專利名稱：光干涉式顯示單元結構及制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光干涉式顯示面板的制造方法，特別是關于一種具有支撐臂的支撐物的光干涉式顯示面板的制造方法。
背景技術：
平面顯示器由于具有體積小、重量輕的特性，在可攜式顯示設備，以及小空間應用的顯示器市場中極具優(yōu)勢。現(xiàn)今的平面顯示器除液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機電激發(fā)光二極管(OrganicElectro-Luminescent Display，OLED)和電漿顯示器(Plasma Display Panel，PDP)等等之外，一種利用光干涉式的平面顯示模式已被提出。
請參見美國USP5835255號專利，該專利揭露了一可見光的顯示單元數(shù)組(Array of Modulation)，可用來作為平面顯示器。請參見圖1，圖1為公知顯示單元的剖面示意圖。每一個光干涉式顯示單元100包括兩道墻(Wall)102及104，兩道墻102、104間由支撐物106所支撐而形成一腔室(Cavity)108。兩道墻102、104間的距離，也就是腔室108的長度為D。墻102、104其中之一為一具有光吸收率可吸收部分可見光的部分穿透部分反射層，另一則為一以電壓驅(qū)動可以產(chǎn)生型變的反射層。當入射光穿過墻102或104而進入腔室108中時，入射光所有的可見光頻譜的波長(Wave Length，以λ表示)中，僅有符合公式1.1的波長(λ1)可以產(chǎn)生建設性干涉而輸出。其中N為自然數(shù)。換句話說，2D＝Nλ (1.1)當腔室108長度D滿足入射光半個波長的整數(shù)倍時，則可產(chǎn)生建設性干涉而輸出陡峭的光波。此時，觀察者的眼睛順著入射光入射的方向觀察，可以看到波長為λ1的反射光，因此，對顯示單元100而言處于”開”的狀態(tài)。
第一墻為一部分穿透部分反射電極，一般由一基材、一吸收層及一介電層所組成。當入射光穿過第一墻時，入射光的部分強度為吸收層所吸收。其中，形成基材的材料可以為導電透明材料，例如氧化銦錫玻璃(ITO)或是氧化銦鋅玻璃(IZO)，形成吸收層的材料可以為金屬，例如鋁、鉻、銀等等。形成介電層的材料可以為氧化硅、氮化硅或金屬氧化物。金屬氧化物的部分可以直接氧化部分吸收層而獲得。第二墻則為一可變形的反射電極，在電壓的控制下可以變形而上下移動。一般而言形成第二墻的材料可以為介電材料/導電透明材料或是金屬材料/導電透明材料。
圖2為公知顯示單元加上電壓后的剖面示意圖。請參照圖2，在電壓的驅(qū)動下，墻104因為靜電吸引力而產(chǎn)生型變，向墻102的方向塌下。此時，兩道墻102、104間的距離，也就是腔室108的長度并不為零，而是為d，d可以等于零。此時，公式1.1中的D將以d置換，入射光所有的可見光頻譜的波長λ中，僅有符合公式1.1的可見光波長(λ2)可以產(chǎn)生建設性干涉，經(jīng)由墻104的反射穿透墻102而輸出。墻102對波長為λ2的光具有較高的光吸收，此時，入射光所有的可見光頻譜均被濾除，對順著入射光入射墻102的方向觀察的觀察者而言，將不會看到任何可見光頻譜內(nèi)的反射光，因此，對顯示單元100而言處于”關”的狀態(tài)。
請再參照圖1，顯示單元100中的支撐物106一般是由負光阻材料所形成。請參照圖3A至圖3C，圖3A至圖3C為公知顯示單元的制造方法。請參照圖3A，在一透明基材109上先依序形成第一墻102及犧牲層110，再于墻102及犧牲層110中形成開口112以適用于形成支撐物于其內(nèi)。接著，在犧牲層110上旋涂上一負光阻層111并填滿開口112，形成負光阻層111的目的在于形成位于第一墻102與第二墻(未繪示于圖上)間的支撐物之用。由箭頭113的方向，向透明基材109的方向?qū)ξ挥陂_口112內(nèi)的光阻層進行背面曝光。為了背面曝光工藝的需求，犧牲層110必須為不透明的材料，一般為金屬材料。
