本發(fā)明涉及顯示基板制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜版、過(guò)孔的制作方法及顯示基板的制作方法。

背景技術(shù)：

目前，在顯示基板的制作工藝中，通常需要在某些薄膜中制作過(guò)孔?，F(xiàn)有技術(shù)中，制作過(guò)孔時(shí)，通常在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠，然后用掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，然后對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影，光刻膠內(nèi)形成與待制作的過(guò)孔對(duì)應(yīng)的孔狀結(jié)構(gòu)，然后對(duì)薄膜與光刻膠內(nèi)孔狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔。

采用上述方法制作過(guò)孔時(shí)，掩膜版上的透光孔的直徑與過(guò)孔的直徑相對(duì)應(yīng)，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，光刻膠內(nèi)形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度通常較大，甚至接近垂直，因而對(duì)薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕時(shí)，使得刻蝕介質(zhì)(例如干刻時(shí)所使用的等離子體、濕刻時(shí)所使用的蝕刻液等)穿過(guò)孔狀結(jié)構(gòu)與薄膜接觸的量減少，刻蝕介質(zhì)不能對(duì)薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行充分刻蝕，造成對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕后形成的過(guò)孔遠(yuǎn)離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜版，用于解決對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕后形成的過(guò)孔遠(yuǎn)離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料的技術(shù)問(wèn)題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種掩膜版，包括板體和呈環(huán)狀的半色調(diào)片，所述板體上開(kāi)設(shè)有透光孔，所述透光孔包括位于所述透光孔的中部、且與待制作的過(guò)孔對(duì)應(yīng)的全透區(qū)，所述半色調(diào)片環(huán)繞所述全透區(qū)設(shè)置，并遮蔽所述透光孔除所述全透區(qū)以外的區(qū)域。

優(yōu)選地，由所述半色調(diào)片的內(nèi)環(huán)指向所述半色調(diào)片的外環(huán)的方向，所述半色調(diào)片的透光率逐漸減小。

優(yōu)選地，所述透光孔的半徑與所述半色調(diào)片的內(nèi)環(huán)半徑之差為0.5μm～1μm。

優(yōu)選地，所述半色調(diào)片位于所述透光孔內(nèi)。

在本發(fā)明提供的掩膜版中，板體上的透光孔包括位于透光孔的中部、且與待制作的過(guò)孔對(duì)應(yīng)的全透區(qū)，以及由半色調(diào)片遮蔽的區(qū)域，由半色調(diào)片遮蔽的區(qū)域可認(rèn)為是非全透區(qū)，非全透區(qū)環(huán)繞全透區(qū)，當(dāng)利用本發(fā)明提供的掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，光刻膠與全透區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域在光刻膠的厚度方向上被完全曝光，光刻膠與由半色調(diào)片遮蔽的非全透區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域在光刻膠的厚度方向上被部分曝光，對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影后，在光刻膠中形成的孔狀結(jié)構(gòu)呈倒錐臺(tái)狀，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較小，與現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后形成的孔狀結(jié)構(gòu)中，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較大甚至垂直相比，當(dāng)對(duì)薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕時(shí)，使得進(jìn)入光刻膠的孔狀結(jié)構(gòu)的刻蝕介質(zhì)增加，增加與薄膜接觸的刻蝕介質(zhì)的數(shù)量，改善對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕時(shí)的刻蝕能力和刻蝕效果，使得刻蝕介質(zhì)對(duì)薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行充分刻蝕，從而防止對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕后形成的過(guò)孔遠(yuǎn)離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料。

本發(fā)明的目的還在于提供一種過(guò)孔的制作方法，用于解決對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕后形成的過(guò)孔遠(yuǎn)離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料的技術(shù)問(wèn)題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種過(guò)孔的制作方法，包括：

在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠；

利用如上述技術(shù)方案所述的掩膜版，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光；

對(duì)曝光后的所述光刻膠進(jìn)行顯影，暴露出所述薄膜；

對(duì)暴露的所述薄膜進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔。

優(yōu)選地，對(duì)暴露的所述薄膜進(jìn)行刻蝕的工藝為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝。

進(jìn)一步地，對(duì)暴露的所述薄膜進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔的步驟之后，所述過(guò)孔的制作方法還包括：

去除殘留的所述光刻膠。

所述過(guò)孔的制作方法與上述掩膜版相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。

本發(fā)明的目的還在于提供一種顯示基板的制作方法，用于解決對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕后形成的過(guò)孔遠(yuǎn)離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料的技術(shù)問(wèn)題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種顯示基板的制作方法，其特征在于，所述顯示基板的制作方法包括如上述技術(shù)方案所述的過(guò)孔的制作方法。

