本發(fā)明涉及顯示裝置，特別涉及高精細的液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

在液晶顯示裝置中，配置有TFT襯底和與TFT襯底對置的對置襯底，在TFT襯底與對置襯底之間夾持有液晶，TFT襯底呈矩陣狀形成有具有像素電極和薄膜晶體管(TFT)等的像素。而且，通過對各像素控制利用液晶分子的光的透射率而形成圖像。

液晶顯示裝置的視角特性是一個問題。IPS(In Plane Swiching)方式的液晶顯示裝置利用與襯底平行的方向的電場使液晶分子旋轉(zhuǎn)，從而控制液晶的光透射率，具有優(yōu)異的視角特性。另一方面，在液晶顯示裝置，特別是中小型液晶顯示裝置中，正在推進高精細化。

當(dāng)推進高精細化時，形成于TFT襯底側(cè)的、用于使像素電極與TFT的源電極接觸的通孔的直徑的面積在像素內(nèi)占據(jù)的面積的比例變大。在專利文獻1中，記載了IPS方式的液晶顯示裝置中的通孔的結(jié)構(gòu)。

在先技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-146039號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

使用于智能手機或平板電腦等的液晶顯示面板要求高精細。在這樣的產(chǎn)品中，每一個像素的水平方向間距為30μm以下。此外，一 個像素有時也指示紅像素、綠像素、藍像素等的組，但在本說明書中，將紅像素、綠像素、藍像素等分別稱為像素。

另一方面，為了使視角特性提高，使用了IPS方式的液晶顯示裝置。IPS方式最多使用如下構(gòu)造：在形成為平面狀的公共電極之上隔著絕緣膜配置帶狀或梳齒狀的像素電極。在這樣的IPS中，為了按像素連接TFT與像素電極，需要在膜厚較大的絕緣膜上形成通孔，所以該通孔的直徑變大。

另一方面，需要向形成為平面狀的公共電極施加各像素共用的電位。當(dāng)像素間距變小時，各像素中的通孔占據(jù)的比例變大。另一方面，公共電極需要避開通孔而形成，在水平方向上相鄰的通孔間，公共電極成為橋狀。由于該橋和通孔的存在，像素間距的縮小化產(chǎn)生極限。并且，雖然公共電極利用ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)形成，但由于ITO的電阻率比較大，所以隨著大畫面化，公共電極的電阻會成為問題。

本發(fā)明的問題是實現(xiàn)一種大畫面的液晶顯示裝置，其能夠應(yīng)對高精細的像素間距，另外，抑制了公共電極的電阻的增加。

用于解決問題的手段

(1)一種液晶顯示裝置，配置有TFT襯底和與所述TFT襯底對置的對置襯底，在所述TFT襯底與所述對置襯底之間夾持有液晶，所述TFT襯底為掃描線沿第一方向延伸并沿第二方向排列，圖像信號線沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由所述掃描線和所述圖像信號線包圍而成的區(qū)域形成有像素電極，經(jīng)由絕緣膜相對于所述像素電極形成有公共電極而成，其特征在于，第一公共電極在第一掃描線與第二掃描線之間沿所述第一方向延伸，第二公共電極在第二掃描線與第三掃描線之間沿所述第一方向延伸，所述第一公共電極與所述第二公共電極通過橋而電連接，所述橋在俯視時覆蓋第一圖像信號線，所述橋在俯視時不覆蓋第二圖像信號線。

(2)根據(jù)(1)所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述橋由金屬布線形成。

(3)根據(jù)(1)所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在所述第一圖像信號線與所述第二圖像信號線之間形成第一像素，在所述第一圖像信號線與所述第一圖像信號線之間形成第二像素，所述第一像素的所述第一方向上的寬度比所述第二像素的所述第一方向上的寬度大。

