專利名稱：氧化鎂薄膜及利用該氧化鎂薄膜的等離子顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于等離子顯示面板用氧化鎂薄膜，利用上述氧化鎂薄膜的等離子顯示面板及其制造方法的，更具體講，是一種在等離子顯示面板的氧化鎂薄膜上形成鎂-氫結(jié)合物，可以防止氧化鎂薄膜被雜質(zhì)污染，并且提高二次電子放射系數(shù)，可以降低放電電壓的等離子顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板是利用氣體放電這一物理現(xiàn)象，顯示畫面的。小至單一數(shù)位，大至具有2百萬像素的，對角線為1m的圖形顯示用顯示儀器，是具有廣泛尺寸范圍的顯示元件，是作為商業(yè)化產(chǎn)品非常成功的顯示裝置之一。
等離子顯示面板具有非常強(qiáng)的放電非線性特性，在低于點(diǎn)火電位(firingvoltage)時(shí)不放電，因此對行(line)數(shù)沒有限制，可以制造大型產(chǎn)品，為了減少驅(qū)動回路數(shù)，可以利用多路技術(shù)。又，與一般的陰極射線管相比，壽命長，亮度及亮度效率高，結(jié)構(gòu)簡單，制作容易。由于上述優(yōu)點(diǎn)，等離子顯示面板隨著信息社會的急速發(fā)展，其需求也在急速增加。
等離子顯示面板，根據(jù)負(fù)加在放電信元(cell)上的驅(qū)動電壓的形式分為交流型與直流型，應(yīng)用較為廣泛的是交流型，對交流型進(jìn)行更詳細(xì)的說明如下，各維持電極由于電介質(zhì)層及保護(hù)層，與放電層分離，上述電極不吸收放電顯像時(shí)產(chǎn)生的帶電粒子，而形成壁電荷，利用上述壁電荷產(chǎn)生下一次的放電。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中，交流型等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)分解示意圖。
如圖所示，等離子顯示裝置包含下面基板110；上述下板上形成的定位電極111；形成上述定位電極的下面基板上形成的電介質(zhì)層112；在上述電介質(zhì)層上形成，維持放電距離，防止信元(cell)間的光電串?dāng)_(Cross Talk)的隔層113；與形成上述隔層的下板相結(jié)合，下端形成與上述定位電極垂直相交的，一定模式的維持電極對114，115與掃描電極對114a，115a的上部基板116。上述維持電極對為了透射光，而使用透明電極，一般與補(bǔ)償透明電極的高電阻的掃描電極相結(jié)合。上述隔層劃分的放電空間內(nèi)，至少一側(cè)形成熒光體層117，上述上板的下端形成填充電極的電介質(zhì)層118與保護(hù)膜119。上述放電空間中注入氖(Ne)，氙(Xe)等的混合放電氣體。
這種等離子顯示面板顯示畫面時(shí)，電極中負(fù)加放電初始電壓，在保護(hù)膜上發(fā)生等離子體放電。此時(shí)，負(fù)加的電壓的大小由前面及后面基板間形成的放電空間的距離，放電空間內(nèi)注入的放電氣體的種類與壓力，電介質(zhì)與保護(hù)膜的性質(zhì)決定。等離子體放電時(shí)，放電空間內(nèi)的正離子與電子具有相反的極性(Polarization)并且移動，其結(jié)果，保護(hù)膜的表面分為具有相反的兩種極性的部分。如上所述的壁電荷，由于保護(hù)膜是電阻很高的絕緣體，而留在保護(hù)膜表面。由于上述壁電荷的影響，將發(fā)生在比放電初始電壓低的電壓上維持放電的現(xiàn)象，即，具有交流型等離子顯示面板固有的存儲功能。即，交流型等離子顯示面板在放電初始電壓與維持電壓間驅(qū)動，因此，存儲余量越大，就越能穩(wěn)定地驅(qū)動。因此，電介質(zhì)與保護(hù)膜對于放電初始電壓與維持電壓具有重要作用。
因此，用于保護(hù)膜的物質(zhì)，其濺射率(Sputtering Rate)應(yīng)小，二次電子放射系數(shù)應(yīng)大，透射率應(yīng)高。目前，用于交流型等離子顯示面板的保護(hù)膜材料的物質(zhì)有氧化鎂。
