專利名稱：：形成保護層的材料、保護層及等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于等離子體顯示面板的保護層、包括該保護層的等離子體顯示面板以及制備該保護層的方法。
背景技術(shù)：
：等離子體顯示面板(PDP)的常規(guī)保護層包括通過在氧化鎂薄膜上涂敷氧化鎂粉末而形成的雙層，其中氧化鎂粉末通過氣相沉積來制備。具體地，通過在腔室中加熱鎂以及將諸如氧氣(02)、氫氣(H2)或氬的氣體注入到腔室中并進行氧化來制備用于形成常規(guī)保護層的氧化鎂粉末。如上所述制備的氧化^:粉末有許多的缺陷和相對多的雜質(zhì)。本發(fā)明的實施例克服了相關(guān)技術(shù)中的問題并提供了額外的優(yōu)點。
發(fā)明內(nèi)容一些實施例涉及由以下方法制備的MgO粉末，該方法包括在空氣中將Mg加熱到足以產(chǎn)生Mg蒸汽的溫度；使Mg與空氣反應(yīng)并自然氧化以產(chǎn)生MgO粉末，其中氧化鎂粉末具有在約300nm到約370nm波長的陰極發(fā)光光譜第一發(fā)射峰和在約600nm到約640nm波長的第二發(fā)射峰，以及其中第一發(fā)射峰與第二發(fā)射峰的強度比從約1:0.4到約1:0.6。在一些實施例中，MgO包括鎳(Ni)、鐵(Fe)、硼(B)、硅(Si)、錳(Mn)、鉻(Cr)、鉤(Ca)、銅(Cu)、鋯(Zr)、鋁(Al)和鈉(Na)，每個的重量比小于2ppm。一些實施例還包括在約700nm到約800nm波長的第三發(fā)射峰，其中第一發(fā)射峰與第三發(fā)射峰的強度比從約1:0.25到約1:0.45。一些實施例涉及一種保護層，該保護層包括MgO，該MgO具有陰極發(fā)光光譜的在約300nm到約370nm波長的第一發(fā)射峰和在約600nm到約640nm波長的第二發(fā)射峰，其中第一發(fā)射峰與第二發(fā)射峰的強度比從約1:0.4到約1:0.6。在一些實施例中，MgO包括鎳(Ni)、鐵(Fe)、硼(B)、硅(Si)、錳(Mn)、鉻(Cr)、鈣(Ca)、銅(Cu)、鋯(Zr)、鋁(Al)和鈉(Na)，每個的重量比小于2ppm。一些實施例還包括，其中氧化鎂粉末具有在約700nm到約800nm波長的第三發(fā)射峰，其中第一發(fā)射峰與第三發(fā)射峰的強度比從約1:0.25到約1:0.45。一些實施例涉及一種等離子體顯示面板，該等離子體顯示面板包括前面板，光穿過該前面板發(fā)射到PDP的外部；后面板，磷光體設(shè)置在該后面板上；多個透明電極，設(shè)置在前玻璃基板上；匯流電極，設(shè)置在透明電極上并平行于透明電極；前電介質(zhì)層，構(gòu)造為覆蓋透明電極和匯流電極；保護層，構(gòu)造為覆蓋前電介質(zhì)層；以及放電氣體，其中保護層包括MgO,該MgO具有陰極發(fā)光光譜的在約300nm到約370nm波長的第一發(fā)射峰和在約600到約640nm波長的第二發(fā)射峰，其中第一發(fā)射峰與第二發(fā)射峰的強度比從約1:0.4至i鄉(xiāng)勺1:0.6。在一些實施例中，保護層包括第一保護部分和第二保護部分，其中第一保護部分包括多晶氧化鎂，其中第二保護部分包括MgO。在一些實施例中，第二保護部分不規(guī)則地形成在第一保護部分上。在一些實施例中，第二保護部分的最大強度是第一保護部分的最大強度的約0.5到約10倍。在一些實施例中，第一保護部分包括多'晶氧化鎂，該多晶氧化鎂具有在約380nm到約400nm波長的陰極發(fā)光光鐠發(fā)射峰。在一些實施例中，MgO包括鎳(Ni)、鐵(Fe)、硼(B)、硅(Si)、錳(Mn)、鉻(Cr)、鉤(Ca)、銅(Cu)、鋯(Zr)、鋁(Al)和鈉(Na),每個的重量比小于2ppm。一些實施例還包括，其中氧化鎂粉末具有在約700nm到約800nm波長的第三發(fā)射峰，其中所述第一發(fā)射峰與第三發(fā)射峰的強度比從約1:0.25到約1:0.45。在一些實施例中，第二保護部分基本覆蓋第一保護部分的整個上表面(topsurface)。在一些實施例中，通過從圖案化和注入印刷(injectprinting)組成的組中選出的一種方法來形成第二保護部分。