(4)根據(jù)(1)所述的液晶顯示裝置，其特征在于，柱狀間隔物形成于所述對置襯底，所述柱狀間隔物在所述第二圖像信號線的上方與所述TFT襯底側(cè)接觸。

(5)一種液晶顯示裝置，配置有TFT襯底和對置襯底，在所述TFT襯底與所述對置襯底之間夾持有液晶，所述TFT襯底中，掃描線沿第一方向延伸并沿第二方向排列，圖像信號線沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由所述掃描線和所述圖像信號線包圍而成的區(qū)域形成有像素電極，隔著第二絕緣膜相對于所述像素電極形成有公共電極，所述對置襯底與所述TFT襯底對置并具有柱狀間隔物，其特征在于，第一公共電極在第一掃描線與第二掃描線之間沿所述第一方向延伸，第二公共電極在第二掃描線與第三掃描線之間沿所述第一方向延伸，所述第一公共電極與所述第二公共電極通過橋電連接，所述橋在俯視時覆蓋第一圖像信號線，所述橋在俯視時不覆蓋第二圖像信號線，所述公共電極形成于第一絕緣膜之上，在所述第一絕緣膜之下形成有第一電極，在所述第一絕緣膜上，在與所述第一電極對應(yīng)的部分形成有第一通孔，與所述公共電極同時形成的連接ITO覆蓋所述第一通孔，且形成為與所述公共電極絕緣，與所述連接ITO對應(yīng)地在所述第二絕緣膜上形成有第二通孔，所述像素電極與所述第一電極電連接，所述連接ITO在所述第一方向上具有寬度，所述連接ITO的所述第一方向上的中心存在于比所述第一圖像信號線與所述第二圖像信號線的間隔的中心靠所述第二圖像信號線側(cè)。

(6)根據(jù)(5)所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述橋由金屬布線形成。

(7)根據(jù)(5)所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在所述第一圖像信號線與所述第二圖像信號線之間形成第一像素，在所述第一圖像信號線與所述第一圖像信號線之間形成第二像素，所述第一像素的所述第一方向上的寬度比所述第二像素的所述第一方向上的寬度大。

附圖說明

圖1是應(yīng)用了本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖。

圖2是圖1的A-A剖視圖。

圖3是圖1的通孔部附近的俯視圖。

圖4是實施例1的液晶顯示裝置的俯視圖。

圖5是圖4的B-B剖視圖。

圖6是表示實施例1的特征的俯視圖。

圖7是表示實施例1的另一形態(tài)的剖視圖。

圖8是表示實施例2的特征的俯視圖。

圖9是圖8的C-C剖視圖。

圖10是表示實施例2的特征的另一俯視圖。

圖11是表示實施例3的特征的俯視圖。

圖12是實施例4的剖視圖。

圖13是表示取向膜削減的發(fā)生原因的例子的示意剖視圖。

圖14是表示實施例4的特征的俯視圖。

標(biāo)號說明

10…掃描線，10、20…圖像信號線，30…共用金屬布線，40…連接ITO，50…柱狀間隔物，100…TFT襯底，101…第一底層膜，102…第二底層膜，103…半導(dǎo)體層，104…柵極絕緣膜，105…柵電極，106…層間絕緣膜，107…接觸電極，108…有機鈍化膜，109…公共電極，110…電容絕緣膜，111…像素電極，112…取向膜，115…取向軸，120…通孔，130…有機鈍化膜的通孔，131…電容絕緣膜的通孔，140…通孔，200…對置襯底，201…濾色片，202…黑矩陣， 203…保護膜，300…液晶層，301…液晶分子，1091…公共電極橋，D…漏極部，S…源極部

具體實施方式

以下，使用實施例詳細說明本發(fā)明。

[實施例1]

圖1是表示在本發(fā)明中使用的IPS方式的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的俯視圖。雖然IPS方式也存在多種，但由于將公共電極形成為平面狀，在其上隔著絕緣膜配置梳齒狀的像素電極，利用在像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的電場使液晶分子旋轉(zhuǎn)的方式能夠相對地加大透射率，所以當(dāng)前正成為主流。

在圖1中，掃描線10沿橫向延伸，并沿縱向以預(yù)定間距排列。掃描線10的縱向間距成為像素的縱向上的大小。另外，圖像信號線20沿縱向延伸，并沿橫向以預(yù)定間距排列。圖像信號線20的橫向間距成為像素的橫向上的大小。