氧化鎂薄膜在負(fù)加電壓時(shí)，從電極分裂，形成等離子體時(shí)，由于等離子體內(nèi)部離子的保護(hù)膜入射，從保護(hù)膜表面放射二次電子，因此可以在較低的電壓下發(fā)生氣體放電，并且其透射率高，因此能夠順利地投射可視光。
但，目前正在使用的氧化鎂薄膜，無法有效地降低上述的放電電壓，這是由于氧化鎂在常溫下極易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并且形成在非晶體的電介質(zhì)上，因此無法具備結(jié)晶性。
又，氧化鎂在常溫下熱力學(xué)方面不穩(wěn)定。因此，吸附周圍的水分或二氧化碳等物質(zhì)的傾向較大，若與上述水分或二氧化碳結(jié)合，則二次電子放射系數(shù)將降低，耐濺射性降低。
由于上述原因，為了降低放電電壓，減少放電電壓，并提高效率特性，需要開發(fā)二次電子放射系數(shù)非常高，并且不會因雜質(zhì)降低其物理性質(zhì)的氧化鎂薄膜。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種在等離子顯示面板的氧化鎂薄膜上形成鎂-氫結(jié)合物，防止氧化鎂薄膜被雜質(zhì)污染，并且提高二次電子放射系數(shù)，可以降低放電電壓的等離子顯示面板用氧化鎂薄膜，利用上述氧化鎂薄膜的等離子顯示面板及其制造方法。
本發(fā)明中，對于等離子顯示面板的電介質(zhì)層上端形成的氧化鎂薄膜，上述氧化鎂薄膜是含有鎂-氫結(jié)合物的等離子顯示面板用氧化鎂薄膜。
又，本發(fā)明中的等離子顯示面板，包含具有下面基板，下面基板上形成的定位電極，下板電介質(zhì)層，隔層，熒光體層的下板；及具有上部基板，上部基板下端形成的維持電極，掃描電極，上板電介質(zhì)層，氧化鎂薄膜，并使定位電極與維持電極垂直相交的，與上述下板相結(jié)合的上板。上述氧化鎂薄膜含有鎂-氫結(jié)合物。
又，本發(fā)明的等離子顯示面板中，上述鎂-氫結(jié)合物是鎂與重氫的結(jié)合物。
又，本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法，包含在下面基板上依次累積定位電極，下板電介質(zhì)層，隔層，熒光體層，形成下板的階段；在上部基板上依次累積維持電極，掃描電極，上板電介質(zhì)層，氧化鎂薄膜，形成上板的階段；及使上述定位電極與維持電極垂直相交地密封上板與下板的階段。上述氧化鎂薄膜的累積，包含在上述上板電介質(zhì)層上累積氧化鎂薄膜的階段；及在氫氣或含有氫原子的氣體中加熱上述氧化鎂薄膜的階段。
又，本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法中，上述氧化鎂薄膜在約150~350℃的溫度范圍內(nèi)加熱。
本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法，包含在下面基板上依次累積定位電極，下板電介質(zhì)層，隔層，熒光體層，形成下板的階段；在上部基板上依次累積維持電極，掃描電極，上板電介質(zhì)層，氧化鎂薄膜，形成上板的階段；及密封上板與下板的階段。上述氧化鎂薄膜的累積，是在氫氣或含有氫原子的氣體中，在上述上板電介質(zhì)層上累積氧化鎂薄膜而形成的。
又，本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法中，上述氫氣是重氫氣。
又，本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法中，上述含有氫原子的氣體是SiH4，Si2H8或NH3中的一種氣體。
又，本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法中，上述氫氣或含有氫原子的氣體，是將上述氣體以5至400sccm流動形成的。
本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法，包含在下面基板上依次累積定位電極，下板電介質(zhì)層，隔層，熒光體層，形成下板的階段；在上部基板上依次累積維持電極，掃描電極，上板電介質(zhì)層，氧化鎂薄膜，形成上板的階段；及使上述定位電極與維持電極垂直相交地密封上板與下板的階段。上述氧化鎂薄膜的累積，包含在上述上板電介質(zhì)層上累積氧化鎂薄膜的階段；及用氫等離子體處理上述氧化鎂薄膜的階段。
