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一種金屬薄膜的制作工藝的制作方法

文檔序號(hào):11147021閱讀:696來源:國知局

本發(fā)明屬于機(jī)械領(lǐng)域,一種金屬薄膜的工藝。



背景技術(shù):

由于金屬薄膜具有良好的光學(xué)、聲學(xué)和電學(xué)特征,使其在機(jī)械、電子行業(yè)起到日益重要的作用。人們已經(jīng)采用化學(xué)氣相沉積(CVD)、離子注人和離子鍍等方法制備了不同材質(zhì)的納米金屬薄膜。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,為了解決上述問題,本發(fā)明提出了一種金屬薄膜的工藝,可以耐磨性能,提高使用壽命。

本發(fā)明的目的就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,發(fā)明一種金屬薄膜的工藝,其特征是:沉積薄膜的裝置,基片為玻璃,NaCl單晶,濺射本底真空一般定義在5×10-6~10×10-6Torr,然后通過氬氣,在10-5~10-3的氬氣壓下氣壓下輸入2650MHz微波,在發(fā)散磁場(chǎng)B=956G附近區(qū)產(chǎn)生電子回旋共振,形成ECR等離子體。

本發(fā)明的特點(diǎn)是:設(shè)計(jì)科學(xué),該制備工藝流程簡(jiǎn)單、可操作性強(qiáng)、成本低,具有連續(xù)批量生產(chǎn)的潛能,便于迅速向市場(chǎng)擴(kuò)展。

具體實(shí)施方式

一種金屬薄膜的工藝,其特征是:沉積薄膜的裝置,基片為玻璃,NaCl單晶,濺射本底真空一般定義在5×10-6~10×10-6Torr,然后通過氬氣,在10-5~10-3的氬氣壓下氣壓下輸入2650MHz微波,在發(fā)散磁場(chǎng)B=956G附近區(qū)產(chǎn)生電子回旋共振,形成ECR等離子體。

本發(fā)明已經(jīng)示出和描述了實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。

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