本申請要求于2016年1月7日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0001934號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

本公開總體涉及一種顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

作為最廣泛使用的平板顯示器中的一種，液晶顯示器(lcd)包括形成有場產(chǎn)生電極的兩片顯示面板和置于其間的液晶層。lcd通過對場產(chǎn)生電極施加電壓在液晶層中產(chǎn)生電場、由產(chǎn)生的電場確定液晶層的液晶分子的取向方向并控制入射光的偏振來顯示圖像。

包括在lcd中的兩片顯示面板可以是薄膜晶體管陣列面板和對向顯示面板。在薄膜晶體管陣列面板中，用于傳輸柵極信號的柵極線以及用于傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線形成為彼此相交。另外，連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管以及連接到薄膜晶體管的像素電極可以形成在薄膜晶體管陣列面板中。阻光構(gòu)件、濾色器、共電極等可以形成在對向顯示面板或薄膜晶體管陣列面板中。

在傳統(tǒng)的lcd中，因為需要兩片基底并且部件分別形成在兩片基底上，所以顯示裝置不僅變得重、厚且昂貴，而且需要較長的加工時間。

在此背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于增強對描述的技術(shù)的背景信息的理解，因此它可以包含不形成本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已經(jīng)知道的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開提供了一種顯示裝置及其制造方法，通過使用一個基底制造顯示裝置，所述顯示裝置及其制造方法能夠減小厚度、寬度、成本和加工時間。

如此，當使用一個基底制造顯示裝置時，可以形成用于包封液晶層的包封層。為了使焊盤部連接到外部端子，應(yīng)該形成焊盤部，使得其不被包封層覆蓋。

當包封層僅部分地涂覆在顯示區(qū)域中時，會存在在涂覆的開始點和結(jié)束點處具有斜坡的大面積的包封層，這樣的區(qū)域不能用作顯示區(qū)域，從而增大了邊框區(qū)域。

另外，當包封層跨過整個顯示區(qū)域形成并且隨后被圖案化以開放焊盤部時，就會存在一個問題，即，位于顯示區(qū)域內(nèi)部的液晶層會在光刻工藝期間被污染。

本公開提供了一種能夠開放焊盤部并且不污染液晶層的顯示裝置及其制造方法。

示例性實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底，包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域；薄膜晶體管，位于基底的顯示區(qū)域中；第一電極，連接到薄膜晶體管；頂層，位于第一電極上并且被設(shè)置在頂層與第一電極之間的微腔與第一電極分隔開；液晶層，位于微腔內(nèi)部；包封層，位于頂層上；焊盤部，位于基底的外圍區(qū)域中；以及柱狀物，位于基底的外圍區(qū)域中。

柱狀物可以包括由與頂層相同的材料制成的第一層。

顯示裝置還可以包括位于頂層下方的絕緣層，其中，柱狀物還可以包括由與絕緣層相同的材料制成的第二層。

顯示裝置還可以包括位于頂層與液晶層之間的第二電極，其中，柱狀物還可以包括由與第二電極相同的材料制成的第三層。

可以通過層壓第三層、第二層和第一層來形成柱狀物。

顯示裝置還可以包括第二電極和設(shè)置在第一電極與第二電極之間的層間絕緣層，其中，液晶層可以位于第二電極上。

顯示裝置還可以包括位于頂層下方的絕緣層，其中，柱狀物可以包括由與頂層相同的材料制成的第一層以及位于第一層下方并且由與絕緣層相同的材料制成的第二層。

顯示裝置還可以包括：柵極線和數(shù)據(jù)線，連接到薄膜晶體管；柵極焊盤部，位于基底的外圍區(qū)域中并連接到柵極線；柵極接觸輔助件，位于柵極焊盤部上；數(shù)據(jù)焊盤部，位于基底的外圍區(qū)域中并且連接到數(shù)據(jù)線；以及數(shù)據(jù)接觸輔助件，位于數(shù)據(jù)焊盤部上。

包封層的側(cè)表面可以包括熱變形部。

根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的制造方法可以包括：在包括顯示區(qū)域、外圍區(qū)域和額外區(qū)域的基底的顯示區(qū)域上形成薄膜晶體管；形成第一電極以連接到薄膜晶體管；在第一電極上形成犧牲層；在犧牲層上形成頂層；通過去除犧牲層在第一電極與頂層之間形成微腔；在頂層上形成包封層；切割位于基底的顯示區(qū)域與外圍區(qū)域之間的邊界上的包封層；切割基底的外圍區(qū)域與額外區(qū)域之間的邊界；以及去除位于基底的外圍區(qū)域和額外區(qū)域中的包封層以及基底的額外區(qū)域。

所述制造方法還可以包括：在基底上形成柵極線；以及在基底上形成數(shù)據(jù)線，其中，柵極線和數(shù)據(jù)線可以連接到薄膜晶體管。

所述制造方法還可以包括：在基底的外圍區(qū)域中形成連接到柵極線的柵極焊盤部；以及在基底的外圍區(qū)域中形成連接到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)焊盤部。

所述制造方法還可以包括：在柵極焊盤部和數(shù)據(jù)焊盤部上形成犧牲層；以及形成虛設(shè)微腔。

所述制造方法還可以包括：去除虛設(shè)微腔；以及在基底的外圍區(qū)域中形成柱狀物。

柱狀物可以包括由與頂層相同的材料制成的第一層。

所述制造方法還可以包括：在犧牲層上形成第二電極；以及在第二電極上形成絕緣層，其中，柱狀物還包括：第二層，位于第一層下方并且由與絕緣層相同的材料制成，以及第三層，位于第二層下方并且由與第二電極相同的材料制成。