在一些實施例中，放電氣體包括Xe。在一些實施例中，放電氣體包括約10%Xe。通過參照附圖對本發(fā)明的示范性實施例進行詳細描述，本發(fā)明的上述和其它的特征以及優(yōu)點將變得更加明顯，附圖中圖1是根據(jù)實施例的等離子體顯示面板(PDP)的分解透視圖；圖2是圖1的PDP的沿線I-I，得到的截面圖3A和圖3B是示出形成每個保護層的材料的陰極發(fā)光光譜的曲線圖4A和圖4B是根據(jù)實施例的保護層的SEM圖像；圖5A和圖5B是示出在含有體積分數(shù)為15%的氙(Xe)的》丈電氣氛下每個保護層的點火電壓(firingvoltage)和維持電壓的圖6A和圖6B是示出在含有體積分數(shù)為50%的氙(Xe)的放電氣氛下每個保護層的點火電壓和維持電壓的圖7和圖8是示出光電發(fā)射特性的曲線圖。具體實施例方式現(xiàn)在參照附圖更全面地描述本發(fā)明的實施例，在附圖中示出了示范性實施例。本發(fā)明實施例提供了一種用于形成PDP的保護層的材料，該材料具有很少的缺陷和很少的雜質(zhì)。本發(fā)明實施例還提供了一種制備該材料的方法以及包括由該材料形成的保護層的PDP。根據(jù)實施例，提供了一種用于形成PDP的保護層的材料，該材料包括氧化鎂粉末，其中，當(dāng)測量陰極發(fā)光光譜時，氧化鎂粉末具有在從約300到約370nm波長范圍內(nèi)的第一發(fā)射峰以及在從約600到約640nm波長范圍內(nèi)的第二發(fā)射峰。第一發(fā)射峰與第二發(fā)射峰的強度比可以從約1:0.40到約1:0.60。此外，氧化鎂粉末還可以包括在從約700到約800nm波長范圍內(nèi)的第三發(fā)射峰。第一發(fā)射峰與第三發(fā)射峰的強度比可以從約1:0.25到約1:0.45。氧化鎂可以通過自然氧化形成，在自然氧化中鎂被加熱而不用人為的氣體注入o根據(jù)另一實施例，提供了包括由該材料形成的保護層的PDP。保護層可以通過在溶劑中分散氧化鎂粉末以制備溶液并通過旋涂、濺射或印刷來涂敷該溶液來形成。因此，該材料的陰極發(fā)光特性被轉(zhuǎn)移到保護層。當(dāng)測量陰極發(fā)光光譜時，保護層具有在從約300到約370nrn波長范圍內(nèi)的第一發(fā)射峰以及在從約600到約640nm波長范圍內(nèi)的第二發(fā)射峰。第一發(fā)射峰與第二發(fā)射山f的強度比可以乂人約1:0.40到約1:0.60。此外，保護層還可以包括在從約700到約800nm波長范圍內(nèi)的第三發(fā)射峰。第一發(fā)射峰與第三發(fā)射峰的強度比可以從約1:0.25到約1:0.45?，F(xiàn)在將解釋根據(jù)本發(fā)明實施例的用于形成保護層的材料以及制備該材料的方法。在空氣中加熱顆粒(granule)或碎片(chip)形式的鎂(Mg)以產(chǎn)生蒸汽。鎂可以在空氣或含有空氣和惰性氣體的氣氛中通過加熱方法(例如火焰加熱(torchheating)、電阻加熱或高頻感應(yīng)加熱)來加熱。當(dāng)蒸汽與空氣反應(yīng)并被自然氧化時，產(chǎn)生了氧化鎂。當(dāng)鎂被加熱到超過預(yù)定水平的溫度時，鎂被點燃以產(chǎn)生蒸汽。所產(chǎn)生的蒸汽與空氣反應(yīng)從而制備熱力學(xué)穩(wěn)定的氧化鎂粉末。當(dāng)測量陰極發(fā)光光譜時，氧化鎂粉末具有在從約300到約370nm波長范圍內(nèi)的第一發(fā)射峰以及在從約600到約640nm波長范圍內(nèi)的第二發(fā)射峰。第一發(fā)射峰與第二發(fā)射峰的強度比可以從約1:0.40到約1:0,60。此外，氧化鎂粉末還包括在從約700到約800nm波長范圍內(nèi)的第三發(fā)射峰。氧化鎂粉末的第一發(fā)射峰與第三發(fā)射峰的強度比可以從約1:0.25到約1:0.45。此外，氧化鎂粉末的發(fā)射峰的最大強度是常規(guī)氧化鎂薄膜發(fā)射峰的約0.5到約10倍，其中常規(guī)氧化鎂薄膜具有在380到400nm波長范圍內(nèi)的發(fā)射峰。