請參照圖3B，去除為曝光的負光阻層而留下支撐物106于開口112之內(nèi)。然后，形成墻104于犧牲層110及支撐物106之上。請參照圖3C，最后，以結構釋放蝕刻(Release Etch Process)移除犧牲層110而形成腔室114，腔室114的長度D即為犧牲層110的厚度。因此，必須在不同顯示單元的工藝中使用不同厚度的犧牲層，以達成控制反射出不同波長的光線的目的。
對單色平面顯示器而言，顯示單元100所組成可以利用電壓操作來控制開關的數(shù)組已足夠，但對于彩色平面顯示器而言，顯示單元100顯然不夠。公知的作法是制造具有不同腔室長度的三個顯示單元而成為一個像素，如圖4所示，圖4為公知數(shù)組式彩色平面顯示器剖面示意圖。在同一基材300上分別形成三個顯示單元302、304及306數(shù)組，當入射光308入射時，三個顯示單元302、304及306不同的腔室長度可分別反射出不同波長的色光，例如，紅光(R)、綠光(G)或藍光(B)。顯示單元數(shù)組式的排列除了無須選用不同的反射鏡面，更重要的是可以提供極佳的分辨率而且各種色光間的亮度均勻，但是，由于腔室長度的不同，三個顯示單元必需要分別制造。
請參照圖5A至圖5D，圖5A至圖5D為公知數(shù)組式彩色平面顯示器制造方法的剖面示意圖。請參照圖5A，在一透明基材300上先依序形成第一墻310及第一犧牲層312，再于第一墻310及犧牲層312中形成開口314、316、318及320以定義出顯示單元302、304及306預定形成的位置。接著，形成共型的第二犧牲層322于第一犧牲層312之上及開口314、316、318及320之內(nèi)。
請參照圖5B，以一微影蝕刻工藝移除開口314及316內(nèi)及其間的第二犧牲層322后，形成共型的第三犧牲層324于第一犧牲層312及第二犧牲層322之上和開口314、316、318及320之內(nèi)。
請參照圖5C，以一微影蝕刻工藝保留開口318及320間的第三犧牲層324而移除第三犧牲層324其它部分。接著，旋涂一負光阻于第一犧牲層312、第二犧牲層322及第三犧牲層324之上和開口314、316、318及320之內(nèi)并填滿所有開口而形成負光阻層326，負光阻層326的目的在于形成位于第一墻310與第二墻(未繪示于圖上)間的支撐物(未繪示于圖上)。
請參照圖5D，由透明基材300的方向?qū)ξ挥陂_口314、316、318及320內(nèi)的光阻層進行背面曝光。為了背面曝光工藝的需求，至少第一犧牲層312必須為不透明的材料，一般為金屬材料。去除未曝光的負光阻層326而留下支撐物328于開口314、316、318及320內(nèi)。接著，形成第二墻330共型覆蓋于第一犧牲層312、第二犧牲層322及第三犧牲層324及支撐物328之上。
最后，以結構釋放蝕刻(Release Etch Process)移除第一犧牲層312、第二犧牲層322及第三犧牲層324而形成如圖4所示的顯示單元302、304及306，三顯示單元302、304及306的腔室長度d1、d2、d3分別為第一犧牲層312、第一犧牲層312和第二犧牲層322及第一犧牲層312、第一犧牲層312和第三犧牲層324的厚度。因此，必須在不同顯示單元的工藝中使用不同厚度的犧牲層，以達成控制反射出不同波長的光線的目的。
公知制造數(shù)組式彩色平面顯示器至少需要三道微影蝕刻工藝，以定義顯示單元302、304及306的腔室長度。為了配合背面曝光以形成支撐物，必須使用金屬材料作為犧牲層，復雜的工藝本身而言成本較高，更嚴重的是由于復雜的工藝而使得合格率無法提升。
因此，提供一種簡易的光干涉式顯示單元結構制造方法來制造同時具有高分辨率、高亮度、工藝簡易且工藝合格率高的彩色光干涉式顯示面板，成為一個重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種光干涉式顯示單元結構，適用于制造彩色光干涉式顯示面板，可以具有高分辨率及高亮度。
本發(fā)明的另一目的，在于提供一種光干涉式顯示單元結構制造方法，適用于制造彩色光干涉式顯示面板，工藝簡易而且工藝合格率高。
