本公開涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

近來，正在積極地發(fā)展平板顯示裝置，例如液晶顯示(lcd)裝置和有機發(fā)光二極管(oled)顯示裝置。lcd裝置通過施加電場到容納在兩個顯示面板之間的液晶層并通過控制電場的強度以調(diào)節(jié)穿過液晶層的光的透射率而獲得期望的圖像。oled顯示裝置利用特定有機材料或者聚合物的電致發(fā)光來顯示字符或者圖像。

平板顯示裝置可以具有彎曲的表面以通過提供彎曲表面的顯示區(qū)域而提供具有改善的三維感和沉浸感的圖像。顯示裝置可以形成有遮蓋除了顯示圖像的區(qū)域之外的區(qū)域的光屏蔽構(gòu)件。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的一方面提供一種具有增大的透射率的顯示裝置。

根據(jù)本公開的示范實施方式，提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括：柵線，在第一方向上延伸；數(shù)據(jù)線，在交叉第一方向的第二方向上延伸；像素，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，在第一區(qū)域中設(shè)置連接到柵線和數(shù)據(jù)線的晶體管以及用于連接晶體管和像素電極的接觸孔，在第二區(qū)域中設(shè)置像素電極，其中第一寬度的長度比第二寬度的長度長，第一寬度是在第一區(qū)域上沿著第一方向延伸的任意的直線上的兩點之間的距離的最大值，第二寬度是在第一區(qū)域上沿著第二方向延伸的任意的直線上的兩點之間的距離的最大值，第三寬度的長度比第四寬度的長度長，第三寬度是在第二區(qū)域上沿著第一方向延伸的任意的直線上的兩點之間的距離的最大值，第四寬度是在第二區(qū)域上沿著第二方向延伸的任意的直線上的兩點之間的距離的最大值。

根據(jù)本公開的另一示范實施方式，提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括：顯示區(qū)域，其中設(shè)置矩陣陣列的多個像素，該多個像素沿著在平面上從左向右的第一方向以及在該平面上與第一方向交叉的第二方向彼此相鄰地設(shè)置；多個柵線，在顯示區(qū)域上在第一方向上延伸；多個數(shù)據(jù)線，在顯示區(qū)域上在第二方向上延伸；以及光屏蔽構(gòu)件，設(shè)置在顯示區(qū)域上以交疊每個像素的局部區(qū)域以及多個柵線，其中顯示區(qū)域包括設(shè)置在其中心線的左邊的第一子顯示區(qū)域以及設(shè)置在其中心線的右邊的第二子顯示區(qū)域，每個像素包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域是其中設(shè)置連接到柵線和數(shù)據(jù)線的晶體管以及用于連接晶體管和像素電極的接觸孔的區(qū)域，第二區(qū)域中設(shè)置像素電極，設(shè)置為交疊第一子顯示區(qū)域的像素的局部區(qū)域的光屏蔽構(gòu)件形成為與第一區(qū)域相同的形狀并且設(shè)置為從第一區(qū)域向右偏移，設(shè)置為交疊第二子顯示區(qū)域的局部區(qū)域的光屏蔽構(gòu)件形成為與第一區(qū)域相同的形狀并設(shè)置為從第一區(qū)域向左偏移。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示范性實施方式，多個特征對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得明顯，附圖中：

圖1示出根據(jù)本公開的實施方式的顯示裝置的方框圖；

圖2示出圖1中的顯示裝置的顯示面板的單個像素的布局圖；

圖3示出沿圖2的線i-i’截取的截面圖；

圖4示出圖1中的顯示裝置的顯示面板的單個像素的布局圖，其另外示出光屏蔽構(gòu)件；

圖5示出根據(jù)本公開的另一實施方式的顯示面板的透視圖；

圖6示出圖5中示出的顯示面板的側(cè)視圖；

圖7示出根據(jù)本公開的另一實施方式的顯示裝置的顯示面板的示意圖；

圖8示出圖7的區(qū)域f的放大布局圖；

圖9示出圖7的區(qū)域g的放大布局圖；

圖10示出圖7的區(qū)域h的放大布局圖；

圖11示出根據(jù)本公開的另一實施方式的顯示面板的單個像素的布局圖；

圖12至圖14示出圖11中的顯示面板的單個像素的布局圖，其另外示出光屏蔽構(gòu)件；

圖15示出根據(jù)本公開的另一實施方式的顯示面板的單個像素的布局圖；以及

圖16至圖18示出圖15中的顯示面板的單個像素的布局圖，其另外示出光屏蔽構(gòu)件。

具體實施方式

現(xiàn)在將下面參照附圖更充分地描述示例實施方式；然而，它們可以以不同的形式實施而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的實施方式。而是，提供這些實施方式使得本公開透徹和完整，并將示范實施方式充分傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。

在附圖中，為了圖示的清晰，可以夸大層和區(qū)域的尺寸。還將理解，當(dāng)一層或元件被稱為“在”另一層或基板“上”時，它可以直接在該另一層或基板“上”，或者也可以存在居間的層。此外，還將理解，當(dāng)一層被稱為在兩個層“之間”時，它可以是這兩個層之間的僅有的層，或者也可以存在一個或多個居間的層。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。

將理解，盡管這里可以使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)受到這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件與另一元件區(qū)別開。因此，以下論述的第一元件可以被稱為第二元件，而沒有脫離本公開的教導(dǎo)。

這里使用的術(shù)語僅是為了描述特定實施方式的目的，而不旨在進行限制。如這里使用的，單數(shù)形式“一”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，包括“至少一個”，除非該內(nèi)容清楚地另外指示。“或”意味著“和/或”。如這里所用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)所列項目的任何及所有組合。還將理解的，術(shù)語“包括”和/或“包含”當(dāng)在本說明書中使用時，指定所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或多個其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或添加。

為了便于描述，這里可以使用空間關(guān)系術(shù)語諸如“在...之下”、“在...下面”、“下”、“之上”、“上”等來描述一個元件或特征與另一個(些)元件或特征如附圖所示的關(guān)系。將理解，空間關(guān)系術(shù)語旨在涵蓋除了附圖中繪出的取向之外器件在使用或操作中的不同的取向。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為“在”其它元件或特征“下面”或“之下”的元件將會取向為在其它元件或特征“上面”。因此，示范性術(shù)語“在...下面”可以涵蓋之上和之下兩種取向。裝置可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它的取向)，這里使用的空間關(guān)系描述符被相應(yīng)地解釋。

在下文，將參照附圖詳細描述本公開的優(yōu)選實施方式。

圖1是根據(jù)本公開的實施方式的顯示裝置的方框圖。作為示例，圖1示出液晶顯示(lcd)裝置。

參照圖1，根據(jù)實施方式的液晶顯示裝置可以包括柵驅(qū)動器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動器120、信號控制器130和顯示面板140。

信號控制器130從外部接收各種信號以控制柵驅(qū)動器110和數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。例如，信號控制器130可以從外部接收第一圖像數(shù)據(jù)data1和輸入控制信號cont1用于控制其顯示，并可以輸出柵驅(qū)動器控制信號cont3、數(shù)據(jù)驅(qū)動器控制信號cont2、第二圖像數(shù)據(jù)data2等。

第一圖像數(shù)據(jù)data1可以包括每個像素px的亮度信息。亮度信息可以具有但是不限于限定數(shù)目(例如，1024(＝2¹⁰)、256(＝2⁸)或者64(＝2⁶))的灰階，并可以具有其它的值。輸入的第一圖像數(shù)據(jù)data1可以以幀為單位來劃分。

傳輸?shù)叫盘柨刂破?30的輸入控制信號cont1可以包括例如垂直同步信號vsync、水平同步信號hsync、主時鐘mclk、數(shù)據(jù)使能信號de等。然而，其它類型的信號可以被另外地輸入，而不限于此。