由于常規(guī)氧化鎂薄膜具有380到400nm波長范圍內(nèi)的發(fā)射峰，常規(guī)氧化鎂薄膜具有被稱為F+中心的缺陷，在該缺陷中單個電子被氧空位俘獲。因此，常規(guī)氧化鎂薄膜具有？+中心，根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化鎂粉末的發(fā)射峰的最大強度為常規(guī)氧化鎂薄膜的發(fā)射峰強度的約0.5到約10倍。根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化鎂粉末的在從約300到約370nm波長范圍內(nèi)的發(fā)射峰的最大強度是常規(guī)氧化鎂薄膜的在從380到400nm波長范圍內(nèi)的發(fā)射峰的最大強度的0.5到約10倍。由于根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化鎂粉末的具有最大強度的發(fā)射峰不在380到400nm的波長范圍內(nèi)，氧化鎂粉末不具有該缺陷。這里，氧化鎂薄膜是采用單晶氧化鎂球(pellet)或多晶氧化鎂燒結(jié)體作為源并通過諸如電子束(e-beam)沉積或離子電鍍法的沉積方法制備的多晶氧化鎂薄膜。然而，根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化鎂粉末不具有被稱為F+中心的缺陷，因為該氧化鎂粉末的發(fā)射峰不在380到400nrn波長范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化鎂粉末的發(fā)射峰的最大強度是通過人為注入氣體而氧化的氧化鎂粉末的約1/1000。由于根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化鎂粉末是自然氧化的，氧化鎂粉末具有很少的外部限制并且是熱力學(xué)穩(wěn)定的，從而導(dǎo)致相對少的缺陷。此外，由于在大氣壓下鎂的熔點和沸點分別低到約922K和約1364K,當(dāng)制備根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化鎂粉末時，大部分被認為是雜質(zhì)的其他金屬不產(chǎn)生蒸汽，從而使得可以制造高純度的氧化鎂。高純度氧化鎂粉末可以包含鎳(Ni)、鐵(Fe)、硼(B)、硅(Si)、錳(Mn)、鉻(Cr)、鈣(Ca)、銅(Cu)、鋯(Zr)、鋁(Al)和鈉(Na)中的至少一種雜質(zhì)，雜質(zhì)的量在氧化鎂粉末的總重量的基礎(chǔ)上少于約2ppm的重量分數(shù)。現(xiàn)在將參照圖1和圖2解釋包括由該材料形成的保護層的PDP。參照圖1和圖2,PDP包括前面板100和后面板200,光穿過前面板100發(fā)射到PDP外部，磷光體設(shè)置在后面板200上以發(fā)射光。關(guān)于前面板100，多個透明電極120設(shè)置在前玻璃基^反IIO上并在X方向延伸，匯流電極130設(shè)置在透明電極120上并與透明電極120平行。前電介質(zhì)層140和保護層150順序地堆疊在前玻璃基板110上以覆蓋透明電極120和匯流電極130。前電介質(zhì)層140可以保護透明電極120和匯流電極130而不與參與放電的帶電顆粒直接碰撞。前電介質(zhì)層140可以被保護層150保護。保護層150可以包括第一保護層151和第二保護層153。第一保護層151是采用氧化鎂燒結(jié)體作為源并通過電子束沉積或離子電鍍法制備的多晶氧化鎂薄膜。氧化鎂燒結(jié)體通過燒結(jié)氧化鎂粉末形成，氧化鎂粉末可以根據(jù)本發(fā)明實施例通過沉淀(precipitation)、常規(guī)氣相沉積或特定氣相沉積來制備。第二保護層153通過在溶劑中分散如上所述制備的氧化鎂粉末以制備溶液并且在第一保護層151上通過i走涂、濺射或印刷來涂#"亥溶液而形成。該溶液可以包括各種添加劑(例如，*劑、表面活性劑或抗氧化劑)以及溶劑。由于通過在第一保護層151上涂敷氧化鎂粉末來形成第二保護層153,8氧化鎂粉末的特性被轉(zhuǎn)移到第二保護層153。