進(jìn)一步地，在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠的步驟之前，所述顯示基板的制作方法還包括：

在襯底基板上形成柵極層，所述柵極層包括薄膜晶體管的柵極和連接驅(qū)動(dòng)電路的第一驅(qū)動(dòng)電極；

形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述襯底基板和所述柵極層；

在所述柵極絕緣層上形成有源層；

形成源漏極層，所述源漏極層包括薄膜晶體管的源極和漏極，以及第二驅(qū)動(dòng)電極，所述源極和所述漏極分別與所述有源層接觸，所述第二驅(qū)動(dòng)電極與所述第一驅(qū)動(dòng)電極連接；

形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述柵極絕緣層、所述有源層和所述源漏極層；所述鈍化層為待制作過(guò)孔的薄膜，所述過(guò)孔包括對(duì)應(yīng)于所述漏極的第一過(guò)孔或/和對(duì)應(yīng)于所述第二驅(qū)動(dòng)電極的第二過(guò)孔。

所述顯示基板的制作方法與上述過(guò)孔的制作方法相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法的流程圖；

圖3至圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作過(guò)孔的工藝流程圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作方法的流程圖。

附圖標(biāo)記：

10-掩膜版，11-板體，

12-透光孔，13-全透區(qū)，

14-半色調(diào)片，21-襯底基板，

22-柵極，23-第一驅(qū)動(dòng)電極，

24-柵極絕緣層，25-有源層，

26-源極，27-漏極，

28-第二驅(qū)動(dòng)電極，29-鈍化層，

291-第一過(guò)孔，292-第二過(guò)孔，

30-光刻膠，31-完全曝光區(qū)，

32-部分曝光區(qū)，33-孔狀結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版、過(guò)孔的制作方法及顯示基板的制作方法，下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版10包括板體11和呈環(huán)狀的半色調(diào)片14，板體11上開(kāi)設(shè)有透光孔12，透光孔12包括位于透光孔12的中部、且與待制作的過(guò)孔對(duì)應(yīng)的全透區(qū)13，半色調(diào)片14環(huán)繞全透區(qū)13設(shè)置，并遮蔽透光孔12除全透區(qū)13以外的區(qū)域。

舉例來(lái)說(shuō)，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版10可以用于對(duì)形成在薄膜上的光刻膠進(jìn)行曝光，以便后續(xù)在薄膜上形成過(guò)孔，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版10包括板體11和呈環(huán)狀的半色調(diào)片14，板體11上開(kāi)設(shè)有透光孔12，透光孔12包括位于透光孔12的中部、且與待制作的過(guò)孔對(duì)應(yīng)的全透區(qū)13，透光孔12除全透區(qū)13以外的區(qū)域?yàn)榉侨竻^(qū)，非全透區(qū)環(huán)繞全透區(qū)13，半色調(diào)片14環(huán)繞全透區(qū)13，并遮蔽非全透區(qū)，其中，半色調(diào)片14可以遮擋部分光，并使部分光透過(guò)。當(dāng)利用本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版10對(duì)形成在待制作過(guò)孔的薄膜上的光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，光刻膠與透光孔12的全透區(qū)13對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全曝光區(qū)，光刻膠與透光孔12中由半色調(diào)片14遮蔽的非全透區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成部分曝光區(qū)，完全曝光區(qū)在光刻膠的厚度方向上被完全曝光，而部分曝光區(qū)在光刻膠的厚度方向上被部分曝光，即完全曝光區(qū)的曝光深度等于光刻膠的厚度，而部分曝光區(qū)的曝光深度小于光刻膠的厚度，對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影后，在光刻膠中形成呈倒錐臺(tái)狀的孔狀結(jié)構(gòu)，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較小，對(duì)薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕時(shí)，進(jìn)入光刻膠的孔狀結(jié)構(gòu)的刻蝕介質(zhì)增加。