所述制造方法還可以包括：形成第二電極；形成設(shè)置在第一電極與第二電極之間的層間絕緣層；以及在犧牲層上形成絕緣層，其中，柱狀物還可以包括位于第一層下方并且由與絕緣層相同的材料制成的第二層。

形成柵極焊盤部的步驟可以包括形成從柵極線的端部延伸的柵極焊盤以及在柵極焊盤上形成柵極接觸輔助件。

柵極焊盤由與柵極線相同的材料制成，并且柵極接觸輔助件可以由與第一電極相同的材料制成。

形成數(shù)據(jù)焊盤部的步驟可以包括形成從數(shù)據(jù)線的端部延伸的數(shù)據(jù)焊盤以及在數(shù)據(jù)焊盤上形成數(shù)據(jù)接觸輔助件。

數(shù)據(jù)焊盤可以由與數(shù)據(jù)線相同的材料制成，并且數(shù)據(jù)接觸輔助件可以由與第一電極相同的材料制成。

制造方法還可以包括向位于基底的顯示區(qū)域與外圍區(qū)域之間的邊界上的包封層照射激光，以切割包封層。

激光照射的區(qū)域可以不與柵極焊盤部或數(shù)據(jù)焊盤部疊置。

包封層的側(cè)表面可以包括熱變形部。

根據(jù)如上面描述的當前示例性實施例的顯示裝置及其制造方法具有下面的效果。

根據(jù)當前的示例性實施例，因為使用一個基底制造顯示裝置，所以可以減小其重量、厚度、成本和加工時間。

另外，在外圍區(qū)域中形成虛設(shè)微腔之后，可以使用激光切割工藝去除包封層和基底，以開放焊盤部，從而防止液晶層的污染。

附圖說明

圖1是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的俯視平面圖。

圖2是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的局部俯視平面圖。

圖3是沿圖2的線iii-iii截取的顯示裝置的剖視圖。

圖4是沿圖2的線iv-iv截取的顯示裝置的剖視圖。

圖5至圖18是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的制造方法的工藝剖視圖。

圖19是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的局部俯視平面圖。

圖20是沿圖19的線xx-xx截取的顯示裝置的剖視圖。

圖21是沿圖19的線xxi-xxi截取的顯示裝置的剖視圖。

具體實施方式

將在下文中參照示出本公開的示例性實施例的附圖更充分地描述本公開。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到的是，在不脫離本公開的精神或范圍的情況下，描述的實施例可以以各種不同的方式修改。

在附圖中，為了清楚，可以夸大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。貫穿整個說明書，同樣的附圖標號表示同樣的元件。將理解的是，當諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱為“在”另一元件“上”時，該元件可以直接在所述另一元件上或者也可以存在一個或更多個中間元件。相反，當元件被稱為“直接在”另一元件“上”時，可以不存在中間元件。

首先參照圖1，將如下描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置。

圖1是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的俯視平面圖。顯示裝置包括由諸如玻璃或塑料的材料制成的基底110。

基底110被分為顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa。顯示區(qū)域da位于基底110的中心部分中，外圍區(qū)域pa圍繞顯示區(qū)域da的邊緣。顯示區(qū)域da是其上顯示圖像的區(qū)域，用于傳輸驅(qū)動信號的驅(qū)動器位于外圍區(qū)域pa中以允許圖像在顯示區(qū)域da中顯示。

在顯示區(qū)域da中，多條柵極線g1至gn形成為彼此平行，多條數(shù)據(jù)線d1至dm形成為彼此平行。多條柵極線g1至gn和多條數(shù)據(jù)線d1至dm彼此絕緣并且彼此相交，以限定多個像素。

在每個像素中，形成薄膜晶體管q、lc電容器clc和存儲電容器cst。薄膜晶體管q的控制端連接到多條柵極線g1至gn中的任意一條，其輸入端連接到多條數(shù)據(jù)線d1至dm中的任意一條，其輸出端連接到lc電容器clc的一端和存儲電容器cst的一端。共電壓可以被施加到lc電容器clc的另一端，參考電壓可以被施加到存儲電容器cst的另一端。

柵極線g1至gn和數(shù)據(jù)線d1至dm延伸至外圍區(qū)域pa。在外圍區(qū)域pa中，設(shè)置連接到柵極線g1至gn的柵極焊盤部gp，并且設(shè)置連接到數(shù)據(jù)線d1至dm的數(shù)據(jù)焊盤部dp。柵極焊盤部gp可以連接到外部端，并且接收來自柵極驅(qū)動器的柵極信號以將柵極信號傳輸?shù)綎艠O線g1至gn。數(shù)據(jù)焊盤部dp可以連接到外部端，并且接收來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)信號以將數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)綌?shù)據(jù)線d1至dm。

在圖1中，柵極焊盤部gp被示出為位于顯示區(qū)域da的左邊緣處，但是本公開不限于此，柵極焊盤部gp的位置可以各種地改變?？蛇x擇地，柵極焊盤部gp可以位于顯示區(qū)域da的對側(cè)邊緣處。

在圖1中，數(shù)據(jù)焊盤部dp被示出為位于顯示區(qū)域da的上邊緣處，但是本公開不限于此，數(shù)據(jù)焊盤部dp的位置可以各種地改變?？蛇x擇地，數(shù)據(jù)焊盤部dp可以位于顯示區(qū)域da的兩個側(cè)邊緣處。

現(xiàn)將參照圖2至圖4描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的一個像素和焊盤部的結(jié)構(gòu)。

圖2是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的局部俯視平面圖。圖3是沿圖2的線iii-iii截取的顯示裝置的剖視圖。圖4是沿圖2的線iv-iv截取的顯示裝置的剖視圖。

