本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)與設(shè)備，特別的，涉及一種多功能連續(xù)濺射鍍膜線及其鍍膜方法與鍍膜控制方法。

背景技術(shù)：

真空鍍膜技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，磁控濺射鍍膜技術(shù)是比較成熟而且有效的方法之一。在實(shí)際應(yīng)用中，越來越多需求是能夠在基片上鍍多種材料的膜層和多層膜。而且由于需求不同，這些材料和膜層常常是變化的，因此，對鍍膜設(shè)備的要求也越來越高。一般，連續(xù)濺鍍線生產(chǎn)效率高，產(chǎn)能大。但目前連續(xù)磁控濺鍍線基本都是為了一種特定的用途而設(shè)計，即為某一種特定的膜而設(shè)計，濺鍍線功能可變性小。如果膜系結(jié)構(gòu)改變，常常難以生產(chǎn)，而連續(xù)濺鍍線在鍍多層膜時，由于需要的靶位多，生產(chǎn)線會很長，造價也高。而且，需要對每個靶工作特性如均勻性進(jìn)行調(diào)試，工作量大，調(diào)試也困難。因此，理想的連續(xù)濺鍍線應(yīng)該具有多功能性，也就是可以用來做多種膜系，鍍多種基片材料，且能同時鍍多塊基片，以提高效率。中國專利201110451479.7公開了一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)及其生產(chǎn)工藝，其鍍膜線采用帶回轉(zhuǎn)功能的回轉(zhuǎn)室對工件進(jìn)行傳輸，實(shí)現(xiàn)工件的多層鍍膜，該鍍膜線雖然在結(jié)構(gòu)上比較緊湊，但其鍍膜線總體的實(shí)質(zhì)長度并沒有縮短，需要設(shè)置多個回轉(zhuǎn)室才能滿足鍍多種膜的需求，工件需要頻繁往返進(jìn)出各個鍍膜室，鍍膜室閥門的頻繁開啟會影響鍍膜室內(nèi)的真空度，影響鍍膜質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的在于提供一種多功能連續(xù)濺射鍍膜線及其鍍膜方法與鍍膜控制方法，以解決背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種多功能連續(xù)濺射鍍膜線，包括依次通過閥門連接的前緩沖室、n個鍍膜室、后緩沖室，其中n的數(shù)值為大于或等于1的整數(shù)，即n個鍍膜室為1個鍍膜室或多個首尾依次連接的鍍膜室，每一個鍍膜室分別連接有供氣裝置及真空泵，每一個鍍膜室內(nèi)均設(shè)有1個或多個陰極靶，每一個鍍膜室內(nèi)分別單獨(dú)設(shè)有可在鍍膜室的入口與出口之間來回運(yùn)送基片架的輸送裝置，每一個鍍膜室的入口附近與出口附近分別設(shè)有可探測基片架是否到達(dá)當(dāng)前位置的探測裝置，其中第n鍍膜室入口附近的探測裝置設(shè)為探測裝置n-c，出口處的探測裝置設(shè)為探測裝置n-d，所述輸送裝置包括用于承載基片架的軌道，及用于驅(qū)動基片架在軌道上來回運(yùn)行的驅(qū)動裝置，任意相鄰兩個鍍膜室內(nèi)輸送 裝置的軌道位于同一條直線上。

進(jìn)一步的，所述輸送裝置的軌道為設(shè)于鍍膜室內(nèi)頂面的槽形軌道，槽形軌道正下方設(shè)有支撐起基片架底部的并對基片架提供驅(qū)動力的滾輪，滾輪輪緣上設(shè)有輪槽，基片架上部在槽形軌道內(nèi)滑動，下部被定位于滾輪的輪槽內(nèi)，與滾輪產(chǎn)生相對運(yùn)動，滾輪由驅(qū)動裝置驅(qū)動。

進(jìn)一步的，每一個鍍膜室連接的工藝氣體進(jìn)氣裝置的進(jìn)氣口位于鍍膜室中各陰極靶的正中間，每一個鍍膜室連接的真空泵至少有兩個，且真空泵的抽氣口均勻?qū)ΨQ分布于鍍膜室的兩端。

