專利名稱：偵測蒸發(fā)源的裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及OLED顯示面板的制備工藝，尤其涉及一種偵測蒸發(fā)源的裝置及方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱0LED)是主要由有機(jī)材料涂層和玻璃基板構(gòu)成，當(dāng)有電流通過時，該有機(jī)材料就會發(fā)光。目前，由于OLED顯示屏幕可視角度大，并且能夠顯著節(jié)省電能，使得其在平板顯示器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用；其中，OLED的蒸鍍技術(shù)是OLED規(guī)模生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，其主要通過采用小分子OLED制程方法進(jìn)行工藝，該制程方法是在高真空狀態(tài)下，通過對線性蒸發(fā)源的加熱使小分子材料蒸發(fā)的一種技術(shù)，即在真空狀態(tài)下進(jìn)行小分子蒸鍍，以將金屬掩膜版遮擋在基板的前方，進(jìn)而使得有機(jī)材料沉積在基板上。在OLED的蒸鍍技術(shù)中，控制線性蒸發(fā)源的蒸鍍速率及蒸鍍均勻性是核心技術(shù)，在傳統(tǒng)蒸鍍工藝中主要是通過將CRTS (Crystal sensor)石英晶振器固定在蒸發(fā)源的上方來偵測線性蒸發(fā)源的蒸鍍速率及蒸鍍均勻性，而由于CRTS石英晶振器是固定安裝的，造成該CRTS石英晶振器只能監(jiān)測線性蒸發(fā)源的局部位置的蒸鍍速率及蒸鍍均勻性，而無法對整個線性蒸發(fā)源進(jìn)行全面的蒸鍍速率及蒸鍍均勻性的偵測，導(dǎo)致不能及時發(fā)現(xiàn)整個線性蒸發(fā)源的均勻性異常情況如蒸發(fā)源塞孔等，給工藝生產(chǎn)帶來一定的安全隱患，降低了產(chǎn)品的良率。圖1是傳統(tǒng)的采用固定位置的CRTS偵測器監(jiān)測線性蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖1所示，在對基板13進(jìn)行蒸鍍時，CRTS偵測器12需固定設(shè)置在線性蒸發(fā)源11的上方；由于CRTS偵測器12的位置是固定的，造成只能偵測靠近該CRTS偵測器12 —端的線性蒸發(fā)源11的蒸鍍速率及蒸鍍均勻性，而遠(yuǎn)離CRTS偵測器12的線性蒸發(fā)源11的部分的蒸鍍速率及蒸鍍均勻性則無法檢測到，尤其是當(dāng)遠(yuǎn)離CRTS偵測器12的線性蒸發(fā)源11的部分出現(xiàn)如蒸發(fā)源塞孔等影響整個線性蒸發(fā)源均勻性異`常狀況出現(xiàn)時，傳統(tǒng)的偵測系統(tǒng)根本無法及時發(fā)現(xiàn)，極易造成產(chǎn)品良率的降低，增大工藝成本。中國專利(申請公布號:CN102102175A)公開了一種線性蒸發(fā)源及具有該蒸發(fā)源的沉積設(shè)備，主要通過在線性蒸發(fā)源中熔罐中設(shè)置多個分隔件，以隔開沉積材料，進(jìn)而最小化沉積材料的量偏差，均勻地形成鍍層；但其并沒有公開偵測線性蒸發(fā)源的蒸鍍速率及其蒸鍍均勻性的相關(guān)技術(shù)手段。中國專利(申請公布號:CN102703866A)公開了一種線性蒸發(fā)源裝置及具有該裝置的蒸發(fā)速率精控式蒸發(fā)設(shè)備，主要通過在真空腔體內(nèi)并與基板臨近處設(shè)置晶振傳感器，具體的是傳感器位于玻璃基板的上方以使得晶振傳感器對蒸發(fā)物質(zhì)沉積速率的檢測更精準(zhǔn)，從而為蒸發(fā)速率的精準(zhǔn)控制創(chuàng)造優(yōu)異的條件。