顯示基板及其制造方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示基板及其制造方法和
[0002]顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]目前，在薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，簡(jiǎn)稱(chēng):TFT-1XD)技術(shù)領(lǐng)域中，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimens1nSwitch)顯示裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。其中，高開(kāi)口率H-ADS顯示裝置是ADS顯示裝置中的一種重要類(lèi)型。
[0004]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中H-ADS顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該顯示基板可包括襯底基板11和形成于襯底基板11上方的第一金屬層12、第二金屬層13、第二電極圖形15、第一絕緣層16、第二絕緣層17和有源層21。第一絕緣層16位于第一金屬層12之上，有源層21位于第一絕緣層16之上，第二金屬層13位于有源層21之上，第二絕緣層17位于第二金屬層13之上，第二電極圖形15位于第二絕緣層17之上，第一金屬層12上方的第一絕緣層16和第二絕緣層17上設(shè)置有第一過(guò)孔19，第二金屬層13上方的第二絕緣層17上設(shè)置有第二過(guò)孔20，部分第二電極圖形15設(shè)置于第一過(guò)孔19和第二過(guò)孔20中以實(shí)現(xiàn)將第一金屬層12和第二金屬層13連接。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中，采用第二電極圖形15作為連接介質(zhì)，并在需要連接的金屬層對(duì)應(yīng)位置進(jìn)行過(guò)孔工藝，以實(shí)現(xiàn)金屬層之間的導(dǎo)通。但是，現(xiàn)有技術(shù)存在如下技術(shù)問(wèn)題:
[0006]I)需要兩個(gè)過(guò)孔對(duì)不同的金屬層進(jìn)行連接，造成過(guò)孔的分布密度太高，這樣會(huì)導(dǎo)致后續(xù)的工藝中出現(xiàn)各種不良現(xiàn)象，例如:過(guò)孔的分布密度太高使得配向膜工藝中配向膜擴(kuò)散不均形成mura，從而提高了后續(xù)工藝中產(chǎn)生各種不良現(xiàn)象的機(jī)率。
[0007]2)由于需要采用兩個(gè)過(guò)孔對(duì)不同的金屬層進(jìn)行連接，因此作為連接介質(zhì)的第二電極圖形15除了部分結(jié)構(gòu)位于兩個(gè)過(guò)孔中之外，還有部分結(jié)構(gòu)位于第二絕緣層17之上，使得第二電極圖形15跨越的距離較大，位于過(guò)孔周?chē)呐_(tái)階處和拐角處的第二電極圖形15較為脆弱，導(dǎo)致第二電極圖形制作完成之后的工藝中特別是產(chǎn)品制作完成和使用過(guò)程中容易發(fā)生腐蝕，從而容易發(fā)生劣化斷路、線(xiàn)不良和異常顯示等問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明提供一種顯示基板及其制造方法和顯示裝置，用于降低后續(xù)工藝中產(chǎn)生各種不良現(xiàn)象的機(jī)率，以及避免第二電極圖形發(fā)生劣化斷路、線(xiàn)不良和異常顯示等問(wèn)題。
[0009]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板，包括:襯底基板和形成于所述襯底基板上方的第一金屬層、第二金屬層、第一電極圖形、第二電極圖形、第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層位于所述第一金屬層之上，所述第二絕緣層位于所述第一絕緣層的上方，所述第一電極圖形和所述第二金屬層位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間；
[0010]所述第一絕緣層和第二絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一金屬層正上方的位置設(shè)置有過(guò)孔，所述第一電極圖形的一端與所述第二金屬層連接，所述第一電極圖形的另一端延伸至所述過(guò)孔內(nèi)，所述第二電極圖形位于所述過(guò)孔內(nèi)且與所述第一電極圖形連接，所述第二電極圖形還與第一金屬層連接。
[0011]可選地，所述過(guò)孔包括設(shè)置于所述第一絕緣層上的第一子過(guò)孔和設(shè)置于所述第二絕緣層上的第二子過(guò)孔，所述第一子過(guò)孔和所述第二子過(guò)孔連通且所述第二子過(guò)孔的寬度大于所述第一子過(guò)孔的寬度；
[0012]位于所述過(guò)孔中的第一電極圖形位于所述第二子過(guò)孔中且位于所述第一絕緣層之上；
[0013]位于所述過(guò)孔中的第二電極圖形的一端位于第一子過(guò)孔中，位于所述過(guò)孔中的第二電極圖形的另一端位于第二子過(guò)孔中且位于所述第一電極圖形之上。
[0014]可選地，所述過(guò)孔靠近所述第二金屬層的一側(cè)為臺(tái)階狀。
[0015]可選地，所述第二金屬層位于第一電極圖形之下，或者所述第二金屬層位于所述第一電極圖形之上。
