本發(fā)明屬于顯示面板制備技術領域，具體涉及一種濺射裝置、濺射方法。

背景技術：

一直以來，磁控濺射鍍膜的均勻性及靶材利用率等問題一直影響著靶材的成膜特性。目前，特別是在開發(fā)階段的oxideamoled工序中，對氧化物膜層的均一性和穩(wěn)定性具有極高的要求，解決磁控濺射鍍膜均勻性及靶材利用率將成為oxideamoled技術的關鍵。

在現(xiàn)有技術中，靶材通常由多個靶材條組成，由于不同位置的靶材條的消耗程度不同，無法保證各位置的靶材的濺射表面是平整的，因而會導致成膜的均勻性降低。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提出了一種能夠提高靶材的成膜均勻性的濺射裝置、濺射方法。

解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種濺射裝置，包括多個用于承載靶材的靶位，所述濺射裝置還包括控制單元和多個支撐單元，所述靶位位于所述支撐單元上，所述控制單元和所述支撐單元電連接，每個所述支撐單元用于在所述控制單元的控制下使位于其上的靶位上升或下降。

其中，所述靶位為塊狀靶位，且所述塊狀靶位成矩陣式排列。

其中，所述支撐單元包括腔室、活塞、支撐桿、第一控壓單元和第二控壓單元；

部分所述活塞位于所述腔室內，所述活塞將所述腔室分割成第一子腔室和第二子腔室；

所述第一控壓單元與所述第一子腔室連接，用于在所述控制單元的控制下對所述第一子腔室內的氣壓進行控制；

所述第二控壓單元與所述第二子腔室連接，用于在所述控制單元的控制下對所述第二子腔室內的氣壓進行控制；

所述支撐桿位于所述第一子腔室上方，并與所述活塞連接，所述活塞用于根據(jù)所述第一子腔室和所述第二子腔室內的氣壓驅動所述支撐桿上升或下降。

其中，所述濺射裝置還包括：傳感器，所述傳感器位于所述靶位的上方，用于檢測所述靶位的平整度。

其中，所述傳感器為線型光學傳感器。

其中，所述濺射裝置還包括：反饋單元，所述反饋單元分別與所述傳感器和所述控制單元電連接，用于對所述靶位的平整度進行反饋。

其中，所述塊狀靶位為拼圖狀塊狀靶位。

作為另一技術方案，本發(fā)明還提供一種濺射方法，包括：

支撐單元根據(jù)控制單元的控制，使位于所述支撐單元上方的靶位上升或下降。

其中，在所述支撐單元根據(jù)所述控制單元的控制，使位于所述支撐單元上方的靶位上升或下降之前，還包括：

傳感器對多個所述靶位組成的平面的平整度進行檢測。

其中，在所述支撐單元根據(jù)所述控制單元的控制，使位于所述支撐單元上方的靶位上升或下降之前，還包括：

反饋單元對所述平整度進行反饋，以使操作人員根據(jù)所述平整度對所述控制單元進行控制。

本發(fā)明的濺射裝置、濺射方法中，濺射裝置包括多個用于承載靶材的靶位、控制單元和多個支撐單元，靶位位于支撐單元上，控制單元和支撐單元電連接，每個支撐單元用于在控制單元的控制下使位于其上的靶位上升或下降，通過控制單元對支撐單元的調控，能夠對位于不同位置的靶材的高低進行調整，可以有效提升位于靶位上的靶材的表面整齊度，從而提高了靶材的利用率，進而有效提高靶材成膜的均勻性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的實施例1的濺射裝置的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明的實施例1的濺射裝置中支撐單元的結構示意圖；

圖3為本發(fā)明的實施例1的濺射裝置的俯視圖；

圖4為圖1中靶位的優(yōu)選結構示意圖；

圖5為本發(fā)明的實施例2的濺射方法的流程示意圖；

其中，附圖標記為：1、靶位；2、控制單元；3、支撐單元；31、活塞；32、支撐桿；33、第一控壓單元；34、第二控壓單元；35、第一子腔室；36、第二子腔室；4、傳感器；5、反饋單元；6、墊板。

具體實施方式

為使本領域技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。

實施例1：

請參照圖1至圖4，本實施例提供一種濺射裝置，包括多個用于承載靶材(圖中未示出)的靶位1，濺射裝置還包括控制單元2和多個支撐單元3，靶位1位于支撐單元3上，控制單元2和支撐單元3電連接，每個支撐單元3用于在控制單元2的控制下使位于其上的靶位1上升或下降。