在像素內(nèi)，帶狀的像素電極111沿縱向延伸。由于圖1的像素間距小至30μm以下，所以雖然像素成為一條帶狀，但是如果像素間距變大，則像素電極成為具有縫隙的梳齒狀電極。

從圖像信號線20經(jīng)由通孔和TFT向像素電極111供給影像信號。在圖1中，經(jīng)由通孔120連接圖像信號線與半導(dǎo)體層103。半導(dǎo)體層103在圖像信號線20之下延伸并通過掃描線10之下，彎曲并再次通過掃描線10之下，并經(jīng)由通孔140與接觸電極107連接。接觸電極107經(jīng)由通孔130和131與像素電極連接。半導(dǎo)體層103在通過掃描線10之下時形成TFT。在該情況下，掃描線10兼用作柵電極。因此，在圖1中，從圖像信號線20到像素電極111形成兩個TFT，成為所謂的雙柵方式。

在圖1中，形成于取向膜的取向軸115的方向與像素電極111的延伸方向形成角度θ。形成角度θ的理由是由于在向像素電極111施加了電場時規(guī)定液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向。θ為5度至15度左右，優(yōu) 選的是7度至10度。此外，有時也將取向軸115的方向設(shè)為圖1的縱向，并使像素電極111的延伸方向傾斜θ。圖1是液晶分子的介電常數(shù)各向異性為正的情況。液晶的介電常數(shù)各向異性為負(fù)的情況下的取向軸的角度成為從圖1旋轉(zhuǎn)了90度而成的方向。

在圖1中，除了通孔的周圍，公共電極形成在整個面上。在圖1中，夾著掃描線而位于上方和下方的公共電極109經(jīng)由公共電極橋1091連接。當(dāng)高精細化而想要減小像素間距時，公共電極橋1091的存在會成為問題。

圖2是圖1的A-A剖視圖。圖2中的TFT是所謂的頂柵型TFT，作為使用的半導(dǎo)體，使用了LTPS(Low Temperature Poli-Si)。另一方面，使用了a-Si半導(dǎo)體的情況下，較多使用所謂的底柵方式的TFT。在以后的說明中，以使用了頂柵方式的TFT的情況為例進行說明，但對于使用了底柵方式的TFT的情況，也能夠應(yīng)用本發(fā)明。

在圖2中，在玻璃襯底100之上，通過CVD(Chemical Vapor Deposition：化學(xué)氣相沉積)形成由SiN構(gòu)成的第一底層膜101和由SiO₂構(gòu)成的第二底層膜102。第一底層膜101和第二底層膜102的作用是防止來自玻璃襯底100的雜質(zhì)污染半導(dǎo)體層103。

在第二底層膜102之上形成半導(dǎo)體層103。該半導(dǎo)體層103是在第二底層膜102上通過CVD形成a-Si膜，并對其進行激光退火而轉(zhuǎn)換成多晶硅膜的半導(dǎo)體層。通過光刻而對該多晶硅膜進行圖案化。

在半導(dǎo)體膜103之上形成柵極絕緣膜104。該柵極絕緣膜104是基于TEOS(四乙氧基硅烷)的SiO₂膜。該膜也通過CVD形成。在其上形成柵電極105。柵電極105兼用作掃描線10。柵電極105例如由MoW膜形成。在需要減小柵電極105或掃描線10的電阻時，使用Al合金。

之后，覆蓋柵電極105而利用SiO₂或SiN形成層間絕緣膜106。層間絕緣膜106用于將柵極布線105與接觸電極107絕緣。半導(dǎo)體層103經(jīng)由形成于柵極絕緣膜104與層間絕緣膜106的通孔120而與圖像信號線20連接。另外，在層間絕緣膜106和柵極絕緣膜104 上，形成用于將TFT的源部S與接觸電極107連接的接觸孔140。形成于層間絕緣膜106和柵極絕緣膜104的接觸孔120和接觸孔140同時形成。