參照圖2至圖4，柵極線121、從柵極線121突出的柵電極124和連接到柵極線121的柵極焊盤125位于基底110上。柵極線121在第一方向上延伸并傳輸柵極信號。例如，柵極線121可以在基本水平方向上延伸。在俯視平面圖中，柵電極124向柵極線121的上方突出。然而，本公開不限于此，柵電極124的突出形狀和方向可以各種地改變?？蛇x擇地，柵電極124可以不從柵極線121突出，并且可以設(shè)置在柵極線121上。柵極線121和柵電極124位于顯示區(qū)域da中，柵極線121延伸至外圍區(qū)域pa。

柵極焊盤125從柵極線121的端部延伸。柵極線121的端部位于外圍區(qū)域pa中，柵極焊盤125位于外圍區(qū)域pa中。柵極焊盤125可以具有比柵極線121寬的寬度。柵極焊盤125可以由與柵極線121和柵電極124相同的材料制成，并且可以設(shè)置在同一層上。

參考電壓線131以及從參考電壓線131突出的存儲電極135a和135b還可以形成在基底110上。參考電壓線131在平行于柵極線121的方向上延伸，并且與柵極線121分隔開。恒定的電壓可以被施加到參考電壓線131。存儲電極135a和135b包括基本垂直于參考電壓線131延伸的一對第一存儲電極135a以及基本平行于參考電壓線131延伸并將一對第一存儲電極135a連接的第二存儲電極135b。參考電壓線131以及存儲電極135a和135b可以圍繞像素電極191。

柵極絕緣層140形成在柵極線121、柵電極124、柵極焊盤125、參考電壓線131以及存儲電極135a和135b上。柵極絕緣層140可以由諸如氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)的無機絕緣材料制成。另外，柵極絕緣層140可以包括單層或多層。

半導體154形成在柵極絕緣層140上。半導體154可以設(shè)置在柵電極124上。半導體154可以由非晶硅、多晶硅或金屬氧化物制成。

歐姆接觸構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在半導體154上。歐姆接觸構(gòu)件可以由硅化物或諸如以高濃度摻雜n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅的材料制成。

數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175和數(shù)據(jù)焊盤177形成在半導體154和柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號并在第二方向上延伸以與柵極線121和參考電壓線131相交。例如，數(shù)據(jù)線171可以在基本豎直的方向上延伸。源電極173在柵電極124上方從數(shù)據(jù)線171突出，并可以以u形彎曲。漏電極175包括寬端部和桿狀端部。漏電極175的寬端部與像素電極191疊置。漏電極175的桿狀端部由源電極173部分地圍繞。然而，本公開不限于此，源電極173和漏電極175的形狀可以各種地改變。數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175位于顯示區(qū)域da中，數(shù)據(jù)線171延伸至外圍區(qū)域pa。

數(shù)據(jù)焊盤177連接到數(shù)據(jù)線171。數(shù)據(jù)焊盤177從數(shù)據(jù)線171的端部延伸。數(shù)據(jù)線171的端部位于外圍區(qū)域pa中，數(shù)據(jù)焊盤177位于外圍區(qū)域pa中。數(shù)據(jù)焊盤177可以具有比數(shù)據(jù)線171寬的寬度。數(shù)據(jù)焊盤177可以由與數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175相同的材料制成并且與數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175設(shè)置在同一層上。

柵電極124、源電極173和漏電極175與半導體154一起形成一個薄膜晶體管(tft)q。在這種情況下，薄膜晶體管q的溝道形成在源電極173與漏電極175之間的半導體154中。

鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175、暴露在源電極173與漏電極175之間的半導體154以及數(shù)據(jù)焊盤177上。鈍化層180可以由有機絕緣材料或無機絕緣材料制成，并且可以包括單層或多層。

在鈍化層180上，濾色器230形成在每個像素內(nèi)部。每個濾色器230可以顯示諸如紅色、綠色和藍色的三原色中的一種。濾色器230可以不限于顯示諸如紅色、綠色和藍色的三原色，而是可以顯示藍綠色、品紅、黃色和白色系顏色。

阻光構(gòu)件220形成在相鄰的濾色器230之間。阻光構(gòu)件220可以位于像素的邊緣處，并且可以與柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管q疊置以防止光泄漏。然而，本公開不限于此，阻光構(gòu)件220可以與柵極線121和薄膜晶體管q疊置，而不與數(shù)據(jù)線171疊置。在這種情況下，為了防止光泄漏，相鄰的濾色器230可以在阻光構(gòu)件220不與數(shù)據(jù)線171疊置的部分中彼此疊置。濾色器230和阻光構(gòu)件220可以在某些區(qū)域中彼此疊置。

第一絕緣層240可以形成在濾色器230和阻光構(gòu)件220上。第一絕緣層240可以由有機絕緣材料形成，并且可以用于使濾色器230和阻光構(gòu)件220的頂表面平坦化。第一絕緣層240可以是包括由有機絕緣材料制成的層和由無機絕緣材料制成的層的雙層?？蛇x擇地，可以在一些實施例中省略第一絕緣層240。

暴露漏電極175的至少一部分的第一接觸孔181形成在第一絕緣層240、阻光構(gòu)件220和鈍化層180中。第一接觸孔181可以暴露漏電極175的寬端部。另外，暴露柵極焊盤125的至少一部分的第二接觸孔185形成在鈍化層180和柵極絕緣層140中，暴露數(shù)據(jù)焊盤177的至少一部分的第三接觸孔187形成在鈍化層180中。

像素電極191形成在第一絕緣層240上。像素電極191可以由諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)的透明金屬氧化物制成。像素電極191通過第一接觸孔181連接到漏電極175。當薄膜晶體管q導通時，數(shù)據(jù)電壓通過像素電極191施加到漏電極175。