本發(fā)明的又一目的，在于提供一種光干涉式顯示單元結構制造方法，適用于制造具有支撐物的彩色光干涉式顯示面板。
本發(fā)明的上述目的是這樣實現(xiàn)的，在本發(fā)明一較佳實施例中提出的一種光干涉式顯示單元結構，具有第一電極及第二電極，兩電極間以支撐物支撐，其特征在于，形成不同厚度的第二電極而使第二電極具有不同的應力，借助熱工藝使第二電極因應力而產(chǎn)生位移，借此改變第一電極與第二電極間的距離。而其制造方法，在一透明基材上先依序形成第一墻及犧牲層，再于第一墻及犧牲層中形成開口以適用于形成支撐物于其內(nèi)。接著，在犧牲層上旋涂上一第一光阻層并填滿開口。以微影工藝圖案化光阻層而定義出支撐物于開口中，支撐物可具有至少一支撐臂位于支撐物的頂端及犧牲層之上。
在犧牲層及支撐物上方形成一第二墻，第二墻的厚度依所堆棧的膜層數(shù)及各膜層厚度的不同而具有不同的應力再進行一熱工藝之后，例如一硬烤(Baking)，第二墻的應力會使第一墻與第二墻間的腔室長度產(chǎn)生變化。若支撐物具有支撐，則腔室長度則由支撐臂及第二墻的總應力而定。最后，以結構釋放蝕刻(Release Etch Process)移除犧牲層而形成腔室，由于第二墻的應力造成第二墻的位移，腔室的長度D不會等同犧牲層的厚度。
另外，支撐物也可以具有至少一支撐臂，由于支撐臂厚長度與厚度的比值，使支撐臂具有不同的應力，在進行硬烤時所產(chǎn)生位移的大小及方向不一，因此，可以利用支撐臂長度與厚度的比值及第二墻的厚度所造成的應力來控制腔室的長度，而非如公知須在不同顯示單元的工藝中使用不同厚度的犧牲層，而能達成控制反射出不同波長的光線的目的。這樣的作法具有相當多的優(yōu)點，第一，成本的降低。公知腔室的厚度即為犧牲層的厚度，犧牲層在工藝的最后需被移除。本發(fā)明利用支撐臂向上的位移來增加腔室的長度，因此，腔室的長度大于犧牲層的厚度，在形成相同長度的腔室時，犧牲層的厚度可以大幅下降。因此，制造犧牲層所使用的材料也大幅下降。第二、工藝時間的縮短。公知金屬犧牲層的結構釋放蝕刻非常耗時，蝕刻氣體必須經(jīng)由支撐物間的間隙滲入以移除犧牲層。本發(fā)明因利用光罩做正面曝光，因此犧牲層可以采用透明的材料，例如介電材料，而非如公知必須使用金屬等不透明材料。另外，因為犧牲層所使用的厚度可以大幅減小，結構釋放蝕刻所需的時間可以大幅減小，再者，介電材料的使用也使結構釋放蝕刻的速度加快，這也可以減少結構釋放蝕刻所需的時間。第三、支撐臂的長度會減小光干涉式顯示單元的有效反射面積，若只以具有不同長度支撐臂的支撐物來形成彩色光干涉式顯示面板時，不同色光的光干涉式顯示單元的有效反射面積不同，會使反射光的強度出現(xiàn)差異。因此，利用第二墻的厚度所造成的應力來控制腔室的長度，可以使得不同色光的光干涉式顯示單元的有效反射面積相近。在硬烤之后因為不同厚度的第二墻的位移量不同而使不同光干涉式顯示單元具有不同的腔室長度而能改變反射光的波長以得到不同的色光，例如紅光(R)、綠光(G)或藍光(B)。
根據(jù)本發(fā)明的另一目的，在本發(fā)明一較佳實施例提供一數(shù)組式彩色平面顯示器結構的制造方法。每一數(shù)組式彩色平面顯示器單元具有三個光干涉式顯示單元。在一透明基材上先依序形成第一墻及犧牲層，再于第一墻及犧牲層中形成開口以適用于形成支撐物于其內(nèi)并定義第一光干涉式顯示單元、第二光干涉式顯示單元及第三光干涉式顯示單元。接著，在犧牲層上旋涂上一第一光阻層并填滿開口。以一微影工藝圖案化光阻層而定義出具有第一支撐層的支柱做為一支撐物及定義支撐臂的長短。接著，在第一光干涉式顯示單元、第二光干涉式顯示單元及第三光干涉式顯示單元上的犧牲層及支撐物上方形成一第一第二墻，再于第二光干涉式顯示單元及第三光干涉式顯示單元上的第一第二墻上形成一第二第二墻，接著再于第三光干涉式顯示單元上的第二第二墻上形成一第三第二墻。三個光干涉式顯示單元上的第二墻的厚度因此而產(chǎn)生差異。由于光阻層的曝光系借助于一光罩，所以犧牲層不再必須為金屬等不透明的材料，一般介電材料也適用于作為犧牲層用。