由于傳統(tǒng)的技術(shù)中均將晶振傳感器設(shè)置在玻璃基板的上方，即該專利文獻(xiàn)中是采用傳統(tǒng)的固定晶振傳感器的技術(shù)實現(xiàn)對線性蒸發(fā)源的蒸鍍速率及其蒸鍍均勻性的監(jiān)控，且將晶振傳感器設(shè)置在線性蒸發(fā)源的上方時，會導(dǎo)致因機(jī)械動作造成有機(jī)材料或是灰塵等缺陷掉落，進(jìn)而造成蒸發(fā)源污染，增大了工藝生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述存在的問題，本發(fā)明揭示了一種偵測蒸發(fā)源的裝置及方法，主要通過在偵測蒸鍍源上設(shè)置可移動的偵測器，以對整個蒸鍍源的蒸鍍速率進(jìn)行及時有效的檢測，在有效的回饋蒸鍍源的鍍率均勻性的同時，還能及時發(fā)現(xiàn)蒸鍍源的異常，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良率和品質(zhì)。本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)的:一種偵測蒸發(fā)源的裝置，應(yīng)用于蒸鍍工藝中的蒸鍍裝置上，所述蒸鍍裝置包括線性蒸發(fā)源，其中，包括:一導(dǎo)軌裝置，所述導(dǎo)軌裝置設(shè)置在所述蒸鍍裝置上；一偵測器，所述偵測器通過所述導(dǎo)軌裝置可移動的設(shè)置在與所述線性蒸發(fā)源具有一預(yù)設(shè)距離位置，以偵測整個所述線性蒸發(fā)源的蒸鍍速率；其中，所述偵測器通過所述導(dǎo)軌裝置在所述線性蒸發(fā)源長度方向上進(jìn)行移動。上述的偵測蒸發(fā)源的裝置，其中，還包括一連接結(jié)構(gòu)，所述偵測器與所述連接結(jié)構(gòu)一端連接，所述連接結(jié)構(gòu)的另一端與所述導(dǎo)軌裝置可移動連接。上述的偵測蒸發(fā)源的裝置，其中，還包括一動力裝置，所述動力裝置驅(qū)動所述連接結(jié)構(gòu)帶動所述偵測器沿所述導(dǎo)軌裝置的軌 跡移動。上述的偵測蒸發(fā)源的裝置，其中，所述導(dǎo)軌裝置包括待命導(dǎo)軌、偵測導(dǎo)軌和轉(zhuǎn)向裝置；所述偵測器通過所述偵測導(dǎo)軌在所述線性蒸發(fā)源長度方向上進(jìn)行往復(fù)運動，以對整個所述線性蒸發(fā)源進(jìn)行偵測；所述偵測器通過所述待命導(dǎo)軌停留在所述線性蒸發(fā)源的一側(cè)；所述偵測器通過所述轉(zhuǎn)向裝置在所述待命導(dǎo)軌與所述偵測導(dǎo)軌之間進(jìn)行切換，且當(dāng)所述偵測器在所述待命導(dǎo)軌與所述偵測導(dǎo)軌之間切換時，所述偵測器移動的方向與所述線性蒸發(fā)源長度方向垂直。上述的偵測蒸發(fā)源的裝置，其中，所述偵測器通過所述導(dǎo)軌裝置在所述線性蒸發(fā)源長度方向上的移動為往復(fù)運動。一種偵測蒸發(fā)源的方法，其中，應(yīng)用于上述權(quán)利要求1-3中任意一項所述的偵測蒸發(fā)源的裝置上，所述方法包括:于所述蒸鍍工藝前，將所述偵測器停止在所述線性蒸發(fā)源的一側(cè)；進(jìn)行所述蒸鍍工藝時，所述偵測器通過所述導(dǎo)軌裝置移動至所述線性蒸發(fā)源的上方后，沿與所述線性蒸發(fā)源形狀相同的軌跡對所述線性蒸發(fā)源進(jìn)行移動偵測。上述的偵測蒸發(fā)源的方法，其中，于一真空腔內(nèi)進(jìn)行所述蒸鍍工藝。