進(jìn)一步的，所述n個鍍膜室的前一半數(shù)量的鍍膜室與后一半數(shù)量的鍍膜室之間連接有回轉(zhuǎn)室，n個鍍膜室整體對折，使前一半數(shù)量的鍍膜室與后一半數(shù)量的鍍膜室內(nèi)的軌道對折后呈平行對稱排列成兩列，且前一半數(shù)量的鍍膜室與后一半數(shù)量的鍍膜室側(cè)壁相對的一面貼合在一起，或者共用同一道側(cè)壁，當(dāng)n為偶數(shù)時，鍍膜室對折后的濺射鍍膜線前緩沖室與后緩沖室可共用同一個腔室。

進(jìn)一步的，本鍍膜線還設(shè)置有控制器，所述閥門、供氣裝置、真空泵、陰極靶、探測裝置、驅(qū)動裝置、回轉(zhuǎn)室的回轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置均由控制器電連接控制。

進(jìn)一步的，每一個所述鍍膜室均包括兩段對稱連接在一起且不設(shè)閥門的鍍膜腔體a與鍍膜腔體b，前一個鍍膜室的鍍膜腔體b與后一個鍍膜室的鍍膜腔體a通過閥門隔開連接，第1鍍膜室的鍍膜腔體a與其鍍膜腔體b相對的另一端通過閥門隔開連接前緩沖室，第n鍍膜室的鍍膜腔體b與其膜腔體a相對的另一端通過閥門隔開連接后緩沖室，

根據(jù)所述連續(xù)濺射鍍膜線，本發(fā)明還提供了一種多功能連續(xù)濺射鍍膜線的鍍膜方法，包括以下步驟：

1)若第1鍍膜室腔體內(nèi)無基片，前緩沖室與第1鍍膜室之間的閥門打開，前緩沖室的驅(qū)動裝置正轉(zhuǎn)將載有第1基片的第1基片架載入第1鍍膜室內(nèi)，基片架進(jìn)入第1鍍膜室鍍膜腔體后，由第1鍍膜室的驅(qū)動裝置驅(qū)動，前緩沖室與第1鍍膜室之間的閥門關(guān)閉；

2)當(dāng)?shù)?基片架運(yùn)行至第1鍍膜室鍍膜腔體的入口處的探測裝置c處時，開啟第1鍍膜室腔體內(nèi)的陰極靶a對第1基片進(jìn)行鍍膜，根據(jù)所需鍍陰極靶a的層數(shù)來決定陰極靶a開啟時第1鍍膜室的驅(qū)動裝置的正反轉(zhuǎn)運(yùn)行次數(shù)，第1基片架跟隨驅(qū)動裝置由探測裝置c處運(yùn)行至探測裝置d處或基片架由探測裝置d處傳動至探測裝置c處代表1次鍍膜完成，完成1次鍍膜，當(dāng)陰極靶a膜層全部鍍完，關(guān)閉陰極靶a；

3)若第1基片架還需在第1鍍膜室內(nèi)鍍陰極靶b，開啟第1鍍膜室腔體內(nèi)的陰極靶b 對第1基片進(jìn)行鍍膜，根據(jù)所需鍍陰極靶b的層數(shù)來決定陰極靶b開啟時第1鍍膜室的驅(qū)動裝置的正反轉(zhuǎn)運(yùn)行次數(shù)，第1基片架跟隨驅(qū)動裝置由探測裝置c處傳動至探測裝置d處或基片架由探測裝置d處傳動至探測裝置c處代表1次鍍膜完成，完成1次鍍膜，當(dāng)陰極靶b膜層全部鍍完，關(guān)閉陰極靶b，

4)若第1基片架還需在第1鍍膜室內(nèi)鍍其他陰極靶，則依次開啟第1鍍膜室腔體內(nèi)的其他陰極靶對第1基片進(jìn)行鍍膜，至所有陰極靶鍍膜完成，第1基片在第1鍍膜室鍍膜工作完成；