在層間絕緣膜106之上形成接觸電極107。半導(dǎo)體層103在圖像信號線20之下延伸，如圖1和圖2所示，在掃描線10即柵電極105之下通過兩次。此時，形成TFT。即，在俯視時，夾著柵電極105形成有TFT的源極S和漏極D。接觸電極107經(jīng)由形成于層間絕緣膜106和柵極絕緣膜104的通孔140與半導(dǎo)體層103連接。

接觸電極107和圖像信號線20同時形成在同一層上。為了減小電阻，接觸電極107和圖像信號線20例如使用AlSi合金。由于AlSi合金會發(fā)生小丘(hillock)、Al會擴散到其他層，所以例如采用了如下構(gòu)造：利用基于MoW的屏障層和覆蓋層夾持AlSi。

覆蓋接觸電極107、圖像信號線20以及層間絕緣膜106而形成有機鈍化膜108。有機鈍化膜108由感光性的丙烯酸樹脂形成。除了丙烯酸樹脂，有機鈍化膜108也能夠由有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成。由于有機鈍化膜108具有作為平坦化膜的作用，所以形成得較厚。有機鈍化膜108的膜厚為1～4μm，但是很多情況下是2～3μm左右。

為了取得像素電極111與接觸電極107的導(dǎo)通，在有機鈍化膜108上形成接觸孔130，并且在后述的電容絕緣膜110上形成接觸孔131。有機鈍化膜108使用感光性樹脂。涂敷感光性樹脂后，如果對該樹脂曝光，僅光照射的部分溶解到特定的顯影液中。即，通過使用感光性樹脂，能省略光致抗蝕劑的形成。在有機鈍化膜108上形成接觸孔130后，通過在230℃左右燒結(jié)而有機鈍化膜108完成。

之后，通過濺射形成成為公共電極109的透明導(dǎo)電膜例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)，以從接觸孔130及其周圍除去ITO的方式進行圖案化。公共電極109能夠各像素共用地形成為平面狀。但是，由于需要避開通孔130而形成，在減小像素間距的情況下，圖1中的公共電極橋1091會成為問題。

此外，在本發(fā)明的實施例2中，與公共電極109的形成同時地，如圖9所示，覆蓋通孔130而形成連接ITO40。這是為了取得用于使接觸電極107與像素電極接觸的余量。在該情況下，連接ITO40與公共電極109需要絕緣。

返回圖2，通過CVD將成為電容絕緣膜110的SiN形成在整個面上。之后，在接觸孔130內(nèi)，在電容絕緣膜110上形成用于取得接觸電極107與像素電極111的導(dǎo)通的接觸孔131。

之后，通過濺射形成ITO，進行圖案化而形成像素電極111。在圖1中示出像素電極111的平面形狀的例子。通過苯胺印刷(flexographic printing)或噴墨等在像素電極111之上涂布取向膜材料，燒結(jié)而形成取向膜112。在取向膜112的取向處理中，除了摩擦法外，使用了利用偏振紫外線的光取向。

當(dāng)在像素電極111與公共電極109之間施加電壓時，產(chǎn)生圖2所示的電力線。通過利用該電場使液晶分子301旋轉(zhuǎn)，并按每個像素控制通過液晶層300的光的量，從而形成圖像。

在圖2中，夾持液晶層300而配置有對置襯底200。在對置襯底200的內(nèi)側(cè)形成有濾色片201。濾色片201按每個像素形成有紅色、綠色、藍色的濾色片，由此形成彩色圖像。在濾色片201和濾色片201之間形成黑矩陣202，以提高圖像的對比度。另外，黑矩陣202還具有作為TFT的遮光膜的作用，防止光電流流經(jīng)TFT。

覆蓋濾色片201和黑矩陣202而形成有保護膜203。由于濾色片201和黑矩陣202的表面形成為凹凸?fàn)?，所以利用保護膜203使表面平坦。在保護膜203之上，形成有用于確定液晶的初始取向的取向膜112。與TFT襯底100側(cè)的取向膜112同樣地，取向膜112的取向處理使用摩擦法或光取向法。

此外，以上結(jié)構(gòu)為例子，例如，根據(jù)品種，也有如下情況：在TFT襯底100上，在接觸電極107或圖像信號線20之間形成有利用SiN等的無機鈍化膜。

