專利名稱：用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜。
背景技術(shù)：
在樹脂包封半導(dǎo)體封裝的制造中，在半導(dǎo)體芯片的要包封的面與模子之間存在剝離膜。理由是要在用樹脂包封半導(dǎo)體芯片時(shí)確保包封樹脂與模子之間的可剝離性，并形成平滑的半導(dǎo)體封裝。
在樹脂包封半導(dǎo)體封裝中，特別是在半導(dǎo)體封裝(例如，四邊扁平無引線封裝(下文中稱為QFN)或小外廓帶引線封裝(下文中稱為SON))(其中，外部引線終端插頭包含在封裝的內(nèi)部中，并且終端表面從包封樹脂中露出)的制造中，可提及下述剝離膜所需的特性。
A1.可有利于在半導(dǎo)體封裝中形成支座(standoff)高度。
A2.在用樹脂進(jìn)行包封時(shí)，在半導(dǎo)體封裝的終端之間的部分的剝離膜上不形成凹陷和褶皺。在剝離膜上的褶皺會導(dǎo)致這樣一種缺陷，即，在包封樹脂的褶皺部分上具有凹痕的形狀(下文中有時(shí)稱為“凹痕”)。
A3.在剝離膜與半導(dǎo)體封裝的終端表面之間不會有間隙。所述間隙會導(dǎo)致這樣一種缺陷，即，包封樹脂覆蓋并粘著在終端的表面上(下文中有時(shí)稱為“樹脂覆蓋”)。
A4.在用樹脂進(jìn)行包封之后，半導(dǎo)體封裝具有極好的可剝離性。
已知作為用于半導(dǎo)體封裝的樹脂模子的剝離膜，例如可提及四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(下文中有時(shí)稱為FEP)膜、聚對苯二甲酸乙二酯(下文中有時(shí)稱為PET)膜、或者用氟樹脂浸漬的玻璃布(例如，JP-A-8-197567)。作為用于樹脂模子成形的剝離膜，已知有由熱塑性四氟乙烯共聚物如乙烯-四氟乙烯共聚物(下文中有時(shí)稱為ETFE)、FEP或四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(下文中有時(shí)稱為PFA)制得的剝離膜(例如，JP-A-2001-310336)。此外，作為用于半導(dǎo)體封裝成形的剝離膜的材料，已知有PET、聚對苯二甲酸丁二酯(下文中有時(shí)稱為PBT)、聚苯乙烯、聚四氟乙烯(下文中有時(shí)稱為PTFE)、尼龍等(例如，JP-A-8-186141)。
但是，當(dāng)使用僅由具有拉伸時(shí)的高彈性模量的樹脂如PET制得的膜作為剝離膜時(shí)，會產(chǎn)生樹脂覆蓋在半導(dǎo)體封裝的終端表面上的問題。當(dāng)使用僅由具有拉伸時(shí)的低彈性模量的樹脂如FEP或PFA制得的膜作為剝離膜時(shí)，會產(chǎn)生在成形期間在膜上形成凹陷或褶皺的問題，這樣會導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝的終端之間產(chǎn)生凹痕。
作為用于形成半導(dǎo)體封裝如QFN或SON的剝離膜，已知有包含基底膜以及層壓在所述基底膜的一個(gè)面上的由含氟聚合物制得的膜的層壓膜。已知作為剝離膜，可使用包含聚酰亞胺-PTFE、鋁-PTFE或聚酰亞胺-氟橡膠-FEP的薄膜的層壓膜(例如，JP-A-2001-250838)。在這一層壓膜中，通過涂覆所述含氟聚合物材料粉末的水分散液、將其干燥并通過加熱烘焙，來形成由含氟聚合物材料制得的層。
通過上述操作形成的層的厚度被限制在一定的范圍內(nèi)。因此，為了增加厚度，要重復(fù)上述操作，直至達(dá)到所需的厚度。因此，需要非常復(fù)雜的操作來達(dá)到所需的層厚度。即，要費(fèi)時(shí)費(fèi)力才能得到用于制造具有任選的支座高度的半導(dǎo)體封裝的剝離膜。支座高度是指半導(dǎo)體芯片引線框的終端的頂面與半導(dǎo)體封裝包封樹脂的頂面之間的高度差。此外，使用用昂貴的聚酰亞胺膜作為基底膜的層壓膜，會使制造半導(dǎo)體封裝的成本增加。
此外，在具有在半導(dǎo)體芯片的一部分上不用樹脂進(jìn)行模塑的暴露表面的半導(dǎo)體封裝(下文中稱為芯片暴露半導(dǎo)體封裝)的制造中，可提及下述剝離膜所需的特性。
B1.在用樹脂進(jìn)行包封時(shí)，在半導(dǎo)體芯片四周的剝離膜上不形成凹陷和褶皺。在上述部分的剝離膜上的凹陷或褶皺會造成這樣一種問題，即，包封樹脂具有凹痕的形狀(下文中有時(shí)稱為“凹痕”，并且術(shù)語“凹痕”在某些情況下包括上述A2中的“凹痕”)。