從圖1中可以看出，靶位1的個數(shù)為多個，優(yōu)選的，在每一個靶位1的所在位置分別設置支撐單元3，即靶位1的數(shù)量與支撐單元3的數(shù)量相同，一個支撐單元3對應一個靶位1；靶材位于靶位1的上表面，支撐單元3位于靶位1的下表面，所以，當支撐單元3托起或拉低靶位1時，位于靶位1上的靶材也會隨之被托起或拉低；每個支撐單元3都分別與控制單元2電連接，故控制單元2能夠對每一個支撐單元3的升降程度進行單獨控制，從而控制位于不同位置的靶位1的上升和下降程度，使位于不同位置的靶位1達到理想的高度位置?？梢岳斫獾氖?，靶位1的表面平整度即位于靶位1上的靶材的表面平整度。

需要說明的是，在本實施例中，并不限定每個靶位1的上表面的高度都必須是一樣的，可根據(jù)實際情況，使位于不同位置的靶位1的上表面的高度存在差異，具體地，由于位于靶位1上的靶材的厚度都是統(tǒng)一的，為了滿足在基板上的成膜要求，例如有的位置需要成膜厚度大，有的位置需要成膜厚度小，則可以使對應需要成膜厚度大的位置的靶位1上升的高度大一些(即靶材的上表面相對高一些)，從而使在相同的工作時間內，該位置處的濺射效率快一些，成膜厚；同時，使對應需要成膜厚度小的位置的靶位1上升的高度小一些(或下降一些)，即靶材的上表面相對低一些，從而使在相同的工作時間內，該位置處的濺射效率慢一些，成膜薄，以此滿足基板上不同位置厚度的要求。當然，當所需成膜的厚度相同的，需將各靶位1的高度調整至相同位置，以保證成膜厚度相同，即平整性、均一性高。

其中，靶位1為塊狀靶位，且塊狀靶位成矩陣式排列。之所以如此設置，是為了使由多個塊狀靶位組成的整個平面的平整度易于控制，即可以單獨控制整個平面中某一個位置的高度，可以理解的是，位于塊狀靶位上的靶材也應該是塊狀的，且塊狀靶材的面積越小，越容易調整靶材的平整度。

其中，支撐單元3包括腔室、活塞31、支撐桿32、第一控壓單元33和第二控壓單元34；部分活塞31位于腔室內，活塞31將腔室分割成第一子腔室35和第二子腔室36；第一控壓單元33與第一子腔室35連接，用于在控制單元2的控制下對第一子腔室35內的氣壓進行控制；第二控壓單元34與第二子腔室36連接，用于在控制單元2的控制下對第二子腔室36內的氣壓進行控制；支撐桿32位于第一子腔室35上方，并與活塞31連接，活塞31用于根據(jù)第一子腔室35和第二子腔室36內的氣壓驅動支撐桿32上升或下降。

請參照圖2，活塞31的一端設置于腔室內，將該腔室分割成第一子腔室35和第二子腔室36，活塞31的另一端與支撐桿32固定在一起，當活塞31在腔室內移動時，帶動支撐桿32進行上下移動，而靶位1位于支撐桿32上，因此，當支撐桿32進行上下移動時，靶位1也隨之進行上下移動?？梢岳斫獾氖?，活塞31在腔室內移動，即第一子腔室35和第二子腔室36的體積并不是固定的，二者的體積隨活塞31的移動而發(fā)生變化。

第一控壓單元33與第一子腔室35連接，第二控壓單元34與第二子腔室36連接，第一控壓單元33和第二控壓單元34均與控制單元2電連接，從而在控制單元32的控制下，通過第一控壓單元33和第二控壓單元34向第一子腔室35和第二子腔室36中輸入氣體，以改變第一子腔室35和第二子腔室36內的氣壓，從而推動活塞31上下移動。