圖3是圖1的通孔130附近的放大俯視圖。在圖3中，省略了 像素電極。在圖3中，在通孔130的周圍，在不形成公共電極109的區(qū)域成四方形的孔狀存在，結(jié)果，夾著通孔130位于上側(cè)的公共電極109與位于下側(cè)的公共電極109利用公共電極橋1091連接。在想要減小像素間距的情況下，該公共電極橋1091的存在會成為問題。即，由于構(gòu)成公共電極109的ITO的電阻率較大，所以公共電極橋1091的寬度需要比圖像信號線20、半導(dǎo)體層103的寬度大，所以特別是在想要減小水平方向的像素間距的情況下會成為問題。

圖4是應(yīng)用了本實施例的情況下的像素的俯視圖。圖4與圖1的不同點在于圖4的上側(cè)的公共電極109與下側(cè)的公共電極109的連接方法。在圖4中，公共電極109在通孔130的上側(cè)和下側(cè)沿橫向呈帶狀延伸。在公共電極109之上，共用金屬布線30以覆蓋圖像信號線20的方式沿縱向延伸。共用金屬布線30用于減小公共電極109的電阻。

在圖4中，上側(cè)的公共電極109與下側(cè)的公共電極109通過共用金屬布線30電連接。即，共用金屬布線30成為上側(cè)公共電極109與下側(cè)公共電極109的橋1091。由于共用金屬布線30用MoCr、MoW或Al合金等金屬形成，所以電阻比ITO小，能夠減小布線寬度。也就是說，能夠利用寬度小的共用金屬布線30來連接上側(cè)的公共電極109與下側(cè)的共用電極109。圖4中的更大的特征是如下點：用于橋1091的共用金屬布線30隔一條圖像信號線20而形成。由此，能夠進一步減小像素的水平方向上的間距。由于圖4的其他結(jié)構(gòu)與圖1相同，所以省略說明。

圖5是圖4的B-B剖視圖，在圖4中，包括有共用金屬布線30作為公共電極109間的橋1091而具有作用的部分的剖視圖。圖5與圖2的不同點在于：在左側(cè)的有機鈍化膜108之上，共用金屬布線30延伸經(jīng)過覆蓋圖像信號線20的部分，并與公共電極109連接。由于圖5的其他點與圖2相同，所以省略說明。

圖6是放大了圖4的通孔130附近而成的俯視圖。在圖6中，省略了像素電極。在圖6中，通孔130的上側(cè)的公共電極109與通 孔130的下側(cè)的公共電極109通過共用金屬布線30連接。另外，共用金屬布線30形成為隔一條圖像信號線20而覆蓋圖像信號線20。結(jié)果，圖6中的像素的間距d2變得比圖3中的像素的間距d1小。也就是說，在圖6的結(jié)構(gòu)中，能夠應(yīng)對更高精細的畫面。

圖7是表示本發(fā)明的其他方案的剖視圖。圖7是與圖4的B-B剖面對應(yīng)的剖視圖。圖7與圖5的不同點在于：在覆蓋圖像信號線20的部分，連接公共電極109間的橋1091成為形成公共電極的ITO109與共用金屬布線30的層疊構(gòu)造。由于成為層疊，能夠使橋1091的電阻比圖5的情況稍小。另外，由于是層疊構(gòu)造，能夠使相對于橋1091的斷線的余量提高。此外，由于公共電極109的圖案化用光刻進行，所以不會成為工序負(fù)擔(dān)。

在以上的本實施例中，公共電極109的橋1091為通過共用金屬布線30連接，且與隔一條的圖像信號線20對應(yīng)地形成的結(jié)構(gòu)。但是，在公共電極109的電阻不會成為大的問題的品種中，也可以不使用共用金屬布線30，而利用隔一條圖像信號線20形成公共電極109的ITO來形成橋1091。在該情況下，由于沒有橋1091的部分存在，也能夠縮小像素間距。

[實施例2]