本發(fā)明中，對于等離子顯示面板上板的電介質(zhì)層上端形成的氧化鎂薄膜，上述氧化鎂薄膜含有鎂-氫結(jié)合物。
氧化鎂在常溫下，熱力學(xué)方面不穩(wěn)定。因此，吸附周圍的水分或二氧化碳等物質(zhì)的傾向較大，若與上述水分或二氧化碳結(jié)合，則二次電子放射系數(shù)將降低，耐濺射性降低。
本發(fā)明中，等離子顯示面板用氧化鎂薄膜在累積氧化鎂薄膜后，在氫氣或含有氫原子的氣體中加熱，不穩(wěn)定的部分鎂-氧結(jié)合物被鎂-氫結(jié)合物替代，防止氧化鎂薄膜的物理性質(zhì)的降低。
又，上述鎂-氫結(jié)合物增加氧化鎂薄膜的二次電子放射系數(shù)，降低放電電壓。
交流型等離子顯示面板中的氧化鎂薄膜，由于Auger Mechanism而放射二次電子，由于放射的二次電子，在較放電初始電壓低的電壓下維持等離子體放電。Auger Mechanism指處于最里層的電子層-K電子層中具有空位的原子，不放射1個(gè)X線，而放射1個(gè)以上的電子，自動調(diào)整至更穩(wěn)定的狀態(tài)的自發(fā)過程。所有的原子均具有原子核及以其為中心的球型電子層。若處于原子內(nèi)部的某一電子層中的電子與其他電子沖突，或被核吸收，或由于其他原因丟失，則處于其他電子層的電子將移動至空位中。此時(shí)將放射能量，這將即時(shí)成為X線或通過Auger效果被消滅。Auger效果中，剩余的能量將從電子層中的任意一層中推出1個(gè)電子，結(jié)果，上述原子將丟失2個(gè)電子。此過程可能由于空位被填充而反復(fù)或放射X線。將放射Auger電子的概率稱為電子層的Auger發(fā)生率(Augeryield)。Auger發(fā)生率與原子序數(shù)(原子核中的量子數(shù))成反比。考慮到上述問題，鎂的原子序數(shù)是12，因此與其他金屬相比，其Auger發(fā)生率較高，是放射二次電子非常有效的金屬。
上述鎂-氫結(jié)合物比鎂-氧結(jié)合物的能量帶隙(band gap)小，提高了這種Auger發(fā)生率，因此，可以增加二次電子放射系數(shù)。
本發(fā)明的有益效果如下本發(fā)明中的等離子顯示面板，在氧化鎂薄膜上形成鎂-氫結(jié)合物，防止氧化鎂薄膜被二氧化碳等雜質(zhì)污染。
又，上述氧化鎂薄膜上形成的鎂-氫結(jié)合物比鎂-氧結(jié)合物的帶隙(band gap)小，易于放射二次電子。因此，通過從氧化鎂薄膜放射的二次電子數(shù)量的增加，可以降低放電電壓，并且可以減少等離子顯示面板的電量消耗。
又，本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法，在電鍍氧化鎂薄膜的過程中，在電鍍密封裝置內(nèi)流動氫氣或含有氫原子的氣體，將鎂-氫結(jié)合物的生成階段與電鍍階段合二為一，因此簡化了工序。
又，本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法，利用氫等離子處理，形成鎂-氫結(jié)合物，同時(shí)可以有效地清除氧化鎂薄膜上的雜質(zhì)。
四

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中，等離子顯示面板的分解示意圖。
圖2是本發(fā)明中，等離子顯示面板用氧化鎂薄膜的帶隙(band gap)示意圖。
圖3是本發(fā)明中，等離子顯示面板一個(gè)實(shí)施例的剖面圖。
圖4是本發(fā)明中，等離子顯示面板制造方法的一個(gè)實(shí)施例的順序圖。
附圖示中主要部分的符號說明10下面基板11定位電極12下板電介質(zhì)層13隔層14熒光體層15放電空間20上部基板21維持電極22掃描電極23上板電介質(zhì)層24氧化鎂薄膜五具體實(shí)施方式
下面，舉較佳實(shí)施例，并配合附圖對本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)詳細(xì)說明如下。由下述實(shí)施例可以更輕易地理解本發(fā)明的內(nèi)容，下述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的實(shí)例，并非用以限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