上述的偵測蒸發(fā)源的方法，其中，所述偵測器進(jìn)行所述移動偵測時進(jìn)行勻速運動。上述的偵測蒸發(fā)源的方法，其中，所述偵測器為CTRS晶振器。上述的偵測蒸發(fā)源的方法，其中，進(jìn)行所述蒸鍍工藝時，當(dāng)所述偵測器進(jìn)入待命狀態(tài)時，所述偵測器移動至所述線性蒸發(fā)源的一側(cè)位置；當(dāng)所述偵測器進(jìn)入偵測狀態(tài)時，所述偵測器移動至所述線性蒸發(fā)源的正上方，并沿與所述線性蒸發(fā)源形狀相同的軌跡對所述線性蒸發(fā)源進(jìn)行移動偵測。上述的偵測蒸發(fā)源的方法，其中，所述偵測器進(jìn)行所述移動偵測時進(jìn)行勻速運動。
綜上所述，本發(fā)明一種偵測蒸發(fā)源的裝置及方法，主要通過在偵測蒸鍍源上設(shè)置可移動的偵測器，以對整個蒸鍍源的蒸鍍速率進(jìn)行及時有效的檢測，在有效的回饋蒸鍍源的鍍率均勻性的同時，還能及時發(fā)現(xiàn)蒸鍍源的異常；同時在偵測器不進(jìn)行偵測工作時，將其固定設(shè)置在位于蒸鍍源的一側(cè)，以避免因機(jī)械動作造成有機(jī)材料或是灰塵等缺陷掉落而造成蒸發(fā)源污染，以進(jìn)一步的提聞廣品的良率和品質(zhì)。


圖1是傳統(tǒng)的采用固定位置的CRTS偵測器監(jiān)測線性蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明中偵測器移動偵測軌跡示意圖；圖3是本發(fā)明中偵測器從待命位置移動至偵測位置的示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作進(jìn)一步的說明:圖2是本發(fā)明中偵測器移動偵測軌跡示意圖，圖3是本發(fā)明中偵測器從待命位置移動至偵測位置的示意圖。如圖2-3所示，于真空腔室進(jìn)行蒸鍍工藝時，將蒸鍍基板24放置于蒸鍍裝置的線性蒸發(fā)源21的正上方，以在蒸鍍基板24的下表面蒸鍍鍍層23。由于線性蒸發(fā)源21的蒸鍍速率對鍍層23的形成至關(guān)重要，所以設(shè)置偵測器22如CRTS晶振器對整個線性蒸發(fā)源21(也可以適用于其他類型的蒸發(fā)源)的蒸鍍速率進(jìn)行監(jiān)控；其中，偵測器22通過與其固定連接的連接結(jié)構(gòu)(圖中未標(biāo)示)可移動的設(shè)置在導(dǎo)軌裝置上，且該偵測器22與線性蒸發(fā)源21具有一預(yù)設(shè)距離，該導(dǎo)軌裝置固定設(shè)置在蒸鍍裝置上(如固定設(shè)置在蒸鍍裝置的支撐結(jié)構(gòu)上等)，該導(dǎo)軌裝置包括有待命導(dǎo)軌、偵測導(dǎo)軌和轉(zhuǎn)向裝置，利用該轉(zhuǎn)向裝置進(jìn)行待命導(dǎo)軌和偵測導(dǎo)軌之間的切換，且通過一動力裝置如馬達(dá)等驅(qū)動連接結(jié)構(gòu)帶動偵測器22沿軌道裝置軌跡進(jìn)行移動。優(yōu)選的，偵測器22在線性蒸發(fā)源21的長度方向上進(jìn)行往復(fù)移動，以對整個線性蒸發(fā)源進(jìn)行偵測工藝。