專利名稱：制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及應(yīng)用在顯示器或光電元件的透明導(dǎo)電膜線路結(jié)構(gòu)與外接驅(qū)動(dòng)電路連接的區(qū)域。
背景技術(shù)：
一般液晶顯示器面板可利用玻璃覆晶封裝技術(shù)(Chip on Glass，COG)將驅(qū)動(dòng)集成電路(Driver IC)接合于透明導(dǎo)電基板上，由于驅(qū)動(dòng)IC的端子材料(一般為高導(dǎo)電率的金屬合金材料)與透明導(dǎo)電材料(一般為氧化銦錫)的接面阻抗過高，會(huì)造成電流傳輸嚴(yán)重衰減，而使得傳遞訊號(hào)延遲，導(dǎo)致液晶顯示器面板顯示畫面時(shí)畫面產(chǎn)生異?，F(xiàn)象。為解決此一問題，通常都利用金屬膜的鍍著來提高導(dǎo)電度，以降低接面阻抗。
請(qǐng)參閱圖1-1所示，是一已知的液晶顯示器的橫截面示意圖，此案被批露于美國專利案號(hào)4826297。液晶顯示單體10(cell)包含下基板100及上基板101，兩基板皆有由透明玻璃及透明電極102、103所構(gòu)成，在兩基板之間有液晶104材料。用以驅(qū)動(dòng)液晶顯示單體10的芯片11利用玻璃覆晶封裝技術(shù)直接接合在導(dǎo)電玻璃上的線路，圖中顯示驅(qū)動(dòng)芯片11接合在部分覆蓋于透明電極102的金屬膜12上，此設(shè)計(jì)利用金屬膜線路來與驅(qū)動(dòng)IC的端子接合，將可使得接合線路間的接面阻抗降低，然后此金屬膜線路再與液晶顯示器面板的透明導(dǎo)電膜線路連接。
不過，由于該制程將液晶顯示面板的下基板透明導(dǎo)電層線路圖案完成后，再制作金屬線路圖案，以銜接與驅(qū)動(dòng)芯片的連接線路，因此該制程有一缺點(diǎn)，亦即當(dāng)線路尺寸愈精細(xì)時(shí)，透明導(dǎo)電層線路與金屬線路在相銜接處會(huì)因線路重疊對(duì)準(zhǔn)的誤差，而使得線路銜接不良，易造成線路阻抗的增加。
請(qǐng)參閱圖1-2所示，是一已知透明導(dǎo)電板的橫截面示意圖，此案為美國專利案號(hào)6037005所批露的內(nèi)容。圖中顯示透明玻璃13上具有透明導(dǎo)電膜14與金屬膜15的部分重疊電極結(jié)構(gòu)，此設(shè)計(jì)方式雖可同時(shí)降低接面阻抗及提高線路的導(dǎo)電度，但卻會(huì)因金屬膜15會(huì)反射部分光線，而使得顯示區(qū)域整體的透光度降低；另外，由于電極在顯示器中的功能，是在每一個(gè)顯示像素(pixel)中提供均勻的電場(chǎng)分布，然而此方法所提出在同一像素中含有部分金屬重疊的透明電極，卻會(huì)造成像素電極的表面電場(chǎng)不均勻，以致于顯示器的顯示均勻度不佳。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的已知技術(shù)所產(chǎn)生的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供了一種具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板及其制法。此透明導(dǎo)電板及其制法可以解決液晶顯示器所存在的高接面阻抗問題，同時(shí)不會(huì)影響透明導(dǎo)電板的透光率與顯示效果。
本發(fā)明的目的，是在端子的接觸線路區(qū)段使用雙層結(jié)構(gòu)，其中該雙層結(jié)構(gòu)的上層是一金屬膜，而下層是一透明導(dǎo)電膜，其利用金屬膜與驅(qū)動(dòng)IC的端子材料接觸，以有效降低接面阻抗，而在顯示面板線路則使用單層透明導(dǎo)電膜，以達(dá)到所需要的透光率與顯示效果。本發(fā)明的另一目的，是可以應(yīng)用以高分辨率顯示器的微細(xì)線路的制作，當(dāng)制作下層透明導(dǎo)電膜的線路圖案時(shí)，上層的金屬膜的線路圖案可以作為遮罩(mask)，因此在相銜處不會(huì)因線路對(duì)準(zhǔn)誤差而造成線路銜接不良，進(jìn)而可增進(jìn)制程的可靠度與良率。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其包含下列步驟首先在透明基板上沉積一透明導(dǎo)電膜；然后在透明導(dǎo)電膜上沉積一金屬膜；接著在金屬膜上涂布一第一光阻層；以帶有第一線路圖案的光罩，對(duì)第一光阻層進(jìn)行顯影制程，使得第一光阻層形成如第一線路的圖案；蝕刻該金屬膜，使金屬膜上形成該第一線路的圖案；除去光阻；在透明導(dǎo)電膜及形成該第一線路的圖案的金屬膜上均勻涂布一第二光阻層；以帶有第二線路圖案的光罩，對(duì)第二光阻層進(jìn)行顯影制程，使得第二光阻層上形成如上述第二線路的圖案；蝕刻透明導(dǎo)電膜，在透明導(dǎo)電膜上形成該第二線路的圖案，最后除去光阻；這樣，完成了本發(fā)明的制程。


圖1-1是一已知液晶顯示器的橫截面示意圖。
圖1-2是一已知透明導(dǎo)電板的橫截面示意圖。
圖2-1至圖2-10是本發(fā)明的一具體實(shí)施例，制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的各步驟。
具體實(shí)施例方式
