸性腐蝕液將多晶硅料表面的碳化硅、氮化硅或金屬等雜質(zhì)進(jìn)行剝離，使得多晶硅料的純度提聞。
[0064]步驟303:將酸性腐蝕液浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性；
[0065]本實施例中，步驟303與第一實施例中的步驟103相同，目的是洗掉多晶硅料表面的酸性腐蝕液，以便多晶硅料的回收。
[0066]步驟304:將沖洗后的多晶硅料放置于堿性腐蝕液中浸泡，進(jìn)一步去除多晶硅料表面的碳化娃、氮化娃或金屬等雜質(zhì)。
[0067]本實施例中，步驟304與第二實施例中的步驟202大致相同，不同的是所述堿性腐蝕液的質(zhì)量百分濃度是30%，其中堿液是氫氧化鉀，其中氫氧化鉀￠0?)的質(zhì)量百分濃度為1% -30%。具體的，所述氫氧化鈉的質(zhì)量百分濃度為25%，所述預(yù)設(shè)時間為2小時-4小時。所述預(yù)設(shè)時間為3.5小時，即將所述顆料狀多晶硅料置于所述堿性腐蝕溶液中反應(yīng)3.5小時。在其他實施方式中，所述氫氧化鈉和水的質(zhì)量百分濃度還可以是20% -45%；所述堿液還可以是氫氧化鈉，所述堿液還可以是氫氧化鈉和氫氧化鉀的混合液，還可以控制所述堿性腐蝕溶液的溫度在701?851之間，所述預(yù)設(shè)時間還可以是3小時-4.5小時。
[0068]所述多晶硅料在步驟302中經(jīng)過酸性腐蝕液去掉了大部分碳化硅、氮化硅或金屬等雜志，然后在步驟303中清洗掉酸性腐蝕液，多晶硅料的純度有所提高，然后進(jìn)一步經(jīng)過堿性腐蝕液去除掉更多的碳化硅、氮化硅或金屬等雜志，使多晶硅料的純度更近一步地提聞，以獲得聞純度的多晶娃料，從而提聞多晶娃鑄淀生廣效率。
[0069]步驟305:將堿性腐蝕液浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性。
[0070]本實施例中，步驟305與第二實施例中的步驟203相同，目的是洗掉多晶硅料表面的堿性腐蝕液，以便多晶硅料的回收。
[0071]步驟306:將多晶硅料烘干。
[0072]本實施例中，步驟306與第一實施例中的步驟104相同，不同的是設(shè)置烘烤溫度在15000 -1801，烘烤時間在20小時-30小時，目的是對多晶硅料進(jìn)行烘干，包裝，儲存?zhèn)溆谩?br> [0073]本發(fā)明提供的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，通過先利用酸性腐蝕液對顆粒狀的多晶硅料進(jìn)行一次腐蝕，除掉碳化硅、氮化硅或金屬雜質(zhì)后，對多晶硅料進(jìn)行清洗，然后再利用喊性腐蝕液對多晶娃料更進(jìn)一步的除掉雜質(zhì)，使得多晶娃料的純度更聞，有效提聞除去雜質(zhì)的效率。
[0074]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)對多晶娃鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎處理，得到目標(biāo)尺寸的多晶娃料； (2)將目標(biāo)尺寸的多晶硅料放置于酸性腐蝕液或堿性腐蝕液中浸泡，去除多晶硅料表面的碳化娃、氮化娃或金屬等雜質(zhì)； (3)將浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性； (4)將多晶硅料烘干。
2.一種多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)對多晶娃鑄錠邊皮料進(jìn)行破碎處理，得到目標(biāo)尺寸的多晶娃料； (2)將目標(biāo)尺寸的多晶娃料放置于酸性腐蝕液中浸泡,去除多晶娃料表面的碳化娃、氮化硅或金屬等雜質(zhì)； (3)將酸性腐蝕液浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性； (4)將沖洗后的多晶硅料放置于堿性腐蝕液中浸泡，進(jìn)一步去除多晶硅料表面的碳化娃、氮化娃或金屬等雜質(zhì)； (5)將堿性腐蝕液浸泡后的多晶硅料用純水沖洗至溶液呈中性； (6)將多晶硅料烘干。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其特征在于，所述的目標(biāo)尺寸的多晶娃料直徑為5mm-100mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其特征在于，所述酸性腐蝕液為混合酸和強(qiáng)氧化劑的混合溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其特征在于，所述混合酸包含氫氟酸和硝酸，以及無機(jī)酸或/和有機(jī)酸的組合，所述無機(jī)酸可以是鹽酸、磷酸、硫酸的任意一種或多種的組合；所述有機(jī)酸可以是甲酸、乙酸、丙酸的任意一種或多種的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其特征在于，所述強(qiáng)氧化劑是標(biāo)準(zhǔn)電極電勢高于硝酸的氧化劑；或者，所述強(qiáng)氧化劑是過氧化氫或/和過氧乙酸的過氧化物；或者，所述強(qiáng)氧化劑是二氧化鉛、二氧化錳、二氧化鈷的任意一種或多種的金屬氧化物；或者，所述強(qiáng)氧化劑是高錳酸鉀、重鉻酸鉀、氯酸鉀的任意一種或多種的鹽類；或者，所述強(qiáng)氧化劑是臭氧、氯氣、氟氣的任意一種或多種的氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其特征在于，所述酸性腐蝕液的配置為:取體積濃度為40%?60%的氫氟酸、體積濃度為60%?80%的硝酸、體積濃度為25%?45%的過氧化氫及純水，各組份的體積比為氫氟酸:硝酸:過氧化氫:純水=1:1:1: 2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其特征在于，所述堿性腐蝕液為氫氧化鈉或/和氫氧化鉀的水溶液。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其特征在于，所述堿性腐蝕液的質(zhì)量百分濃度為0.5% -35%。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅鑄錠邊皮料的去雜質(zhì)方法，其特征在于，所述將目標(biāo)尺寸的多晶硅料放置于酸性腐蝕液或堿性腐蝕液中的步驟中，還包括利用超聲波或攪拌裝置加速多晶硅料的腐蝕。
【文檔編號】C01B33/037GK104445208SQ201410733691
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月5日
【發(fā)明者】付紅平, 章金兵, 劉渝龍, 彭也慶 申請人:江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司