B2.在剝離膜與半導(dǎo)體芯片表面之間不會有間隙。所述間隙會造成這樣一種問題，即，包封樹脂覆蓋并粘著在芯片表面上(下文中有時(shí)稱為“樹脂覆蓋”，并且術(shù)語“樹脂覆蓋”在某些情況下包括上述A3中的“樹脂覆蓋”)。
B3.在用樹脂進(jìn)行包封時(shí)模子通過剝離膜與半導(dǎo)體芯片接觸時(shí)，剝離膜能保護(hù)半導(dǎo)體芯片，防止其破碎。
B4.在用樹脂進(jìn)行包封之后，半導(dǎo)體封裝具有極好的可剝離性。
已知在芯片暴露半導(dǎo)體封裝的制造中，會在模子表面上形成凸起，該凸起會在用樹脂進(jìn)行模塑時(shí)將置于模子表面上的部分剝離膜下壓，由此拉長了剝離膜，并最終可消除在半導(dǎo)體芯片四周的剝離膜上的褶皺。此外，已知使用具有通過彈簧上升及下降的浮動塊的模子，以防止半導(dǎo)體芯片的破裂(例如，JP-A-2002-254481)。但是，并沒有公開可通過使用具有特定結(jié)構(gòu)的剝離膜來防止剝離膜中的褶皺或半導(dǎo)體芯片的破裂。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)這些情況，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜，它能在制造半導(dǎo)體封裝時(shí)防止凹痕或樹脂覆蓋的產(chǎn)生。此外，本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜，它能在制造半導(dǎo)體封裝(其中，終端的表面從包封樹脂如QFN或SON中露出)時(shí)形成較好的支座高度。此外，本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜，它在制造芯片暴露半導(dǎo)體封裝時(shí)不會使半導(dǎo)體芯片破碎。
本發(fā)明提供了一種用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜，它是一種層壓膜，包含由取向的聚酯樹脂膜構(gòu)成的基底膜，以及層壓在所述基底膜的至少一個(gè)面上的由氟樹脂制得的膜。
本發(fā)明還提供了一種用于制造半導(dǎo)體封裝的剝離膜，它是一種層壓膜，包含由取向的聚酯樹脂膜構(gòu)成的基底膜，以及層壓在所述基底膜的至少一個(gè)面上的由氟樹脂制得的膜。
當(dāng)使用本發(fā)明的剝離膜制造半導(dǎo)體封裝時(shí)，在半導(dǎo)體封裝上不會產(chǎn)生凹痕或樹脂覆蓋。在制造半導(dǎo)體封裝(其中，終端的表面從包封樹脂如QFN或SON中露出)時(shí)，可得到更好的支座高度。此外，容易達(dá)到由本發(fā)明的剝離膜中的氟樹脂制得的膜的任選的厚度，因此在使用所述層壓膜制造半導(dǎo)體封裝時(shí)可容易地調(diào)節(jié)任選的支座高度。
此外，在制造芯片暴露半導(dǎo)體封裝時(shí)，可制得半導(dǎo)體芯片不會破裂的半導(dǎo)體封裝。


在附圖中圖1是說明本發(fā)明的剝離膜的一個(gè)例子的截面圖。
圖2(A)、2(B)、2(C)和2(D)是說明使用本發(fā)明的剝離膜制造QFN的過程的截面圖。
圖3(E)、3(F)、3(G)、3(H)和3(I)是說明使用本發(fā)明的剝離膜制造芯片暴露半導(dǎo)體封裝的過程的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參照優(yōu)選的實(shí)施方式詳細(xì)地描述本發(fā)明。
用于本發(fā)明的基底膜的聚酯樹脂可以是，例如PET、PBT或聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)。其中，從成本等的角度考慮，優(yōu)選PET。
本發(fā)明中聚酯樹脂的熔點(diǎn)宜高于包封樹脂的模塑溫度，更好是至少為模塑溫度+20℃，最好是至少為模塑溫度+50℃。如果熔點(diǎn)高于包封樹脂的模塑溫度，則在用包封樹脂進(jìn)行模塑時(shí)基底膜不大可能變形。
