等離子顯示面板用復(fù)合氧化鎂薄膜及其制法和應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及等離子顯示屏領(lǐng)域，具體涉及一種等離子顯示面板用復(fù)合氧化鎂薄膜及其制法和應(yīng)用。該復(fù)合氧化鎂薄膜包括作為基底層（2）的氧化鎂膜層和微晶顆粒層（3），微晶顆粒層（3）包括氧化鎂膜層及微晶顆粒，所述微晶顆粒包含氧化物微晶顆粒，所述氧化物微晶顆粒的氧化物與微晶顆粒層（3）的氧化鎂膜層的氧化鎂的摩爾比為0.4~24:1。該氧化鎂薄膜通過經(jīng)過兩次旋轉(zhuǎn)涂敷工藝和一次燒結(jié)工藝制備得到，改善了現(xiàn)有工藝需要先鍍好氧化鎂薄膜，再在氧化鎂薄膜表面制備氧化鎂微晶顆粒層的兩步制備的方法，工藝效率更高。本發(fā)明所制備的復(fù)合氧化鎂薄膜可應(yīng)用在PDP等氣體放電器件中，全白場亮度均勻性達(dá)到90%以上，放電電壓降低5V以上。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及等離子顯示屏領(lǐng)域，尤其涉及等離子顯示面板用介質(zhì)保護(hù)層領(lǐng)域，具 體涉及一種等離子顯示面板用復(fù)合氧化鎂薄膜及其制法和應(yīng)用。 等離子顯示面板用復(fù)合氧化鎂薄膜及其制法和應(yīng)用

【背景技術(shù)】
[0002] 等離子顯示面板（PDP)由于其具有自發(fā)光、色彩還原性好、亮度高、響應(yīng)速度快等 優(yōu)點(diǎn)成為時(shí)下平板顯示的主流產(chǎn)品之一。PDP工作時(shí)，通過施加高壓，在PDP放電區(qū)域中產(chǎn) 生等離子放電，放電期間產(chǎn)生的紫外線激發(fā)熒光粉，發(fā)射出可見光。
[0003] MgO作為TOP中的關(guān)鍵性材料之一，主要用于保護(hù)等離子顯示屏的介質(zhì)層、提供二 次電子，從而降低著火電壓，在提高器件發(fā)光亮度的同時(shí)降低功耗，延長使用壽命。MgO介質(zhì) 保護(hù)層一般通過電子束真空蒸發(fā)、磁控濺射、化學(xué)涂覆等方法在介質(zhì)層上形成MgO或摻雜 型MgO薄膜。
[0004] 近幾年，由于等離子顯示面板（PDP)的高清晰度、低功耗要求，逐漸采用了復(fù)合型 介質(zhì)保護(hù)層材料，即首先在介質(zhì)保護(hù)層上濺射、蒸鍍或涂覆一層MgO或摻雜型MgO薄膜，然 后在保護(hù)膜層上噴涂MgO微晶或摻雜型MgO微晶材料。采用電子束蒸鍍法、濺射法、離子 束電鍍法形成基底層，然后通過噴霧法、絲網(wǎng)印刷法、或靜電涂覆法，使氧化鎂的微晶顆粒 或金屬氧化物粒子散布在基底層的表面。這種含有微晶的保護(hù)膜層一方面可以在原有MgO 保護(hù)層的基礎(chǔ)上進(jìn)一步縮短放電延遲時(shí)間，放電延遲時(shí)間縮短使高速尋址可能執(zhí)行單次掃 描，降低掃描驅(qū)動(dòng)的成本；另一方面能夠提高顯示屏亮度和顯示質(zhì)量。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明人銳意研究后發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的PDP顯示面板上氧化鎂薄膜制備技術(shù)，主要使 用真空鍍膜工藝，比如電子束蒸發(fā)、磁控濺射等工藝，所使用的真空設(shè)備價(jià)格昂貴，運(yùn)行能 耗高，生產(chǎn)成本高，原材料利用率較低，一般不超過50%，鍍膜使用的靶材價(jià)格昂貴。另外， 在鍍好的氧化鎂薄膜表面制備氧化鎂微晶材料層時(shí)，還需使用噴霧或絲網(wǎng)印刷或靜涂覆等 工藝設(shè)備，前后需要兩道加工工序來完成。
[0006] S卩，本發(fā)明解決的技術(shù)問題是：現(xiàn)有PDP顯示面板上氧化鎂薄膜的制備方法生產(chǎn) 成本高，原材料利用率低，且復(fù)合型介質(zhì)保護(hù)層材料的制備需要兩道加工工序來完成。
[0007] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種PDP用氧化鎂薄膜，并提供一種工藝簡 單、成本低廉的PDP用介質(zhì)保護(hù)膜的制備方法。本專利所發(fā)明的薄膜制備工藝不僅可以降 低原材料的費(fèi)用，而且通過一次工序處理便可得到復(fù)合型介質(zhì)保護(hù)膜。
[0008] 本發(fā)明通過低廉和易行的液相涂布法制備復(fù)合型介質(zhì)保護(hù)膜，在提高顯示亮度和 顯示質(zhì)量的同時(shí)降低生產(chǎn)成本。
[0009] 具體來說，為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案：