圖2是本發(fā)明中，等離子顯示面板用氧化鎂薄膜結(jié)晶內(nèi)部的能量級別示意圖，為了從氧化鎂薄膜中放射二次電子，要從價(jià)(電子)帶(Valence Band)向?qū)?Conduction Band)激發(fā)，需要其間隙(gap)大小的能量(Eg)，如圖所示，鎂-氫結(jié)合物具有較高的能量級別(帶隙(band gap)能量5.3eV)，因此，用較鎂-氧結(jié)合物從價(jià)(電子)帶(Valence Band)向?qū)?Conduction Band)激發(fā)時(shí)所需的能量更小的能量(Eg’)即可向?qū)?Conduction Band)激發(fā)，因此，二次電子的放射也很容易。
又，上述鎂-氫結(jié)合物可以克服部分鎂-氧結(jié)合物及氧化鎂薄膜的缺點(diǎn)，因此，可以防止氧化鎂薄膜被二氧化碳等雜質(zhì)污染。
圖3是本發(fā)明中，等離子顯示面板一個(gè)實(shí)施例的剖面圖，其中包含由下面基板10，上述下面基板上形成的定位電極11，位于下面基板上并包圍上述定位電極的下板電介質(zhì)層12，上述電介質(zhì)層上形成的隔層13，隔層表面形成的熒光體層14組成的下板；上部基板20，與定位電極相隔一定距離并垂直相交的，上部基板下端形成的維持電極21，上述維持電極下端形成的掃描電極22，包圍上述維持電極及掃描電極的，位于上部基板下端的下板電介質(zhì)層23及氧化鎂薄膜24，上述氧化鎂薄膜含有鎂-氫結(jié)合物。由基板與隔層形成的放電空間15中密封了氣體，上述密封氣體使用氖(Ne)或氙(Xe)等的混合氣體。
上述上部基板20及下面基板10使用堿石灰(Soda-Lime)玻璃基板。其組成物質(zhì)有70％重量的SiO2，15％重量的Na2O，10％重量的CaO，少量的Al2O3，K2O，MgO。
上述維持電極21時(shí)維持放電的，由電極對組成。上述維持電極位于放射的光經(jīng)過的路徑上，因此，考慮到其透光性，應(yīng)由ITO(Indium Tin Oxide)組成?？梢杂帽∧ば纬煞?，浸漬方法(Dipping Method)，絲網(wǎng)印刷方法等電鍍氧化銦或氧化錫而形成。
上述維持電極的邊緣，為了補(bǔ)償ITO的高電阻，形成了由銀(Ag)等導(dǎo)電性薄膜組成的掃描電極22。掃描電極由圖像平版印刷術(shù)(Photo Lithography)形成，或印刷金屬涂料而形成。
上述維持電極及掃描電極由與定位電極垂直相交的條(stripe)形狀組成。
上述定位電極(11)在下面基板上電鍍金屬物質(zhì)而形成。此時(shí)，上述定位電極的材料主要使用金，銀，鎳，銅等金屬。
上述下板電介質(zhì)層12及上板電介質(zhì)層23以SiO2為主要成分，由包含金屬氧化物等的混合物質(zhì)組成。
如上所述，為了驅(qū)動表面放電式交流型等離子顯示面板，將維持一定維持電壓的，上板的維持電極電介質(zhì)墻壁上形成的壁電荷，用下板的定位電極負(fù)加的脈沖電壓進(jìn)行放電或清除。此時(shí)，覆蓋上部基板維持電極的電介質(zhì)膜，其介電常數(shù)越高，容量也越大。因此，可以產(chǎn)生較多的壁電荷，在等離子體放電時(shí)可以降低維持電壓及驅(qū)動電壓。但，下部基板的定位電極，起到將圖像信號傳送至等離子體面板內(nèi)的各信元(cell)中的作用，因此，應(yīng)盡量使用形成少量壁電荷的，介電常數(shù)低的電介質(zhì)膜。其原因是，要使面板內(nèi)各信元(cell)迅速地放電，發(fā)光，清除，才對等離子顯示面板顯示畫面有益。
上述隔層13防止放電信元(cell)間的串?dāng)_(Cross Talk)，并確保放電空間，一般由與電介質(zhì)層相同，類似的材質(zhì)組成。上述隔層不僅可以使用一般的條型(Stripe Type)隔層，還可以使用密封型(Closed Type)隔層，并且可以由高度不同的隔層組成。
上述氧化鎂薄膜24由單晶體或多晶體氧化鎂組成，除鎂-氫結(jié)合物外還可以含有少量的金屬，金屬氧化物及硅等。
如上所述，上述氧化鎂薄膜含有鎂-氫結(jié)合物，因此，可以防止氧化鎂薄膜被二氧化碳等雜質(zhì)污染，并且提高了二次電子放射系數(shù)，可以降低等離子顯示面板的放電電壓。