也就是，當(dāng)測量陰極發(fā)光光譜時，第二保護層153可以具有在從約300到約370nrn波長范圍內(nèi)的第一發(fā)射峰以及在從約600到約640nrn波長范圍內(nèi)的第二發(fā)射峰。此外，第二保護層153還包括在從約700到約800nm波長范圍內(nèi)的第三發(fā)射峰。第二保護層153的第一發(fā)射峰與第二發(fā)射峰的強度比可以從約1:0.40到約1:0.60。此外，第二保護層153的第一發(fā)射峰與第三發(fā)射峰的強度比可以從約1:0.25到約1:0.45。相反地，第一保護層151具有在從約380到約400nrn波長范圍內(nèi)的發(fā)射峰，并具有F+中心。即使第二保護層153具有F+中心，第二保護層153的F+中心也少于第一保護層151的F+中心。此外，第二保護層153的最大強度是第一保護層151的最大強度的0.5至10倍。第一保護層151對應(yīng)于氧化鎂薄膜。由于氧化鎂薄膜被轉(zhuǎn)移到第一保護層151，第一保護層151的陰極發(fā)光光譜和缺陷特性對應(yīng)于氧化鎂薄膜的陰極發(fā)光光譜和缺陷特性。盡管第二保護層153可以覆蓋第一保護層151上表面的100%,但是本發(fā)明實施例不限于此，為了改善透射率，第二保護層153可以只覆蓋第一保護層151上表面的1%或以上。此外，盡管第二保護層153可以不規(guī)則地形成在第一保護層151上，但是本發(fā)明實施例不限于此，第二保護層153可以通過圖案化或噴墨印刷形成以具有預(yù)定圖案。第二保護層153可以形成在第一保護層151上以對應(yīng)于阻擋肋240和匯流電極130，匯流電極130在放電期間被覆蓋從而不發(fā)射光到PDP的外部。盡管在圖1和圖2中保護層150具有包括第一保護層151和第二保護層153的雙層結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明實施例不限于此，保護層150可以只包括第二保護層153。為了提高產(chǎn)率，可以首先形成第一保護層151(其能夠容易地覆蓋前電介質(zhì)層140),然后第二保護層153可以形成在第一保護層151上，從而形成保護層150。關(guān)于后面板200,多個尋址電極220設(shè)置在后玻璃基4反210上并在Y方向延伸。后電介質(zhì)層230設(shè)置為覆蓋尋址電極220,阻擋肋240形成為將放電空間分隔為多個放電單元Ce。磷光體層250設(shè)置在放電單元Ce中。磷光體層250設(shè)置在阻擋肋240的側(cè)壁上以及后電介質(zhì)層230上。具體地，磷光體層250可以分別設(shè)置在多個放電單元Ce中。更具體地，紅色磷光體層、綠色磷光體層和藍色磷光體層可以分別設(shè)置在放電單元Ce中。放電氣體作9為紫外線源:坡注入到放電單元Ce中。放電氣體可以是包括預(yù)定體積比的氙(Xe)、氪(Kr)、氦(He)和氖(Ne)的多組分氣體，從而發(fā)射出紫外線以激發(fā)磷光體層250。具體地，即使在含有體積分數(shù)為50%的氙(Xe)的放電氣體氣氛下，第二保護層153也可以顯著地減小點火電壓和維持電壓。因此，可以使用含有大量氙(Xe)(例如，含有基于放電氣體總體積的10%或以上)的放電氣體。含有大量氙(Xe)的放電氣體具有高的發(fā)光效率，但在實踐中使用含大量氙(Xe)的放電氣體存在限制，因為需要高的點火電壓，增大了驅(qū)動電壓和功率損耗，用于增大額定功率的電路需要被重新設(shè)計。然而，由于根據(jù)本發(fā)明實施例的保護層可以減小點火電壓和維持電壓，含有大量氣(Xe)的放電氣體的缺陷能夠被克服。參照圖2，由于阻擋肋240，每個放電單元Ce形成獨立于相鄰放電單元的獨立區(qū)域。具體地，放電單元Ce包括維持電極對X和Y以及在垂直于維持電極對X和Y的方向延伸的尋址電極220。每個維持電極對X和Y包括X電極X和Y電極Y。X電才及X包括X透明電極120X和X匯流電極130X，Y電極Y包括Y透明電極120Y和Y匯流電極130Y。電壓被交替施加到維持電極對X和Y以產(chǎn)生顯示放電。在顯示ii電之前，在Y電極Y和尋址電極220之間產(chǎn)生尋址放電。尋址放電能夠使引火粒子(primingparticle)在將被顯示的放電單元Ce中積累，從而產(chǎn)生顯示放電并發(fā)射光到PDP的外部?