柵驅(qū)動器控制信號cont3可以是控制柵驅(qū)動器110的操作的信號，并可以由信號控制器130產(chǎn)生。柵驅(qū)動器控制信號cont3可以包括掃描開始信號、時鐘信號等，并且還可以包括其它信號，而不限于此。柵驅(qū)動器110可以根據(jù)柵驅(qū)動器控制信號cont3產(chǎn)生能夠激活像素px的柵信號，并可以提供柵信號到對應(yīng)的柵線g1至gn。

數(shù)據(jù)驅(qū)動器控制信號cont2可以是控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器120的操作的信號，并可以由信號控制器130產(chǎn)生。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可以根據(jù)數(shù)據(jù)驅(qū)動器控制信號cont2產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號，并可以傳輸數(shù)據(jù)信號到對應(yīng)的數(shù)據(jù)線。

顯示面板140包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。像素px可以設(shè)置在顯示區(qū)域da中，用于驅(qū)動像素px所需的部件可以設(shè)置在非顯示區(qū)域nda中。例如，用于驅(qū)動像素px所需的部件可以對應(yīng)于信號控制器130、數(shù)據(jù)驅(qū)動器120和柵驅(qū)動器110。

像素px是在顯示被用戶實際可視地識別的圖像時能夠控制圖像的單獨的灰階的最小單位。像素px可以以矩陣的形式布置在顯示區(qū)域da中。

數(shù)據(jù)線d1至dm和柵線g1至gn可以設(shè)置在顯示面板140上。柵線g1至gn可以從柵驅(qū)動器110接收柵信號，并可以提供柵信號到對應(yīng)的像素px。數(shù)據(jù)線d1至dm可以從數(shù)據(jù)驅(qū)動器120接收數(shù)據(jù)信號，并可以提供數(shù)據(jù)信號到對應(yīng)的像素px。

每個像素px可以連接到數(shù)據(jù)線d1至dm中的一條以及柵線g1至gn中的一條，像素px可以通過從數(shù)據(jù)線d1至dm提供的數(shù)據(jù)信號和從柵線g1至gn供應(yīng)的柵信號來控制。然而，數(shù)據(jù)線d1至dm中的一條可以連接到多個像素px，柵線g1至gn中的一條可以連接到多個像素px。

另外，每個像素px可以唯一地顯示原色中的單個顏色以實現(xiàn)彩色顯示。原色的示例可以包括紅色、綠色和藍色。在本說明書中，顯示紅色的像素px被稱為紅色像素，顯示綠色的像素px被稱為綠色像素，顯示藍色的像素px被稱為藍色像素，顯示白色的像素px被稱為白色像素。

連續(xù)地設(shè)置的紅色像素、綠色像素和藍色像素可以聚集在一起以形成單個上部像素upx。上部像素upx可以通過三個像素px聚集在一起而形成，三個聚集在一起的像素px的每個可以僅顯示紅色、綠色和藍色之一，但是單個上部像素upx可以顯示任意的顏色。這里，任意的顏色表示能夠通過結(jié)合紅色像素中顯示的紅色、綠色像素中顯示的綠色以及藍色像素中顯示的藍色而顯示的各種顏色的全部。

可以考慮到其中需要數(shù)據(jù)線d1至dm之一以及柵線g1至gn中的三條來控制單個上部像素upx的操作的情況以及其中需要柵線g1至gn之一以及數(shù)據(jù)線d1至dm中的三條來控制單個上部像素upx的操作的情況。然而，在前一種情況下，lcd裝置的制造成本可以低于后者的情況。例如，隨著lcd裝置所需的數(shù)據(jù)線d1至dm的數(shù)目增加，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120的制造成本增加，并且隨著lcd裝置所需的柵線g1至gn的數(shù)目增加，柵驅(qū)動器110的制造成本會增加。然而，通常，具有增加的數(shù)目的柵線g1至gn的柵驅(qū)動器110的制造成本的增加幅度可以小于具有增加的數(shù)目的數(shù)據(jù)線d1至dm的數(shù)據(jù)驅(qū)動器120的制造成本的增加幅度。

因此，在本實施方式中，單個上部像素upx可以連接到數(shù)據(jù)線d1至dm之一和柵線g1至gn中的三條。然而，對于這些連接結(jié)構(gòu)，包含在上部像素upx中的每個像素px的寬度可以在特定方向上形成得長。這將在下面更詳細地描述。

圖2是顯示面板140的單個像素px的布局圖，圖3是沿圖2的線i-i’截取的截面圖，圖4是其中在顯示面板140的單個像素px中另外示出光屏蔽構(gòu)件的布局圖。參照圖2至圖4，根據(jù)本實施方式的顯示面板140可以包括陣列基板as、相對基板oas以及液晶層lcl。

參照圖3，陣列基板as形成有用于驅(qū)動液晶層lcl的液晶分子的晶體管tr，并且相對基板oas是與陣列基板as相對地設(shè)置的基板。在下文，將描述陣列基板as。

陣列基板as可以包括第一基底基板sub1。第一基底基板sub1可以是透明的絕緣基板。例如，第一基底基板sub1可以由例如玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等制成。此外，第一基底基板sub1也可以包括例如具有高耐熱性的聚合物或者塑料。

在一些實施方式中，第一基底基板sub1還可以具有柔性。也就是，第一基底基板sub1可以是能夠通過滾壓、折疊、彎折等變形的基板，并且可以利用第一基底基板sub1來制造彎曲表面的顯示裝置。

參照圖2，柵線gl、第一柵電極ge_a、第二柵電極ge_b和第三柵電極ge_c可以設(shè)置在第一基底基板sub1上。柵線gl可以傳輸柵信號并可以在第一方向dr1上延伸。

這里，第一方向dr1對應(yīng)于平行于第一基底基板sub1的一側(cè)延伸的方向，并且如圖2所示，第一方向dr1可以定義為由從左向右延伸的任意的直線表示的方向。然而，實施方式不限于此，并且第一方向dr1不一定需要平行于第一基底基板sub1的一側(cè)，并且也可以是由在第一基底基板sub1上在特定方向上延伸的任意的直線表示的方向。

柵信號可以是從外部提供的具有變化的電壓值的信號，并且下面描述的第一至第三晶體管tr_a、tr_b和tr_c的開/關(guān)可以根據(jù)柵信號的電壓值來控制。

第一至第三柵電極ge_a、ge_b和ge_c可以形成為從柵線gl突出的形狀，并可以是形成將在后面描述的第一至第三晶體管tr_a、tr_b和tr_c的部件之一。在單個柵線gl，可以形成多個第一柵電極ge_a、多個第二柵電極ge_b和多個第三柵電極ge_c。第一至第三柵電極ge_a、ge_b和ge_c的布置將在下面參照第一至第三晶體管tr_a、tr_b和tr_c的描述更詳細地描述。

柵線gl以及第一至第三柵電極ge_a、ge_b和ge_c可以包含鋁基金屬例如鋁(al)或者鋁合金、銀基金屬例如銀(ag)或者銀合金、銅基金屬例如銅(cu)或者銅合金、鉬基金屬例如鉬(mo)或者鉬合金、鉻(cr)、鉭(ta)和鈦(ti)。柵線gl以及第一至第三柵電極ge_a、ge_b和ge_c可以具有單層結(jié)構(gòu)或者也可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同的物理性質(zhì)的至少兩個導(dǎo)電層。例如，單個導(dǎo)電膜可以由低電阻金屬例如鋁基金屬、銀基金屬、銅基金屬等制成，以減小柵線gl以及第一至第三柵電極ge_a、ge_b和ge_c的信號延遲或者電壓降。在另一示例中，另一些導(dǎo)電膜可以由其它的材料形成，例如具有與銦錫氧化物(ito)和銦鋅氧化物(izo)的優(yōu)異的接觸特性的材料，諸如鉬基金屬、鉻、鈦、鉭等。這些組合的示例可以是下鉻膜和上鋁膜以及下鋁膜和上鉬膜。然而，本公開不限于此，并且柵線gl以及第一至第三柵電極ge_a、ge_b和ge_c可以由各種導(dǎo)體諸如金屬形成。