[0016]可選地，所述第一金屬層為柵極金屬層，所述第二金屬層為源漏金屬層；或者，
[0017]所述第一金屬層為源漏金屬層，所述第二金屬層為柵金屬層。
[0018]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括:相對(duì)設(shè)置的上述基板和對(duì)置基板。
[0019]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板的制造方法，包括:
[0020]在襯底基板的上方形成第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第一電極圖形和第二絕緣層，所述第一絕緣層位于所述第一金屬層之上，所述第二絕緣層位于所述第一絕緣層的上方，所述第一電極圖形和所述第二金屬層位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間，所述第一電極圖形的一端與所述第二金屬層連接；
[0021]在第一絕緣層和第二絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一金屬層正上方的位置形成過(guò)孔，所述第一電極圖形的另一端延伸至所述過(guò)孔內(nèi)；
[0022]在所述襯底基板的上方形成所述第二電極圖形，所述第二電極圖形位于所述過(guò)孔內(nèi)且與所述第一電極圖形連接，所述第二電極圖形還與第一金屬層連接。
[0023]可選地，所述在襯底基板的上方形成第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第一電極圖形和第二絕緣層包括:
[0024]在所述襯底基板之上形成所述第一金屬層；
[0025]在所述第一金屬層之上形成所述第一絕緣層；
[0026]在所述第一絕緣層上形成有源層和位于有源層之上的第二金屬層；
[0027]在所述第二金屬層之上形成所述第一電極圖形；
[0028]在所述第一電極圖形之上形成所述第二絕緣層。
[0029]可選地，所述在襯底基板的上方形成第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第一電極圖形和第二絕緣層包括:
[0030]在所述襯底基板之上形成所述第一金屬層；
[0031]在所述第一金屬層之上形成所述第一絕緣層；
[0032]在所述第一絕緣層之上形成有源層；
[0033]在所述襯底基板的上方形成所述第一電極圖形；
[0034]在所述第一電極圖形之上形成所述第二金屬層；
[0035]在所述第二金屬層之上形成所述第二絕緣層。
[0036]可選地，所述過(guò)孔包括設(shè)置于所述第一絕緣層上的第一子過(guò)孔和設(shè)置于所述第二絕緣層上的第二子過(guò)孔，所述第一子過(guò)孔和所述第二子過(guò)孔連通且所述第二子過(guò)孔的寬度大于所述第一子過(guò)孔的寬度；
[0037]位于所述過(guò)孔中的第一電極圖形位于所述第二子過(guò)孔中且位于所述第一絕緣層之上；
[0038]位于所述過(guò)孔中的第二電極圖形的一端位于第一子過(guò)孔中，位于所述過(guò)孔中的第二電極圖形的另一端位于第二子過(guò)孔中且位于所述第一電極圖形之上。
[0039]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0040]本發(fā)明提供的顯示基板及其制造方法和顯示裝置的技術(shù)方案中，第一絕緣層和第二絕緣層對(duì)應(yīng)第一金屬層正上方的位置設(shè)置有過(guò)孔，第一電極圖形的一端與第二金屬層連接，第一電極圖形的另一端延伸至過(guò)孔內(nèi)，第二電極圖形位于過(guò)孔內(nèi)且與第一電極圖形連接，第二電極圖形還與第一金屬層連接，以實(shí)現(xiàn)第一金屬層和第二金屬層的連接，本發(fā)明采用一個(gè)過(guò)孔對(duì)不同的金屬層進(jìn)行連接，降低了過(guò)孔的分布密度，從而降低了后續(xù)工藝中產(chǎn)生各種不良現(xiàn)象的機(jī)率。本發(fā)明中僅采用一個(gè)多孔對(duì)不同的金屬層進(jìn)行連接且作為連接介質(zhì)的第二電極圖形位于過(guò)孔中，使得第二電極圖形無(wú)需位于過(guò)孔周?chē)呐_(tái)階處和拐角處，避免了由過(guò)孔周?chē)呐_(tái)階處和拐角處引起的第二電極圖形發(fā)生腐蝕的現(xiàn)象，從而避免了第二電極圖形發(fā)生劣化斷路、線(xiàn)不良和異常顯示等問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0041]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中H-ADS顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種顯不基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0043]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖4a為實(shí)施例四中形成第一金屬層的示意圖；
[0045]圖4b為實(shí)施例四中形成第一絕緣層的示意圖；
[0046]圖4c為實(shí)施例四中形成第二金屬層的示意圖；
[0047]圖4d為實(shí)施例四中形成第一電極圖形的示意圖；
[0048]圖4e為實(shí)施例四中形成第二絕緣層的示意圖；
[0049]圖4f為實(shí)施例四中形成過(guò)孔的示意圖；
[0050]圖5a為實(shí)施例五中形成第一金屬層的不意圖；<