，F(xiàn)在將詳細解釋用于形成保護層的材料的實施例、比較例和對比例以及對實施例、比4史例和對比例的評估。用于保護層的材料的實施例-氧化鎂粉末Alg的小球形式的鎂在丙烷-氧氣火焰中燃燒15秒。丙烷-氧氣火焰在700到900。C溫度被點燃，4美被加熱到2300到3300°C的溫度以產(chǎn)生蒸汽。蒸汽被收集以制造氧化鎂粉末A。這里，鎂在不含有惰性氣體和人造氣體的大氣環(huán)境中加熱。用于保護層的材料的比較例-氧化鎂粉末B氧化鎂粉末B通過沉淀法制備。通過使用氫氧化鈉、氫氧化鈣和煅燒白云石(calciumdolomite),溶解在海水中的鎂離子被沉淀為氫氧化鎂。也就是，氫氧化鎂通過由化學(xué)式1表示的反應(yīng)獲得，并在500。C或以上的溫度熱處理以通過由化學(xué)式2表示的反應(yīng)獲得氧化4美粉末B。MgCl2+2NaOH=Mg(OH》+2NaCl(1)Mg(OH)2—MgO+H20(2)用于保護層的材料的比較例2-氧化鎂粉末Clg的鎂在腔體中經(jīng)受電阻加熱以產(chǎn)生鎂蒸汽。氧氣(02)和氬氣(Ar)分別以2升/分鐘和5升/分鐘的流速添加到鎂蒸汽中，從而制備氧化鎂粉末C。用于保護層的材料的比較例3-氧化鎂粉末D以與形成保護層的材料的比較例2相同的方式制備氧化鎂粉末D，除了氧氣(〇2)和氬氣(Ar)分別以10升/分鐘和1升/分鐘的流速添加到鎂蒸汽中。對比例-多晶氧化鎂薄膜E通過采用100g多晶氧化鎂小球作為源的電子束沉積，在電介質(zhì)層上制備厚度為7000A的多晶氧化鎂薄膜E。通過燒結(jié)比較例1的氧化鎂粉末B來制備多晶氧化鎂小球。評估l:陰極發(fā)光光譜評估實施例和比較例的氧化4美粉末A、B、C和D以及對比例的多晶氧化鎂薄膜E的陰極發(fā)光特性。氧化鎂粉末A、B、C和D的每個都被壓以制備小球。該小球被制備為具有90%到95%的表面-體積比。氧化鎂粉末A、B、C和D的小球的陰極發(fā)光特性通過加速并聚焦5keV的電子束來測量。對比例的多晶氧化鎂薄膜E的陰極發(fā)光特性也通過加速并聚焦5keV的電子束來測量。使用的電子束源是由KimballPhysics制造的Ta盤、EGPS-3101C，在電子束與小球碰撞期間的光斑尺寸(spotsize)為約lmm。此外，使用的分光計是由Action制造的SpectraPro2500i,強度是計算在300、500和750光柵數(shù)/毫米(gratings/mm)下測量的強度的總和。參照圖3A，實施例的氧化鎂粉末A具有在300到500nrn波長范圍內(nèi)的發(fā)射峰。具體地，氧化鎂粉末A具有在300到370nm波長范圍內(nèi)的發(fā)射峰、在600到640nm波長范圍內(nèi)的第二發(fā)射峰以及在700到800nm波長范圍內(nèi)的第三發(fā)射峰。發(fā)射峰、第二發(fā)射峰、第三發(fā)射峰的強度比為約1:0.52:0.37。發(fā)射峰的強度為300計數(shù)/秒(count/sec)。由沉淀法制備的氧化鎂粉末B具有在300到450nm波長范圍內(nèi)的最大強度的發(fā)射峰以及在650到750nm波長范圍內(nèi)的第二高強度的發(fā)射峰。發(fā)射峰的最大強度為大約800計IW秒。對比例的多晶氧化鎂薄膜E具有在350到450nrn波長范圍內(nèi)的最大強度的發(fā)射峰以及在650到750nm波長范圍內(nèi)的第二高強度的發(fā)射峰。參照圖3B，由其它氣相沉積法制備的氧化鎂粉末C和D具有在約200nm到約250nm、約450nm到約500nm以及約650nm到約750nm的波長范圍內(nèi)的發(fā)射峰。氧化鎂粉末C和D的發(fā)射峰的最大強度分別為卯OOO和40000計數(shù)/秒。因此，由于根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化鎂粉末A的光鐠不同于氧化鎂粉末B、C和D以及多晶氧化鎂薄膜E的光譜，實施例的氧化鎂粉末A的缺陷不同于氧化鎂粉末B、C和D以及多晶氧化鎂薄膜E的缺陷。