5)若第2鍍膜室腔體內(nèi)無基片，第1鍍膜室與第2鍍膜室之間的閥門打開，第1鍍膜室驅(qū)動裝置正轉(zhuǎn)將載有第1基片的第1基片架載入第2鍍膜室內(nèi)，基片架進(jìn)入第2鍍膜室鍍膜腔體后，由第2鍍膜室的驅(qū)動裝置驅(qū)動，第1鍍膜室與第2鍍膜室之間的閥門關(guān)閉，第2鍍膜室開始陰極靶c及其他陰極靶的鍍膜工作，根據(jù)鍍膜層數(shù)要求參照步驟2～步驟4完成第1基片在第2鍍膜室的鍍膜；第1基片架進(jìn)入第2鍍膜室后，前緩沖室與第一鍍膜室之間的閥門打開，前緩沖室的驅(qū)動裝置正轉(zhuǎn)將載有第2基片的第2基片架載入第1鍍膜室內(nèi)，第2基片架進(jìn)入第1鍍膜室鍍膜腔體后，由第1鍍膜室的驅(qū)動裝置驅(qū)動，前緩沖室與第1鍍膜室之間的閥門關(guān)閉，參照步驟2～步驟4完成第2基片在第1鍍膜室內(nèi)的鍍膜工作；

6)重復(fù)步驟1～步驟5的過程，各個基片架由各個鍍膜室中的驅(qū)動裝置分別獨(dú)立驅(qū)動運(yùn)行，至第1基片架～第n基片架按次序進(jìn)入各鍍膜腔體后，分別同時鍍膜，再依次從后緩沖室載出。

進(jìn)一步的，步驟1～步驟4中所述陰極靶a、陰極靶b與其他陰靶，及步驟5中所述陰極靶c與其他陰極靶，可為互不相同的靶材，也可有任意兩個或幾個為相同的靶材，或可有任意兩個或幾個為同一個陰極靶，當(dāng)交替開啟的前后兩個陰極靶為同一個陰極靶時，則該陰極靶不關(guān)閉，直到切換到下一個其他靶材的陰極靶。

根據(jù)所述鍍膜線，本發(fā)明還提供了一種鍍膜控制方法，包括以下步驟：

1)系統(tǒng)初始化，為每一個鍍膜室設(shè)置一個表示該鍍膜室內(nèi)有無基片架的屬性值f，其中fn＝x代表當(dāng)前第n個鍍膜室有基片架，fn＝y(tǒng)代表當(dāng)前第n個鍍膜室無基片架為空(屬性值f不一定要用1和0表示，可以為其他不同的值，因此此處代理人將其改為x、y，下文的實(shí)施例中用1和0表示，見實(shí)施方式中紅色字跡部分)，fn初始值為y；根據(jù)鍍膜層數(shù)要求設(shè)置每一個鍍膜室內(nèi)的每一個陰極靶開啟時驅(qū)動裝置正反轉(zhuǎn)次數(shù)值t，其中tan代表當(dāng)前第n個鍍膜室的陰極靶a開啟時，第n個鍍膜室的驅(qū)動裝置n所需完成的重復(fù)正/ 反轉(zhuǎn)總次數(shù)，tbn代表當(dāng)前第n個鍍膜室的陰極靶b開啟時驅(qū)動裝置n所需完成的重復(fù)正/反轉(zhuǎn)總次數(shù)；

2)啟動鍍膜線，首先判斷當(dāng)前要進(jìn)入的第n鍍膜室的f值是否為y，如果為y基片架進(jìn)入第n鍍膜室，并開啟第n鍍膜室的陰極靶進(jìn)行鍍膜，如果不為y則等待；基片架進(jìn)入第n鍍膜室后，第n鍍膜室入口附近的探測裝置c檢測到有基片架，則當(dāng)前第n鍍膜室的f值由y變?yōu)閤；

