技術(shù)編號(hào)：2924278
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在等離子體處理系統(tǒng)中利用聚焦環(huán)的方法和裝置，更具體地說，本發(fā)明涉及便于等離子體處理系統(tǒng)的改進(jìn)維護(hù)的聚焦環(huán)組件。背景技術(shù) 半導(dǎo)體工業(yè)中集成電路(IC)的制造通常用等離子體在真空處理系統(tǒng)內(nèi)產(chǎn)生和輔助表面化學(xué)反應(yīng)，以從襯底上去除材料和在襯底上沉積材料。通常，等離子體是在真空條件下的處理系統(tǒng)內(nèi)通過用供給的處理氣體將電子加熱到足以維持電離碰撞的能量而形成的。而且，加熱的電子可具有足以維持離解碰撞的能量，因此選擇在預(yù)定條件下(例如室壓力、氣體流率等等)的一組...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。