柵絕緣膜gi可以設(shè)置在柵線gl以及第一至第三柵電極ge_a、ge_b和ge_c上。柵絕緣膜gi可以由絕緣材料例如硅氮化物或者硅氧化物制成。柵絕緣膜gi可以由單層結(jié)構(gòu)制成或者可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理性質(zhì)的至少兩個絕緣層。

第一至第三半導(dǎo)體層al_a、al_b和al_c可以設(shè)置在柵絕緣膜gi上。第一半導(dǎo)體層al_a可以至少部分地交疊第一柵電極ge_a，第二半導(dǎo)體層al_b可以至少部分地交疊第二柵電極ge_b，第三半導(dǎo)體層al_c可以至少部分地交疊第三柵電極ge_c。第一至第三半導(dǎo)體層al_a、al_b和al_c可以包括例如非晶硅、多晶硅或者氧化物半導(dǎo)體。第一至第三半導(dǎo)體層al_a、al_b和al_c分別交疊第一至第三柵電極ge_a、ge_b和ge_c中的對應(yīng)一個，并可以根據(jù)工藝而設(shè)置為交疊將在后面描述的數(shù)據(jù)線dl、源電極se或漏電極de的至少部分或者全部。

在一些實施方式中，歐姆接觸構(gòu)件可以進一步設(shè)置在第一至第三半導(dǎo)體層al_a、al_b和al_c之上。歐姆接觸構(gòu)件可以由摻雜有高密度的n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅形成或者由硅化物形成。歐姆接觸構(gòu)件可以成對地設(shè)置在第一至第三半導(dǎo)體層al_a、al_b和al_c之上。在一些實施方式中，當(dāng)?shù)谝恢恋谌雽?dǎo)體層al_a、al_b和al_c是氧化物半導(dǎo)體時，可以省略歐姆接觸構(gòu)件。

數(shù)據(jù)線dl、第一至第三源電極se_a、se_b和se_c、第一至第三漏電極de_a、de_b和de_c、以及存儲線cstl設(shè)置在第一至第三半導(dǎo)體層al_a、al_b和al_c以及柵絕緣膜gi上。數(shù)據(jù)線dl可以在第二方向dr2上延伸以與柵線gl交叉。

這里，第二方向dr2可以是與第一方向dr1垂直地交叉的方向。如圖2所示，第二方向dr2可以是由從上側(cè)朝向下側(cè)延伸的任意的直線表示的方向。然而，實施方式不限于此，并且第二方向dr2和第一方向dr1之間形成的角度可以不是垂直的，在這種情況下，第二方向dr2也可以是由不平行于第一方向dr1延伸的直線表示的方向。

數(shù)據(jù)線dl可以通過柵絕緣膜gi而與柵線gl絕緣。數(shù)據(jù)線dl可以提供從外部輸入的數(shù)據(jù)信號到第一源電極se_a和第二源電極se_b。這里，數(shù)據(jù)信號可以是從外部提供的具有改變的電壓值的信號，并且每個像素px的灰階可以被控制為對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號。

參照圖2，第一源電極se_a從數(shù)據(jù)線dl分支，并可以至少部分地交疊第一柵電極ge_a。此外，第二源電極se_b從數(shù)據(jù)線dl分支，并可以至少部分地交疊第二柵電極ge_b。

存儲線cstl可以在第二方向dr2上延伸以與柵線gl交叉。存儲線cstl可以由與數(shù)據(jù)線dl相同的材料形成在與數(shù)據(jù)線dl相同的層上，并可以設(shè)置為不交疊數(shù)據(jù)線dl。然而，存儲線cstl還可以包括在第一方向dr1上延伸的區(qū)段用于與將在后面描述的第三源電極se_c連接。存儲線cstl可以通過柵絕緣膜gi而與柵線gl絕緣。

存儲線cstl可以將從外部輸入的存儲信號提供到第三源電極se_c。這里，存儲信號可以是從外部提供的具有恒定電壓值的信號，并可以是具有小于數(shù)據(jù)信號的最大電壓值并大于數(shù)據(jù)信號的最小電壓值的電壓值的信號。第三源電極se_c從存儲線cstl分支并可以至少部分地交疊第三柵電極ge_c。

第一漏電極de_a可以設(shè)置為與第一源電極se_a間隔開而使第一半導(dǎo)體層al_a插置在其間，并至少部分地交疊第一柵電極ge_a。此外，第二漏電極de_b可以設(shè)置為與第二源電極se_b間隔開而使第二半導(dǎo)體層al_b插置在其間，并可以至少部分地交疊第二柵電極ge_b。此外，第三漏電極de_c可以設(shè)置為與第三源電極se_c間隔開而使第三半導(dǎo)體層al_c插置在其間，并至少部分地交疊第三柵電極ge_c。在這種情況下，如圖2所示，第一源電極se_a可以形成為以規(guī)則的間距以“u”形狀圍繞第一漏電極de_a。類似地，第二源電極se_b可以形成為以規(guī)則的間距以“u”形狀圍繞第二漏電極de_b。然而，第三源電極se_c可以設(shè)置為以規(guī)則的間距平行于第三漏電極de_c間隔開。

如上所述的第一至第三源電極se_a、se_b和se_c以及第一至第三漏電極de_a、de_b和de_c的形狀是示例，并且不限于此。例如，第三源電極se_c也可以形成為以規(guī)則的間距以“u”形狀圍繞第三漏電極de_c。

第一半導(dǎo)體層al_a可以設(shè)置在第一源電極se_a和第一漏電極de_a之間的區(qū)域中，該區(qū)域通過彼此間隔開的第一源電極se_a和第一漏電極de_a形成。也就是，第一源電極se_a和第一漏電極de_a部分地交疊或者接觸第一半導(dǎo)體層al_a，并可以設(shè)置為彼此面對而使第一半導(dǎo)體層al_a插置在其間。

類似地，第二半導(dǎo)體層al_b可以設(shè)置在第二源電極se_b和第二漏電極de_b之間的區(qū)域中，該區(qū)域通過彼此間隔開的第二源電極se_b和第二漏電極de_b形成。也就是，第二源電極se_b和第二漏電極de_b部分地交疊或者接觸第二半導(dǎo)體層al_b，并可以設(shè)置為彼此面對而使第二半導(dǎo)體層al_b插置在其間。

此外，第三半導(dǎo)體層al_c可以設(shè)置在第三源電極se_c和第三漏電極de_c之間的區(qū)域中，該區(qū)域通過彼此間隔開的第三源電極se_c和第三漏電極de_c形成。也就是，第三源電極se_c和第三漏電極de_c部分地交疊或者接觸第三半導(dǎo)體層al_c，并可以設(shè)置為彼此面對而使第三半導(dǎo)體層al_c插置在其間。

數(shù)據(jù)線dl、存儲線cstl、第一至第三源電極se_a、se_b和se_c、以及第一至第三漏電極de_a、de_b和de_c可以由例如鋁、銅、銀、鉬、鉻、鈦、鉭或者其合金形成。此外，它們可以具有但是不限于由例如難熔金屬的下膜和形成在其上的低電阻上膜制成的多層結(jié)構(gòu)。

第一晶體管tr_a由第一柵電極ge_a、第一半導(dǎo)體層al_a、第一源電極se_a和第一漏電極de_a形成。此外，第二晶體管tr_b由第二柵電極ge_b、第二半導(dǎo)體層al_b、第二源電極se_b和第二漏電極de_b形成。此外，第三晶體管tr_c由第三柵電極ge_c、第三半導(dǎo)體層al_c、第三源電極se_c和第三漏電極de_c形成。

第一晶體管tr_a可以將第一源電極se_a和第一漏電極de_a電連接到彼此以對應(yīng)于供給到第一柵電極gea的柵信號的電壓值。例如，當(dāng)供給到第一柵電極ge_a的柵信號的電壓值對應(yīng)于使第一晶體管tr_a截止的電壓值時，第一源電極se_a和第一漏電極de_a可以彼此電絕緣。當(dāng)供給到第一柵電極ge_a的柵信號的電壓值對應(yīng)于使第一晶體管tr_a導(dǎo)通的電壓時，第一源電極se_a和第一漏電極de_a通過形成在設(shè)置于其間的第一半導(dǎo)體層al_a中的溝道而電連接到彼此。