如圖3所示，當(dāng)偵測器22不進(jìn)行偵測工藝時，動力裝置驅(qū)動連接結(jié)構(gòu)通過轉(zhuǎn)向裝置切換至待命導(dǎo)軌上，使得偵測器22位于線性蒸發(fā)源21的一側(cè)(待命位置)，使得偵測器22的進(jìn)行機(jī)械操作時不會造成掉落的缺陷如灰塵、有機(jī)顆粒等落入線性蒸發(fā)源21中，進(jìn)而造成蒸發(fā)源的污染；而當(dāng)偵測器22開始進(jìn)行偵測工藝時，動力裝置驅(qū)動連接結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)向裝置切換至偵測導(dǎo)軌，使得偵測器22位于線性蒸發(fā)源21的上方(偵測位置)，且使得偵測器22沿與線性蒸發(fā)源21的形狀(如線性蒸發(fā)源21的蒸發(fā)面形狀等)相同的軌跡對線性蒸發(fā)源22進(jìn)行往復(fù)移動偵測，同時在偵測器22進(jìn)行往復(fù)移動偵測時，可以采用勻速運動方式，也可以采用在設(shè)定的多個位置進(jìn)行偵測，優(yōu)選的該設(shè)定的多個位置均勻的設(shè)置于線性蒸發(fā)源21的上方；這樣就能保證偵測器22在進(jìn)行偵測時，能對整個線性蒸發(fā)源21的蒸鍍速率進(jìn)行完整的檢測，進(jìn)而有效回饋蒸鍍工藝的均勻性，及時發(fā)現(xiàn)線性蒸發(fā)源21的異常(如蒸發(fā)源塞孔等)，提聞廣品的良率和品質(zhì)。 綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明實施例偵測蒸發(fā)源的裝置及方法，主要通過在偵測蒸鍍源上設(shè)置可移動的偵測器，以對整個蒸鍍源的蒸鍍速率進(jìn)行及時有效的檢測，在有效的回饋蒸鍍源的鍍率均勻性的同時，還能及時發(fā)現(xiàn)蒸鍍源的異常；同時在偵測器不進(jìn)行偵測工作時，將其固定設(shè)置在位于蒸鍍源的一側(cè)，以避免因機(jī)械動作造成有機(jī)材料或是灰塵等缺陷掉落而造成蒸發(fā)源污染，以進(jìn)一步的提高產(chǎn)品的良率和品質(zhì)。通過說明和附圖，給出了具體實施方式
的特定結(jié)構(gòu)的典型實施例，基于本發(fā)明精神，還可作其他的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是 涵蓋本發(fā)明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種偵測蒸發(fā)源的裝置，應(yīng)用于蒸鍍工藝中的蒸鍍裝置上，所述蒸鍍裝置包括線性蒸發(fā)源，其特征在于，包括: 一導(dǎo)軌裝置，所述導(dǎo)軌裝置設(shè)置在所述蒸鍍裝置上； 一偵測器，所述偵測器通過所述導(dǎo)軌裝置可移動的設(shè)置在與所述線性蒸發(fā)源具有一預(yù)設(shè)距離位置，以偵測整個所述線性蒸發(fā)源的蒸鍍速率； 其中，所述偵測器通過所述導(dǎo)軌裝置在所述線性蒸發(fā)源長度方向上進(jìn)行移動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偵測蒸發(fā)源的裝置，其特征在于，還包括一連接結(jié)構(gòu)，所述偵測器與所述連接結(jié)構(gòu)一端連接，所述連接結(jié)構(gòu)的另一端與所述導(dǎo)軌裝置可移動連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偵測蒸發(fā)源的裝置，其特征在于，還包括一動力裝置，所述動力裝置驅(qū)動所述連接結(jié)構(gòu)帶動所述偵測器沿所述導(dǎo)軌裝置的軌跡移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偵測蒸發(fā)源的裝置，其特征在于，所述導(dǎo)軌裝置包括待命導(dǎo)軌、偵測導(dǎo)軌和轉(zhuǎn)向裝置； 所述偵測器通過所述偵測導(dǎo)軌在所述線性蒸發(fā)源長度方向上進(jìn)行往復(fù)運動，以對整個所述線性蒸發(fā)源進(jìn)行偵測； 所述偵測器通過所述待命導(dǎo)軌停留在所述線性蒸發(fā)源的一側(cè)； 所述偵測器通過所述轉(zhuǎn)向裝置在所述待命導(dǎo)軌與所述偵測導(dǎo)軌之間進(jìn)行切換，且當(dāng)所述偵測器在所述待命導(dǎo)軌與所述偵測導(dǎo)軌之間切換時，所述偵測器移動的方向與所述線性蒸發(fā)源長度方向垂直。