專利名稱：正型光敏組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及正型光敏組合物，其可防止在半導體制造過程中出現(xiàn)的半導體片的翹 曲現(xiàn)象，且具有優(yōu)異的延展性。
背景技術：
一般來說，在半導體處理中使用的光敏組合物大多數顯示正型，因為被曝光部分 被紫外線照射在堿水溶液中溶解。所述組合物可包含溶解在所述堿水溶液中的樹脂、在所 述堿水溶液中不溶解而且對紫外線靈敏的光敏化合物和其他添加劑。作為在所述堿水溶液中溶解的樹脂的實例，可以提到聚酰胺衍生物。此樹脂可通 過加熱被轉化為聚酰胺和聚苯并噁唑，從而顯示耐熱樹脂的特性。在現(xiàn)有技術中，可使用不 具有敏感度的組合物，然而近年來，為了簡化過程的目的出現(xiàn)了優(yōu)選具有敏感度的組合物 的趨勢。高集成度伴隨著半導體制造技術的發(fā)展而加速，封裝技術可朝向不同于傳統(tǒng)封裝 技術的顯著復雜的過程進行。從現(xiàn)有技術的簡單的一維封裝技術可采用至少兩層的高層疊 封裝技術。所述高層疊封裝技術可為相較芯片尺寸最大化芯片容量的技術。在此情況下， 為了減少由于層疊而被增加的芯片厚度，可通過在所述半導體制造過程中研磨芯片的后面 而減小芯片厚度。當所述芯片的厚度通過研磨所述薄膜的后面被最終減小至40 μ m或者更 小時，可能會出現(xiàn)所述薄片的翹曲現(xiàn)象。由于在所述薄片前面和后面使用的材料不同，線性 擴展系數會不同，于是就會出現(xiàn)所述的翹曲現(xiàn)象。當明顯地發(fā)生翹曲現(xiàn)象時，在接下來的處 理中薄片的操作可能是不方便的，而且錯誤也會頻繁地發(fā)生，導致產率下降。發(fā)明概述本發(fā)明的一方面提供了一種正型光敏組合物，其可防止在半導體制造過程中出現(xiàn) 的半導體片翹曲現(xiàn)象且具有優(yōu)異的延展性。根據本發(fā)明的一方面，其提供了一種包含聚酰胺衍生物的正型光敏組合物，所述 聚酰胺衍生物表示為[化學式1]
權利要求
1.一種包含聚酰胺衍生物的正型光敏組合物，所述聚酰胺衍生物表示為[化學式1]
2.如權利要求1所述的正型光敏組合物，其中R4表示具有20個或更少的碳原子并含 有至少一個烯基的烷基，或者具有20個或更少的碳原子并含有至少一個烯基的芳基。
3.如權利要求1所述的正型光敏組合物，其中所述聚酰胺衍生物中R4的含量為2mol% 至Ij IOmoH
4.如權利要求1所述的正型光敏組合物，其中R5與R1或者R4相同。
5.一種包含重氮萘酚化合物、添加劑和聚酰胺衍生物的正型光敏組合物，所述聚酰胺 衍生物表示為[化學式1]0 0 ] 「0 0 X—HN——R5-HN^一R2~^~NH-R1-NH---^~R2^LNH一R4_NH__χ(AH) η(CO2R3 )m ( οη)π(CO2R3)m其中R1和R2各自獨立地表示含有至少2個碳原子的二價到六價的芳基；R3表示氫原子 或者具有1到20個碳原子的烷基；R4表示具有線性結構的烷基或者具有線性結構的芳基； R5表示含有至少2個碳原子的二價到六價的芳基、具有線性結構的烷基和具有線性結構的 芳基中的任何一種；k和1各自獨立地表示10到1000的整數；η和m各自獨立地表示0到 2的整數(n+m > 0) ；X表示氫原子或者具有2到30個碳原子的芳基。
6.如權利要求5所述的正型光敏組合物，其中所述重氮萘酚化合物表示為[化學式2] DNQ .O m其中η和m各自獨立地表示0到5的整數(n+m > 0) ；Z表示具有12到40個碳原子的芳基；R7表示氫原子、具有1到12個碳原子的烷基和具有1到12個碳原子的烷羰基中的任 一種，且二疊氮基萘醌(DNQ)表示為 [化學式3]
7.如權利要求6所述的正型光敏組合物，其中R7與DNQ的摩爾比為4 1到1 20。
8.如權利要求5所述的正型光敏組合物，其中所述重氮萘酚化合物為從由化學式5到 12表示的化合物組成的組中選出的至少一種化合物。[化學式5到12]
9.如權利要求5所述的正型光敏組合物，其中所述添加劑包括從由交聯(lián)催化劑、助粘 附劑、表面活化劑、抗腐蝕劑和二(4-羥基苯基)芴組成的組中選出的至少一種添加劑。
10.如權利要求5所述的正型光敏組合物，其中在所述組合物的總量中，基于100重量 份的聚酰胺衍生物，所述重氮萘酚化合物的含量為5到30重量份。
全文摘要
本申請公開了一種包含聚酰胺衍生物的正型光敏組合物，所述聚酰胺衍生物表示為[化學式1]，其中R1和R2各自獨立地表示含有至少2個碳原子的二價到六價的芳基；R3表示氫原子或者具有1到20個碳原子的烷基；R4表示具有線性結構的烷基或者具有線性結構的芳基；R5表示含有至少2個碳原子的二價到六價的芳基、具有線性結構的烷基和具有線性結構的芳基中的任何一種；k和l各自獨立地表示10到1000的整數；n和m各自獨立地表示0到2的整數(n+m＞0)；X表示氫原子或者具有2到30個碳原子的芳基。
文檔編號G03F7/075GK102004395SQ20101012610
公開日2011年4月6日 申請日期2010年3月17日 優(yōu)先權日2009年8月31日
發(fā)明者孫敬喆, 曺正煥, 樸柱鉉, 李鐘范 申請人:韓國錦湖石油化學株式會社