像素電極191包括水平主干部193、豎直主干部192以及從豎直主干部192和水平主干部193延伸的微小分支部194。像素電極191由水平主干部193和豎直主干部192分成四個子區(qū)域。微小分支部194從水平主干部193和豎直主干部192傾斜地延伸，并且可以與柵極線121或水平主干部193的延伸方向形成大約45°或大約135°的角。另外，兩個相鄰的子區(qū)域的微小分支部194的延伸方向可以彼此垂直。在當前的示例性實施例中，像素電極191還可以包括圍繞像素的外部邊緣的外主干部。

另外，柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197位于基底110的外圍區(qū)域pa中。柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197可以設(shè)置在鈍化層180上。柵極接觸輔助件195通過第二接觸孔185連接到柵極焊盤125。柵極接觸輔助件195可以由與像素電極191相同的材料制成并且與像素電極191設(shè)置在同一層上。柵極焊盤125和柵極接觸輔助件195被層壓以形成柵極焊盤部gp。數(shù)據(jù)接觸輔助件197通過第三接觸孔187連接到數(shù)據(jù)焊盤177。數(shù)據(jù)接觸輔助件197可以由與像素電極191相同的材料制成并且與像素電極191設(shè)置在同一層上。數(shù)據(jù)焊盤177和數(shù)據(jù)接觸輔助件197被層壓以形成數(shù)據(jù)焊盤部dp。像素電極191可以位于顯示區(qū)域da中，柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197可以位于外圍區(qū)域pa中。

上面描述的像素的布局、薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和像素電極的形狀僅是示例，本發(fā)明不限于此并且可以各種地改變。例如，一個像素可以包括被分別施加不同電壓的多個子像素。為了此目的，可以在一個像素中形成多個薄膜晶體管。

共電極270形成在像素電極191上以與像素電極191分隔開預定的距離。微腔305形成在像素電極191與共電極270之間。即，微腔305被像素電極191和共電極270圍繞。共電極270可以在行方向上延伸。共電極270覆蓋微腔305的頂表面和一部分側(cè)表面。微腔305的尺寸可以根據(jù)顯示裝置的尺寸和分辨率各種地改變。

示出的是，多個微腔305位于基底110上并且一個微腔305對應(yīng)一個像素。然而，本公開不限于此，所以微腔305可以對應(yīng)于多個像素，或者微腔305可以對應(yīng)于像素。當一個像素包括兩個子像素時，微腔305可以對應(yīng)于一個子像素?？蛇x擇地，微腔305可以對應(yīng)于彼此相鄰的兩個子像素。

共電極270可以由諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)的透明金屬氧化物制成。恒定的電壓可以被施加到共電極270，可以在像素電極191與共電極270之間產(chǎn)生電場。

取向?qū)?1和21形成在像素電極191上和共電極270下方。取向?qū)?1和21包括第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1。第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1可以是豎直取向?qū)?，并且可以由諸如聚酰胺酸、聚硅氧烷或聚酰亞胺的取向材料制成。第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1可以在微腔305的邊緣的側(cè)壁處連接。

第一取向?qū)?1形成在像素電極191上。第一取向?qū)?1還可以直接形成在不被像素電極191覆蓋的第一絕緣層240上。第二取向?qū)?1形成在共電極270下方以面對第一取向?qū)?1。

包括液晶(lc)分子310的液晶層形成在位于像素電極191與共電極270之間的微腔305內(nèi)部。lc分子310可以具有負介電各向異性，并且當沒有電場存在時可以垂直于基底110設(shè)置。即，可以獲得豎直取向。

施加有數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與共電極270一起產(chǎn)生電場，從而確定位于像素電極191與共電極270之間的微腔305內(nèi)部的lc分子310的取向方向。如此，透過液晶層的光的亮度根據(jù)lc分子310的確定的取向方向而改變。

第二絕緣層350可以形成在共電極270上。第二絕緣層350可以由諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機絕緣材料制成，并且在一些實施例中可以省略。

頂層360形成在第二絕緣層350上。頂層360可以由有機材料或無機材料制成。另外，頂層360可以包括單層或多層。頂層360可以在行方向上延伸。頂層360覆蓋微腔305的頂表面和微腔305的側(cè)表面的一部分。頂層360可以通過固化工藝被硬化以維持微腔305的形狀。頂層360形成為與像素電極191分隔開，微腔305設(shè)置在像素電極191與頂層360之間。

在附圖中，濾色器230被示出位于微腔305下方，但本公開不限于此。濾色器230的位置可以被改變。例如，頂層360可以由濾色器材料制成，在這種情況下，濾色器230可以位于微腔305上。

柱狀物500位于基底110的外圍區(qū)域pa中。柱狀物500可以設(shè)置在鈍化層180上。柱狀物500可以包括單層或多層。例如，柱狀物500可以包括第一層510、位于第一層510下方的第二層520和位于第二層520下方的第三層530。第一層510可以由與頂層360相同的材料制成并且與頂層360設(shè)置在同一層上。第一層510可以比頂層360薄。第二層520可以由與第二絕緣層350相同的材料制成并且可以與第二絕緣層350設(shè)置在同一層上。第三層530可以由與共電極270相同的材料制成并且與共電極270設(shè)置在同一層上。在一些實施例中，柱狀物500可以僅包括第三層530，或者可以僅包括第三層530和第二層520。

示出的是，柱狀物500不與柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp疊置。然而，本公開不限于此，柱狀物500可以與柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp的一部分疊置。

共電極270和頂層360不覆蓋微腔305的邊緣的側(cè)表面，微腔305的沒有被共電極270和頂層360覆蓋的部分被稱為注入開口307a和307b。注入開口307a和307b包括暴露微腔305的第一邊緣的側(cè)表面的第一注入開口307a以及暴露微腔305的第二邊緣的側(cè)表面的第二注入開口307b。第一邊緣和第二邊緣彼此面對。例如，在俯視平面圖中，第一邊緣可以是微腔305的上邊緣，第二邊緣可以是微腔305的下邊緣。在顯示裝置的制造工藝中，因為微腔305被注入開口307a和307b暴露，所以取向劑或lc材料可以通過注入開口307a和307b被注入到微腔305中。