由上述可知，在本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版10中，板體11上的透光孔12包括位于透光孔12的中部、且與待制作的過(guò)孔對(duì)應(yīng)的全透區(qū)13，以及由半色調(diào)片14遮蔽的區(qū)域，由半色調(diào)片14遮蔽的區(qū)域可認(rèn)為是非全透區(qū)，非全透區(qū)環(huán)繞全透區(qū)13，當(dāng)利用本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版10對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，光刻膠與全透區(qū)13對(duì)應(yīng)的區(qū)域在光刻膠的厚度方向上被完全曝光，光刻膠與由半色調(diào)片14遮蔽的非全透區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域在光刻膠的厚度方向上被部分曝光，對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影后，在光刻膠中形成的孔狀結(jié)構(gòu)呈倒錐臺(tái)狀，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較小，與現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后形成的孔狀結(jié)構(gòu)中，孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度較大甚至垂直相比，當(dāng)對(duì)薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕時(shí)，使得進(jìn)入光刻膠的孔狀結(jié)構(gòu)的刻蝕介質(zhì)增加，增加與薄膜接觸的刻蝕介質(zhì)的數(shù)量，改善對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕時(shí)的刻蝕能力和刻蝕效果，使得刻蝕介質(zhì)對(duì)薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行充分刻蝕，從而防止對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕后形成的過(guò)孔遠(yuǎn)離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料。

另外，由于利用本發(fā)明實(shí)施例提供掩膜版10對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光后，可以防止后續(xù)在薄膜中形成的過(guò)孔遠(yuǎn)離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料，因而可以防止薄膜上側(cè)和下側(cè)的兩個(gè)導(dǎo)電層出現(xiàn)連接不良的現(xiàn)象，例如，顯示基板中像素電極通過(guò)鈍化層中的過(guò)孔與薄膜晶體管的漏極連接時(shí)，出現(xiàn)像素電極與漏極連接不良的現(xiàn)象，從而防止顯示裝置顯示畫(huà)面時(shí)出現(xiàn)暗點(diǎn)、黑線等不良現(xiàn)象，改善顯示裝置的畫(huà)面顯示質(zhì)量。

在本發(fā)明實(shí)施例中，半色調(diào)片14的透光率可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，例如，半色調(diào)片14的各個(gè)區(qū)域的透光率可以均相等；或者，半色調(diào)片14的各個(gè)區(qū)域的透光率可以均不相等，例如，由半色調(diào)片14的內(nèi)環(huán)指向所述半色調(diào)片14的外環(huán)的方向，半色調(diào)片14的透光率逐漸減小，此時(shí)，當(dāng)利用本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版10對(duì)形成在待制作過(guò)孔的薄膜上的光刻膠進(jìn)行曝光時(shí)，光刻膠與透光孔12的全透區(qū)13對(duì)應(yīng)的區(qū)域的曝光深度等于光刻膠的厚度，而光刻膠與透光孔12中由半色調(diào)片14遮蔽的非全透區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，光刻膠與透光孔12中由半色調(diào)片14遮蔽的非全透區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域的內(nèi)邊緣指向外邊緣的方向，光刻膠的曝光深度逐漸減小，當(dāng)對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影后，在光刻膠中形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁較平滑，不會(huì)出現(xiàn)較多且較平的臺(tái)階，從而可以防止孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁出現(xiàn)的較明顯的臺(tái)階對(duì)刻蝕介質(zhì)進(jìn)行阻擋，進(jìn)一步使得刻蝕介質(zhì)對(duì)薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行充分刻蝕，防止對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕后形成的過(guò)孔遠(yuǎn)離光刻膠的一側(cè)殘留有薄膜的材料。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板中，透光孔12的半徑與半色調(diào)片14的內(nèi)環(huán)半徑之差可以為0.5μm～1μm，即透光孔12的半徑與全透區(qū)13的半徑之差為0.5μm～1μm，也可以理解為呈環(huán)狀的半色調(diào)片14覆蓋透光孔12的區(qū)域的寬度為0.5μm～1μm，或者，透光孔12內(nèi)非全透區(qū)的寬度為0.5μm～1μm，如此設(shè)計(jì)，可以防止因透光孔12內(nèi)非全透區(qū)的寬度太小(例如小于0.5μm)而造成光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面的坡度太大，防止穿過(guò)孔狀結(jié)構(gòu)與薄膜接觸的刻蝕介質(zhì)的數(shù)量減少，同時(shí)，還可以防止因非全透區(qū)的寬度太大而造成對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后形成的孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠的表面過(guò)于平坦，防止孔狀結(jié)構(gòu)的孔壁對(duì)刻蝕介質(zhì)產(chǎn)生阻擋。

在上述實(shí)施例中，半色調(diào)片14的設(shè)置方式可以為多種，例如，半色調(diào)片14可以位于透光孔12外板體11的一側(cè)，此時(shí)，半色調(diào)片14的外環(huán)直徑可以大于透光孔12的直徑；或者，半色調(diào)片14可以位于透光孔12內(nèi)，此時(shí)，半色調(diào)片14的外環(huán)面與透光孔12的孔壁貼合。