溝道可以形成在第一半導(dǎo)體層al_a的在第一源電極se_a和第一漏電極de_a之間的區(qū)域中。也就是，當(dāng)?shù)谝痪w管tr_a處于導(dǎo)通狀態(tài)時，溝道形成在設(shè)置于第一源電極se_a和第一漏電極de_a之間的區(qū)域中的第一半導(dǎo)體層al_a中，電壓被傳輸并且電流可以沿著溝道流動。

結(jié)果，提供到數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)信號可以通過第一漏電極de_a傳輸?shù)竭B接到第一漏電極de_a的第一子像素電極pe_h，并且數(shù)據(jù)信號的傳輸或者不傳輸可以通過提供在柵線gl上的柵信號來控制。將在下面具體地描述第一子像素電極pe_h。

類似地，第二晶體管tr_b可以電連接第二源電極se_b和第二漏電極de_b以對應(yīng)于供給到第二柵電極ge_b的柵信號的電壓值。因此，提供到數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)信號可以通過第二漏電極de_b傳輸?shù)竭B接到第二漏電極de_b的第二子像素電極pe_l。將在下面具體地描述第二子像素電極pe_l。

此外，第三晶體管tr_c可以電連接第三源電極se_c和第三漏電極de_c以對應(yīng)于供給到第三柵電極ge_c的柵信號的電壓值。因此，提供到存儲線cstl的存儲信號可以通過第三漏電極de_c傳輸?shù)竭B接到第三漏電極de_c的第二子像素電極pe_l。

這里，不同于僅從第一漏電極de_a接收數(shù)據(jù)信號的第一子像素電極pe_h，第二子像素電極pe_l可以從第二漏電極de_b接收數(shù)據(jù)信號并可以從第三漏電極de_c接收存儲信號。因此，盡管第一子像素電極pe_h接收對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的電壓值，但是數(shù)據(jù)信號的電壓值和存儲信號的電壓值之間的電壓值可以被提供到第二子像素電極pe_l。

這里，當(dāng)數(shù)據(jù)信號的電壓值大于存儲信號的電壓值時，數(shù)據(jù)信號的電壓值與存儲信號的電壓值之間的一個電壓值表示小于數(shù)據(jù)信號的電壓值且大于存儲信號的電壓值的電壓值中的任何一個電壓值。此外，當(dāng)數(shù)據(jù)信號的電壓值小于存儲信號的電壓值時，該一個電壓值表示大于數(shù)據(jù)信號的電壓值且小于存儲信號的電壓值的電壓值中的任何一個電壓值。此外，數(shù)據(jù)信號的電壓值與存儲信號的電壓值之間的該一個電壓值可以被確定為對應(yīng)于第二源電極se_b和第二漏電極de_b的間隔形狀以及第三源電極se_c和第三漏電極de_c的間隔形狀。由于第一至第三晶體管tr_a、tr_b和tr_c被包括在單個像素px中，并且不同的電壓值相應(yīng)地最終施加到第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l，所以可以改善顯示裝置的可見度。

鈍化膜pa可以設(shè)置在柵絕緣膜gi以及第一至第三晶體管tr_a、tr_b和tr_c上。鈍化膜pa可以由有機絕緣材料或者無機絕緣材料制成，并可以覆蓋第一至第三晶體管tr_a、tr_b和tr_c。

平坦化膜il可以設(shè)置在鈍化膜pa上。平坦化膜il可以具有平坦化鈍化膜pa的頂部的作用。平坦化膜il可以由有機材料制成。平坦化膜il可以由光敏有機成分制成，并且額外的光敏有機成分可以進一步形成在平坦化膜il的底部，而不限于此。此外，平坦化膜il也可以由包含用于實現(xiàn)顏色的顏料的材料制成，并且包含用于實現(xiàn)顏色的顏料的光敏有機成分層可以另外形成在另一平坦化膜il的底部。例如，平坦化膜il也可以包含光敏有機成分中的紅色、綠色和藍色顏料中的任何一個。也就是，絕緣膜il也可以具有將在后面描述的濾色器cf的功能。

第一接觸孔ch_h和第二接觸孔ch_l可以形成在平坦化膜il和鈍化膜pa以及薄膜晶體管的一部分上，例如穿過平坦化膜il和鈍化膜pa以及薄膜晶體管的一部分形成。具體地，第一至第三漏電極de_a、de_b和de_c中的一些可以通過第一接觸孔ch_h和第二接觸孔ch_l暴露。

更具體地，第一接觸孔ch_h可以垂直地穿過平坦化膜il和鈍化膜pa。第一接觸孔ch_h暴露第一漏電極de_a的一部分，并可以形成為交疊第一漏電極de_a的一部分。第一漏電極de_a的一部分和設(shè)置在平坦化膜il上的將在后面描述的第一子像素電極pe_h可以通過形成在第一接觸孔ch_h內(nèi)的導(dǎo)電材料物理連接和電連接到彼此。這里，形成在第一接觸孔ch_h內(nèi)的導(dǎo)電材料可以是將在后面描述的第一子像素電極pe_h的一部分。

此外，第二接觸孔ch_l也可以垂直地穿過平坦化膜il和鈍化膜pa。第二接觸孔ch_l暴露第二漏電極de_b的一部分和第三漏電極de_c的一部分，并可以形成為交疊第二漏電極de_b的一部分和第三漏電極de_c的一部分。第二漏電極de_b的一部分、第三漏電極de_c的一部分以及設(shè)置在平坦化膜il上的將在后面描述的第二子像素電極pe_l可以通過形成在第二接觸孔ch_l內(nèi)的導(dǎo)電材料物理連接和電連接到彼此。這里，形成在第二接觸孔ch_l內(nèi)的導(dǎo)電材料可以是將在后面描述的第二子像素電極pe_l的一部分。

第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l可以設(shè)置在平坦化膜il上。第一子像素電極pe_h可以通過第一接觸孔ch_h物理地連接到第一漏電極de_a以從第一漏電極de_a接收電壓。此外，第二子像素電極pe_l可以通過第二接觸孔ch_l物理地連接到第二漏電極de_b和第三漏電極de_c以從第二漏電極de_b和第三漏電極de_c接收電壓。

第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l可以由透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、銦錫鋅氧化物(itzo)和鋁摻雜的鋅氧化物(azo)制成。第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l可以包括形成為“+”形狀的主干電極st和從主干電極st延伸的多個分支電極br。第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l的每個可以通過主干電極st分成多個域。例如，如圖2所示，第一子像素電極pe_h可以通過主干電極st分成四個象限，并且每個象限可以對應(yīng)于一個域。此時，分支電極br的延伸方向?qū)τ诿總€域可以彼此不同。在相同的域內(nèi)的分支電極br也可以彼此平行設(shè)置并以間距彼此間隔開，并且其中不形成透明導(dǎo)電材料的作為開口的狹縫sl可以形成在相鄰的分支電極br之間。由于在相同的域內(nèi)的分支電極br彼此平行設(shè)置并且以間距彼此間隔開，所以在相同的域內(nèi)的狹縫sl也可以彼此平行設(shè)置并且以間距彼此間隔開。

每個像素px設(shè)置在像素區(qū)域pxa中。像素區(qū)域pxa被定義為包括第一區(qū)域ar_1和第二區(qū)域ar_2的區(qū)域。第一區(qū)域ar_1是包括用于控制液晶分子的部件的區(qū)域，例如包括圖2中的在數(shù)據(jù)線dl的兩側(cè)的晶體管的區(qū)域。第二區(qū)域ar_2是包括液晶分子的區(qū)域，例如包括圖2中的像素電極的分支電極br的區(qū)域，分支電極br在不同的時間通過不同的數(shù)據(jù)信號控制。

