專利名稱：包括改進(jìn)聚焦環(huán)的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在等離子體處理系統(tǒng)中利用聚焦環(huán)的方法和裝置，更具體地說，本發(fā)明涉及便于等離子體處理系統(tǒng)的改進(jìn)維護(hù)的聚焦環(huán)組件。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體工業(yè)中集成電路(IC)的制造通常用等離子體在真空處理系統(tǒng)內(nèi)產(chǎn)生和輔助表面化學(xué)反應(yīng)，以從襯底上去除材料和在襯底上沉積材料。通常，等離子體是在真空條件下的處理系統(tǒng)內(nèi)通過用供給的處理氣體將電子加熱到足以維持電離碰撞的能量而形成的。而且，加熱的電子可具有足以維持離解碰撞的能量，因此選擇在預(yù)定條件下(例如室壓力、氣體流率等等)的一組特定氣體，以產(chǎn)生大量帶電物質(zhì)和化學(xué)活性物質(zhì)，其中所述物質(zhì)適合系統(tǒng)中正在進(jìn)行的特定處理(例如從襯底去除材料的刻蝕處理或向襯底增添材料的沉積處理)。
盡管大量帶電物質(zhì)(離子等等)和化學(xué)活性物質(zhì)的形成對于進(jìn)行等離子體處理系統(tǒng)對襯底表面的功能(例如材料刻蝕、材料沉積等等)是必要的，但處理室內(nèi)部的其他元件表面暴露在物理和化學(xué)活性的等離子體中，最終可能受到腐蝕。處理系統(tǒng)中暴露元件的腐蝕可能引起等離子體處理性能的逐步降低并使系統(tǒng)最終完全失效。
因此，為了最小化因暴露于處理等離子體而承受的損害，可以在處理室內(nèi)插入可消耗或可替換的元件，例如由硅、石英、氧化鋁、碳或碳化硅制造的元件，以保護(hù)更有價(jià)值的元件表面和/或影響處理中的變化，所述更有價(jià)值的元件在頻繁替換中可能導(dǎo)致更大的成本。此外，還希望選擇最小化給處理等離子體帶來的、以及可能給襯底上形成的器件帶來的多余污染物、雜質(zhì)等等的材料。這些可消耗或可替換的元件經(jīng)常被認(rèn)為是處理套件的一部分，在系統(tǒng)清潔過程中其經(jīng)常得到維護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明描述了用于將聚焦環(huán)用于等離子體處理系統(tǒng)的方法和裝置。
根據(jù)第一方面，圍繞等離子體處理系統(tǒng)中襯底支架上的襯底的聚焦環(huán)組件包括定心環(huán)和聚焦環(huán)，所述定心環(huán)設(shè)置為耦合到襯底支架，所述聚焦環(huán)包括上表面、下表面以及耦合到上表面和下表面中至少一個的一個或更多個磨損指示器，其中聚焦環(huán)設(shè)置為通過將聚焦環(huán)耦合到定心環(huán)而圍繞襯底定心。
根據(jù)另一方面，圍繞等離子體處理系統(tǒng)中襯底支架上的襯底的可置換聚焦環(huán)包括設(shè)置為耦合到襯底支架的環(huán)，該環(huán)包括上表面、下表面和耦合到上表面和下表面中至少一個的一個或更多個磨損指示器，其中環(huán)設(shè)置為通過將環(huán)耦合到襯底支架而圍繞襯底定心。
此外，用于對圍繞等離子體處理系統(tǒng)中襯底支架上的襯底的聚焦環(huán)進(jìn)行替換的方法，包括從等離子體處理系統(tǒng)去除第一聚焦環(huán)以及通過將第二聚焦環(huán)耦合到襯底支架而將第二聚焦環(huán)安裝在等離子體處理系統(tǒng)中。所述耦合便于第二聚焦環(huán)在等離子體處理系統(tǒng)中的自動定心，其中第一聚焦環(huán)和第二聚焦環(huán)各包括上表面、下表面以及耦合到上表面和下表面中至少一個的一個或更多個磨損指示器。