3)系統(tǒng)讀取當(dāng)前第n鍍膜腔體的tan與tbn值，若tan大于0，則開啟第n鍍膜腔體的陰極靶a，第n鍍膜腔體的驅(qū)動裝置n正轉(zhuǎn)，基片架從第n鍍膜腔體入口處的探測裝置c處運(yùn)行至第n鍍膜腔體出口處的探測裝置d處時tan值減1，此時若tan仍大于0，第n鍍膜腔體的驅(qū)動裝置n反轉(zhuǎn)，使基片架返回至第n鍍膜腔體入口處的探測裝置c處時tan值再減1，如此反復(fù)，直到tan值等于0，關(guān)閉第n鍍膜室陰極靶a；若tbn大于0，則開啟第n鍍膜腔體的陰極靶b，如果基片架處于探測器c位置，則第n鍍膜腔體的驅(qū)動裝置n正轉(zhuǎn)，如果基片架處于探測器d位置，則第n鍍膜腔體的驅(qū)動裝置n反轉(zhuǎn)，每次正轉(zhuǎn)反轉(zhuǎn)切換時tbn值減1，直到tbn值等于0時，關(guān)閉第n鍍膜室陰極靶b，若還有其他陰極靶的t值大于0，則驅(qū)動裝置n繼續(xù)交替正反轉(zhuǎn)，至最后第n鍍膜室最后一個陰極靶的t值等于0，所有陰極靶鍍完，第n鍍膜腔體鍍膜完成；

4)判斷接下來基片要進(jìn)入的第n+1鍍膜室的fn+1值是否為y，如果為y基片架進(jìn)入第n+1鍍膜室，如果不為y則等待；基片架進(jìn)入第n+1鍍膜室后，fn+1值由y變?yōu)閤，fn值由x變?yōu)閥，tn恢復(fù)步驟1中的系統(tǒng)初始設(shè)定值，下一基片架依次經(jīng)步驟2、步驟3進(jìn)入本步驟。

進(jìn)一步的，所述切換的各膜層的陰極靶當(dāng)中，可為互不相同的靶材，也可有任意兩個或幾個為相同的靶材，或可有任意兩個或幾個為同一個陰極靶。

本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明的的多功能連續(xù)濺射鍍膜線的每個鍍膜室都可以根據(jù)靶材的配置通過疊加鍍兩種不同膜系的多層膜，然后各個鍍膜室也可同配置需要的靶材進(jìn)行各種排列組合，不需要額外增加包圍來加工處理相對復(fù)雜的工藝，另外對于加工受溫度影響較大的鍍膜材料而需要鍍較厚膜系的情況，可以采用低功率，增加來回鍍膜次數(shù)的方法來疊加膜厚可以成為很好的解決方案。按本發(fā)明設(shè)計完成的鍍膜設(shè)備，具有強(qiáng)大的實(shí)用性，它可以在不許要對設(shè)備做任何改造下，鍍多種膜系，這樣大大的節(jié)約了資金和成本，特別是在一些領(lǐng)域，需要的膜系范圍廣，膜系種類不固定，基片材料特性變化大，這種多功能濺射設(shè)備可以滿足不同的要求。

除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。下面將參照圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

附圖說明

構(gòu)成本申請的一部分的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例1的多功能連續(xù)濺射鍍膜線整體結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖2是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例2的多功能連續(xù)濺射鍍膜線整體結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖3是本發(fā)明中圖2中所示鍍膜線中單個鍍膜室的俯視圖；

圖4是本發(fā)明中圖3中所示鍍膜線中單個鍍膜室的側(cè)面主視圖；

圖5是本發(fā)明中圖2所示鍍膜線鍍膜室內(nèi)部輸送裝置的俯視圖；

圖6是本發(fā)明中圖5的左視圖。

圖中：1、前緩沖室；2、鍍膜室；21、第一鍍膜室；22、第二鍍膜室；23、第三鍍膜室；24、第四鍍膜室；25、回轉(zhuǎn)室；26、進(jìn)氣口；27、探測裝置c；28、探測裝置d；3、后緩沖室；4、真空泵；41、抽氣口；5、基片架；51、軌道；52、驅(qū)動裝置；53、滾輪；531、輪槽；54、同步帶；6、鍍膜腔體a；7、鍍膜腔體b；8、閥門；9、陰極靶；

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，但是本發(fā)明可以根據(jù)權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。