此外，由于實施例的氧化鎂粉末A的發(fā)射峰的最大強度比氧化鎂粉末B、C和D的強度低很多，實施例的氧化鎂粉末A具有比氧化鎂粉末B、C和D更少的缺陷。也就是，實施例的氧化鎂粉末A具有優(yōu)良的結(jié)晶特性。評估2對5g的氧化鎂粉末A、B、C和D的每個進行感應(yīng)耦合等離子體(ICP)分析，ICP分析的結(jié)果在表1中示出。在表l中，ND表示未檢測到(non-detected)。表1(PPm)NiFeBSiMnCrCaCuZrAlNaANDNDNDNDND<1.0NDNDNDNDNDBND1.5ND<1.0<1.0<1.09.1<1.0NDND155CNDNDNDND2.4<1.0NDNDNDND4.1DNDNDNDND11<1.06.8NDNDND參照表1，實施例的氧化鎂粉末A具有比比較例的氧化鎂粉末B、C和D更少的缺陷。具體地，5g實施例的氧化鎂粉末A含有l(wèi).Oppm雜質(zhì)，5g比較例的氧化鎂粉末B、C和D分別具有約168.6、7.5和18.8ppm雜質(zhì)。現(xiàn)在將詳細解釋采用前述材料形成的PDP保護層的實施例、比較例以及評估。用于PDP的保護層的實施例-保護層A在盤型銀(Ag)電極形成在基板上之后，氧化鉛基電介質(zhì)層在該電極上12形成約35pm的厚度，其中盤型銀電極產(chǎn)生對向方丈電(opposeddischarge)并具有8mm的直徑，基板是由Asahi制造的PD200。通過采用多晶氧化鎂源的電子束沉積，第一保護層形成在電介質(zhì)層上達到700nm的厚度。300mg的實施例的氧化鎂粉末與5ml無水酒精混合以制備溶液，該溶液通過旋涂被涂敷在第一保護層上達到lpm的厚度，從而形成第二保護層。用于PDP保護層的對比例1-保護層B以與上述實施例的保護層相同的方法制備保護層，除了用對比例1的氧化鎂粉末B代替實施例的氧化鎂粉末A，并采用旋涂。用于PDP保護層的對比例2_保護層C以與上述實施例的保護層相同的方法制備保護層，除了用對比例2的氧化鎂粉末C代替實施例的氧化鎂粉末A，并采用旋涂。用于PDP保護層的對比例3-保護層D以與上述實施例的保護層相同的方法制備保護層，除了用對比例3的氧化鎂粉末D代替實施例的氧化鎂粉末A，并采用旋涂。評估3圖4A和圖4B是實施例的保護層表面的掃描電子顯微(SEM)圖像。圖4A是放大500倍得到的SEM圖像，圖4B是放大100000倍得到的SEM圖像。參照圖4B,多個單晶氧化鎂顆粒聚集。單晶氧化鎂顆粒具有基本均勻的從100到500nm的尺寸。評估4在含有體積分數(shù)為15%的氙(Xe)和體積分數(shù)為85%的氖(Ne)的放電氣氛下，采用2kHz正弦波測量實施例和比較例的保護層A到D的每個的點火電壓和維持電壓。還在含有體積分數(shù)為15%的氙(Xe)和體積分數(shù)為85%的氖(Ne)的放電氣氛下，釆用2kHz正弦波測量對比例的多晶氧化鎂薄膜E的點火電壓和維持電壓。參考示出點火電壓的圖5A和示出維持電壓的圖5B，保護層A的點火電壓和維持電壓比保護層B及保護層C和D的點火電壓和維持電壓低得多。具體地，保護層A的點火電壓和維持電壓比對比例的多晶氧化鎂薄膜E的低大約35%。評估550%的氙(Xe)和體積分數(shù)為50%的氖(Ne)的放電氣氛下，以與評估4相同的方法測量點火電壓和維持電壓。參照圖6A和圖6B,保護層A的點火電壓和維持電壓比保護層B、C和D的點火電壓和維持電壓低得多，并比對比例的多晶氧化4美薄膜E的點火電壓和維持電壓低大約35%。此外，即使在氙含量增大到體積分數(shù)為50%之后，保護層A的點火電壓和維持電壓比在含有體積分數(shù)為15%的氛的氣氛下對比例的多晶氧化^:薄膜E點火電壓和維持電壓低得多，從而提高了放電效率并保證穩(wěn)定的工作。評估6評估實施例、比較例和對比例的保護層A到D的發(fā)光特性。具體地，制備每個保護層的具有2x2.5cm的尺寸的樣品，為了激活并清潔樣品的表面，樣品表面采用Ar+離子以lkeV在300。C溫度掃描240分鐘，并被254nm紫外線(UV)源激發(fā)，通過采用在樣品上方約1到2cm高度處的電子探測器來測量從樣品發(fā)射的電子的數(shù)量。參照圖7，保護層A具有比比較例的保護層B、C和D高得多的發(fā)光特性。因此，在實際放電期間，放電電壓可以通過增大Yeffective值來減小。