請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種過(guò)孔的制作方法，包括：

步驟s100、在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠。

步驟s200、利用如上述實(shí)施例所述的掩膜版，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。

步驟s300、對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影，暴露出薄膜。

步驟s400、對(duì)暴露的薄膜進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔。

具體地，在步驟s100中，請(qǐng)參閱圖3，在完成待制作過(guò)孔的薄膜的形成后，在該薄膜上形成光刻膠30，光刻膠30可以為正性光刻膠。

在步驟s200中，請(qǐng)參閱圖4，利用上述實(shí)施例提供的掩膜版10，對(duì)光刻膠30進(jìn)行曝光，其中，掩膜版10中板體11的透光孔12的數(shù)量可以根據(jù)薄膜中需要制作的過(guò)孔的數(shù)量確定，例如，薄膜中需要制作的過(guò)孔的數(shù)量為兩個(gè)，則掩膜版10中板體11的透光孔12的數(shù)量可以為兩個(gè)，而且，掩膜版10中板體11的透光孔12的尺寸可以根據(jù)薄膜中待制作的、對(duì)應(yīng)的過(guò)孔的尺寸確定；光刻膠30與掩膜版10中板體11的透光孔12的全透區(qū)13對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆毓鈪^(qū)31，光刻膠30與透光孔12中半色調(diào)片14對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴糠制毓鈪^(qū)32，即光刻膠30與透光孔12中非全透區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴糠制毓鈪^(qū)32，對(duì)光刻膠30進(jìn)行曝光時(shí)，與透光孔12的全透區(qū)13對(duì)應(yīng)的光全部穿過(guò)全透區(qū)13照射在光刻膠30的完全曝光區(qū)31，與透光孔12的非全透區(qū)或半色調(diào)片14對(duì)應(yīng)的光中的部分光穿過(guò)非全透區(qū)或半色調(diào)片14照射在光刻膠30的部分曝光區(qū)32，使光刻膠30的完全曝光區(qū)31在光刻膠30的厚度方向上完全曝光，使光刻膠30的部分曝光區(qū)32的曝光深度小于光刻膠30的厚度。

在步驟s300中，請(qǐng)參閱圖5，對(duì)曝光后的光刻膠30進(jìn)行顯影，暴露出薄膜，其中，對(duì)曝光后的光刻膠30進(jìn)行顯影后，在光刻膠30中形成孔狀結(jié)構(gòu)33，孔狀結(jié)構(gòu)33呈倒錐臺(tái)狀，孔狀結(jié)構(gòu)33的孔壁相對(duì)薄膜朝向光刻膠30的表面具有一定的坡度，孔狀結(jié)構(gòu)33的孔底暴露出薄膜。

在步驟s400中，請(qǐng)參閱圖6，對(duì)暴露的薄膜進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔，其中，對(duì)暴露的薄膜進(jìn)行刻蝕時(shí)，使刻蝕介質(zhì)穿過(guò)光刻膠30中的孔狀結(jié)構(gòu)33與暴露的薄膜接觸，以實(shí)現(xiàn)對(duì)暴露的薄膜進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔，由于光刻膠30中的孔狀結(jié)構(gòu)33呈倒錐臺(tái)狀，因而穿過(guò)孔狀結(jié)構(gòu)33與暴露的薄膜接觸的刻蝕介質(zhì)的數(shù)量增加，改善改善對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕時(shí)的刻蝕能力和刻蝕效果，使得刻蝕介質(zhì)對(duì)薄膜與孔狀結(jié)構(gòu)33對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行充分刻蝕，從而防止對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕后形成的過(guò)孔遠(yuǎn)離光刻膠30的一側(cè)殘留有薄膜的材料。

所述過(guò)孔的制作方法與上述掩膜版10相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。

在上述實(shí)施例中，在步驟s400中，對(duì)暴露的薄膜進(jìn)行刻蝕時(shí)，所采用的工藝可以為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝，其中，采用干法刻蝕工藝時(shí)，刻蝕介質(zhì)為等離子體(plasma)，采用濕法刻蝕工藝時(shí)，刻蝕介質(zhì)為刻蝕液。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2，在本發(fā)明實(shí)施例提供的過(guò)孔的制作方法中，在步驟s400、對(duì)暴露的薄膜進(jìn)行刻蝕，形成過(guò)孔之后，所述過(guò)孔的制作方法還包括：