用于控制液晶分子的部件可以包括設(shè)置在像素區(qū)域pxa中的第一至第三晶體管tr_a、tr_b和tr_c。也就是，像素區(qū)域pxa包括第一區(qū)域ar_1和第二區(qū)域ar_2。此外，由于液晶分子通過由第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l形成的電場控制，所以第二區(qū)域ar_2可以與其中設(shè)置第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l的區(qū)域相同，例如第二區(qū)域ar_2可以是包括第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l的區(qū)域。

第二區(qū)域ar_2在第一方向dr1上延伸的寬度形成得比在第二方向dr2上延伸的寬度更長。這里，當(dāng)?shù)诙^(qū)域ar_2的布置平面上沿著第一方向dr1的任意的直線上的兩點之間的距離具有最大值時，第二區(qū)域ar_2在第一方向dr1上延伸的寬度指的是兩點之間的距離。類似地，當(dāng)?shù)诙^(qū)域ar_2的布置平面上沿著第二方向dr2延伸的任意的直線上的兩點之間的距離具有最大值時，第二區(qū)域ar_2在第二方向dr2上延伸的寬度指的是兩點之間的距離。例如，第二區(qū)域ar_2在第一方向dr1上的寬度可以從第一子像素電極pe_h的最外邊緣(圖2中的左側(cè))到第二子像素電極pe_l的最外邊緣(圖2中的右側(cè))測量，并且第二區(qū)域ar_2在第二方向dr2上的寬度可以沿著第二方向dr2在第二子像素電極pe_l的相反的兩個邊緣之間測量(例如，在圖4中的灰色區(qū)域之上的由虛線圍繞的區(qū)域)。

此外，第二區(qū)域ar_2在第一方向dr1上延伸的寬度形成得比在第二方向dr2上延伸的寬度更長，沿著第一方向dr1連續(xù)地設(shè)置的像素px的顯示顏色彼此相同，并且沿著第二方向dr2連續(xù)地設(shè)置的像素px的顯示顏色可以彼此不同。例如，在第二方向dr2上連續(xù)地設(shè)置的每個像素px可以設(shè)置為使得紅色像素、綠色像素和藍色像素交替地重復(fù)，并且紅色像素、綠色像素和藍色像素中的任何一個可以沿第一方向dr1連續(xù)地設(shè)置。在這種情況下，沿著第二方向dr2連續(xù)地設(shè)置的三個像素px(即，沿著第二方向dr2連續(xù)地設(shè)置的紅色像素、綠色像素和藍色像素)可以一個接一個地聚在一起以形成單個上部像素upx。

然而，實施方式不限于此。例如，顯示除了紅色、綠色和藍色之外的其它顏色的像素px也可以被另外地設(shè)置，并且不顯示顏色的白色像素也可以被設(shè)置，并且像素px可以聚在一起而變成用于顯示單個顏色的基本單位。當(dāng)?shù)诙^(qū)域ar_2在第一方向dr1上延伸的寬度形成得比在第二方向dr2上延伸的寬度更長時，盡管設(shè)置在第二方向dr2上的像素px的數(shù)目增加，但是沿著第一方向dr1設(shè)置的像素px的數(shù)目相應(yīng)地減少。因此，盡管在第一方向dr1上延伸的柵線gl的數(shù)目增加，但是沿著第二方向dr2延伸的數(shù)據(jù)線dl的數(shù)目相應(yīng)地減少。結(jié)果，盡管用于提供柵信號到柵線gl的柵驅(qū)動器110的所要求的容量增大，但是用于提供數(shù)據(jù)信號到數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)驅(qū)動器120的所要求的容量相應(yīng)地減少，因此液晶顯示裝置的制造成本降低，如以上參照圖1所述的。

第一配向膜rm1可以設(shè)置在第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l上。第一配向膜rm1可以使設(shè)置在將在后面描述的液晶層lcl中的液晶分子預(yù)傾斜。也就是，在電場沒有施加到液晶層lcl的狀態(tài)下，第一配向膜rm1可以使液晶分子配向為指向一方向，該方向與垂直于其上形成第一配向膜rm1的平面的方向形成在恒定方向上的0.5°至3°的角度。然而，第一配向膜rm1也可以被省略。也可以由于液晶分子的自身的物理性質(zhì)而形成預(yù)傾斜，而不是第一配向膜rm1的預(yù)傾斜。

在下文，將描述相對基板oas。相對基板oas可以包括第二基底基板sub2、光屏蔽構(gòu)件bm、公共電極ce、蓋層oc和第二配向膜rm2。第二基底基板sub2設(shè)置為面對第一基底基板sub1。第二基底基板sub2可以具有能夠承受來自外部的沖擊的耐久性。第二基底基板sub2可以是透明的絕緣基板。例如，第二基底基板sub2可以由例如玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等制成。此外，第二基底基板sub2也可以包括例如具有高耐熱性的聚合物或者塑料。第二基底基板sub2可以是平板型，但是它也可以在特定方向上彎曲。在一些實施方式中，第二基底基板sub2也可以具有柔性。也就是，第二基底基板sub2可以是能夠通過滾壓、折疊、彎曲等而變形的基板。

光屏蔽構(gòu)件bm可以設(shè)置在第二基底基板sub2上(在附圖中的下部)。光屏蔽構(gòu)件bm可以設(shè)置為交疊每個像素px的第一區(qū)域ar_1和柵線gl，如圖4所示，從而防止由于液晶分子的錯排(misalignment)引起的光泄漏。

第一區(qū)域ar_1在第一方向dr1上延伸的寬度形成得比在第二方向dr2上延伸的寬度更長。這里，當(dāng)?shù)谝粎^(qū)域ar_1的布置平面上沿著第一方向dr1的任意的直線上的兩點之間的距離具有最大值時，第一區(qū)域ar_1在第一方向dr1上延伸的寬度指的是兩點之間的距離。類似地，當(dāng)?shù)谝粎^(qū)域ar_1的布置平面上沿著第二方向dr2延伸的任意的直線上的兩點之間的距離具有最大值時，第一區(qū)域ar_1在第二方向dr2上延伸的寬度指的是兩點之間的距離。例如，第一區(qū)域ar_1在第一方向dr1上的寬度可以從第一接觸孔ch_h的最外邊緣(圖2中的左側(cè))到第三晶體管tr_c的最外邊緣(圖2中的右側(cè))測量，并且第一區(qū)域ar_1在第二方向dr2上的寬度可以沿著第二方向dr2在晶體管的相反的兩個邊緣之間測量(例如，在圖2和圖4中的被虛線圍繞的區(qū)域)。

在這種情況下，當(dāng)形成光屏蔽構(gòu)件bm時，即使與沿著第一方向dr1的想要的布置相比發(fā)生一些誤差，在誤差發(fā)生的區(qū)域中，誤差可能發(fā)生在將沿著第一方向dr1的誤差發(fā)生長度乘以第一區(qū)域ar_1在第二方向dr2上延伸的寬度的長度獲得的面積。也就是，由于誤差的發(fā)生區(qū)域的一側(cè)的長度對應(yīng)于第一區(qū)域ar_1在第二方向dr2上延伸的寬度而不是第一區(qū)域ar_1在第一方向dr1上延伸的寬度，所以可以最小化其中發(fā)生誤差的區(qū)域的面積。

濾色器cf可以設(shè)置在第二基底基板sub2和光屏蔽構(gòu)件bm上(在附圖中的下部)。濾色器cf可以使從第一基底基板sub1的外部入射并發(fā)射到第二基底基板sub2的外部的光具有特定的顏色。濾色器cf可以由包含用于實現(xiàn)顏色的顏料的光敏有機成分制成，并可以包含紅色、綠色和藍色顏料中的任何一個。

蓋層oc可以設(shè)置在光屏蔽構(gòu)件bm和濾色器cf上(在附圖中的下部)。蓋層oc可以減小由光屏蔽構(gòu)件bm和濾色器cf引起的高度差。在一些實施方式中，蓋層oc可以根據(jù)需要而被省略。