Effective值可以由下式定義Yeffective^Yion+Ymetastable+"7photon+Yexo+'..(1)如數(shù)學(xué)公式1所示，放電空間中的有效二次電子發(fā)射可以不僅通過離子引起的電勢發(fā)射(potentialemission)來決定，還通過激發(fā)態(tài)物種(excitedspecies)、光子引起的二次電子發(fā)射和外逸電子發(fā)射(exo-emission)來確定。評估7在切斷放電電壓的供應(yīng)之后，測量大約300秒發(fā)射的二次電子的數(shù)量。制備尺寸為2x2.5cm的每個保護層的樣品，采用160nrn真空紫外線(VUV)源激發(fā)每個保護層的樣品5分鐘，通過使用在樣品上方大約1到2cm高度處的電子探測器來測量在去除VUV源之后5秒鐘內(nèi)從該樣品發(fā)射的電子數(shù)量。參照圖8，即使在切斷放電電壓的供應(yīng)之后，保護層A具有比比較例的保護層B、C和D的發(fā)光特性高得多的發(fā)光特性。此外，保護層A的外溢電子發(fā)射特性比對比例的多晶氧化鎂薄膜E的高成百上千倍。保護層A隨時間減小的電子數(shù)量也小于保護層B、C和D及對比例的多晶氧化鎂薄膜E。保護層A顯示出一階指數(shù)衰減。在保護層A中，導(dǎo)電電子存在于導(dǎo)帶附近，至少一個導(dǎo)電電子可以存在于固有形成在保護層A中的電子陷阱中。在激發(fā)后，保留在電子陷阱中的導(dǎo)電電子與空穴復(fù)合。然而，在保護層C和D中，不僅存在電子陷阱還存在各種機制的復(fù)合中心，從而增大了陰極發(fā)光強度并《1起不同的電子發(fā)射減小。在隨后的放電期間從保護層A發(fā)射的大量電子減小了放電延遲時間并增大了光電發(fā)射中的Yeffective值，從而減小了放電電壓。如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例的由特定氣相沉積制備的材料形成的保護層是單晶保護層，該單晶保護層含有極少量的雜質(zhì)，是熱力學(xué)穩(wěn)定的，具有很少的缺陷并且還具有由高的光子發(fā)射和外逸電子發(fā)射導(dǎo)致的高Effective值。因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的保護層能夠顯著地減小點火電壓和維持電壓。因此，通過增大氙的含量，根據(jù)本發(fā)明實施例的保護層能夠顯著提高放電效率，其中增大氙的含量是PDP研究中的最大挑戰(zhàn)。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示范性實施例具體示出并描述了本發(fā)明的實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在形式和細節(jié)上做出各種變化而不背離由權(quán)利要求書限定的本發(fā)明實施例的精神和范圍。權(quán)利要求1.一種由以下方法制備的氧化鎂粉末，該方法包括在空氣中將鎂加熱到足以產(chǎn)生鎂蒸汽的溫度；使鎂與空氣反應(yīng)并自然氧化以產(chǎn)生所述氧化鎂粉末，其中所述氧化鎂粉末具有陰極發(fā)光光譜的在300nm到370nm波長的第一發(fā)射峰和在600到640nm波長的第二發(fā)射峰，并且其中所述第一發(fā)射峰與所述第二發(fā)射峰的強度比從1∶0.4到1∶0.6。2.如權(quán)利要求1所述的氧化鎂粉末，其中所述氧化鎂粉末包括鎳、鐵、硼、硅、錳、鉻、鉤、銅、鋯、鋁和鈉，每個的重量比小于2ppm。3.如權(quán)利要求1所述的氧化鎂粉末，還包括在700nm到800nm波長的第三發(fā)射峰，其中所述第一發(fā)射峰與第三發(fā)射峰的強度比從1:0.25到1:0.45。4.一種保護層，包括氧化鎂，具有陰極發(fā)光光譜的在300nm到370nm波長的第一發(fā)射峰和在600到640nm波長的第二發(fā)射峰，其中所述第一發(fā)射峰與所述第二發(fā)射峰的強度比從l:0.4到1:0.6。5.