[0010] 一種等離子顯示面板用復(fù)合氧化鎂薄膜，包括基底層（2)和微晶顆粒層（3)，所述 基底層（2)為氧化鎂膜層，所述微晶顆粒層（3)包括氧化鎂膜層及微晶顆粒，所述微晶顆粒 包含氧化物微晶顆粒，所述氧化物微晶顆粒為氧化鎂微晶顆粒或摻雜型氧化鎂微晶顆粒， 其中摻雜型氧化鎂包含氧化鎂和摻雜元素氧化物；所述氧化物微晶顆粒的氧化物與微晶顆 粒層（3)的氧化鎂膜層的氧化鎂的摩爾比為0. 4?24:1。
[0011] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜中，所述氧化物微晶顆粒的氧化物與基底層（2)中氧化鎂的 摩爾比為0. 2?25:1。
[0012] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜中，所述摻雜型氧化鎂微晶顆粒摻雜的元素選自Ca、Zn、Ti、 Li、Sr、Ba 或 Se〇
[0013] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜中，所述摻雜型氧化鎂微晶顆粒為氧化鈣鎂微晶顆粒。
[0014] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜中，所述摻雜型氧化鎂微晶顆粒中摻雜的元素與鎂的元素摩 爾比為〇· 01?〇· 2:1。
[0015] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜中，所述摻雜的元素為鈣，所述摻雜型氧化鎂微晶為氧化鈣 和氧化鎂的復(fù)合物氧化鈣鎂。
[0016] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜中，所述基底層（2)的厚度為0· 2?0· 7 μ m。
[0017] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜中，氧化鎂微晶顆?；驌诫s型氧化鎂微晶顆粒的粒徑范圍為 0. 01?1. 8μ--，包含至少兩種粒徑尺寸，分別為0. 01?0. 2μπι和1?1. 8μπι。
[0018] 本發(fā)明還提供上述等離子顯示面板用復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，包括下述步 驟：
[0019] (1)將涂布液Α涂敷在襯底（1)表面，干燥后得到薄膜a ;
[0020] (2)將涂布液B涂敷在薄膜a上，制得薄膜b ;
[0021] (3)退火后得到復(fù)合氧化鎂薄膜；
[0022] 其中，所述涂布液A由包含鎂鹽、分散劑、穩(wěn)定劑和有機(jī)溶劑的混合液陳化后制 得，所述涂布液B由氧化鎂微晶顆?；驌诫s型氧化鎂微晶顆粒分散在與涂布液A相同的溶 液中制得。
[0023] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，當(dāng)涂布液B含有氧化鎂微晶顆粒時(shí)，薄膜b中 的鎂與薄膜a中鎂的摩爾比為0. 2?25:1 ;當(dāng)涂布液B含有摻雜型氧化鎂微晶顆粒時(shí)，薄 膜b中金屬元素與薄膜a中鎂的摩爾比為0. 2?25:1。
[0024] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述涂布液A的涂覆次數(shù)優(yōu)選為1?10次， 所述涂布液B的涂覆次數(shù)優(yōu)選為1?2次。
[0025] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，摻雜型氧化鎂微晶顆粒包括氧化鈣鎂微晶顆 粒，所述氧化鈣鎂微晶顆粒的制備方法包括下述步驟：
[0026] 將粉體在空氣、氧氣或氮?dú)鈿夥障乱?00-1600°C焙燒得到，所述粉體選自氧化鎂 與氧化鈣的混合物或者氧化鎂與碳酸鈣的混合物。
[0027] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述氧化鎂與氧化鈣的混合物包括氧化鎂粉 體包覆氧化鈣粉體形成的混合物，所述氧化鎂與碳酸鈣的混合物包括氧化鎂粉體包覆碳酸 鈣粉體形成的混合物。
[0028] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述陳化的時(shí)間為12?48h。
[0029] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述涂敷的方法選自旋涂工藝、平涂工藝、絲 網(wǎng)印刷工藝或噴涂工藝。
[0030] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述涂敷的方法為旋涂工藝。
[0031] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述旋涂工藝中旋涂的轉(zhuǎn)速為1500-4000r/ min〇