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偵測蒸發(fā)源的裝置，其特征在于，所述偵測器通過所述導(dǎo)軌裝置在所述線性蒸發(fā)源長度方向上的移動為往復(fù)運動。
6.一種偵測蒸發(fā)源的方法，其特征在于，應(yīng)用于上述權(quán)利要求1-3中任意一項所述的偵測蒸發(fā)源的裝置上，所述方法包括: 于所述蒸鍍工藝前，將所述偵測器停止在所述線性蒸發(fā)源的一側(cè)； 進(jìn)行所述蒸鍍工藝時，所述偵測器通過所述導(dǎo)軌裝置移動至所述線性蒸發(fā)源的上方后，沿與所述線性蒸發(fā)源形狀相同的軌跡對所述線性蒸發(fā)源進(jìn)行移動偵測。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的偵測蒸發(fā)源的方法，其特征在于，于一真空腔內(nèi)進(jìn)行所述蒸鍍工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的偵測蒸發(fā)源的方法，其特征在于，所述偵測器進(jìn)行所述移動偵測時進(jìn)行勻速運動。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的偵測蒸發(fā)源的方法，其特征在于，所述偵測器為CTRS晶振器。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的偵測蒸發(fā)源的方法，其特征在于，進(jìn)行所述蒸鍍工藝時， 當(dāng)所述偵測器進(jìn)入待命狀態(tài)時，所述偵測器移動至所述線性蒸發(fā)源的一側(cè)位置； 當(dāng)所述偵測器進(jìn)入偵測狀態(tài)時，所述偵測器移動至所述線性蒸發(fā)源的正上方，并沿與所述線性蒸發(fā)源形狀相同的軌跡對所述線性蒸發(fā)源進(jìn)行移動偵測。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的偵測蒸發(fā)源的方法，其特征在于，所述偵測器進(jìn)行所述移動偵測時進(jìn)行勻速運動。
全文摘要
本發(fā)明涉及OLED顯示面板的制備工藝，尤其涉及一種偵測蒸發(fā)源的裝置及方法，主要通過在偵測蒸鍍源上設(shè)置可移動的偵測器，以對整個蒸鍍源的蒸鍍速率進(jìn)行及時有效的檢測，在有效的回饋蒸鍍源的鍍率均勻性的同時，還能及時發(fā)現(xiàn)蒸鍍源的異常；同時在偵測器不進(jìn)行偵測工作時，將其固定設(shè)置在位于蒸鍍源的一側(cè)，以避免因機(jī)械動作造成有機(jī)材料或是灰塵等缺陷掉落而造成蒸發(fā)源污染，以進(jìn)一步的提高產(chǎn)品的良率和品質(zhì)。
文檔編號C23C14/54GK103160798SQ20131006066
公開日2013年6月19日 申請日期2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月26日
發(fā)明者鄒忠哲, 李濰萌 申請人:上海和輝光電有限公司