如權(quán)利要求4所述的保護層，其中所述氧化鎂包括鎳、鐵、硼、硅、錳、鉻、4丐、銅、鋯、鋁和鈉，每個的重量比小于2ppm。6.如權(quán)利要求4所述的保護層，其中所述氧化4美具有在700nm到800nm波長的第三發(fā)射峰，其中所述第一發(fā)射峰與所述第三發(fā)射峰的強度比從1:0.251:0.45。7.—種等離子體顯示面板，包括前面板，光穿過該前面板發(fā)射到所述等離子體顯示面板的外部，后面板，磷光體設(shè)置在該后面板上，多個透明電極，設(shè)置在前玻璃基板上，匯流電極，設(shè)置在所述透明電極上并平行于所述透明電極，前電介質(zhì)層，構(gòu)造為覆蓋所述透明電極和所述匯流電極，保護層，構(gòu)造為覆蓋所述前電介質(zhì)層，以及放電氣體，其中所述保護層包括氧化鎂，該氧化鎂具有陰極發(fā)光光譜的在300nm到370nm波長的第一發(fā)射峰和在600到640nm波長的第二發(fā)射峰，其中所述第一發(fā)射峰與所述第二發(fā)射峰的強度比從1:0.4到1:0.6。8.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中所述保護層包括第一保護部分和第二保護部分，其中所述第一保護部分包括多晶氧化鎂，其中所述第二保護部分包括所述氧化鎂。9.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中所述第二保護部分不規(guī)則地形成在所述第一保護部分上。10.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中所述第二保護部分的最大強度是所述第一保護部分的最大強度的0.5到10倍。11.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中所述第一保護部分包括多晶氧化鎂，該多晶氧化鎂具有在380nm到400nm波長的陰極發(fā)光光譜發(fā)射峰。12.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中所述氧化鎂包括鎳、鐵、硼、硅、錳、鉻、鈣、銅、鋯、鋁和鈉，每個的重量比小于2ppm。13.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中所述氧化鎂具有在700nm到800nm波長的第三發(fā)射峰，其中所述第一發(fā)射峰與所述第三發(fā)射峰的強度比從1:0.25到1:0.45。14.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中所述第二保護部分基本上覆蓋所述第一保護部分的整個上表面。15.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中通過從圖案化和注入印刷組成的組中選出的一種方法來形成所述第二保護部分。16.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中所述放電氣體包括Xe。17.如權(quán)利要求16所述的等離子體顯示面板，其中所述放電氣體包括約10%的Xe。全文摘要本發(fā)明提供了形成保護層的材料、保護層及等離子體顯示面板。用于形成保護層的材料、使用該材料的保護層以及具有該保護層的等離子體顯示面板(PDP)被公開。與使用加壓人造氣體條件下制造的MgO的常規(guī)保護層不同，本發(fā)明的保護層使用的MgO是通過加熱Mg并使其在空氣中自然氧化而制造的。結(jié)果是該MgO具有很少的缺陷，其在許多應(yīng)用中作為保護層更高效，例如在PDP中。本發(fā)明的MgO還表現(xiàn)出許多特定的光譜特性，并且所包含的每種雜質(zhì)的含量都少于約2ppm。本發(fā)明還公開了一種PDP，其利用了本發(fā)明的保護層的優(yōu)點。文檔編號C01F5/00GK101665257SQ200910173050公開日2010年3月10日申請日期2009年9月4日優(yōu)先權(quán)日2008年9月5日發(fā)明者姜東賢,尤里·馬圖雷維克,崔鐘書,文圣晥,李冞炫,秋希伶,金哉赫,金昶赫申請人:三星Sdi株式會社