參見圖1為本發(fā)明的一種多功能連續(xù)濺射鍍膜線的實(shí)施例1，包括依次通過閥門連接的前緩沖室1、四個首尾依次連接的鍍膜室2、后緩沖室3，每一個鍍膜室2分別連接有供氣裝置及真空泵4，每一個鍍膜室包括對接連通且不設(shè)閥門的鍍膜腔體a6與鍍膜腔體b7，前一個鍍膜室的鍍膜腔體b7與后一個鍍膜室的鍍膜腔體a6通過閥門8隔開連接，第一鍍膜室的鍍膜腔體a6與其鍍膜腔體b7相對的另一端通過閥門隔開連接前緩沖室1，第四鍍膜室的鍍膜腔體b7與其膜腔體a6相對的另一端通過閥門隔開連接后緩沖室3，每一個鍍膜室內(nèi)均設(shè)有2個陰極靶9，每一個鍍膜室內(nèi)分別單獨(dú)設(shè)有可在鍍膜室的入口與出口之間來回運(yùn)送基片架的輸送裝置。

參見圖5及圖6，輸送裝置包括用于承載基片架5的軌道51，及用于驅(qū)動基片架5在軌道51上來回運(yùn)行的驅(qū)動裝置52，參見圖1，所有鍍膜室內(nèi)的輸送裝置的軌道51位于同一條直線上。

參見圖5及圖6，輸送裝置的軌道51為設(shè)于鍍膜室內(nèi)頂面的槽形軌道，槽形軌道正下 方設(shè)有支撐起基片架5底部的并對基片架5提供驅(qū)動力的多個滾輪53，滾輪53輪緣上設(shè)有輪槽531，基片架上部在槽形軌道內(nèi)滑動，下部被定位于滾輪的輪槽531內(nèi)，與滾輪53產(chǎn)生相對運(yùn)動，各滾輪53由驅(qū)動裝置52通過同步帶54驅(qū)動。

參見圖2為本發(fā)明的一種多功能連續(xù)濺射鍍膜線的實(shí)施例2，四個鍍膜室整體對折，使前一半數(shù)量的鍍膜室即第一鍍膜室21、第二鍍膜室22與后一半數(shù)量的鍍膜室即第三鍍膜室23、第四鍍膜室24內(nèi)的軌道51對折后呈平行對稱排列成兩列，且前一半數(shù)量的鍍膜室與后一半數(shù)量的鍍膜室側(cè)壁相對的一面共用同一道側(cè)壁，鍍膜室對折后的濺射鍍膜線前緩沖室與后緩沖室可共用同一個腔室，四個鍍膜室的前一半數(shù)量的鍍膜室與后一半數(shù)量的鍍膜室之間連接有回轉(zhuǎn)室25。

參見圖3及圖4，每一個鍍膜室的入口與出口附近分別設(shè)有可探測基片架5是否到達(dá)當(dāng)前位置的探測裝置，其中入口附近的探測裝置設(shè)為探測裝置c27，出口附近的探測裝置設(shè)為探測裝置d28。

參見圖3及圖4，每一個鍍膜室連接的進(jìn)氣裝置的進(jìn)氣口26位于鍍膜腔體a6與鍍膜腔體b7中兩陰極靶9的正中間，每一個鍍膜室連接的真空泵4兩個，且真空泵4的抽氣口41均勻?qū)ΨQ分布于鍍膜室的兩端。

本實(shí)施例中，鍍膜線還設(shè)置有控制器，所述閥門、供氣裝置、真空泵、陰極靶、探測裝置、驅(qū)動裝置、回轉(zhuǎn)室的回轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置均由控制器電連接控制。

一種多功能連續(xù)濺射鍍膜線的鍍膜方法，包括以下步驟：

1)若第1鍍膜室腔體內(nèi)無基片，前緩沖室與第1鍍膜室之間的閥門打開，前緩沖室的驅(qū)動裝置正轉(zhuǎn)將載有第1基片的第1基片架載入第1鍍膜室內(nèi)，基片架進(jìn)入第1鍍膜室鍍膜腔體后，由第1鍍膜室的驅(qū)動裝置驅(qū)動，前緩沖室與第1鍍膜室之間的閥門關(guān)閉；