有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)配合

如下請(qǐng)參閱圖2-1至圖2-10所示，是本發(fā)明的一具體實(shí)施例，制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的各步驟。首先，利用真空蒸鍍或真空濺鍍(Sputtering)的方式將一透明導(dǎo)電膜21沉積于一透明基板20上，且對(duì)本發(fā)明而言，其中，該透明基板20可為一透明玻璃板或一透明塑料板，又，透明基板20的最適當(dāng)厚度約為0.4mm，而該透明導(dǎo)電膜21是一透明導(dǎo)電氧化物，其中又以銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)為佳，且，該透明導(dǎo)電膜21的最適當(dāng)厚度是在1000到2000埃()之間。
其次，同樣以真空蒸鍍或真空濺鍍的方式將金屬膜22沉積于透明導(dǎo)電膜21上，對(duì)本發(fā)明而言，金屬膜22的成分是銀(Ag)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉑(Pt)、錫(Sn)，或上述元素的化合物或混合物，但并非限定于上述的元素，且該金屬膜22的厚度是在1000到2000埃()之間。
接著以上步驟，如圖2-3所示，以旋轉(zhuǎn)涂布的方法將第一光阻層23(photoresist)均勻涂布于上述金屬膜22上，而該第一光阻層23的厚度可介于8000到10000埃()之間；完成該第一光阻層23后，借由一帶有第一線路的圖案的光罩(mask)對(duì)該第一光阻層23做黃光制程，再對(duì)該第一光阻層23做顯影制程，借此，使該第一光阻層23形成該第一線路的圖案，如圖2-4所示；此時(shí)，借由上述的第一光阻層23作為上述金屬膜22蝕刻時(shí)的遮罩，對(duì)該金屬膜22作蝕刻制程至上述的透明導(dǎo)電膜21處，如是，使該金屬膜22形成如上所述的第一線路圖案，如圖2-5所示；再針對(duì)上述步驟所剩余的光阻，利用氧氣灰化法或丙酮除去該光阻，如圖2-6所示。
再接上述步驟，請(qǐng)參閱圖2-7，在該透明導(dǎo)電膜21及上述形成該第一線路圖案的金屬膜22上，均勻涂布一第二光阻層24，而該第二光阻層24的厚度可介于8000到10000埃()之間。完成該第二光阻層24后，借由一帶有第二線路圖案的光罩(mask)對(duì)該第二光阻層24做黃光制程，再對(duì)該第二光阻層24做顯影制程，借此，使該第二光阻層24形成該第二線路的圖案，可得到如圖2-8所示的結(jié)構(gòu)。
借由上述的第二光阻層24作為上述透明導(dǎo)電膜21蝕刻時(shí)的遮罩，對(duì)該透明導(dǎo)電膜21作全面且單向垂直地蝕刻至上述的透明基板20處，如是，使該透明導(dǎo)電膜21形成如上所述的第二線路圖案，如圖2-9所示。最后，再針對(duì)上述步驟所剩余的光阻，利用氧氣灰化法或丙酮除去該光阻，即完成本發(fā)明的具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板，如圖2-10。
本發(fā)明的特點(diǎn)，是利用黃光及蝕刻制程，在需要高透光率的區(qū)域(如顯示區(qū)域)制作單層的透明導(dǎo)電膜的線路結(jié)構(gòu)，而在與外接驅(qū)動(dòng)電路(如驅(qū)動(dòng)芯片)連接的區(qū)域，亦即端子的連接區(qū)域，制作一雙層的金屬膜及透明導(dǎo)電膜的線路結(jié)構(gòu)。借助本發(fā)明，可以有效解決已知透明導(dǎo)電板與外接驅(qū)動(dòng)電路之間的高接面阻抗問題，同時(shí)不會(huì)影響透明導(dǎo)電板的透光率。
本發(fā)明的另一關(guān)鍵特點(diǎn)，是利用一種適合高分辨率顯示器的制程來制造出該透明導(dǎo)電板，本發(fā)明利用了兩次黃光及蝕刻制程，第一次將顯示區(qū)域的上層金屬膜去除，且同時(shí)將端子的連接區(qū)域的上層金屬膜蝕刻出所要的線路圖案，第二次即將顯示區(qū)域的透明導(dǎo)電膜蝕刻出另一個(gè)線路圖案，因此本發(fā)明可以同步制作透明導(dǎo)電板上的顯示區(qū)域及端子連接區(qū)域的線路圖案，與傳統(tǒng)的繁復(fù)制程相比較，本發(fā)明具有顯著的進(jìn)步性及產(chǎn)業(yè)利用性，尤其在高分辨率產(chǎn)品的制程中，具有可靠度高、成本低、及適合量產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，而不能以之限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，即大凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于包含下列步驟(A)在一透明基板(20)上沉積一透明導(dǎo)電膜(21)；(B)在上述的透明導(dǎo)電膜(21)上沉積一金屬膜(22)；(C)在上述金屬膜(22)上涂布一第一光阻層(23)(photoresist)；(D)以一帶有第一線路圖案的光罩，利用顯影制程，使得所述第一光阻層(23)上形成一第一線路的圖案；(E)蝕刻上述的金屬膜(22)，借此，使所述金屬膜(22)上形成所述第一線路圖案；(F)除去殘余的光阻；(G)在上述的透明導(dǎo)電膜(21)及形成所