在附圖中圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的等離子體處理系統(tǒng)的示意性框圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的聚焦環(huán)的平面圖；圖3示出了圖2所示聚焦環(huán)的截面圖；圖4A示出了圖2所示聚焦環(huán)的放大截面圖；圖4B示出了像圖2所示聚焦環(huán)一樣的聚焦環(huán)的另一放大截面圖；圖5A圖示了根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施例在處理過程中磨損指示器的演變(evolution)；圖5B圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例在處理過程中磨損指示器的演變；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的定心環(huán)的平面圖；圖7示出了圖5所示定心環(huán)的截面圖；圖8示出了圖7所示定心環(huán)的放大截面圖；并且圖9示出了對圍繞等離子體處理系統(tǒng)中的襯底的聚焦環(huán)進(jìn)行替換的方法。
具體實(shí)施例方式
在等離子體處理中，聚焦環(huán)可以設(shè)置為例如圍繞著襯底支架上的襯底，并用于調(diào)整和/或控制襯底周圍邊緣局部的處理化學(xué)的特性。對于傳統(tǒng)的等離子體處理系統(tǒng)，聚焦環(huán)包括例如用于氧化物刻蝕的硅環(huán)，其置于襯底支架的上面并圍繞著襯底周邊。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，等離子體處理系統(tǒng)1示于圖1，其包括等離子體處理室10、上組件20、電極板組件24、用于支撐襯底35的襯底支架30以及耦合到用于在等離子體處理室10中提供減壓環(huán)境11的真空泵(未示出)的泵浦管道40。等離子體處理室10可便于在鄰近襯底35的處理空間12中形成處理等離子體。等離子體處理系統(tǒng)1可以設(shè)置成處理任意尺寸的襯底，例如200mm襯底、300mm襯底或更大的。
在圖示的實(shí)施例中，電極板組件24包括電極板26(圖1)和電極28(圖1)。在可替換實(shí)施例中，上組件20可包括蓋子、氣體注入組件和上電極阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的至少一個。電極板組件24可以耦合到RF源。在另一種可替換實(shí)施例中，上組件20包括耦合到電極板組件24的蓋子，其中電極板組件24維持在與等離子體處理室10相等的電位。例如，可以將等離子體處理室10、上組件20和電極板組件24電連接到地電位。
等離子體處理室10還可以包括耦合到沉積屏蔽14的光學(xué)觀察口16。光學(xué)觀察口16可包括耦合到光學(xué)窗口沉積屏蔽18背面的光學(xué)窗口17，并可以設(shè)置光學(xué)窗口凸緣19，以將光學(xué)窗口17耦合到光學(xué)窗口沉積屏蔽18?？梢栽诠鈱W(xué)窗口凸緣19與光學(xué)窗口17之間、光學(xué)窗口17與光學(xué)窗口沉積屏蔽18之間以及光學(xué)窗口沉積屏蔽18與等離子體處理室10之間提供密封構(gòu)件，例如O形環(huán)。光學(xué)觀察口16可以允許監(jiān)視來自處理空間12中的處理等離子體的光發(fā)射。
襯底支架30還可以包括由波紋管52圍繞的垂直平移器件50，所述波紋管52耦合到襯底支架30和等離子體處理室10并設(shè)置為將垂直平移器件50與等離子體處理室10的減壓環(huán)境11密封地分開。另外，波紋管屏蔽54可被耦合到襯底支架30并設(shè)置為保護(hù)波紋管52免于處理等離子體。襯底支架30還可以耦合到聚焦環(huán)60和屏蔽環(huán)62中的至少一個。此外，擋板64可以圍繞襯底支架30的周邊延伸。
襯底35可以由自動襯底輸送系統(tǒng)經(jīng)過槽形閥(slot valve，未示出)和室通路(未示出)輸送出入等離子體處理室10，其中襯底35在襯底輸送系統(tǒng)中由容納在襯底支架30內(nèi)的襯底提升銷(未示出)支撐并由容納在其中的器件進(jìn)行機(jī)械平移。一旦從襯底輸送系統(tǒng)接收到襯底35，就將其降低到襯底支架30的上表面。