2)當(dāng)?shù)?基片架運(yùn)行至第1鍍膜室鍍膜腔體的入口處的探測裝置c處時，開啟第1鍍膜室腔體內(nèi)的陰極靶a對第1基片進(jìn)行鍍膜，根據(jù)所需鍍陰極靶a的層數(shù)來決定陰極靶a開啟時第1鍍膜室的驅(qū)動裝置的正反轉(zhuǎn)運(yùn)行次數(shù)，第1基片架跟隨驅(qū)動裝置由探測裝置c處運(yùn)行至探測裝置d處或基片架由探測裝置d處傳動至探測裝置c處代表1次鍍膜完成，完成1次鍍膜，當(dāng)陰極靶a膜層全部鍍完，關(guān)閉陰極靶a；

3)若第1基片架還需在第1鍍膜室內(nèi)鍍陰極靶b，開啟第1鍍膜室腔體內(nèi)的陰極靶b對第1基片進(jìn)行鍍膜，根據(jù)所需鍍陰極靶b的層數(shù)來決定陰極靶b開啟時第1鍍膜室的驅(qū)動裝置的正反轉(zhuǎn)運(yùn)行次數(shù)，第1基片架跟隨驅(qū)動裝置由探測裝置c處傳動至探測裝置d處或基片架由探測裝置d處傳動至探測裝置c處代表1次鍍膜完成，完成1次鍍膜，當(dāng)陰極 靶b膜層全部鍍完，關(guān)閉陰極靶b，

4)若第1基片架還需在第1鍍膜室內(nèi)鍍其他陰極靶，則依次開啟第1鍍膜室腔體內(nèi)的其他陰極靶對第1基片進(jìn)行鍍膜，至所有陰極靶鍍膜完成，第1基片在第1鍍膜室鍍膜工作完成；

5)若第2鍍膜室腔體內(nèi)無基片，第1鍍膜室與第2鍍膜室之間的閥門打開，第1鍍膜室驅(qū)動裝置正轉(zhuǎn)將載有第1基片的第1基片架載入第2鍍膜室內(nèi)，基片架進(jìn)入第2鍍膜室鍍膜腔體后，由第2鍍膜室的驅(qū)動裝置驅(qū)動，第1鍍膜室與第2鍍膜室之間的閥門關(guān)閉，第2鍍膜室開始陰極靶c及其他陰極靶的鍍膜工作，根據(jù)鍍膜層數(shù)要求參照步驟2～步驟4完成第1基片在第2鍍膜室的鍍膜；第1基片架進(jìn)入第2鍍膜室后，前緩沖室與第一鍍膜室之間的閥門打開，前緩沖室的驅(qū)動裝置正轉(zhuǎn)將載有第2基片的第2基片架載入第1鍍膜室內(nèi)，第2基片架進(jìn)入第1鍍膜室鍍膜腔體后，由第1鍍膜室的驅(qū)動裝置驅(qū)動，前緩沖室與第1鍍膜室之間的閥門關(guān)閉，參照步驟2～步驟4完成第2基片在第1鍍膜室內(nèi)的鍍膜工作；

6)重復(fù)步驟1～步驟5的過程，各個基片架由各個鍍膜室中的驅(qū)動裝置分別獨(dú)立驅(qū)動運(yùn)行，至第1基片架～第n基片架按次序進(jìn)入各鍍膜腔體后，分別同時鍍膜，再依次從后緩沖室載出。

根據(jù)所述鍍膜線，本發(fā)明還提供了一種鍍膜控制方法，包括以下步驟：

1)系統(tǒng)初始化，為每一個鍍膜室設(shè)置一個表示該鍍膜室內(nèi)有無基片架的屬性值f，其中fn＝1代表當(dāng)前第n個鍍膜室有基片架，fn＝0代表當(dāng)前第n個鍍膜室無基片架為空，fn初始值為0；根據(jù)鍍膜層數(shù)要求設(shè)置每一個鍍膜室內(nèi)的每一個陰極靶開啟時驅(qū)動裝置正反轉(zhuǎn)次數(shù)值t，其中tan代表當(dāng)前第n個鍍膜室的陰極靶a開啟時，第n個鍍膜室的驅(qū)動裝置n所需完成的重復(fù)正/反轉(zhuǎn)總次數(shù)，tbn代表當(dāng)前第n個鍍膜室的陰極靶b開啟時驅(qū)動裝置n所需完成的重復(fù)正/反轉(zhuǎn)總次數(shù)；