本發(fā)明中等離子顯示面板制造方法的一個(gè)實(shí)施例，包含在下面基板上依次累積定位電極，下板電介質(zhì)層，隔層，熒光體層，形成下板的階段；在上部基板上依次累積維持電極，掃描電極，上板電介質(zhì)層，氧化鎂薄膜，形成上板的階段；及密封上板與下板的階段。上述氧化鎂薄膜的累積，包含在上述上板電介質(zhì)層上累積氧化鎂薄膜的階段；及在氫氣或含有氫原子的氣體中加熱氧化鎂薄膜的階段。
上述電介質(zhì)層，隔層，電極等的形成方法及密封上板與下板的方法的具體工序，是可以利用眾所周知的，等離子顯示面板的制造方法形成的，在本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均已了解，因此，下面對上板氧化鎂薄膜的制造工序進(jìn)行詳細(xì)說明。
如圖4所示，首先，在上述上板電介質(zhì)層上電鍍氧化鎂薄膜，階段S 10。上述氧化鎂薄膜可以利用電子束真空電鍍法(E-Beam Vacuum Evaporation Method)在電介質(zhì)層上方真空電鍍氧化鎂而形成。電鍍條件為，基板溫度200℃，真空度2×10-6torr，蒸發(fā)速度應(yīng)保持在10至20nm/min。根據(jù)STM(ScanningTunneling Microscope)，即使是使用相同的真空電鍍法形成的薄膜，若基板溫度低，則受污染度將高；若基板溫度高，則氧化鎂的擴(kuò)散率增高，對相互的結(jié)合非常有利，因此，電鍍的氧化鎂塊都比較大。上述氧化鎂薄膜還可以使用反應(yīng)濺射(Sputtering)法。利用反應(yīng)濺射法形成氧化鎂薄膜時(shí)，可以垂直豎立基板進(jìn)行電鍍，因此可以大面積地進(jìn)行電鍍。
然后，在氫氣或含有氫原子的氣體中加熱上述氧化鎂薄膜，階段S 20。
由于加熱，上述氧化鎂薄膜的表面活性能量增加，與不穩(wěn)定的鎂-氧結(jié)合物或結(jié)晶內(nèi)的缺陷中提供的氫氣相結(jié)合，形成鎂-氫結(jié)合物。上述氫氣可以是輕氫-氕或重氫-氘，含有氫原子的氣體可以使用SiH4，Si2H8或NH3等。
上述氫氣或含有氫原子的氣體應(yīng)使其以5至400sccm流向密封裝置內(nèi)，上述加熱溫度應(yīng)該在約150至350℃的溫度范圍內(nèi)。
本發(fā)明中，電鍍上述氧化鎂薄膜的階段，在氫氣或含有氫原子的氣體中進(jìn)行電鍍，因此，可以分為電鍍氧化鎂薄膜的階段與在氫氣或含有氫原子的氣體中加熱氧化鎂薄膜的階段。此時(shí)，節(jié)省了大量空間，在經(jīng)濟(jì)方面非常有益。
本發(fā)明中，電鍍上述氧化鎂薄膜后，可以用氫等離子處理上述氧化鎂薄膜，形成鎂-氫結(jié)合物。
上述氫等離子處理，不僅可以清除氧化鎂薄膜表面的雜質(zhì)，還可以有效地在氧化鎂薄膜上形成鎂-氫結(jié)合物。
具體的方法是，將真空密封裝置內(nèi)的氫離子源，用等離子電離。然后，加速上述氫離子，使其具有高的運(yùn)動能量。并向氧化鎂薄膜表面沖撞，使氫離子注入氧化鎂薄膜內(nèi)。注入的氫離子具有數(shù)十至數(shù)百keV的能量并與氧化鎂薄膜沖撞，沖撞的氫離子從表面滲透至數(shù)十至數(shù)百nm的深度，形成鎂-氫結(jié)合物。
如上所述，本發(fā)明中的等離子顯示面板，在氧化鎂薄膜上形成鎂-氫結(jié)合物，防止氧化鎂薄膜被二氧化碳等雜質(zhì)污染。
又，上述氧化鎂薄膜上形成的鎂-氫結(jié)合物比鎂-氧結(jié)合物的帶隙(band gap)小，易于放射二次電子。因此，通過從氧化鎂薄膜放射的二次電子數(shù)量的增加，可以降低放電電壓，并且可以減少等離子顯示面板的電量消耗。
又，本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法，在電鍍氧化鎂薄膜的過程中，在電鍍密封裝置內(nèi)流動氫氣或含有氫原子的氣體，將鎂-氫結(jié)合物的生成階段與電鍍階段合二為一，因此簡化了工序。
又，本發(fā)明中的等離子顯示面板制造方法，利用氫等離子處理，形成鎂-氫結(jié)合物，同時(shí)可以有效地清除氧化鎂薄膜上的雜質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種氧化鎂薄膜，形成于等離子顯示面板的電介質(zhì)層上部，其特征在于上述氧化鎂薄膜含有鎂-氫結(jié)合物。