襯底35可以由靜電夾持系統(tǒng)固定到襯底支架30。此外，襯底支架30還可以包括冷卻系統(tǒng)，該冷卻系統(tǒng)包括再循環(huán)冷卻劑流，其從襯底支架30接收熱量并將熱量傳送到熱交換系統(tǒng)(未示出)，或者在加熱時(shí)傳送來自熱交換系統(tǒng)的熱量。此外，氣體可以由背面氣體系統(tǒng)傳遞給襯底35背面，以提高襯底35與襯底支架30之間的氣隙導(dǎo)熱性。當(dāng)需要襯底的溫度控制于更高或更低溫度時(shí)可以使用這樣的系統(tǒng)。在其他實(shí)施例中可以包括加熱元件，例如電阻加熱元件或熱電加熱器/冷卻器。
在圖1所示的圖示實(shí)施例中，襯底支架30可包括電極，經(jīng)過該電極將RF功率耦合到處理空間12中的處理等離子體。例如，可以通過將RF功率從RF發(fā)生器(未示出)經(jīng)過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(未示出)傳輸?shù)揭r底支架30而使襯底支架30在RF電壓上電偏壓。RF偏壓可用于加熱電子，以形成和維持等離子體。在此結(jié)構(gòu)中，系統(tǒng)可作為反應(yīng)離子刻蝕(RIE)反應(yīng)器，其中室和上氣體注入電極用作接地表面。用于RF偏壓的通常頻率可以從約1MHz到約100MHz范圍，例如約13.56MHz。用于等離子體處理的RF系統(tǒng)是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的。
或者，處理空間12中的處理等離子體可以用平行板、容性耦合等離子體(CCP)源、感性耦合等離子體(ICP)源、及其任意組合以及帶有或不帶磁系統(tǒng)形成。或者，處理空間12中的處理等離子體可以用電子回旋共振(ECR)形成。在另一實(shí)施例中，處理空間12中的處理等離子體由螺旋波的產(chǎn)生形成。在另一實(shí)施例中，處理空間12中的處理等離子體由傳播的表面波形成。
現(xiàn)在參考圖2(俯視平面圖)和圖3(截面圖)所示的本發(fā)明的圖示實(shí)施例，聚焦環(huán)60可以形成包括上表面82、下表面84、內(nèi)徑向邊緣86和外徑向邊緣88的環(huán)。聚焦環(huán)60可以由硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化鋁、藍(lán)寶石、聚四氟乙烯和聚酰亞胺中的至少一個形成。聚焦環(huán)60可以具有從約0.5mm到約10mm范圍內(nèi)的厚度。或者，厚度可以在從約1到約5mm的范圍內(nèi)，或者厚度可以約為1mm。聚焦環(huán)60可以用例如機(jī)加工、激光切割、磨削和拋光中的至少一種來制造。
圖4A和圖4B提供了聚焦環(huán)60的放大截面圖，其中聚焦環(huán)60包括至少一個磨損指示器90，其耦合到下表面84并設(shè)置為指示處理過程中聚焦環(huán)的消耗程度。或者，聚焦環(huán)60包括至少一個磨損指示器90，其耦合到上表面82并設(shè)置為指示處理過程中聚焦環(huán)的消耗程度。例如，圖4A圖示了具有恒定長度和寬度的磨損指示器90?；蛘撸瑘D4B圖示了幾個磨損指示器90、90’和90”，它們各具有不同的長度和/或不同的寬度。
現(xiàn)在參考圖5A，當(dāng)一個或更多個磨損指示器90耦合到聚焦環(huán)60的下表面84時(shí)，每個磨損指示器90要到經(jīng)過這樣的處理時(shí)間(例如T1-T0)才會暴露于處理環(huán)境，所述處理時(shí)間長到足以使上表面82(其暴露于處理環(huán)境)腐蝕至與磨損指示器相交的深度。一旦磨損指示器90暴露出來并可以從聚焦環(huán)60的上表面82看到，就可以安排對聚焦環(huán)60進(jìn)行替換了。這種觀察可以在通過光學(xué)窗口17監(jiān)視聚焦環(huán)60的同時(shí)根據(jù)運(yùn)行之間的對比來進(jìn)行?；蛘?，如圖5B所示，當(dāng)所述的一個或更多個磨損指示器90耦合到聚焦環(huán)60的上表面82時(shí)，每個磨損指示器90暴露于處理環(huán)境并從而遭到腐蝕，其中橫向和縱向的腐蝕程度都隨著時(shí)間t0到t1、t2、t3等等而增加。一旦磨損指示器90擴(kuò)大到預(yù)定尺寸，就可以安排對聚焦環(huán)進(jìn)行替換。這種觀察可以在通過光學(xué)窗口17監(jiān)視聚焦環(huán)60的同時(shí)根據(jù)運(yùn)行之間的對比來進(jìn)行。