圖8是應(yīng)用了本發(fā)明的、像素的通孔130附近的俯視圖。在圖8中，省略了像素電極。本實施例的像素整體的俯視圖與圖1相同，剖視圖與圖2相同。圖8與圖3的不同點在于：在通孔130的部分形成了連接ITO40，以及形成于電容絕緣膜110的通孔131的直徑和位置。

當(dāng)僅想在形成于有機鈍化膜108的通孔130的底部形成電容絕緣膜110的通孔131時，需要加大通孔130的直徑，不利于像素間距的縮小化。在本實施例中，通過使用與公共電極109同時形成的連接ITO40，使形成于電容絕緣膜110的通孔131的位置和形狀具有自由度，由此，能夠減小形成于有機鈍化膜108的通孔130的直徑。

在圖8中，覆蓋通孔130而形成連接ITO40。連接ITO40與公共電極109同時形成。因此，不會產(chǎn)生工序負(fù)擔(dān)。但是，連接ITO40必須與公共電極109絕緣。這是由于連接ITO40與像素電極連接。覆蓋連接ITO40和公共電極109而形成利用SiN的電容絕緣膜110，并在電容絕緣膜110上形成通孔131。在圖8中，通孔131不是僅形成在通孔130的底部，也形成于通孔130的側(cè)面和周圍上表面的一部分。因此，在通孔130較小的情況下，也能夠容易地形成通孔131。

圖9是圖8的C-C剖視圖。在圖8中，連接ITO40覆蓋有機鈍化膜108的通孔130而形成。覆蓋連接ITO40而形成電容絕緣膜110，在電容絕緣膜110上形成通孔131。在該通孔131中，連接ITO40露出，并與像素電極連接。如圖9所示，在本實施例中，由于即使形成于有機鈍化膜108的通孔130較小，也能夠?qū)㈦娙萁^緣膜110的通孔131形成為較大，所以能夠提高連接的可靠性。

但是，連接ITO40必須與公共電極109絕緣。由于連接ITO40與公共電極109形成在同一層中，所以，當(dāng)用與公共電極109相同的ITO形成圖8所示的、連結(jié)上側(cè)的公共電極109與下側(cè)的公共電極109的橋1091時，由于需要取足夠的連接ITO40與公共電極109的間隔g1，所以像素間距的縮小化存在極限。

在本實施例中，如圖10所示，上側(cè)公共電極109與下側(cè)公共電極109的連接用共用金屬布線30來進行。而且，共用金屬布線30隔一條圖像信號線而形成。在不存在共用金屬布線30的一側(cè)，連接ITO40與公共電極109或共用金屬布線30的絕緣的問題消失。因此，在圖10中，在這一側(cè)，僅注意間隔g2即可。

另一方面，在圖10中，在存在共用金屬布線30的一側(cè)，需要確保連接ITO40與共用金屬布線30的間隔g1。因此，通過將連接ITO40的水平方向上的中心位置相對于像素的中心位置向沒有共用金屬布線30的一側(cè)偏移，能夠減小像素的橫向上的直徑，因此，能夠減小像素間距。

也就是說，在本實施例中，在能夠減小形成于有機鈍化膜108 的通孔130的直徑的基礎(chǔ)上，通過將連接ITO40的中心從像素的中心即圖像信號線20間的中心偏移，能夠進一步減小像素間距。

此外，與在實施例1說明的相同，可以將上側(cè)的公共電極109與下側(cè)的公共電極109的橋1091設(shè)為形成公共電極109的ITO與共用金屬布線30的層疊的結(jié)構(gòu)，或僅設(shè)為形成公共電極109的ITO的結(jié)構(gòu)。

[實施例3]

圖11是表示實施例3的像素的通孔130附近的俯視圖。像素的基本結(jié)構(gòu)和剖面以圖1和圖2的結(jié)構(gòu)為標(biāo)準(zhǔn)。圖11的特征在于紅像素、綠像素、藍像素中的一種顏色的水平方向的直徑比其他像素的直徑大。這是為了應(yīng)對由顧客要求的白色畫面的色調(diào)不同等情況。在圖11中，藍像素的直徑比其他像素大。也就是說，在圖11中，B>R＝G。但是，根據(jù)情況，紅像素或綠像素有時也較大。