[0032] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述鎂鹽選自有結(jié)晶水或無結(jié)晶水的氯化 鎂、硫酸鎂、乙酸鎂、硬脂酸鎂、檸檬酸鎂、烷氧基鎂或乙酰丙酮鎂中的一種或兩種以上。
[0033] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述分散劑選自聚乙二醇、乙二醇、丙二醇、 丙三醇、烷基酚聚氧乙烯醚或聚乙二醇辛基苯基醚，其中在涂布液A中，分散劑的質(zhì)量為鎂 鹽質(zhì)量的5?200%。
[0034] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述穩(wěn)定劑選自冰醋酸、草酸、硬脂酸或檸檬 酸，其中在涂布液A中，穩(wěn)定劑與鎂鹽中鎂的摩爾比為0. 5?5:1。
[0035] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，將涂布了涂布液A和涂布液B的襯底，放入馬 弗爐或氣體氛圍保護(hù)的管式爐中進(jìn)行處理，氣體氛圍選自空氣、氮?dú)饣蜓鯕狻?br> [0036] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述退火過程在空氣、氮?dú)饣蜓鯕鈿夥障逻M(jìn) 行，退火溫度為400?600°C，退火時(shí)間為1?3h。
[0037] 上述復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法中，所述襯底（1)包括鈉鈣玻璃。
[0038] 本發(fā)明還提供一種等離子顯示面板用復(fù)合氧化鎂薄膜，由上述復(fù)合氧化鎂薄膜的 制備方法得到。
[0039] 本發(fā)明還提供上述復(fù)合氧化鎂薄膜在氣體放電器件中的應(yīng)用，其中，所述氣體放 電器件包括氣體放電燈或等離子顯示面板，所述氣體放電燈包括日光燈或汞燈。
[0040] 本發(fā)明的復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法只需經(jīng)過兩次旋轉(zhuǎn)涂敷工藝和一次燒結(jié)工 藝，即可得含有氧化鎂或氧化鈣鎂微晶顆粒的復(fù)合氧化鎂薄膜層，改善了現(xiàn)有工藝需要先 鍍好氧化鎂薄膜，再在氧化鎂薄膜表面制備氧化鎂微晶顆粒層的兩步制備的方法，工藝效 率更高。
[0041] 制備工藝只使用旋轉(zhuǎn)勻膠設(shè)備和常規(guī)的干燥、燒結(jié)設(shè)備，相對現(xiàn)有真空鍍膜工藝 使用的真空鍍膜設(shè)備，設(shè)備投入成本小。
[0042] 本發(fā)明改變了薄膜表面的微觀結(jié)構(gòu)，氧化鎂或氧化鈣鎂微晶顆粒均勻地分布并部 分鑲嵌在薄膜上，工藝步驟簡單，膜層均勻性相對真空鍍氧化鎂薄膜再進(jìn)行氧化鎂微晶噴 涂的方式，微晶的分布均勻性更高。
[0043] 本發(fā)明的復(fù)合氧化鎂薄膜可應(yīng)用在PDP等氣體放電器件中。復(fù)合氧化鎂薄膜在 制備過程中，微晶顆粒與原液混合，通過涂覆以及燒結(jié)工藝之后，可使微晶顆粒嵌入表面膜 層之中，使得微晶顆粒與膜層的結(jié)合更加緊密，膜層的耐離子轟擊性能增加，抗濺射能力增 強(qiáng)。尤其是在本發(fā)明的復(fù)合氧化鎂薄膜中，微晶顆粒包含二次電子發(fā)射系數(shù)高于氧化鎂的 氧化鈣等其他氧化物以及微米尺寸的微晶顆粒，可大大提高薄膜的二次電子發(fā)射系數(shù)；另 夕卜，小尺寸的微晶顆粒可提高外逸電子的發(fā)射幾率，縮短放電延遲時(shí)間。從而，本發(fā)明得到 的復(fù)合氧化鎂薄膜應(yīng)用在PDP中，全白場亮度均勻性達(dá)到90%以上，放電電壓降低5V以上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0044] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例1所制備的復(fù)合氧化鎂薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為PDP顯 示屏前面板，2為基底層，3為微晶顆粒層，4為小尺寸摻雜氧化鎂微晶顆粒，5為大尺寸摻雜 氧化鎂微晶顆粒。
[0045] 此處所說明的附圖用來提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明 的示意性實(shí)施例及其說明用來解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。

【具體實(shí)施方式】
[0046] 本發(fā)明復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，包括下述步驟：