此外，磨損指示器90可以置于聚焦環(huán)60上不同徑向位置處，以便在聚焦環(huán)60的消耗中觀察徑向改變?；蛘?，磨損指示器可以置于聚焦環(huán)60上不同方位角位置處，以便在聚焦環(huán)60的消耗中觀察方位角改變。磨損指示器90可具有從約1到約5mm范圍內(nèi)的長度。或者，長度可以從約0.25mm到約1mm，或者長度可以是約0.5mm?；蛘?，磨損指示器90可以是聚焦環(huán)60厚度從約10％到約90％比例范圍內(nèi)的一部分?；蛘撸劢弓h(huán)厚度的比例可以在從約25％到約75％比例范圍內(nèi)，或者聚焦環(huán)厚度的比例可以是約50％。所述一個或更多個磨損指示器可以用例如機(jī)加工、刻蝕、激光銑削(laser-milling)和聲波銑削(sonic-milling)中的至少一種來制造。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，聚焦環(huán)60可以通過將聚焦環(huán)上的配合特征與襯底支架上的定心特征耦合而被自動在襯底支架定心。例如，聚焦環(huán)60上的配合特征包括外徑向邊緣86上的配合表面87(見圖3)。此外，襯底支架上的定心特征可包括耦合到襯底支架的定心環(huán)。圖6示出定心環(huán)100的平面圖，圖7示出定心環(huán)100的截面圖，圖8示出定心環(huán)100的放大截面圖。定心環(huán)100可包括凸緣區(qū)域110和唇部112，其中唇部112還包括定心表面120。定心表面120可以包括例如如圖6、7和8所示的徑向表面，其中將聚焦環(huán)60耦合到定心環(huán)100時(shí)在配合表面87與定心表面120之間提供徑向位置的間隙配合。
仍然參考圖6到8，定心環(huán)100還可以包括用于將定心環(huán)100耦合到襯底支架的兩個或更多定位特征130，例如兩個孔。定心環(huán)100可以置于襯底支架上面?；蛘?，定心環(huán)100可以用壓緊環(huán)和扣件中的至少一個機(jī)械地夾持到襯底支架?；蛘撸ㄐ沫h(huán)100可以用靜電夾持(ESC)系統(tǒng)電夾持到襯底支架。
定心環(huán)100可以由鋁、鍍膜的鋁、硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化鋁、藍(lán)寶石、聚四氟乙烯和聚酰亞胺中的至少一個制造。對于鍍膜的鋁，鍍膜可以便于例如當(dāng)定心環(huán)100暴露于例如等離子體的苛刻處理環(huán)境時(shí)提供抗腐蝕表面。在制造過程中，一個或更多表面可以進(jìn)行陽極化處理，一個或更多表面可以具有噴涂的鍍膜，一個或更多表面也可以受到等離子體電解氧化。鍍膜可以包括例如第III族元素和鑭系元素中的至少一個。鍍膜可以包括Al2O3、氧化釔(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一個。對鋁元件進(jìn)行陽極化處理和噴涂鍍膜的方法是表面材料處理領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的。
現(xiàn)在參考圖9，其描述了對等離子體處理系統(tǒng)中圍繞著襯底支架上的襯底的聚焦環(huán)進(jìn)行替換的方法。此方法包括從210開始的流程圖200，其從等離子體處理系統(tǒng)去除第一聚焦環(huán)，其中聚焦環(huán)包括上表面、下表面以及耦合到上表面和下表面中至少一個的一個或更多個磨損指示器。去除第一聚焦環(huán)可以包括例如將等離子體處理系統(tǒng)排放到大氣環(huán)境并打開等離子體處理室以處理其內(nèi)部，接著將聚焦環(huán)從襯底支架上拆開。將聚焦環(huán)從襯底支架上拆開可以包括例如將聚焦環(huán)抬起到離開襯底支架，或者將聚焦環(huán)從襯底支架上松開然后將聚焦環(huán)抬起離開襯底支架。