第三絕緣層370可以形成在頂層360上。第三絕緣層370可以由諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機絕緣材料制成。第三絕緣層370可以形成為覆蓋頂層360的頂表面和/或側(cè)表面。第三絕緣層370可以用于保護由有機材料制成的頂層360，并且可以在一些實施例中省略。

第三絕緣層370可以具有與頂層360基本相同的平面形狀。頂層360可以包括多層，在這種情況下，第三絕緣層370可以對應(yīng)于構(gòu)成頂層360的多層中的一層。

包封層390形成在第三絕緣層370上。包封層390形成為覆蓋暴露微腔305的一部分的注入開口307a和307b。即，包封層390可以包封微腔305，使得位于微腔305內(nèi)部的lc分子310不泄漏到外部。因為包封層390接觸lc分子310，所以包封層390可以由不與lc分子310反應(yīng)的材料制成。例如，包封層390可以由苝等制成。

包封層390位于顯示區(qū)域da中，并且不位于外圍區(qū)域pa中。在包封層390形成在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa兩者中之后，位于外圍區(qū)域pa中的包封層390可以例如使用激光來去除。激光可以輻射到在顯示區(qū)域da與外圍區(qū)域pa之間的邊界。因此，包封層390的側(cè)表面可以包括熱變形部。

包封層390可以是諸如雙層、三層等的多層。雙層包括由不同材料制成的兩層。三層包括其中相鄰的層分別由不同的材料制成的三個層。例如，包封層390可以包括由有機絕緣材料制成的層和由無機絕緣材料制成的層。

包封層390位于顯示區(qū)域da中，并且不位于外圍區(qū)域pa中。因此，柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp可以不被包封層390覆蓋，而是可以暴露。

盡管未示出，但是偏振板還可以形成在顯示裝置的頂表面和底表面處。偏振板可以包括第一偏振板和第二偏振板。第一偏振板可以附著到基底110的底表面，第二偏振板可以附著到包封層390上。

接下來，參照圖5至圖18，將如下描述顯示裝置的制造方法。另外，將參照圖1至圖4進行描述。圖5至圖18是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的制造方法的工藝剖視圖。

如圖5和圖6中示出的，在由玻璃或塑料制成的基底110上形成在第一方向延伸的柵極線121和從柵極線121突出的柵電極124。例如，柵極線121可以基本在水平方向上延伸。

在一個實施例中，與柵極線121和柵電極124一起形成連接到柵極線121的柵極焊盤125。柵極線121從顯示區(qū)域da延伸到外圍區(qū)域pa?；?00還包括在外圍區(qū)域pa的外邊緣上的額外區(qū)域ea。柵極焊盤125從柵極線121的端部延伸并且位于外圍區(qū)域pa中。柵極焊盤125可以由與柵極線121和柵電極124相同的材料制成，并且可以設(shè)置在同一層上。

另外，可以將參考電壓線131以及從參考電壓線131突出的存儲電極135a和135b一起形成為與柵極線121分開。參考電壓線131在平行于柵極線121的方向上延伸。存儲電極135a和135b包括基本垂直于參考電壓線131延伸的一對第一存儲電極135a以及將這對第一存儲電極135a連接的第二存儲電極135b。參考電壓線131以及存儲電極135a和135b可以圍繞像素電極191。

接下來，使用諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機絕緣材料在柵極線121、柵電極124、柵極焊盤125、參考電壓線131以及存儲電極135a和135b上形成柵極絕緣層140。柵極絕緣層140可以包括單層或多層。

如圖7和圖8中示出的，在柵極絕緣層140上沉積諸如非晶硅、多晶硅或金屬氧化物的半導體材料。接下來，沉積金屬材料。將金屬材料和半導體材料圖案化以形成半導體154、數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175和數(shù)據(jù)焊盤177。數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175和數(shù)據(jù)焊盤177可以包括單層或多層。

半導體154位于柵電極124上且在數(shù)據(jù)線171下方。在上面的描述中，描述了將半導體材料和金屬材料順序沉積以及隨后同時圖案化的方法，但本公開不限于此。在將半導體材料沉積并隨后圖案化從而首先形成半導體154之后，可以沉積金屬材料并隨后圖案化以形成數(shù)據(jù)線171。在這種情況下，半導體154可以不位于數(shù)據(jù)線171下方。

數(shù)據(jù)線171在第二方向上延伸以與柵極線121和參考電壓線131相交。例如，數(shù)據(jù)線171可以在基本上豎直的方向上延伸。源電極173在柵電極124上方從數(shù)據(jù)線171突出，漏電極175的一部分被源電極173圍繞。數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175位于顯示區(qū)域da中，數(shù)據(jù)線171延伸到外圍區(qū)域pa。

數(shù)據(jù)焊盤177連接到數(shù)據(jù)線171。數(shù)據(jù)焊盤177從數(shù)據(jù)線171的端部延伸。數(shù)據(jù)線171的端部位于外圍區(qū)域pa中，數(shù)據(jù)焊盤177位于外圍區(qū)域pa中。數(shù)據(jù)焊盤177可以由與數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175相同的材料制成并且與數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175設(shè)置在同一層上。

柵電極124、源電極173和漏電極175與半導體154一起形成一個薄膜晶體管(tft)q。薄膜晶體管q可以用作傳輸數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)元件。在這種情況下，將開關(guān)元件的溝道形成在源電極173與漏電極175之間的半導體154中。

接下來，在數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175以及半導體154的暴露的部分上形成鈍化層180。鈍化層180可以由有機絕緣材料或無機絕緣材料制成，并且可以包括單層或多層。