[0047] (1)將涂布液A涂敷在襯底（1)表面，干燥后得到薄膜a ;
[0048] (2)將涂布液B涂敷在薄膜a上，制得薄膜b ;
[0049] (3)退火后得到復(fù)合氧化鎂薄膜；
[0050] 其中，所述涂布液A由包含鎂鹽、分散劑、穩(wěn)定劑和有機(jī)溶劑的混合液陳化后制 得，所述涂布液B由氧化鎂微晶顆?；驌诫s型氧化鎂微晶顆粒分散在與涂布液A相同的溶 液中制得；
[0051] 當(dāng)涂布液B含有氧化鎂微晶顆粒時(shí)，薄膜b中的鎂與薄膜a中鎂的摩爾比為0. 2? 25:1 ;當(dāng)涂布液B含有摻雜型氧化鎂微晶顆粒時(shí)，薄膜b中金屬元素與薄膜a中鎂的摩爾比 為 0· 2 ?25:1。
[0052] 本發(fā)明的一種優(yōu)選方案中，具體制造工藝為：
[0053] 將鎂鹽、分散劑、穩(wěn)定劑、有機(jī)溶劑混合均勻，陳化12_48h，配制得到澄清溶液，將 溶液分成兩部分，其中：一部分為原液A，另外一部分將氧化鎂微晶顆?；驌诫s型氧化鎂微 晶顆粒分散到溶液中，充分混合均勻，形成混合涂布液B ;其中，摻雜型氧化鎂微晶顆?？?以為氧化鈣鎂微晶，其制備可以通過氧化鎂粉體和氧化鈣粉體混合或氧化鎂粉體和碳酸鈣 粉體混合、氧化鎂粉體包覆氧化鈣粉體、或者氧化鎂粉體包覆碳酸鈣粉體，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)得 至IJ。燒結(jié)條件為：摻雜型氧化鎂微晶顆粒在空氣、氧氣或氮?dú)鈿夥障乱?00-1600°C焙燒。其 中，制備上述氧化鈣鎂微晶時(shí)鎂和鈣的摩爾比為〇. 01?〇. 2:1，所用氧化鈣是通過現(xiàn)有燒 結(jié)工藝煅燒碳酸鈣得到，煅燒溫度為800-1200°C。
[0054] 然后采用旋涂工藝或平涂工藝或絲網(wǎng)印刷工藝或噴涂工藝，將溶液A均勻涂敷在 等離子顯示面板上需要氧化鎂保護(hù)層的區(qū)域。隨后，將涂敷了溶液A的面板在100-200°C 下，處理5-20min，除去涂敷的溶液層中的溶劑。上述涂敷過程可以只進(jìn)行一次，也可重復(fù)進(jìn) 行多次（1?10)，重復(fù)次數(shù)可根據(jù)需要的氧化鎂薄膜厚度來調(diào)整，經(jīng)上述步驟得到薄膜a。 然后在薄膜a上，繼續(xù)將混合涂布液B按照上述溶液A的涂敷步驟進(jìn)行涂敷和干燥，涂敷 1?2層，得到薄膜b。最后將面板在一定的工藝氣氛下，400-600°C內(nèi)進(jìn)行退火處理l_3h， 得到含氧化鈣鎂微晶顆粒的氧化鎂薄膜。在下面的實(shí)施例中，所用的各試劑和儀器的型號 和來源如表1和表2所不。
[0055] 表1實(shí)施例中所用試劑及型號信息表
[0056]

【權(quán)利要求】
1. 一種等離子顯示面板用復(fù)合氧化鎂薄膜，包括基底層（2)和微晶顆粒層（3)，所述 基底層（2)為氧化鎂膜層，所述微晶顆粒層（3)包括氧化鎂膜層及微晶顆粒，所述微晶顆粒 包含氧化物微晶顆粒，所述氧化物微晶顆粒為氧化鎂微晶顆粒或摻雜型氧化鎂微晶顆粒， 其中摻雜型氧化鎂包含氧化鎂和摻雜元素氧化物；所述氧化物微晶顆粒的氧化物與微晶顆 粒層（3)的氧化鎂膜層的氧化鎂的摩爾比為0. 4~24:1。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合氧化鎂薄膜，所述氧化物微晶顆粒的氧化物與基底層 (2)中氧化鎂的摩爾比為0. 2~25:1。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合氧化鎂薄膜，其中，所述摻雜型氧化鎂微晶顆粒摻 雜元素選自〇&、211、11、1^、51'、8&或56。
4. 根據(jù)權(quán)利要求Γ3任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜，其中，所述摻雜型氧化鎂微晶顆 粒為氧化鈣鎂微晶顆粒。
5. 根據(jù)權(quán)利要求Γ4任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜，其中，所述摻雜型氧化鎂微晶顆 粒中摻雜的元素與鎂的元素摩爾比為0. 〇1~〇. 2:1。
6. 根據(jù)權(quán)利要求Γ5任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜，其中，所述摻雜的元素為鈣，所 述摻雜型氧化鎂微晶為氧化鈣和氧化鎂的復(fù)合物氧化鈣鎂。
7. 根據(jù)權(quán)利要求Γ6任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜，其中，所述基底層（2)的厚度為 0· 2?0· 7 μ m。
