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電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的制備方法

文檔序號(hào):3447089閱讀:188來源:國知局
專利名稱:電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的制備方法。
背景技術(shù)
電子級(jí)硅微粉有兩類,一類是電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉,一類是電子級(jí)熔融型硅微粉(中華人民共和國電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T 10675-2002——電子及電器工業(yè)用二氧化硅微粉)。 電子級(jí)硅微粉可應(yīng)用于集成電路、電子元件的塑封料,環(huán)氧澆注料、灌封料,附加值高,市場(chǎng) 前景好。目前制備電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的方法主要有兩大類化學(xué)合成法,天然石英粉碎、 提純法?;瘜W(xué)合成法成本較高;以天然石英為原料制備電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉需提純,而目前 已公開的提純法普遍采用磁選、氫氟酸酸洗提純,酸洗將會(huì)對(duì)環(huán)境產(chǎn)生污染。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提出一種電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的制 備方法,用天然粉石英為原料無酸超聲波清洗提純法制備電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉,成本低,且 不會(huì)造成對(duì)環(huán)境的酸污染。本發(fā)明為解決上述提出的問題所采用的解決方案為電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的制備 方法,其特征在于包括有以下步驟1)粉碎用機(jī)械方法粉碎天然粉石英,獲得不同粒徑的硅微粉;2)攪拌清洗將粉碎后的硅微粉投入攪拌桶中,加入蒸餾水和硅酸鈉調(diào)漿、攪拌、 沉淀、去水,反復(fù)上述清洗步驟三至四次,其中以重量計(jì)所述的硅微粉蒸餾水=35 25 65 75,硅微粉硅酸鈉=100 1 1. 5 ;3)超聲波清洗將攪拌清洗后所得的硅微粉,加去離子水調(diào)漿、攪拌、沉淀、去水, 反復(fù)上述清洗步驟兩次,攪拌、沉淀過程中使用超聲波震蕩,其中以重量計(jì)所述的硅微粉 去離子水=35 25 65 75;4)最后將步驟3)超聲波清洗所得硅微粉經(jīng)烘干,即獲得電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉。按上述方案,步驟1)所述的硅微粉符合中華人民共和國電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T 10675-2002 規(guī)定。本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)是,1、以天然粉石英為原料;2、超聲波清洗,不用酸洗,無酸污 染;不用磁選,減少工序,降低成本;3、所得電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉產(chǎn)品成次圓狀;4、本發(fā)明 所述的方法可以應(yīng)用于電工級(jí)、填料級(jí)結(jié)晶型硅微粉的制備。
具體實(shí)施例方式下面通過實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)介紹本發(fā)明,但是實(shí)施例不會(huì)構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。實(shí)施例11)、將天然粉石英加入雷蒙磨機(jī)中粉碎,獲得中位粒徑d5(l = 21. 74 μ m的硅微粉;
2)、按硅微粉蒸餾水=35 65、硅微粉硅酸鈉=100 1重量比順序?qū)⒄麴s 水、硅酸鈉、硅微粉加入攪拌桶中配漿,并同時(shí)攪拌,料加完后再攪拌15分鐘;3)、停止攪拌,待料漿明顯分層后,排除清洗水;4)、按步驟2)的比例加入蒸餾水、硅酸鈉攪拌配漿,按步驟2)、步驟3)方法清洗;5)、重復(fù)步驟4)三次;6)、超聲波清洗按硅微粉去離子水=35 65重量比將去離子水加入攪拌桶中 配漿,并同時(shí)攪拌,料加完后再攪拌15分鐘并同時(shí)加超聲波震蕩;7)、停止攪拌,待料漿明顯分層后,排除清洗水;
8)、再重復(fù)步驟6)、步驟7) —次;9)、將清洗后的硅微粉置干燥箱中烘干,直至含水量< 0. 05%,即獲得電子級(jí)結(jié)晶 型硅微粉,硅微粉呈次園狀。制備出的硅微粉,SiO299. 89%,Al2O3 0. 089%,Fe2O3 0. 009%、燒失量為 0. 00%, 密度 2. 67,硅微粉水萃取液的電導(dǎo)率=10μ s/cm、Na+ < lppm、CF = 0. 98ppm、pH = 6. 8, 符合中華人民共和國電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T 10675-2002中電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的標(biāo)準(zhǔn)。實(shí)施例21)、將粉石英加入雷蒙磨機(jī)中粉碎,獲得中位粒徑d5(l = 11. 