具體地，當需要靶位1上升時，控制單元2控制第一控壓單元33和第二控壓單元34向第一子腔室35和第二子腔室36中輸入氣體，其中，輸入至第二子腔室36中的氣體多于輸入至第一子腔室35中的氣體，以使第二子腔室36中的氣壓大于第一子腔室35中的氣壓，從而使活塞31上升，進而通過活塞31帶動支撐桿32上升使位于該支撐桿32上的靶位1上升；反之，當需要靶位1下降時，控制單元2控制第一控壓單元33和第二控壓單元34向第一子腔室35和第二子腔室36中輸入氣體，其中，輸入至第二子腔室36中的氣體少于輸入至第一子腔室35中的氣體，以使第二子腔室36中的氣壓小于第一子腔室35中的氣壓，從而使活塞31下降，進而通過活塞31帶動支撐桿32下降使位于該支撐桿32上的靶位1下降，在此不再贅述。

本實施例中的支撐單元3，能夠通過控制第一子腔室35和第二子腔室36內的氣壓差控制活塞31的升降，使支撐桿32帶動靶位1的升降。

可選地，第一控壓單元33和第二控壓單元34為氣泵。當然，本實施例并不局限于此，還可以采用其他控壓裝置，在此不再贅述。

其中，濺射裝置還包括：傳感器4，傳感器4位于靶位1的上方，用于檢測靶位1的平整度。

請參照圖3，傳感器4位于靶位1的上方，且與靶位1的上表面平行，從而能夠檢測多個靶位1的平整度。

優(yōu)選地，傳感器4為線型光學傳感器。

之所以如此設置，是由于線型光學傳感器能夠對按矩陣排列的多個靶位1中同一行的多個靶位1同時進行掃描，以同時檢測同一行中多個靶位1的平整度。當然，傳感器4的類型并不局限于此，還可以采用其他類型的傳感器，在此不再贅述。

其中，濺射裝置還包括：反饋單元5，反饋單元5分別與傳感器4和控制單元2電連接，用于對靶位1的平整度進行反饋。

請參照圖1，反饋單元5與傳感器4和控制單元2電連接，反饋單元5能夠對傳感器4檢測到的靶位1的平整度進行顯示，即，將靶位1的平整度反饋給操作人員，以供操作人員根據(jù)反饋單元5反饋出的平整度對控制單元2進行控制，進而調整靶位1的平整度。

其中，塊狀靶位為拼圖狀塊狀靶位。

在實際操作中，塊狀靶位(或塊狀靶材)之間的縫隙必須足夠小，否則容易產生靶材波紋(targetmura)，即出現(xiàn)規(guī)律性不平整，可以對靶材進行勻速水平移動，從而改善targetmura；或者，將塊狀靶材的形狀設計成如圖4所示的形狀，通過使每一小塊靶材之間的邊緣相互交錯，從而減小每塊靶材之間的縫隙，進而有效改善targetmura。當然，在本實施例中，可采用靶位1和靶材均采用拼圖狀的方式，也可采用塊狀靶材為拼圖狀塊狀靶材，但靶位1為普通形狀的塊狀靶位，在此不再贅述。

優(yōu)選地，該濺射裝置為磁控濺射裝置。

請參照圖1，該濺射裝置還包括墊板6，墊板6用于托起支撐單元3和靶位1。

本實施例的濺射裝置，包括多個用于承載靶材的靶位1，濺射裝置還包括控制單元2和多個支撐單元3，靶位1位于支撐單元3上，控制單元2和支撐單元3電連接，每個支撐單元3用于在控制單元2的控制下使位于其上的靶位1上升或下降，通過控制單元2對支撐單元3的調控，能夠對位于不同位置的靶材的高低進行調整，可以有效提升位于靶位1上的靶材的表面整齊度，從而提高了靶材的利用率，進而有效提高靶材成膜的均勻性。

實施例2：

請參照圖5，本實施例提供一種濺射方法，包括：

步驟s1，傳感器對多個靶位組成的平面的平整度進行檢測。

步驟s2，反饋單元對平整度進行反饋，以使操作人員根據(jù)平整度對控制單元進行控制。

步驟s3，支撐單元根據(jù)控制單元的控制，使位于支撐單元上方的靶位上升或下降。

本實施例的濺射方法，采用實施例1的濺射裝置進行實現(xiàn)，詳細描述請參照實施例1的濺射裝置，在此不再贅述。

本實施例的濺射方法，通過控制單元對支撐單元的調控，能夠對位于不同位置的靶材的高低進行調整，可以有效提升位于靶位上的靶材的表面整齊度，從而提高了靶材的利用率，進而有效提高靶材成膜的均勻性。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。