公共電極ce可以設(shè)置在蓋層oc上(在附圖中的下部)。然而，當(dāng)蓋層oc被省略時，公共電極ce可以設(shè)置在光屏蔽構(gòu)件bm和濾色器cf上。公共電極ce可以由透明的導(dǎo)電材料制成，并可以完全形成在第二基底基板sub2的整個表面之上。公共信號被施加到公共電極ce，并可以與第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l一起形成電場。

第二配向膜rm2可以設(shè)置在公共電極ce上(在附圖中的下部)。第二配向膜rm2可以具有與以上描述的第一配向膜rm1類似的功能。也就是，第二配向膜rm2可以使設(shè)置在液晶層lcl中的液晶分子預(yù)傾斜。在下文，將描述液晶層lcl。

液晶層lcl可以包括具有介電各向異性的多個液晶分子。液晶分子可以是在陣列基板as和相對基板oas之間布置在垂直于陣列基板as和相對基板oas的方向上的垂直配向型液晶分子。當(dāng)電場施加在陣列基板as和相對基板oas之間時，液晶分子可以在陣列基板as和相對基板oas之間在特定方向上旋轉(zhuǎn)以透射或阻擋光。表述“液晶分子旋轉(zhuǎn)”可以包括液晶分子的取向通過電場而變化的含義以及液晶分子實際上旋轉(zhuǎn)的含義。

圖5是根據(jù)本公開的另一實施方式的顯示面板的透視圖，圖6是圖5中示出的顯示面板的側(cè)視圖。

參照圖5和圖6，顯示面板140可以包括陣列基板as、面對陣列基板as的相對基板oas以及插置在陣列基板as和相對基板oas之間的液晶層lcl。陣列基板as和相對基板oas可以具有沿著特定方向的彎曲形狀。更具體地，如圖5和圖6所示的，它們可以具有沿著第一方向dr1彎曲的形狀以具有圍繞作為軸的在第二方向dr2上延伸的任意的直線的恒定曲率。因此，陣列基板as和相對基板oas可以在沿第一方向dr1截取的截面中具有彎曲的形狀，如圖6所示。

實施方式不限于此，陣列基板as和相對基板oas也可以具有沿著第二方向dr2彎曲的形狀以具有圍繞作為軸的在第一方向dr1上延伸的任意的直線的恒定曲率。

在顯示裝置具有彎曲形狀的情況下，它可以在初始制造狀態(tài)被制造為具有平面形狀之后經(jīng)受被彎曲成彎曲形狀的工藝。然而，在將相對基板oas和陣列基板as彎曲為彎曲形狀的過程中，由于液晶層lcl如上所述設(shè)置在相對基板oas和陣列基板as之間，所以包括在相對基板oas和陣列基板as中的部件的布置會由于相對基板oas和陣列基板as之間的距離差而不同于具有平面形狀的情況。

例如，在光屏蔽構(gòu)件bm被包括在相對基板oas中的情況下，光屏蔽構(gòu)件bm需要設(shè)置為交疊形成包括在陣列基板as中的柵線gl以及第一至第三晶體管tr_a、tr_b和tr_c的部件，也就是，設(shè)置為交疊柵線gl以及每個像素px的第一區(qū)域ar_1。然而，由于陣列基板as和相對基板oas被彎曲，所以發(fā)生光屏蔽構(gòu)件bm設(shè)置為交疊柵線gl、第二區(qū)域ar_2和第一區(qū)域ar_1的未對準(zhǔn)，這會降低透射率。

例如，當(dāng)從彎曲形狀的顯示裝置的側(cè)表面觀看時，這樣的現(xiàn)象會發(fā)生在圖6的區(qū)域b和區(qū)域d中。具體地，液晶層lcl被注入在陣列基板as和相對基板oas之間，并且相對基板oas和陣列基板as沿著邊緣通過密封件接合，使得注入的液晶層lcl的液晶分子不泄漏。由于從密封件(即，從陣列基板as和相對基板oas的接合邊緣)到區(qū)域b和d的距離大于從密封件到區(qū)域a和e的距離，所以與光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)會發(fā)生在區(qū)域b和d中。此外，由于區(qū)域c是顯示裝置的中心區(qū)域并且在兩側(cè)對稱地彎曲至相同的程度，所以光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)會發(fā)生在區(qū)域b和區(qū)域d中而不發(fā)生在區(qū)域c中。

作為示例，當(dāng)具有48英寸大小的顯示面板140的曲率半徑為約3000mm并且光屏蔽構(gòu)件bm設(shè)置在區(qū)域b和d中時，會發(fā)生光屏蔽構(gòu)件bm的從第二區(qū)域ar_2向左或向右約26.7μm的未對準(zhǔn)。類似地，當(dāng)具有48英寸大小的顯示面板140的曲率半徑為約4000mm時，會發(fā)生光屏蔽構(gòu)件bm的約19.9μm的未對準(zhǔn)，并且當(dāng)具有48英寸大小的顯示面板140的曲率半徑為約5000mm時，在光屏蔽構(gòu)件bm中會發(fā)生約15.8μm的未對準(zhǔn)。也就是，隨著曲率半徑減小，光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)會增大。

當(dāng)具有55英寸大小的顯示面板140的曲率半徑為約3000mm時，會發(fā)生光屏蔽構(gòu)件bm的約32μm的未對準(zhǔn)，并且當(dāng)具有65英寸大小的顯示面板140的曲率半徑為約3000mm時，在光屏蔽構(gòu)件bm中會發(fā)生約38.9μm的未對準(zhǔn)。此外，當(dāng)具有105英寸大小的顯示面板140的曲率半徑為約3000mm時，在光屏蔽構(gòu)件bm中會發(fā)生約72.2μm的未對準(zhǔn)。也就是，隨著顯示面板140的尺寸增大，光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)會增大。

因此，通過改變光屏蔽構(gòu)件bm的結(jié)構(gòu)，可以最小化以上描述的光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)，并可以改善透射率。這將參照圖7到圖10更詳細地描述。

圖7是示出根據(jù)本公開的另一實施方式的液晶顯示裝置的顯示面板的示意圖，圖8是示出圖7的區(qū)域f的放大布局圖，圖9是示出圖7的區(qū)域g的放大布局圖，圖10是示出圖7的區(qū)域h的放大布局圖。

參照圖7，區(qū)域f示出設(shè)置在顯示面板140的第一子顯示區(qū)域sda1的中心處的像素px以及設(shè)置在其附近的像素px所設(shè)置的區(qū)域。區(qū)域g示出設(shè)置在顯示面板140的第二子顯示區(qū)域sda2的中心處的像素px以及設(shè)置在其附近的像素px所設(shè)置的區(qū)域。區(qū)域h示出其中設(shè)置在第一子顯示區(qū)域sda1和第二子顯示區(qū)域sda2之間的邊界上的像素px以及設(shè)置在其附近的像素px所設(shè)置的區(qū)域。

在下面的實施方式中，與上述構(gòu)造相同的構(gòu)造將由相同的附圖標(biāo)記表示，并且將省略或簡化重復(fù)的描述。圖7至圖10中示出的液晶顯示裝置對應(yīng)于在特定方向上彎曲之前的圖5和圖6的液晶顯示裝置。

參照圖7至圖10，顯示面板140可以包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。如上所述，像素px可以設(shè)置在顯示區(qū)域da中，用于驅(qū)動像素px所需的部件可以設(shè)置在非顯示區(qū)域nda中。

顯示區(qū)域da包括第一子顯示區(qū)域sda1和第二子顯示區(qū)域sda2。第一子顯示區(qū)域sda1是當(dāng)沿著在第二方向dr2上延伸的直線將顯示區(qū)域da二等分時對應(yīng)于顯示區(qū)域da的左半部的區(qū)域，第二子顯示區(qū)域sda2是當(dāng)沿著在第二方向dr2上延伸的直線將顯示區(qū)域da二等分時對應(yīng)于顯示區(qū)域da的右半部的區(qū)域。也就是，顯示區(qū)域da包括設(shè)置在其中心線的左側(cè)的第一子顯示區(qū)域sda1和設(shè)置在其中心線的右側(cè)的第二子顯示區(qū)域sda2。