再進行一硬烤(Baking)，三個光干涉式顯示單元的第二墻的長度與厚度比值不同，所以應力也不相同，經(jīng)熱工藝后三個光干涉式顯示單元的第二墻位移量不同而改變位置。最后，以結構釋放蝕刻(Release Etch Process)移除犧牲層而形成腔室，由于第二墻的位移，腔室的長度D不會等同犧牲層的厚度。
第一墻即為第一鏡面電極而第二墻是第二鏡面電極。每一光干涉式顯示單元的第二鏡面電極的厚度不同，具有不同的應力，因此在硬烤過后產(chǎn)生的位移量不同，所以每一光干涉式顯示單元的腔室長度不同而能改變反射光的波長以得到不同的色光，例如紅光(R)、綠光(G)或藍光(B)而能得到一數(shù)組式彩色平面顯示器結構。
根據(jù)本發(fā)明所揭露的光干涉式顯示單元的數(shù)組所組成的彩色平面顯示器，具有高分辨率及高亮度，同時每一光干涉式顯示單元具有相近的有效反射面積，工藝簡易而且工藝合格率高。由此可知，本發(fā)明所揭露的光干涉式顯示單元可以得到色調(diào)均勻，高分辨率、高亮度、工藝簡易及工藝合格率高之外，還可以增加工藝時的裕度，提高光干涉式彩色平面顯示器的工藝合格率。
下面，結合本發(fā)明的具體實施例及其附圖，對本發(fā)明的技術特征及技術內(nèi)容作進一步詳細地說明，然而，所示附圖僅供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限定。


圖1為公知顯示單元的剖面示意圖；圖2為公知顯示單元加上電壓后的剖面示意圖；圖3A至圖3C為公知顯示單元的制造方法；圖4為公知數(shù)組式彩色平面顯示器剖面示意圖；圖5A至圖5D為公知數(shù)組式彩色平面顯示器制造方法的剖面示意圖；以及圖6A至圖6E為依照本發(fā)明較佳實施例的一種數(shù)組式彩色平面顯示器結構的制造方法。
具體實施例方式
在本發(fā)明的圖1至圖6中涉及如下圖號光干涉式顯示單元100、302、304、306、630、632、634；墻102、104、310、330；支撐物106、328、616、618、620、622；腔室108、114、6301、6321、6341；基材109、300、601；犧牲層110、312、322、324、604；負光阻層111、326；開口112、314、316、318、320、606、608、610、612；箭頭113；第一電極602；材料層614；支柱6161、6181、6201、6221；支撐臂6162、6182、6183、6202、6203、6222；鏡面層624、626、628；第二電極636、638、640；紅光R；綠光G；藍光B。
為了讓本發(fā)明所提供的可變色像素單元結構更加清楚起見，現(xiàn)在于本發(fā)明實施例中詳細說明如何運用本發(fā)明所揭露的光干涉式顯示單元結構以數(shù)組方式排列以形成的光干涉式彩色平面顯示器，并進一步由實施例的揭露來解釋本發(fā)明的優(yōu)點。
實施例1圖6A至圖6F為依照本發(fā)明較佳實施例的一種數(shù)組式彩色平面顯示器結構的制造方法。請先參照圖6A，在一透明基材601上先依序形成第一電極602及犧牲層604，其中，犧牲層604可以采用透明的材料，例如介電材料，或是不透明材料，例如金屬材料。以一微影蝕刻工藝于第一電極602及犧牲層604中形成開口606、608、610、612，開口606、608、610、612適用于形成支撐物于其內(nèi)。
接著，在犧牲層604形成一材料層614并填滿開口606、608、610、612。四個開口606、608、610、612兩兩定義出光干涉式顯示單元630、632及634的位置。材料層614適用于形成支撐物用，一般可以使用感光材料，例如光阻，或是非感光的聚合物材料，例如聚酯或聚醯等等。若是使用非感光材料形成材料層，則需一微影蝕刻工藝在材料層614上定義出支撐物。在本實施例中是以感光材料來形成材料層614，故僅需以一微影工藝圖案化材料層614。