在220中，通過將第二聚焦環(huán)耦合到襯底支架而將第二聚焦環(huán)安裝到等離子體處理系統(tǒng)中，其中耦合便于第二聚焦環(huán)在等離子體處理室中的自動定心。第二聚焦環(huán)可包括再磨光后的第一聚焦環(huán)，也可以是新制造的具有上表面、下表面和耦合到所述上表面和所述下表面中至少一個的一個或更多個磨損指示器的聚焦環(huán)。第二聚焦環(huán)在等離子體處理系統(tǒng)中的自動定心可以如上所述通過在聚焦環(huán)的外徑向邊緣上提供配合表面并將配合表面耦合到安裝在襯底支架上的定心環(huán)唇部區(qū)域上的定心表面而實(shí)現(xiàn)?；蛘?，第二聚焦環(huán)在等離子體處理系統(tǒng)中的自動定心可以通過提供兩個或更多的安裝在聚焦環(huán)的接觸表面上的銷釘并將聚焦環(huán)上的銷釘耦合到定心環(huán)的接收表面上的兩個或更多接收孔而實(shí)現(xiàn)?；蛘撸瑑蓚€或更多個銷釘可以位于定心環(huán)上，而兩個或更多的支撐孔可以位于聚焦環(huán)上。
盡管上面只詳細(xì)說明了此發(fā)明的某些示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，可以在示例性實(shí)施例中進(jìn)行許多修改而實(shí)質(zhì)上不脫離此發(fā)明的新穎內(nèi)容和優(yōu)點(diǎn)。因此，所有這些修改都應(yīng)當(dāng)包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
此PCT申請基于2003年11月12日提交的美國非臨時(shí)專利申請No.10/705,221并要求其優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用而結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種圍繞著等離子體處理系統(tǒng)中襯底支架上的襯底的聚焦環(huán)組件，包括定心環(huán)，所述定心環(huán)設(shè)置為耦合到所述襯底支架上；以及聚焦環(huán)，所述聚焦環(huán)包括上表面、下表面以及耦合到所述上表面和所述下表面中至少一個上的一個或更多個磨損指示器，其中所述聚焦環(huán)設(shè)置為通過將所述聚焦環(huán)耦合到所述定心環(huán)而圍繞所述襯底定心。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán)組件，其中所述定心環(huán)由位于所述襯底支架上面的至少一個所述定心環(huán)耦合到所述襯底支架，所述定心環(huán)被機(jī)械地夾持到所述襯底支架，并且所述定心環(huán)被電夾持到所述襯底支架。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán)組件，其中所述定心環(huán)包括定心特征，所述定心特征設(shè)置為將所述聚焦環(huán)在所述定心環(huán)上定心。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聚焦環(huán)組件，其中所述定心特征包括定心銷釘、定心插座和定心邊緣中的至少一個。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聚焦環(huán)組件，其中所述聚焦環(huán)包括配合特征，所述配合特征設(shè)置為與所述定心特征相耦合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聚焦環(huán)組件，其中所述配合特征包括定心銷釘、定心插座和定心邊緣中的至少一個。