如圖9和圖10中所示，在鈍化層180上形成濾色器230。濾色器230可以形成在每個像素內(nèi)部，并且可以不形成在像素的邊緣處?？梢孕纬稍试S不同的波長透過的多個濾色器230。在一個實施例中，可以沿列方向形成同一顏色的濾色器230。當形成三種顏色的濾色器230時，可以首先形成第一顏色的濾色器230，可以移動掩模以形成第二種顏色的濾色器230，可以進一步移動掩模以形成第三種顏色的濾色器。

隨后，在鈍化層180上使用阻光材料以形成阻光構(gòu)件220。阻光構(gòu)件220可以位于像素的邊緣處，并且可以與柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管q疊置以防止光泄漏。然而，本公開不限于此，阻光構(gòu)件220可以與柵極線121和薄膜晶體管q疊置，而不與數(shù)據(jù)線171疊置。

接下來，在濾色器230和阻光構(gòu)件220上形成第一絕緣層240。第一絕緣層240可以由有機絕緣材料形成，并且可以用于使濾色器230和阻光構(gòu)件220的頂表面平坦化?？梢酝ㄟ^順序沉積由有機絕緣材料制成的層和由無機絕緣材料制成的層使第一絕緣層240形成為雙層。

接下來，對第一絕緣層240、阻光構(gòu)件220和鈍化層180圖案化以形成暴露漏電極175的至少一部分的第一接觸孔181。在第一接觸孔181的形成步驟中，可以與其一起形成暴露柵極焊盤125的至少一部分的第二接觸孔185和暴露數(shù)據(jù)焊盤177的至少一部分的第三接觸孔187。

接下來，在第一絕緣層240上沉積諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)的透明金屬材料，然后圖案化以形成像素電極191。像素電極191通過第一接觸孔181連接到漏電極175。具有總體四邊形形狀的像素電極191包括彼此相交的水平主干部193和豎直主干部192以及從水平主干部193和豎直主干部192延伸的微小分支部194。

在一個實施例中，與像素電極191一起形成柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197。柵極接觸輔助件195通過第二接觸孔185連接到柵極焊盤125，數(shù)據(jù)接觸輔助件197通過第三接觸孔187連接到數(shù)據(jù)焊盤177。柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197可以由與像素電極191相同的材料制成并且可以與像素電極191設(shè)置在同一層上。

如圖11和圖12中所示，在像素電極191、柵極接觸輔助件195、數(shù)據(jù)接觸輔助件197和第一絕緣層240上形成犧牲層300。在俯視平面圖中，犧牲層300可以形成為在列方向上延伸。犧牲層300可以形成在顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa中。在顯示區(qū)域da中，犧牲層300可以與像素電極191疊置，而不與數(shù)據(jù)線171疊置。在外圍區(qū)域pa中，犧牲層300可以與柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197疊置。

如圖13和圖14中所示，在犧牲層300上沉積諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)的透明金屬材料以形成共電極270?？梢允褂弥T如氧化硅或氮化硅的無機絕緣材料在共電極270上形成第二絕緣層350。將有機材料涂覆在第二絕緣層350上并且將其圖案化以形成頂層360。在這種情況下，可以執(zhí)行圖案化，使得去除設(shè)置成與柵極線121和薄膜晶體管q疊置的有機材料。因此，頂層360可以沿行方向延伸。

在對頂層360進行圖案化之后，將光輻射到頂層360以執(zhí)行固化工藝。在執(zhí)行固化工藝之后，頂層360被硬化，即使在頂層360下方產(chǎn)生空間，頂層360也可以維持其形狀。

接下來，通過使用頂層360作為掩模對第二絕緣層350和共電極270進行圖案化，去除第二絕緣層350和共電極270的位于與柵極線121和薄膜晶體管q疊置的部分。

接下來，在頂層360上沉積諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機絕緣材料并且將其圖案化以形成第三絕緣層370。在一個實施例中，可以執(zhí)行圖案化，使得去除與柵極線121和薄膜晶體管q疊置的部分的無機絕緣材料。第三絕緣層370可以覆蓋頂層360的頂表面，并且還可以覆蓋頂層360的側(cè)表面。當對頂層360、第二絕緣層350、共電極270和第三絕緣層370進行圖案化時，犧牲層300的部分被暴露到外部。

當將顯影劑或脫模溶液供應(yīng)到犧牲層300上，或者執(zhí)行灰化工藝時，完全地去除犧牲層300，如圖15和圖16中示出的微腔305和虛設(shè)微腔305a產(chǎn)生在之前設(shè)置有犧牲層300的位置處。微腔305位于顯示區(qū)域da中，而虛設(shè)微腔305a位于外圍區(qū)域pa中。

像素電極191和頂層360由設(shè)置在像素電極191與頂層360之間的微腔305彼此分隔開。柵極接觸輔助件195和頂層360由設(shè)置在柵極接觸輔助件195與頂層360之間的虛設(shè)微腔305a彼此分隔開。數(shù)據(jù)接觸輔助件197和頂層360由設(shè)置在數(shù)據(jù)接觸輔助件197與頂層360之間的虛設(shè)微腔305a彼此分隔開。頂層360覆蓋微腔305的頂表面以及側(cè)表面的一部分，并且覆蓋虛設(shè)微腔305a的頂表面以及側(cè)表面的一部分。

通過去除了頂層360和共電極270的部分將微腔305暴露到外部。通過其暴露微腔305的部分被稱為注入開口307a和307b?？梢栽谝粋€微腔305中形成兩個注入開口307a和307b。例如，可以形成暴露微腔305的第一邊緣的側(cè)表面的第一注入開口307a和暴露微腔305的第二邊緣的側(cè)表面的第二注入開口307b。第一邊緣和第二邊緣可以彼此面對。例如，第一邊緣可以是微腔305的上邊緣，而第二邊緣可以是微腔305的下邊緣。