在圖11中，夾著通孔130在上側(cè)和下側(cè)，公共電極109呈帶狀沿水平方向延伸。用共用金屬布線30連接上側(cè)的公共電極109與下側(cè)的公共電極109的橋1091，橋1091用的共用金屬布線30主要僅在像素的寬度較寬的藍像素進行。圖11的通孔130的結(jié)構(gòu)與在圖8至10中說明的結(jié)構(gòu)相同。在圖11中，在配置于共用金屬布線30兩側(cè)的通孔130中，連接ITO40的水平方向上的中心存在于從共用金屬布線30遠離的方向。理由與在實施例2中描述的相同。

根據(jù)圖11的結(jié)構(gòu)，由于通過在與像素寬度較大的像素對應(yīng)的部分形成橋1091的共用金屬布線30，在其他部分不形成橋1091且形成連接ITO40，從而能夠減小通孔130的直徑，所以能夠減小像素的間距。

另外，在圖11中，與在實施例1說明的相同，可以將形成于像素較寬的部分的橋1091設(shè)為不是僅共用金屬布線30，而是共用金屬布線30和形成公共電極109的ITO的層疊。

此外，在圖11中，僅在與像素寬度較大的像素對應(yīng)的部分形成橋電極，但不限于此，即使在RGB的像素寬度相同的情況下，也可 以隔兩條圖像信號線20形成用于橋連接的共用金屬布線30。在該情況下，通過形成為使連接ITO40的中心從橋1091遠離，也能夠進一步提高縮小像素間距的效果。

在以上的本實施例中，說明了在通孔130部分形成有連接ITO40的情況下的結(jié)構(gòu)，但即使在不使用連接ITO40的結(jié)構(gòu)中，本實施例也能夠通過主要在寬度較寬的像素形成橋1091，從而整體上減小像素間距。

[實施例4]

在液晶顯示裝置中，需要規(guī)定TFT襯底與對置電極的間隔。一般來說，TFT襯底100與對置襯底200的間隔利用柱狀間隔物來規(guī)定。圖12是在本實施例中利用柱狀間隔物50規(guī)定了TFT襯底100與對置襯底200的間隔的例子，形成于對置襯底200的柱狀間隔物50規(guī)定了TFT襯底100與對置襯底200的間隔。柱狀間隔物50與保護膜203同時形成在對置襯底200上。圖12與圖2的其他不同點在于：在TFT襯底100側(cè)，在柱狀間隔物50接觸的部分，不存在公共電極109或橋1091。圖12的其他結(jié)構(gòu)與圖2相同。

雖然柱狀間隔物50的前端與形成于TFT襯底100的取向膜112接觸，但由于該接觸而取向膜112削減時，該切屑會成為亮點的原因。如圖13所示，這樣的削減在柱狀間隔物50的前端接觸的對置面不均勻的情況下特別容易產(chǎn)生。圖13示出柱狀間隔物50的尖端與橋1091的端部接觸的情況，在存在橋1091的臺階的區(qū)域即圖13的區(qū)域A中，容易產(chǎn)生取向膜112的削減。該橋1091有時是與公共電極109同時形成的ITO，有時是共用金屬布線30。

圖14是表示本實施例的特征的通孔130附近的俯視圖。在圖14中，省略了像素電極。在圖14中，在不存在作為連結(jié)上側(cè)的公共電極109與下側(cè)的公共電極109的橋1091的、共用金屬布線30或與公共電極109同時形成的ITO的部分，柱狀間隔物50與TFT襯底100側(cè)接觸。通過設(shè)為這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠在柱狀間隔物50的前端排除圖13所示的臺階，所以能夠防止取向膜112的削減。由于圖 14的其他結(jié)構(gòu)與圖6相同，所以說明省略。

本實施例的結(jié)構(gòu)也能夠應(yīng)用于實施例2的圖10的結(jié)構(gòu)、實施例3的圖11的結(jié)構(gòu)等。即，柱狀間隔物50的前端與TFT襯底100側(cè)的圖像信號線20之上且不形成與公共電極109同時形成的ITO或共用金屬布線30的部分接觸即可。