請參照圖6B，經(jīng)由一微影工藝圖案化材料層614而定義出支撐物616、618、620、622，支撐物616、618、620、622分別具有支柱6161、6181、6201、6221位于開口606、608、610、612之內(nèi)及支撐臂6162、6182、6183、6202、6203、6222。支撐臂6162、6182、6183、6202、6203和6222的長度相同。因此，光干涉式顯示單元630、632及634的有效反射面積相當。
請參照圖6C。接著，在犧牲層604及支撐臂6162、6182、6183、6202、6203和6222上方形成一第一鏡面層624、在光干涉式顯示單元632及634上的第一鏡面層624形成一第二鏡面層626以及在光干涉式顯示單元634上的第二鏡面層626形成一第三鏡面層628，其中，第一鏡面層624構成光干涉式顯示單元630的第二電極636，第一鏡面層624及第二鏡面層626構成光干涉式顯示單元632的第二電極638以及第一鏡面層624、第二鏡面層626及第三鏡面層628構成光干涉式顯示單元634的第二電極640。形成第二鏡面層636、638及640的方法不只一種，需視所使用的材料而定。當上下兩層鏡面層所使用的材料相同時，可利用一沉積工藝形成所需的厚度后再以微影工藝及時間控制(Time Control)蝕刻移除部分形成鏡面層的材料以在不同光干涉式顯示單元上形成厚度不同的第二電極。當上下兩層鏡面層所使用的材料不同時，則在沉積工藝形成不同鏡面層之后再以微影工藝及選擇性蝕刻移除部分形成鏡面層的材料以在不同光干涉式顯示單元上形成厚度不同的第二電極。形成第二電極的材料可以為介電材料/導電不(半)透明材料或是金屬材料/導電透明材料。
請參照圖6D。進行一熱工藝，例如一硬烤(Baking)，光干涉式顯示單元630、632、634的第二電極636、638及640會有應力作用。另外，支撐臂6162、6182、6183、6202、6203和6222以支柱6161、6181、6201、6221為軸會產(chǎn)生位移，支撐臂6162、6182、6183、6202、6203和6222接近支柱6161、6181、6201、6221的一端位移量較小，而支撐臂6162、6182、6183、6202、6203和6222的末端具有較大的位移量。但每一組支撐臂6162和6182、6183和6202、6203和6222所遭遇的第二電極636、638及640的應力不一樣，因此，會造成第二電極636、638及640產(chǎn)生的位移量也不同。
最后，請參照圖6E。以結構釋放蝕刻(Release Etch Process)移除犧牲層604而形成光干涉式顯示單元630、632及634的腔室6301、6321及6341。腔室6301、6321及6341具有不同的長度d1、d2及d3。在光干涉式顯示單元630、632及634為”開”的狀態(tài)下，由公式1.1所示，腔室長度d1、d2及d3的設計可以產(chǎn)生不同波長的反射光，例如紅光(R)、綠光(G)或藍光(B)。
由于腔室6301、6321及6341的長度d1、d2及d3并非借助犧牲層的厚度來決定，而是借助第二電極636、638及640的厚度來決定，因此，不需如公知復雜的微影工藝來形成厚度不同的犧牲層來定義出不同的腔室長度。
本發(fā)明并不受限于支撐物的支撐臂的有無，在無支撐臂的情形，第二電極也會因厚度不同，在熱工藝之后產(chǎn)生不同的應力而有不同的位移量。
雖然本發(fā)明已以一較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此類技術的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種變更和修飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當以后附的權利要求范圍為準。
權利要求
1.一種光干涉式顯示單元結構，至少包括一第一電極、一第二電極，與該第一電極約成平行排列以及一支撐物支撐于該第一電極與該第二電極之間并形成一腔室，其特征在于，借助該第二電極因厚度變化而產(chǎn)生應力的改變，經(jīng)熱工藝后產(chǎn)生不同的位移量來定義該腔室的長度。