接下來，當使用旋涂法或噴墨法將包含取向材料的取向劑滴到基底110上時，取向劑通過注入開口307a和307b注入到微腔305中。當在取向劑被注入到微腔305之后執(zhí)行固化工藝時，取向劑的溶液蒸發(fā)并且取向材料保持在微腔305的內(nèi)壁表面處。

因此，可以在像素電極191上形成第一取向?qū)?1，可以在共電極270下方形成第二取向?qū)?1。第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1形成為彼此面對同時其間設(shè)置有微腔305。在一些實施例中，第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1在微腔305的邊緣的側(cè)壁處彼此連接。在這種情況下，除了在微腔305的側(cè)表面處，第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1可以在垂直于基底110的方向上取向。

接下來，當使用噴墨法或滴涂法來使液晶(lc)材料滴到基底110上時，lc材料通過毛細管力經(jīng)注入開口307a和307b注入到微腔305中。因此，在微腔305內(nèi)部形成包括lc分子310的lc層。取向?qū)?1和21以及l(fā)c層可以不形成在虛設(shè)微腔305a中。

接下來，在第三絕緣層370上沉積不與lc分子310反應(yīng)的材料以形成包封層390。包封層390形成為覆蓋注入開口307a和307b并且密封微腔305，從而防止形成在微腔305內(nèi)部的lc分子310泄漏到外部。

接下來，切割位于基底110的顯示區(qū)域da與外圍區(qū)域pa之間的邊界上的包封層390。另外，切割位于基底110的外圍區(qū)域pa和額外區(qū)域ea之間的邊界上的基底110。如此，在分別切割包封層390和基底110之后，位于外圍區(qū)域pa中的包封層390和額外區(qū)域ea與外圍區(qū)域pa分開。即，沿基底110的額外區(qū)域ea去除位于外圍區(qū)域pa中的包封層390以及基底110的額外區(qū)域ea，如圖17和圖18所示，僅保留基底110的顯示區(qū)域da和外圍區(qū)域pa。包封層390僅保留在基底110的顯示區(qū)域da中。

在切割包封層390的步驟中，可以將激光輻射到位于基底110的顯示區(qū)域da與外圍區(qū)域pa之間的邊界上的包封層390。由于激光輻射，包封層390的側(cè)表面可以包括熱變形部。輻射激光的區(qū)域不與柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp疊置。因此，可以防止對柵極接觸輔助件195或數(shù)據(jù)接觸輔助件197的損壞。另外，因為不執(zhí)行光刻工藝，所以可以防止lc層的污染。

然而，本公開不限于此，可以機械地切割包封層390。例如，可以使用半切割方法僅切割包封層390，從而防止對位于包封層390下方的基底110等的損壞。在另一示例中，可以將機械切割方法用于切割基底110。

示出的是，虛設(shè)微腔305a位于包封層390被切割的區(qū)域的下部分中，但是本公開不限于此。虛設(shè)微腔305a可以不位于包封層390被切割的區(qū)域的下部分中，而是可以僅由包封層390覆蓋。

在去除包封層390期間，位于基底110的外圍區(qū)域pa中的頂層360部分地保留以形成柱狀物500。在去除包封層390期間，頂層360被分為兩部分，一部分與包封層390一起被去除，而另一部分保留在基底110上。位于頂層360下方的第二絕緣層350和共電極270可以一起保留。

柱狀物500可以包括第一層510、位于第一層510下方的第二層520和位于第二層520下方的第三層530。第一層510可以由與頂層360相同的材料制成并且與頂層360設(shè)置在同一層上。第一層510可以形成為比頂層360薄。第二層520可以由與第二絕緣層350相同的材料制成并且與第二絕緣層350設(shè)置在同一層上。第三層530可以由與共電極270相同的材料制成并且與共電極270設(shè)置在同一層上。柱狀物500可以僅包括第三層530，或者可以僅包括第三層530和第二層520。

在當前的示例性實施例中，虛設(shè)微腔305a形成在外圍區(qū)域pa中然后被去除，使得柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp是開放的。因為包封層390形成為延伸到外圍區(qū)域pa然后被切割以去除，所以包封層390的側(cè)表面可以具有陡的斜坡，從而減少邊框區(qū)域。另外，因為虛設(shè)微腔305a形成在柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp上然后被去除，所以可以容易地去除包封層390等，并且可以防止對柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp的損壞。

隨后，盡管未示出，但是還可以將偏振板附著到顯示裝置的頂表面和底表面。偏振板可以包括第一偏振板和第二偏振板。第一偏振板可以附著到基底110的底表面，第二偏振板可以附著到包封層390。

接下來，參照圖19至圖21，將如下描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置。因為根據(jù)圖19至圖21示出的當前示例性實施例的顯示裝置具有與根據(jù)圖1至圖4中示出的示例性實施例的顯示裝置的構(gòu)造基本相同的構(gòu)造，所以可以省略其詳細的描述。圖19至圖21中示出的示例性實施例與前述的示例性實施例的不同之處在于，柱狀物不包括由與共電極相同的材料制成的層，將在下面詳細地描述。

圖19是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的局部俯視平面圖。圖20是沿圖19的線xx-xx截取的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。圖21是沿圖19的線xxi-xxi截取的根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。

參照圖19至圖21，當前的示例性實施例與前述的示例性實施例的相同之處在于包括柵電極124、源電極173、漏電極175和半導體154的薄膜晶體管q形成在基底110的顯示區(qū)域da上。另外，柵極焊盤125和數(shù)據(jù)焊盤177形成在基底110的外圍區(qū)域pa上。