設(shè)置在第一子顯示區(qū)域sda1中的像素px和提供在第二子顯示區(qū)域sda2中的像素px可以在光屏蔽構(gòu)件bm的布置上彼此不同。具體地，在第一子顯示區(qū)域sda1和第二子顯示區(qū)域sda2中，光屏蔽構(gòu)件bm設(shè)置為部分地交疊柵線gl和每個像素px的局部區(qū)域。這里，由于柵線gl在第一方向dr1上延伸以穿過第一子顯示區(qū)域sda1和第二子顯示區(qū)域sda2，所以光屏蔽構(gòu)件bm的設(shè)置為在第一方向dr1上延伸穿過第一子顯示區(qū)域sda1和第二子顯示區(qū)域sda2的區(qū)域?qū)?yīng)于交疊柵線gl的區(qū)域。另外，光屏蔽構(gòu)件bm的設(shè)置為從光屏蔽構(gòu)件bm的交疊上述柵線gl的區(qū)域突出到在第二方向dr2上的一側(cè)或者另一側(cè)的區(qū)域?qū)?yīng)于光屏蔽構(gòu)件bm的設(shè)置為交疊像素px的局部區(qū)域的區(qū)域。

這里，光屏蔽構(gòu)件bm的設(shè)置為交疊像素px的局部區(qū)域的區(qū)域形成為與每個像素px的第一區(qū)域ar_1相同的形狀。光屏蔽構(gòu)件bm設(shè)置在第一子顯示區(qū)域sda1中從而從第一區(qū)域ar_1偏移(例如偏離)到右側(cè)，并且設(shè)置在第二子顯示區(qū)域sda2中從而從第一區(qū)域ar_1偏移(例如偏離)到左側(cè)。例如，如圖8和圖9中所示的，光屏蔽構(gòu)件bm可以不完全交疊第一區(qū)域ar_1，而是可以略微偏移以暴露其一小部分。

因此，即使顯示面板140如圖5和圖6所示的實施方式一樣被彎曲，通過上述光屏蔽構(gòu)件bm的布置，可以最小化由于光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)引起的透射率的降低。具體地，如圖5和圖6中示出的實施方式中，當(dāng)根據(jù)本實施方式的顯示面板140沿著第一方向dr1被彎曲以具有圍繞作為軸的在第二方向dr2上延伸的任意的直線的恒定曲率時，設(shè)置在第一子顯示區(qū)域sda1中的光屏蔽構(gòu)件bm可以設(shè)置為與顯示面板140被彎曲之前相比偏移(例如移位)到相對左側(cè)，設(shè)置在第二子顯示區(qū)域sda2中的光屏蔽構(gòu)件bm可以設(shè)置為與顯示面板140被彎曲之前相比偏移(例如移位)到相對右側(cè)。

當(dāng)設(shè)置在第一子顯示區(qū)域sda1中的光屏蔽構(gòu)件bm被設(shè)置為從第一區(qū)域ar_1偏移到右側(cè)并且設(shè)置在第二子顯示區(qū)域sda2中的光屏蔽構(gòu)件bm被設(shè)置為從第一區(qū)域ar_1偏移到左側(cè)時，隨著顯示面板140的彎曲而移動的光屏蔽構(gòu)件bm可以準(zhǔn)確地交疊第一區(qū)域ar_1，從而提高透射率，例如最小化與像素電極的交疊。然而，如圖10所示，在設(shè)置于其中不發(fā)生光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)的、在第一子區(qū)域sda1和第二子區(qū)域sda2之間的邊界上的像素px的情況下，光屏蔽構(gòu)件bm和第一區(qū)域ar_1可以彼此交疊從而不移位。另外，如圖6的說明中所描述的，光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)可以最顯著地發(fā)生在設(shè)置于第一子顯示區(qū)域sda1和第二子顯示區(qū)域sda2的中心處的像素px中，光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)可以不明顯地發(fā)生在遠離該像素px設(shè)置的光屏蔽構(gòu)件bm中。

因此，光屏蔽構(gòu)件bm從第一區(qū)域ar_1向右側(cè)偏移的程度可以在設(shè)置于第一子顯示區(qū)域sda1的中心處的像素px中是最大的。此外，光屏蔽構(gòu)件bm從第一區(qū)域ar_1向右側(cè)偏移的程度可以設(shè)置為在設(shè)置于從第一子顯示區(qū)域sda1的中心的左邊或右邊的像素px(即，設(shè)置得更遠的像素px)中是相對小的，在此情況下，可以最大化提高透射率的效果。

類似地，光屏蔽構(gòu)件bm從第一區(qū)域ar_1向左側(cè)偏移的程度可以在設(shè)置于第二子顯示區(qū)域sda2的中心處的像素px中是最大的。此外，光屏蔽構(gòu)件bm從第一區(qū)域ar_1向左側(cè)偏移的程度可以在設(shè)置于從第二子顯示區(qū)域sda2的中心的左邊或右邊的像素(即，設(shè)置得更遠的像素px)中是相對小的，在此情況下，可以最大化提高透射率的效果。

圖11是根據(jù)本公開的另一實施方式的顯示面板的單個像素的布局圖。在下面的示例中，與上述構(gòu)造相同的構(gòu)造將由相同的附圖標(biāo)記表示，并且將省略或簡化重復(fù)的描述。

根據(jù)圖11中示出的實施方式的單個像素px在第二子像素電極pe_l的布置結(jié)構(gòu)上不同于根據(jù)圖2中示出的實施方式的單個像素px。根據(jù)圖11中示出的實施方式，不同于圖2中示出的第二子像素電極pe_l，像素px可以包括兩個第二子像素電極pe_la和pe_lb。盡管第二子像素電極pe_la和第二子像素電極pe_lb可以起到與之前描述的單個第二子像素電極pe_l相同的作用，但是兩個第二子像素電極pe_la和pe_lb可以設(shè)置為彼此物理地間隔開。

具體地，第二子像素電極pe_la和第二子像素電極pe_lb可以設(shè)置為彼此間隔開而使第一子像素電極pe_h插置在其間。相同的電壓被施加到第二子像素電極pe_la和第二子像素電極pe_lb，并且與施加到第二子像素電極pe_la和第二子像素電極pe_lb的電壓不同的電壓可以被施加到第一子像素電極pe_h。通過在第二子像素電極pe_la和第二子像素電極pe_lb之間設(shè)置小于第二子像素電極pe_la和第二子像素電極pe_lb的總面積的第一子像素電極pe_h，可以獲得均勻的顯示質(zhì)量。第二子像素電極pe_la和pe_lb兩者可以連接到第二漏電極de_b和第三漏電極de_c，這與圖2的實施方式的說明中所描述的相同。

除了圖2中示出的實施方式的第一區(qū)域ar_1、第二區(qū)域ar_2和像素區(qū)域pxa內(nèi)的布置之外的其它說明可以直接適用于本示例中示出的第一區(qū)域ar_1和第二區(qū)域ar_2。然而，像素區(qū)域pxa內(nèi)的第一區(qū)域ar_1和第二區(qū)域ar_2的布置可以部分地不同，例如第一區(qū)域ar_1可以鄰近于相鄰的數(shù)據(jù)線dl設(shè)置。然而，實施方式不限于此，第一區(qū)域ar_1和第二區(qū)域ar_2的布置可以考慮到第一子像素電極pe_h的面積以及第二子像素電極pe_la和pe_lb的面積比而被自由地確定。例如，第一區(qū)域ar_1可以設(shè)置在第一子像素電極pe_h之下，并可以設(shè)置為使得由第二子像素電極pe_la和pe_lb的每個占據(jù)的面積是相同的。