2)啟動鍍膜線，首先判斷當(dāng)前要進(jìn)入的第n鍍膜室的fn值是否為0，如果為0基片架進(jìn)入第n鍍膜室，并開啟第n鍍膜室的陰極靶進(jìn)行鍍膜，如果不為0則等待；基片架進(jìn)入第n鍍膜室后，第n鍍膜室入口附近的探測裝置c檢測到有基片架，則當(dāng)前第n鍍膜室的fn值由0變?yōu)?；

3)系統(tǒng)讀取當(dāng)前第n鍍膜腔體的tan與tbn值，若tan大于0，則開啟第n鍍膜腔體的陰極靶a，第n鍍膜腔體的驅(qū)動裝置n正轉(zhuǎn)，基片架從第n鍍膜腔體入口處的探測裝置c處運(yùn)行至第n鍍膜腔體出口處的探測裝置d處時tan值減1，此時若tan仍大于0，第n 鍍膜腔體的驅(qū)動裝置n反轉(zhuǎn)，使基片架返回至第n鍍膜腔體入口處的探測裝置c處時tan值再減1，如此反復(fù)，直到tan值等于0，關(guān)閉第n鍍膜室陰極靶a；若tbn大于0，則開啟第n鍍膜腔體的陰極靶b，如果基片架處于探測器c位置，則第n鍍膜腔體的驅(qū)動裝置n正轉(zhuǎn)，如果基片架處于探測器d位置，則第n鍍膜腔體的驅(qū)動裝置n反轉(zhuǎn)，每次正轉(zhuǎn)反轉(zhuǎn)切換時tbn值減1，直到tbn值等于0時，關(guān)閉第n鍍膜室陰極靶b，若還有其他陰極靶的t值大于0，則驅(qū)動裝置n繼續(xù)交替正反轉(zhuǎn)，至最后第n鍍膜室最后一個陰極靶的t值等于0，所有陰極靶鍍完，第n鍍膜腔體鍍膜完成；

4)判斷接下來基片要進(jìn)入的第n+1鍍膜室的fn+1值是否為0，如果為0基片架進(jìn)入第n+1鍍膜室，如果不為0則等待；基片架進(jìn)入第n+1鍍膜室后，fn+1值由0變?yōu)?，fn值由1變?yōu)?，tn恢復(fù)步驟1中的系統(tǒng)初始設(shè)定值，下一基片架依次經(jīng)步驟2、步驟3進(jìn)入本步驟。

下面使用圖1或圖2所示的鍍膜線對本發(fā)明所述的鍍膜方法及鍍膜控制方法舉例說明：

實(shí)例1：鍍膜系tio2/sio2/tio2

各基片在第一鍍膜室內(nèi)先從入口正向運(yùn)行至出口鍍第一層tio2，再從出口反向運(yùn)行至入口鍍第二層sio2，再正向運(yùn)行至進(jìn)入第二鍍膜室出口處即可完成第三層tio2鍍膜；

或者第一鍍膜室用來鍍第一層tio2，第二鍍膜室用來鍍第二層sio2，第三鍍膜室用來鍍第三層tio2，基片依次通過第一鍍膜室、第二鍍膜室、第三鍍膜室即可完成鍍膜。

實(shí)例2：鍍膜系tio2/sio2/in/tio2

第一鍍膜室用來鍍前面tio2/sio2二層膜層，第二鍍膜室用來鍍第三層in，第三鍍膜室用來鍍第四層tio2，各基片在第一鍍膜室內(nèi)先從入口正向運(yùn)行至出口鍍第一層tio2，再從出口反向運(yùn)行至入口鍍第二層sio2，再正向運(yùn)行至進(jìn)入第二鍍膜室出口處完成第三層in鍍膜，再正向運(yùn)行至進(jìn)入第三鍍膜室出口處完成第四層tio2鍍膜；

或者第一鍍膜室用來鍍第一層tio2，第二鍍膜室用來鍍sio2，第三鍍膜室用來鍍金屬第三層in，第四鍍膜室用來鍍第四層tio2，基片依次通過四個鍍膜室即可完成鍍膜。