2.如權利要求1所述的光干涉式顯示單元結構，其特征在于，所述熱工藝為一硬烤。
3.如權利要求1所述的光干涉式顯示單元結構，其特征在于，所述熱工藝使該第二電極因應力而產(chǎn)生位移。
4.如權利要求1所述的光干涉式顯示單元結構，其特征在于，所述第二電極為可以產(chǎn)生上下型變的電極。
5.如權利要求1所述的光干涉式顯示單元結構，其特征在于，所述第二電極為可以移動的電極。
6.如權利要求1所述的光干涉式顯示單元結構，特征在于，形成該第二電極的材料可以為金屬材料/導電透明材料。
7.如權利要求1所述的光干涉式顯示單元結構，其特征在于，所述支撐物還可以包括至少一支撐臂位于該第二電極的下方。
8.一種數(shù)組式彩色光干涉式顯示單元的制造方法，適用于一基材之上，其特征在于，該方法至少包含形成一第一電極于該基材之上；形成一犧牲層于該第一電極之上；形成至少四開口于犧牲層及該第一鏡面電極之內(nèi)，這些開口定義出一第一光干涉式顯示單元、一第二光干涉式顯示單元及一第三光干涉式顯示單元的位置；形成支撐物于每一該些開口內(nèi)；形成至少一第一鏡面層于該犧牲層及該支撐物之上；形成至少一第二鏡面層位于該第二光干涉式顯示單元及該第三光干涉式顯示單元的該第一鏡面層之上；形成至少一第三鏡面層于該第三光干涉式顯示單元的該第二鏡面層之上；進行一熱工藝處理；以及移除該犧牲層。
9.如權利要求8所述的數(shù)組式彩色光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，所述第一鏡面層構成該第一光干涉式顯示單元的一第二電極，該第一鏡面層及該第二鏡面層構成該第二光干涉式顯示單元的一第二電極以及該第一鏡面層、該第二鏡面層及該第三鏡面層構成該第三光干涉式顯示單元的一第二電極。
10.如權利要求8所述的數(shù)組式彩色光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，所述熱工藝為一硬烤。
11.如權利要求9所述的數(shù)組式彩色光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，所述熱工藝使該第二電極因應力而產(chǎn)生位移。
12.如權利要求9所述的數(shù)組式彩色光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，所述第二鏡面電極為可以產(chǎn)生上下型變的電極。
13.如權利要求9所述的數(shù)組式彩色光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，所述第二鏡面電極為可以移動的電極。
14.如權利要求9所述的數(shù)組式彩色光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，形成該第二電極的材料可以為金屬材料/導電透明材料。
15.如權利要求9所述的數(shù)組式彩色光干涉式顯示單元的制造方法，其特征在于，所述支撐物還可以包括至少一支撐臂位于該第二電極的下方。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光干涉式顯示單元結構，具有第一電極及第二電極，兩電極間以支撐物支撐，其特征在于，形成不同厚度的第二電極而使第二電極具有不同的應力，借助熱工藝使第二電極因應力而產(chǎn)生位移，借此改變第一電極與第二電極間的距離。其制造方法，依序形成第一電極與犧牲層于基材之上，再于第一電極與犧牲層中形成開口。接著，定義出支撐物于開口中，支撐物可選擇性地具有至少一支撐臂位于支撐物的頂端及犧牲層之上。在犧牲層及支撐物上方形成不同厚度的第二電極及進行一熱工藝。最后，移除犧牲層而得到光干涉式顯示單元。
文檔編號G02B26/06GK1549041SQ03128550
公開日2004年11月24日 申請日期2003年5月8日 優(yōu)先權日2003年5月8日
發(fā)明者林文堅 申請人:元太科技工業(yè)股份有限公司