2.一種等離子顯示面板，包含具有下面基板，下面基板上形成的定位電極，下板電介質(zhì)層，隔層，熒光體層的下板；及具有上部基板，上部基板下端形成的維持電極，掃描電極，上板電介質(zhì)層，氧化鎂薄膜，并使定位電極與維持電極垂直相交的，與上述下板相結(jié)合的上板。其特征在于上述氧化鎂薄膜含有鎂-氫結(jié)合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示面板，其特征在于上述鎂-氫結(jié)合物是鎂與重氫的結(jié)合物。
4.一種等離子顯示面板制造方法，包含在下面基板上依次累積定位電極，下板電介質(zhì)層，隔層，熒光體層，形成下板的階段；在上部基板上依次累積維持電極，掃描電極，上板電介質(zhì)層，氧化鎂薄膜，形成上板的階段；及使上述定位電極與維持電極垂直相交地密封上板與下板的階段；其特征在于上述氧化鎂薄膜的累積，包含在上述上板電介質(zhì)層上累積氧化鎂薄膜的階段；及在氫氣或含有氫原子的氣體中加熱氧化鎂薄膜的階段。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子顯示面板制造方法，其特征在于上述氧化鎂薄膜的加熱溫度應(yīng)在約150至350℃的溫度范圍內(nèi)。
6.一種等離子顯示面板制造方法，包含在下面基板上依次累積定位電極，下板電介質(zhì)層，隔層，熒光體層，形成下板的階段；在上部基板上依次累積維持電極，掃描電極，上板電介質(zhì)層，氧化鎂薄膜，形成上板的階段；及密封上板與下板的階段；其特征在于上述氧化鎂薄膜的累積，在氫氣或含有氫原子的氣體中，在上述上板電介質(zhì)層上電度氧化鎂薄膜而形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中的任意一項(xiàng)所述的等離子顯示面板制造方法，其特征在于上述氫氣是重氫。
8.根據(jù)權(quán)利要求4至6中的任意一項(xiàng)所述的等離子顯示面板制造方法，其特征在于上述含有氫原子的氣體是SiH4，Si2H8或NH3中的一種氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求4至6中的任意一項(xiàng)所述的等離子顯示面板制造方法，其特征在于上述氫氣或含有氫原子的氣體，是將上述氣體以5至400sccm流動形成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求4至6中的任意一項(xiàng)所述的等離子顯示面板制造方法，其特征在于上述氧化鎂薄膜的電鍍可以利用電子束離子電鍍法電鍍。
11.一種等離子顯示面板制造方法，包含在下面基板上依次累積定位電極，下板電介質(zhì)層，隔層，熒光體層，形成下板的階段；在上部基板上依次累積維持電極，掃描電極，上板電介質(zhì)層，氧化鎂薄膜，形成上板的階段；及使上述定位電極與維持電極垂直相交地密封上板與下板的階段；其特征在于上述氧化鎂薄膜的累積，包含在上述上板電介質(zhì)層上累積氧化鎂薄膜的階段；及用氫等離子體處理上述氧化鎂薄膜的階段。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子顯示面板用氧化鎂薄膜，利用上述氧化鎂薄膜的等離子顯示面板及其制造方法，其中包含具有下面基板，下面基板上形成的定位電極，下板電介質(zhì)層，隔層，熒光體層的下板；及具有上部基板，上部基板下端形成的維持電極，掃描電極，上板電介質(zhì)層，氧化鎂薄膜，并使定位電極與維持電極垂直相交的，與上述下板相結(jié)合的上板。上述氧化鎂薄膜含有鎂－氫結(jié)合物。本發(fā)明可以防止氧化鎂薄膜被二氧化碳等雜質(zhì)污染，并且通過氧化鎂薄膜放射的二次電子數(shù)量的增加，可以降低放電電壓，因此，可以減少等離子顯示面板的電量消耗。
文檔編號H01J9/00GK1945781SQ20061015335
公開日2007年4月11日 申請日期2006年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月14日
發(fā)明者李范周, 崔倫永, 李暻和, 鄭宰祥 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司