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán)組件，其中所述聚焦環(huán)由硅、石英、碳化硅、氮化硅、無定形碳、氧化鋁、藍(lán)寶石、聚酰亞胺和聚四氟乙烯中的至少一個制造。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán)組件，其中所述一個或更多個磨損指示器包括孔，所述孔在所述上表面中并從所述上表面延伸到一定深度，所述深度包括所述上表面與所述下表面之間距離的一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán)組件，其中所述一個或更多個磨損指示器包括孔，所述孔在所述下表面中并從所述下表面延伸到一定深度，所述深度包括所述上表面與所述下表面之間距離的一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的聚焦環(huán)組件，其中對于所述一個或更多個磨損指示器中的每一個，所述深度從一個磨損指示器到另一個磨損指示器之間變化。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán)組件，其中所述定心環(huán)由鋁、鍍膜的鋁、硅、碳化硅、氮化硅、無定形碳、氧化鋁、藍(lán)寶石、聚酰亞胺和聚四氟乙烯中的至少一個制造。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的聚焦環(huán)組件，其中所述定心環(huán)由鍍膜的鋁制造并包括表面陽極化、等離子體電解氧化鍍膜和噴涂鍍膜中的至少一個。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的聚焦環(huán)組件，其中所述定心環(huán)由鍍膜的鋁制造并包括鍍膜，所述鍍膜具有第III族元素和鑭系元素中至少一個。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的聚焦環(huán)組件，其中所述定心環(huán)由鍍膜的鋁制造并包括鍍膜，所述鍍膜具有Al2O3、氧化釔(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一個。
15.一種圍繞等離子體處理系統(tǒng)中襯底支架上的襯底的可置換的聚焦環(huán)，包括設(shè)置為耦合到所述襯底支架的環(huán)，所述環(huán)包括上表面、下表面以及耦合到所述上表面和所述下表面中至少一個的一個或更多個磨損指示器，其中所述環(huán)設(shè)置為通過將所述環(huán)耦合到所述襯底支架而圍繞所述襯底定心。
16.一種用于對圍繞等離子體處理系統(tǒng)中襯底支架上的襯底的聚焦環(huán)進(jìn)行替換的方法，包括從所述等離子體處理系統(tǒng)去除第一聚焦環(huán)；以及通過將第二聚焦環(huán)耦合到所述襯底支架而將所述第二聚焦環(huán)安裝在所述等離子體處理系統(tǒng)中，所述耦合便于所述第二聚焦環(huán)在所述等離子體處理系統(tǒng)中的自動定心，其中所述第一聚焦環(huán)和所述第二聚焦環(huán)各包括上表面、下表面以及耦合到所述上表面和所述下表面中至少一個的一個或更多個磨損指示器。
全文摘要
一種聚焦環(huán)組件，設(shè)置為耦合到等離子體處理系統(tǒng)中的襯底支架，該組件包括聚焦環(huán)，聚焦環(huán)具有用于確定聚焦環(huán)的壽命的一個或更多個磨損指示器，其中聚焦環(huán)耦合到襯底支架便于聚焦環(huán)在等離子體處理系統(tǒng)中的自動定心。例如，安裝在襯底支架上的定心環(huán)可包括定心特征，該定心特征設(shè)置為與聚焦環(huán)的配合特征相耦合。
文檔編號H01J37/32GK1849691SQ200480025729
公開日2006年10月18日 申請日期2004年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月12日
發(fā)明者邁克爾·蘭蒂斯, 史蒂文·T·芬克 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社