圖12至圖14是在圖11中的顯示面板140的不同單個像素中另外地示出光屏蔽構(gòu)件bm的布局圖。在下面的實施方式中，與上述構(gòu)造相同的構(gòu)造將由相同的附圖標(biāo)記表示，并且將省略或簡化重復(fù)的描述。

參照圖12，光屏蔽構(gòu)件bm可以設(shè)置為交疊第一區(qū)域ar_1和柵線gl。光屏蔽構(gòu)件bm可以設(shè)置在第二基底基板sub2上，并可以阻擋由于液晶分子的未對準(zhǔn)而引起的光泄漏，如上所述。另外，雖然圖12示出其中光屏蔽構(gòu)件bm精確地交疊第一區(qū)域ar_1的結(jié)構(gòu)，但是光屏蔽構(gòu)件bm也可以設(shè)置為從第一區(qū)域ar_1移位，而不限于此。

在圖13中示出的像素的情況下，光屏蔽構(gòu)件bm設(shè)置為交疊柵線gl，并可以設(shè)置為從第一區(qū)域ar_1向右偏移。光屏蔽構(gòu)件bm的布置結(jié)構(gòu)可以是設(shè)置在對應(yīng)于圖7的第一子顯示區(qū)域sda_1的區(qū)域中的像素px的光屏蔽構(gòu)件bm的布置結(jié)構(gòu)。

類似地，在圖14中示出的像素px的情況下，光屏蔽構(gòu)件bm設(shè)置為交疊柵線gl，并可以設(shè)置為從第一區(qū)域ar_1向左偏移。光屏蔽構(gòu)件bm的布置結(jié)構(gòu)可以是設(shè)置在對應(yīng)于圖7的第二子顯示區(qū)域sda_2的區(qū)域中的像素px的光屏蔽構(gòu)件bm的布置結(jié)構(gòu)。

如上所述，由于光屏蔽構(gòu)件bm的布置結(jié)構(gòu)，當(dāng)顯示面板140被彎曲以具有曲率時會發(fā)生的光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)被預(yù)先補償，因此可以最小化由于在顯示面板140被彎曲時會發(fā)生的光屏蔽構(gòu)件bm的未對準(zhǔn)引起的透射率的降低。

圖15是根據(jù)本公開的另一實施方式的顯示面板的單個像素的布局圖。在下面的實施方式中，與上述構(gòu)造相同的構(gòu)造將由相同的附圖標(biāo)記表示，并且將省略或簡化重復(fù)的描述。

根據(jù)圖15中示出的實施方式的單個像素px在像素電極的結(jié)構(gòu)上不同于根據(jù)圖2中示出的實施方式的單個像素px。根據(jù)圖15中示出的實施方式，代替包括圖2中示出的第一子像素電極pe_h和第二子像素電極pe_l，像素px可以僅包括單個像素電極pe_u。不同于圖2中示出的實施方式(其將第二區(qū)域ar_2劃分為兩個區(qū)域以在液晶層lcl中形成具有不同強度的電場)，本實施方式的單個像素電極pe_u可以在設(shè)置于第二區(qū)域ar_2中的整個液晶層lcl中形成具有相同強度的電場。

此外，由于僅設(shè)置通過第二區(qū)域ar_2接收單個相同的電壓的單個像素電極pe_u，所以可以僅利用一個開關(guān)元件驅(qū)動液晶器件。也就是，可以僅利用圖2中示出的實施方式的第一晶體管tr_a驅(qū)動液晶器件，第二晶體管tr_b和第三晶體管tr_c可以被省略。此外，由于第二晶體管tr_b和第三晶體管tr_c被省略，所以第二接觸孔ch_l和存儲線cstl可以被省略。

另外，第一晶體管tr_a和第一接觸孔ch_h可以設(shè)置在第一區(qū)域ar_1中，單個像素電極pe_u可以設(shè)置在第二區(qū)域ar_2中。在像素px包括單個像素電極pe_u的情況下，如本實施方式中，由于像素區(qū)域pxa中由第一區(qū)域ar_1占據(jù)的比例減小，所以液晶顯示裝置的透射率可以提高。

與圖2中示出的實施方式的說明中所描述的相同的內(nèi)容可以應(yīng)用于除此之外的所有部件，這將被省略。

圖16至圖18是其中光屏蔽構(gòu)件被另外設(shè)置在根據(jù)圖15中示出的實施方式的顯示面板的單個像素中的布局圖。在下面的示例中，與上述構(gòu)造相同的構(gòu)造將由相同的附圖標(biāo)記表示，并且將省略或簡化重復(fù)的描述。

參照圖16，光屏蔽構(gòu)件bm可以設(shè)置為交疊第一區(qū)域ar_1和柵線gl。光屏蔽構(gòu)件bm可以設(shè)置在第二基底基板sub2上，并可以阻擋由于液晶分子的錯排引起的光泄漏，如上所述。

另外，盡管圖16示出其中光屏蔽構(gòu)件bm正確地交疊第一區(qū)域ar_1的結(jié)構(gòu)，但是光屏蔽構(gòu)件bm可以設(shè)置為從第一區(qū)域ar_1移位，而不限于此。

在圖17中示出的像素px中，光屏蔽構(gòu)件bm設(shè)置為交疊柵線gl，并可以設(shè)置為從第一區(qū)域ar_1向右偏移。光屏蔽構(gòu)件bm的布置結(jié)構(gòu)可以是設(shè)置在對應(yīng)于圖7的第一子顯示區(qū)域sda1的區(qū)域中的像素px的光屏蔽構(gòu)件bm的布置結(jié)構(gòu)。

類似地，在圖18中示出的像素px的情況下，光屏蔽構(gòu)件bm設(shè)置為交疊柵線gl，并可以設(shè)置為從第一區(qū)域ar_1向左偏移。光屏蔽構(gòu)件bm的布置結(jié)構(gòu)可以是設(shè)置在對應(yīng)于圖7的第二子顯示區(qū)域sda2的區(qū)域中的像素px的光屏蔽構(gòu)件bm的布置結(jié)構(gòu)。

作為總結(jié)和回顧，平板顯示裝置可以具有彎曲表面以通過提供彎曲表面的顯示區(qū)域而提供具有改善的三維感和沉浸感的圖像。顯示裝置可以形成有覆蓋除了顯示圖像的區(qū)域之外的區(qū)域的光屏蔽構(gòu)件。

然而，當(dāng)形成光屏蔽構(gòu)件時，在其布置中會發(fā)生一些誤差。例如，在具有彎曲表面的顯示裝置的情況下，光透射率會由于在制造彎曲表面期間發(fā)生的光屏蔽構(gòu)件的布置誤差等(例如未對準(zhǔn))而降低。

相反，根據(jù)本公開的實施方式，可以提供能夠最小化透射率的降低的顯示裝置。此外，可以提供能夠提高光透射率的顯示裝置。也就是，根據(jù)本公開的實施方式，光屏蔽構(gòu)件可以布置為使得其未對準(zhǔn)(例如，當(dāng)顯示面板被彎曲以具有曲率時可能發(fā)生的)被預(yù)先補償。因此，可以防止或基本上最小化光屏蔽構(gòu)件與顯示面板的顯示圖像(例如，發(fā)光)的區(qū)域之間的交疊。因而，可以防止或者基本上最小化由于光屏蔽構(gòu)件的未對準(zhǔn)引起的光透射率的降低。

這里已經(jīng)公開了示例實施方式，盡管采用了特定的術(shù)語，但是它們應(yīng)當(dāng)以一般的和描述的意義上來理解而不是為了限制的目的。在一些情況下，到本申請?zhí)峤粫r為止對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將是明顯的，結(jié)合特定實施方式描述的特征、特性和/或元件可以單獨地使用，或者與結(jié)合其它實施方式描述的特征、特性和/或元件組合地使用，除非明確地另外指示。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以在形式和細節(jié)上進行各種變化而沒有背離由權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的精神和范圍。

于2016年1月6日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的名稱為“顯示裝置”的韓國專利申請第10-2016-0001642號通過引用整體結(jié)合于此。