51 μ m的硅微粉。2)、按硅微粉蒸餾水=30 70、硅微粉硅酸鈉=100 1. 2重量比順序?qū)⒄?餾水、硅酸鈉、硅微粉加入攪拌桶中配料,并同時(shí)攪拌,料加完后再攪拌15分鐘。3)、停止攪拌,待料漿明顯分層后,排除清洗水。4)、按步驟2)的比例加入蒸餾水、硅酸鈉攪拌配漿,按步驟2)、步驟3)方法清洗。5)、重復(fù)步驟4)三次。6)、超聲波清洗按硅微粉去離子水=30 70重量比將去離子水加入攪拌桶中 配漿,并同時(shí)攪拌,料加完后再攪拌15分鐘并同時(shí)加超聲波震蕩。7)、停止攪拌,待料漿明顯分層后,排除清洗水。8)、再重復(fù)步驟6)、步驟7) —次。9)、將清洗后的硅微粉置干燥箱中烘干,直至含水量< 0. 05%,即獲得電子級(jí)結(jié)晶 型硅微粉,硅微粉呈次園狀。制備出的硅微粉,SiO299. 89%,Al2O3 0. 074%,Fe2O3 0. 008%、燒失量為 0. 00%, 密度2. 65,硅微粉水萃取液的電導(dǎo)率=5 μ s/cm, Na+ < lppm, CF = 0. 98ppm、pH = 6. 8,符 合中華人民共和國電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T 10675-2002中電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的標(biāo)準(zhǔn)。實(shí)施例31)、將粉石英加入雷蒙磨機(jī)中粉碎,獲得中位粒徑d5(1 = 8. 22 μ m的硅微粉。2)、按硅微粉蒸餾水=25 75、硅微粉硅酸鈉=100 1. 5重量比順序?qū)⒄?餾水、硅酸鈉、硅微粉加入攪拌桶中配漿,并同時(shí)攪拌,料加完后再攪拌15分鐘。3)、停止攪拌,待料漿明顯分層后,排除清洗水。4)、按步驟2)的比例加入蒸餾水、硅酸鈉攪拌配漿,按步驟2)、步驟3)方法清洗。5)、重復(fù)步驟4)三次。6)、超聲波清洗按硅微粉去離子水=25 75重量比將去離子水加入攪拌桶中配漿,并同時(shí)攪拌,料加完后再攪拌15分鐘并同時(shí)加超聲波震蕩。
7)、停止攪拌,待料漿明顯分層后,排除清洗水。8)、再重復(fù)步驟6)、步驟7) —次。9)、將清洗后的硅微粉置干燥箱中烘干,直至含水量< 0.05%,即獲得電子級(jí)結(jié)晶 型硅微粉,硅微粉呈次園狀。制備出的硅微粉,SiO299. 89%,Al2O3 0. 066%,Fe2O3 0. 006%、燒失量為 0. 00%, 密度2. 68,硅微粉水萃取液的電導(dǎo)率=3μ s/cm、Na+ < lppm、Cl_ = 0. 98ppm、pH = 6. 8,符 合中華人民共和國電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T 10675-2002中電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的標(biāo)準(zhǔn)。
權(quán)利要求
電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的制備方法,其特征在于包括有以下步驟1)粉碎用機(jī)械方法粉碎天然粉石英,獲得不同粒徑的硅微粉;2)攪拌清洗將粉碎后的硅微粉投入攪拌桶中,加入蒸餾水和硅酸鈉調(diào)漿、攪拌、沉淀、去水,反復(fù)上述清洗步驟三至四次,其中以重量計(jì)所述的硅微粉∶蒸餾水=35~25∶65~75,硅微粉∶硅酸鈉=100∶1~1.5;3)超聲波清洗將攪拌清洗后所得的硅微粉,加去離子水調(diào)漿、攪拌、沉淀、去水,反復(fù)上述清洗步驟兩次,攪拌、沉淀過程中使用超聲波震蕩,其中以重量計(jì)所述的硅微粉∶去離子水=35~25∶65~75;4)最后將步驟3)超聲波清洗所得硅微粉經(jīng)烘干,即獲得電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉。
2.按權(quán)利要求1所述的電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的制備方法,其特征在于步驟1)所述的硅 微粉符合中華人民共和國電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ/T 10675-2002規(guī)定。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉的制備方法包括有以下步驟1)粉碎獲得不同粒徑的硅微粉;2)攪拌清洗將粉碎后的硅微粉投入攪拌桶中,加入蒸餾水和硅酸鈉調(diào)漿、攪拌、沉淀、去水,反復(fù)清洗三至四次;3)超聲波清洗將攪拌清洗后所得的硅微粉,加去離子水調(diào)漿、攪拌、沉淀、去水,反復(fù)上述清洗步驟兩次,攪拌、沉淀過程中使用超聲波震蕩;4)最后將步驟3)超聲波清洗所得硅微粉經(jīng)烘干,即可。本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)是,1、以天然粉石英為原料;2、超聲波清洗,不用酸洗,無酸污染;不用磁選,減少工序,降低成本;3、所得電子級(jí)結(jié)晶型硅微粉產(chǎn)品成次圓狀;4、本發(fā)明所述的方法可以應(yīng)用于電工級(jí)、填料級(jí)結(jié)晶型硅微粉的制備。
文檔編號(hào)C01B33/18GK101817533SQ20101016115
公開日2010年9月1日 申請(qǐng)日期2010年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月27日
發(fā)明者張德 申請(qǐng)人:中國地質(zhì)大學(xué)(武漢)
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