共電極270形成在第一絕緣層240上。在前述的示例性實施例中，共電極270位于微腔305上，但在當前的示例性實施例中，共電極270位于微腔305下方。

位于多個像素px內(nèi)部的共電極270可以通過連接橋276等彼此連接，并且可以傳輸基本相同的電壓。位于每個像素px內(nèi)部的共電極270可以具有平面形狀。共電極270可以由諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)的透明金屬氧化物制成。

層間絕緣層250形成在共電極270上。層間絕緣層250可以由諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機絕緣材料制成。

暴露漏電極175的至少一部分的第一接觸孔181形成在層間絕緣層250、第一絕緣層240、阻光構(gòu)件220和鈍化層180中。另外，暴露柵極焊盤125的至少一部分的第二接觸孔185形成在鈍化層180和柵極絕緣層140中，暴露數(shù)據(jù)焊盤177的至少一部分的第三接觸孔187形成在鈍化層180中。

像素電極191形成在層間絕緣層250上。像素電極191可以包括多個分支電極1193和位于多個分支電極1193之間的狹縫93。像素電極191的多個分支電極1193和狹縫93與共電極270疊置。像素電極191和共電極270由層間絕緣層250分開。層間絕緣層250用于使像素電極191與共電極270絕緣。

像素電極191可以包括用于與不同的層連接的突出部1195。像素電極191的突出部1195通過第一接觸孔181物理結(jié)合并電結(jié)合到漏電極175，從而使其施加有來自漏電極175的電壓。像素電極191可以由諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)的透明金屬氧化物制成。

像素電極191可以包括沿數(shù)據(jù)線171的彎曲形狀而彎曲的彎曲的邊。例如，像素電極191可以具有多邊形形狀，所述多邊形形狀包括從與像素px的水平中心線cl對應(yīng)的部分彎曲至少一次的邊。

另外，柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197位于基底110的外圍區(qū)域pa中。柵極接觸輔助件195和數(shù)據(jù)接觸輔助件197可以設(shè)置在鈍化層180上。

柵極接觸輔助件195通過第二接觸孔185連接到柵極焊盤125。柵極接觸輔助件195可以由與像素電極191相同的材料制成并且與像素電極191設(shè)置在同一層中。柵極焊盤125和柵極接觸輔助件195被層壓以形成柵極焊盤部gp。

數(shù)據(jù)接觸輔助件197通過第三接觸孔187連接到數(shù)據(jù)焊盤177。數(shù)據(jù)接觸輔助件197可以由與像素電極191相同的材料制成并且與像素電極191設(shè)置在同一層中。數(shù)據(jù)焊盤177和數(shù)據(jù)接觸輔助件197被層壓以形成數(shù)據(jù)焊盤部dp。

上面描述的像素的布局和薄膜晶體管的形狀可以各種地改變。另外，當像素電極191和共電極270順序被層壓時，它們可以相對于彼此轉(zhuǎn)換它們的位置。在上面的描述中，描述的是，層間絕緣層250形成在共電極270上，像素電極191形成在層間絕緣層250上。相反，層間絕緣層可以形成在像素電極上，共電極可以形成在層間絕緣層上。可選擇地，像素電極191可以具有平面形狀，共電極270可以包括分支電極和狹縫。

頂層360形成在像素電極191上以與像素電極191分隔開預定的距離。微腔305形成在像素電極191與頂層360之間。微腔305由像素電極191和頂層360圍繞。

取向?qū)?1和21形成在像素電極191上方和頂層360下方。取向?qū)涌梢允撬饺∠驅(qū)印?/p>

包含lc分子310的液晶(lc)層形成在位于像素電極191與頂層360之間的微腔305的內(nèi)部。lc分子310可以具有正介電各向異性或負介電各向異性。例如，lc分子310可以取向，使得當沒有電場存在時，它們的長軸平行于基底110設(shè)置。即，可以獲得水平取向。

柱狀物500位于基底110的外圍區(qū)域pa中。柱狀物500可以設(shè)置在鈍化層180上。柱狀物500可以包括單層或多層。例如，柱狀物500可以包括第一層510和位于第一層510下方的第二層520。第一層510可以由與頂層360相同的材料制成并且與頂層360設(shè)置在同一層上。第一層510可以形成為比頂層360薄。第二層520可以由與第二絕緣層350相同的材料制成并且與第二絕緣層350設(shè)置在同一層上。柱狀物500可以僅包括第二層520。

示出的是，柱狀物500不與柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp疊置。然而，本公開不限于此，柱狀物500可以與柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp的部分疊置。

第三絕緣層370位于頂層360上，包封層390形成在第三絕緣層370上。包封層390可以包封微腔305。

包封層390位于顯示區(qū)域da中，并且不位于外圍區(qū)域pa中。因此，柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp可以不由包封層390覆蓋，而可以被暴露。

如在前述的示例性實施例中，虛設(shè)微腔可以形成在柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp上，包封層390和基底110可以分別被切割以去除位于基底110的外圍區(qū)域pa中的包封層390，從而使得柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp被開放。在這種情況下，可以防止對柵極焊盤部gp和數(shù)據(jù)焊盤部dp的損壞。

盡管已經(jīng)結(jié)合示例性實施例描述了本公開，但是將理解的是，本公開不限于描述的實施例，而是相反意圖覆蓋包括在本公開的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。

<符號的描述>

110:基底121:柵極線

125:柵極焊盤171:數(shù)據(jù)線

177:數(shù)據(jù)焊盤191:像素電極

195:柵極接觸輔助件197:數(shù)據(jù)接觸輔助件

270:共電極300:犧牲層

305:微腔305a:虛設(shè)微腔

310:lc分子360:頂層

390:包封層500:柱狀物

510:第一層520:第二層

530:第三層gp:柵極焊盤部

dp:數(shù)據(jù)焊盤部