述第一線路圖案的金屬膜(22)上，均勻涂布一第二光阻層(24)；(H)以一帶有第二線路圖案的光罩，利用顯影制程，使得所述第二光阻層(24)上形成一第二線路的圖案；(I)蝕刻所述透明導(dǎo)電膜(21)，借此，使所述透明導(dǎo)電膜(21)上形成所述第二線路圖案；以及(j)除光殘余的光阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述步驟(A)利用真空蒸鍍或真空濺鍍(Sputtering)方式將所述透明導(dǎo)電膜(21)沉積于所述透明基板(20)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述步驟(B)是利用真空蒸鍍或真空濺鍍(Sputtering)方式將所述金屬膜(22)沉積于所述透明導(dǎo)電膜(21)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述透明基板(20)是一透明玻璃板或一透明塑料板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜(21)是一透明導(dǎo)電氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物是氧化銦錫(indiumtin oxide)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述金屬膜(22)的成分是銀(Ag)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉑(Pt)、錫(Sn)，亦可為上述元素的化合物/混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述透明基板(20)的厚度約為0.1～1.1mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜(21)的厚度在500到2000埃()之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述金屬膜(22)的厚度在1000到2000埃()之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述第一光阻層(23)的厚度在5000到10000埃()之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，其特征在于，所述第二光阻層(24)的厚度是在5000到10000埃()之間。
13.一種具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板，其特征是在于包含一透明基板(20)；一透明導(dǎo)電膜(21)，具有一第二線路圖案且覆蓋于所述透明基板(20)上；一金屬膜(22)，具有一第一線路圖案且覆蓋于所述透明導(dǎo)電膜(21)上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板，其特征在于，所述透明基板(20)是一透明玻璃板或一透明塑料板。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜(21)是一透明導(dǎo)電氧化物。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物是氧化銦錫(indium tin oxide)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板，其特征在于，所述金層膜(22)的成分是銀(Ag)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鎢(W)鉑(Pt)、錫(Sn)，也可以是上述元素的化合物/混合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板，其特征在于，所述透明基板(20)的厚度約為0.1～1.1mm。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜(21)的厚度在500到2500埃()之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板，其特征在于，所述金屬膜(22)的厚度在1000到2000埃()之間。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種制作具有低接面阻抗的透明導(dǎo)電板的方法，本發(fā)明利用原制程所需的黃光及蝕刻制程，在需要高透光率區(qū)域制作單層透明導(dǎo)電膜線路結(jié)構(gòu)與外接驅(qū)動(dòng)電路連接的區(qū)域，制作一雙層的金屬膜及透明導(dǎo)電膜線路結(jié)構(gòu)，依據(jù)本發(fā)明即使在高分辨率產(chǎn)品的制程中，仍具有制程可靠度高與制造成本低等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G02F1/133GK1549004SQ0312857
公開日2004年11月24日 申請(qǐng)日期2003年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月8日
發(fā)明者黃敬佩 申請(qǐng)人:勝華科技股份有限公司