8. 根據(jù)權(quán)利要求Γ7任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜，其中，氧化鎂微晶顆?；驌诫s型 氧化鎂微晶顆粒的粒徑范圍為〇. 〇1~1. 8 μ m，包含至少兩種粒徑尺寸，分別為0. 01、. 2 μ m 和 1?1· 8 μ m。
9. 權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的等離子顯示面板用復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，包括 下述步驟： 將涂布液A涂敷在襯底（1)表面，干燥后得到薄膜a; 將涂布液B涂敷在薄膜a上，制得薄膜b ; 退火后得到復(fù)合氧化鎂薄膜； 其中，所述涂布液A由包含鎂鹽、分散劑、穩(wěn)定劑和有機(jī)溶劑的混合液陳化后制得，所 述涂布液B由氧化鎂微晶顆粒或摻雜型氧化鎂微晶顆粒分散在與涂布液A相同的溶液中制 得。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，其中，當(dāng)涂布液B含有氧化鎂 微晶顆粒時(shí)，薄膜b中的鎂與薄膜a中鎂的摩爾比為0. 2~25:1 ;當(dāng)涂布液B含有摻雜型氧 化鎂微晶顆粒時(shí)，薄膜b中金屬元素與薄膜a中鎂的摩爾比為0. 2~25:1。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，其中，摻雜型氧化鎂微 晶顆粒包括氧化鈣鎂微晶顆粒，所述氧化鈣鎂微晶顆粒的制備方法包括下述步驟： 將粉體在空氣、氧氣或氮?dú)鈿夥障乱?00-1600°C焙燒得到，所述粉體選自氧化鎂與氧 化鈣的混合物或者氧化鎂與碳酸鈣的混合物。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，其中，所述氧化鎂與氧化鈣 的混合物包括氧化鎂粉體包覆氧化鈣粉體形成的混合物，所述氧化鎂與碳酸鈣的混合物包 括氧化鎂粉體包覆碳酸鈣粉體形成的混合物。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9~12任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，所述涂敷的方法 選自旋涂工藝、平涂工藝、絲網(wǎng)印刷工藝或噴涂工藝。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9~13任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，所述鎂鹽選自有 結(jié)晶水或無結(jié)晶水的氯化鎂、硫酸鎂、乙酸鎂、硬脂酸鎂、檸檬酸鎂、烷氧基鎂或乙酰丙酮鎂 中的一種或兩種以上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9~14任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，所述分散劑選自 聚乙二醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、烷基酚聚氧乙烯醚或聚乙二醇辛基苯基醚，其中在涂布 液A中，分散劑的質(zhì)量為鎂鹽質(zhì)量的5~200%。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9~15任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，所述穩(wěn)定劑選 自冰醋酸、草酸、硬脂酸或檸檬酸，其中在涂布液A中，穩(wěn)定劑與鎂鹽中的鎂的摩爾比為 0· 5?5:1。
17. 根據(jù)權(quán)利要求9~16任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜的制備方法，所述退火過程在 空氣、氮?dú)饣蜓鯕鈿夥障逻M(jìn)行，退火溫度為40(T600°C，退火時(shí)間為l?3h。
18. -種等離子顯示面板用復(fù)合氧化鎂薄膜，由權(quán)利要求9~17任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧 化鎂薄膜的制備方法得到。
19. 權(quán)利要求Γ8或權(quán)利要求18任一項(xiàng)所述的復(fù)合氧化鎂薄膜在氣體放電器件中的 應(yīng)用，其中，所述氣體放電器件包括氣體放電燈或等離子顯示面板，所述氣體放電燈包括日 光燈或汞燈。
【文檔編號】H01J17/02GK104157535SQ201410405698
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月18日
【發(fā)明者】嚴(yán)群, 王連連, 倪燁韌, 田磊, 唐李晟 申請人:北京大學(xué)工學(xué)院包頭研究院