步驟s500、去除殘留的光刻膠。

具體地，在步驟s500中，請(qǐng)參閱圖7，去除殘留的光刻膠30，即去除在步驟s300中對(duì)曝光后的光刻膠30進(jìn)行顯影后，殘留在薄膜上的光刻膠30。去除殘留的光刻膠30后，在制作有過(guò)孔的薄膜上形成一層功能膜層(例如像素電極)，該功能膜層則可以通過(guò)對(duì)應(yīng)的過(guò)孔與薄膜下側(cè)的功能膜層(例如漏極27)連接。

請(qǐng)參閱圖8，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板的制作方法，所述顯示基板的制作方法包括如上述實(shí)施例所述的過(guò)孔的制作方法。

所述顯示基板的制作方法與上述過(guò)孔的制作方法相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖8，在本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作方法中，過(guò)孔可以為制作在像素電極與薄膜晶體管的源漏極層之間的鈍化層29中的過(guò)孔，該鈍化層29則為待制作過(guò)孔的薄膜，則步驟s100、在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠30中，光刻膠30形成在該鈍化層29上，此時(shí)，在待制作過(guò)孔的薄膜上形成光刻膠30的步驟之前，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的制作方法還包括：

步驟s10、在襯底基板上形成柵極層，柵極層包括薄膜晶體管的柵極和連接驅(qū)動(dòng)電路的第一驅(qū)動(dòng)電極。

步驟s20、形成柵極絕緣層，柵極絕緣層覆蓋襯底基板和柵極層。

步驟s30、在柵極絕緣層上形成有源層。

步驟s40、形成源漏極層，源漏極層包括薄膜晶體管的源極和漏極，以及第二驅(qū)動(dòng)電極，源極和漏極分別與有源層接觸，第二驅(qū)動(dòng)電極與第一驅(qū)動(dòng)電極連接。

步驟s50、形成鈍化層，鈍化層覆蓋柵極絕緣層、有源層和源漏極層；鈍化層為待制作過(guò)孔的薄膜，過(guò)孔包括對(duì)應(yīng)于漏極的第一過(guò)孔或/和對(duì)應(yīng)于第二驅(qū)動(dòng)電極的第二過(guò)孔。

請(qǐng)參閱圖7，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板包括襯底基板21、位于襯底基板21上的薄膜晶體管、位于襯底基板21上的第一驅(qū)動(dòng)電極23、位于第一驅(qū)動(dòng)電極23上方且與第一驅(qū)動(dòng)電極23連接的第二驅(qū)動(dòng)電極28、以及覆蓋薄膜晶體管、第二驅(qū)動(dòng)電極28的鈍化層29，其中，薄膜晶體管包括柵極22、柵極絕緣層24、有源層25、源極26和漏極27，柵極22位于襯底基板21上，柵極22與第一驅(qū)動(dòng)電極23同層設(shè)置，構(gòu)成柵極層的一部分，第一驅(qū)動(dòng)電極23可以位于顯示基板的非顯示區(qū)或顯示區(qū)內(nèi)的非開(kāi)口區(qū)；柵極絕緣層24覆蓋襯底基板21、柵極層；有源層25位于柵極絕緣層24上；源極26和漏極27位于有源層25上側(cè)，源極26、漏極27和第二驅(qū)動(dòng)電極28同層設(shè)置，構(gòu)成源漏極層的一部分，源極26和漏極27分別與有源層25接觸，第二驅(qū)動(dòng)電極28位于第一驅(qū)動(dòng)電極23的上方，第二驅(qū)動(dòng)電極28通過(guò)柵極絕緣層24中的過(guò)孔與第一驅(qū)動(dòng)電極23連接；鈍化層29覆蓋柵極絕緣層24、有源層25、源漏極層，鈍化層29與漏極27對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有第一過(guò)孔291，該第一過(guò)孔291用于位于鈍化層29上的像素電極與漏極27的連接，鈍化層29與第二驅(qū)動(dòng)電極28對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有第二過(guò)孔292，該第二過(guò)孔292用于第二驅(qū)動(dòng)電極28與驅(qū)動(dòng)電路的連接。

上述顯示基板的制作方法可以為：先在襯底基板21上形成包括柵極22和第一驅(qū)動(dòng)電極23的柵極層；然后形成覆蓋襯底基板21和柵極層的柵極絕緣層24；然后在柵極絕緣層24上形成有源層25；然后形成包括源極26、漏極27和第二驅(qū)動(dòng)電極28的源漏極層；然后形成覆蓋柵極絕緣層24、有源層25和源漏極27層的鈍化層29；然后在鈍化層29中形成對(duì)應(yīng)于漏極27的第一過(guò)孔291和對(duì)應(yīng)于第二驅(qū)動(dòng)電極28的第二過(guò)孔292。

在上述實(shí)施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。