實(shí)例3：鍍膜系tio2/sio2/tio2/sio2/af

第一鍍膜室用來鍍前面tio2/sio2/tio2/sio2四層膜層，第二鍍膜室用來鍍第五層af，各基片在第一鍍膜室內(nèi)先從入口正向運(yùn)行至出口鍍第一層tio2，再從出口反向運(yùn)行至入口鍍第二層sio2，再從入口正向運(yùn)行至出口鍍第三層tio2，再從出口反向運(yùn)行至入口鍍第四層sio2，再正向運(yùn)行至進(jìn)入第二鍍膜室出口處完成第三層af鍍膜；

或者第一鍍膜室用來鍍第一層tio2，第二鍍膜室用來鍍第二層sio2，第三鍍膜室用來鍍金屬第三層tio2與第四層sio2，第四鍍膜室用來鍍第四層af層，各基片在先通過第一鍍膜室鍍第一層tio2，再通過第二鍍膜室鍍第二層sio2，再進(jìn)入第三鍍膜室從入口正向運(yùn)行至出口鍍第三層tio2，再從出口反向運(yùn)行至入口鍍第四層sio2，再正向運(yùn)行至進(jìn)入第四鍍膜室出口處完成第三層af鍍膜。

實(shí)例4：鍍膜系sio2/tio2/sio2/tio2/sio2/in/tio2

第一鍍膜室，用來鍍第一，第二層和第三層sio2/tio2/sio2，第二鍍膜室用來鍍第四和第五層tio2/sio2，第三鍍膜室用來鍍金屬in，第四鍍膜室用來鍍最后一層tio2。基片進(jìn)入第一鍍膜室后首先啟動硅靶，根據(jù)膜層厚度需要，基片架可以在該鍍膜室來回運(yùn)動，鍍sio2層，然后關(guān)閉硅靶，啟動鈦靶鍍tio2層，同樣可以根據(jù)膜層厚度需要，決定基片架是否來回運(yùn)動，然后，關(guān)閉鈦靶，再啟動硅靶，鍍sio2，完成后，進(jìn)入第二鍍膜室分別鍍tio2/sio2層，在該室，可以一個方向連續(xù)鍍膜，也可以通過來回運(yùn)動，分別鍍膜。根據(jù)需要來選擇，在第一基片架進(jìn)入第二鍍膜室后，第二基片架進(jìn)入第一鍍膜室，重復(fù)第一個基片架的鍍膜步驟，而第一基片架在第二鍍膜室完成鍍膜后，進(jìn)入第三鍍膜室鍍金屬in，完成后進(jìn)第四鍍膜室，鍍最后一層tio2，第二基片架依次進(jìn)入第二，第三等鍍膜室。第三基片架依次進(jìn)入第一，第二等鍍膜室，依次類推，最后形成了一個連續(xù)的生產(chǎn)過程。

實(shí)例5：鍍膜系si3n4/sio2/si3n4/sio2/si3n4/sio2/si3n4/sio2

該膜系是材料可以由同一種靶材，兩種反應(yīng)氣體制備的多層膜系，這樣可以在每個鍍膜室里交替使用不同的氣體，而完成生產(chǎn)該多層膜系。具體如下：第一，第二，第三和第四個基片架依次到達(dá)第四，第三，第二和第一鍍膜室，然后分別對每個鍍膜室注入氬氣和氮?dú)猓瑔用總€鍍膜室的硅靶，開始鍍第一層si3n4。完成后，關(guān)閉所有室靶電源和氮?dú)猓⑷胙鯕?，再啟動每個鍍膜室靶電源，開始鍍第二層氧化硅，完成后，關(guān)閉靶電源和氧氣，注入氮?dú)?。再啟動電源，開始鍍第三層si3n4，以此類推，最后完成8層鍍膜。然后，四個基片架依次按順序出鍍膜室。同時可以讓下一組四個基片架依次進(jìn)入鍍膜室。當(dāng)然，在鍍膜時，每個鍍膜室里鍍膜過程沒有必要同步，可以獨(dú)立的按照需要進(jìn)行鍍膜。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。