較佳地，本發(fā)明的基底膜是這樣一種膜，它在制造半導(dǎo)體封裝的過程中，在通過模子進(jìn)行模塑的溫度(下文中有時(shí)稱為模塑溫度)下，通過用于用樹脂進(jìn)行包封的模子進(jìn)行模塑時(shí)的合模壓力(下文中有時(shí)稱為模塑壓力)下壓縮，不大可能變形。具體地說，優(yōu)選的是在180℃，在取向方向上拉伸時(shí)彈性模量為150-400MPa，更好是175-300MPa的膜。
本發(fā)明的基底膜宜為雙軸取向的聚酯樹脂膜。
本發(fā)明的氟樹脂宜為熱塑性四氟乙烯共聚物。當(dāng)熱塑性四氟乙烯共聚物用于本發(fā)明的剝離膜時(shí)，由于它在用于包封半導(dǎo)體芯片的樹脂的模塑溫度下，在模塑壓力下壓縮時(shí)，具有低彈性模量，故不會產(chǎn)生包封樹脂覆蓋，并且可達(dá)到較佳的支座高度。具體地說，氟樹脂可以是，例如ETFE、FEP或PFA。更優(yōu)選ETFE，因?yàn)樗哂袠O好的模塑性能、極好的可從樹脂中剝離的性能，并能以低成本得到。
ETFE宜為四氟乙烯和乙烯的共聚物，或者四氟乙烯、乙烯和另一種單體的共聚物。
所述另一種單體可以是，例如，氟代烯烴如三氟氯乙烯、六氟丙烯、全氟(烷基乙烯基醚)或偏二氟乙烯，多氟烷基乙烯如CH2＝CHRf(式中，Rf表示C1-8多氟烷基，下文中同樣適用)或CH2＝CFRf，或者多氟烷基三氟乙烯基醚如CF2＝CFOCH2Rf。它們可以單獨(dú)使用或者以至少兩種混合物的組合使用。
特別地，優(yōu)選上述CH2＝CFRf。Rf更優(yōu)選是C3-6全氟烷基，最優(yōu)選C4F9。
作為ETFE的組成，基于四氟乙烯的聚合單元/基于乙烯的聚合單元的摩爾比宜為70/30至30/70，更好是65/35至40/60，最好是60/40至45/55。
當(dāng)包含基于另一種單體的聚合單元時(shí)，基于另一種單體的聚合單元的含量宜為0.01-30mol％，更好是0.05-15mol％，最好是0.1-10mol％，以基于四氟乙烯和乙烯的聚合單元的總摩爾數(shù)計(jì)。
可任選地選擇本發(fā)明中由氟樹脂制得的膜(下文中有時(shí)稱為氟樹脂膜)的厚度?？赏ㄟ^適當(dāng)?shù)剡x擇厚度來調(diào)節(jié)半導(dǎo)體封裝的支座高度。氟樹脂膜的厚度宜為1-50μm，更好是2-30μm，最好是3-15μm。如果膜太厚，在半導(dǎo)體芯片與模子之間壓縮的膜會溢流入引線框的終端之間的空間中，或者溢流入半導(dǎo)體芯片的四周，由此形成不存在包封樹脂的部分。此外，如果膜太薄，在要得到的半導(dǎo)體封裝上基本上不形成支座高度，并且會在引線框的終端頂面上產(chǎn)生樹脂覆蓋。此外，在半導(dǎo)體芯片表面上的樹脂覆蓋會在芯片暴露半導(dǎo)體封裝的情況下產(chǎn)生。
本發(fā)明的剝離膜是通過在基底膜的至少一個(gè)面上層壓氟樹脂膜得到的膜?？梢詫⒎鷺渲訅涸诨啄さ囊粋€(gè)面上或者兩個(gè)面上，視使用的條件而定。當(dāng)氟樹脂層壓在基底膜的兩個(gè)面上時(shí)，宜對一個(gè)面上的氟樹脂膜的表面進(jìn)行壓紋。
在本發(fā)明的剝離膜中，宜通過粘合劑層層壓基底膜和氟樹脂膜。通常，將一薄層粘合劑用于粘合劑層。所述粘合劑可以是，例如聚酯粘合劑、丙烯酸改性的粘合劑、異氰酸酯粘合劑、聚乙烯亞胺粘合劑、聚氨酯粘合劑或硅烷偶聯(lián)劑粘合劑。其中，優(yōu)選聚酯粘合劑。粘合劑層的厚度宜為0.1-5μm，更好是0.5-3μm。氟樹脂膜與基底膜之間的粘合強(qiáng)度宜至少為5(N/10cm)。當(dāng)粘合強(qiáng)度至少為5(N/10cm)時(shí)，在制造半導(dǎo)體封裝時(shí)用樹脂進(jìn)行包封的過程中，粘結(jié)的膜不大可能分離。
本發(fā)明的層壓膜加熱時(shí)其在縱向和橫向上尺寸變化的程度均為-10至+5％，更好是-5至+2％。在加熱時(shí)尺寸變化的程度根據(jù)JIS K7133中所述的方法測定，其中，在JIS K7133的6.操作中，溫度為180℃，加熱時(shí)間為30分鐘。
對制造本發(fā)明的剝離膜的方法沒有特別的限制，但是優(yōu)選通過干式層壓法來制造。在制造時(shí)，宜在層壓基底膜和氟樹脂膜之前對氟樹脂膜的要粘結(jié)的表面進(jìn)行表面處理如電暈處理，以改善粘合性能。
本發(fā)明的剝離膜用于在制造半導(dǎo)體封裝時(shí)用樹脂包封半導(dǎo)體芯片的工藝中。它特別優(yōu)選地用于制造沒有外部引線終端插頭的半導(dǎo)體封裝(其中，外部引線終端插頭包含在封裝的內(nèi)部中，并且終端的頂面從包封樹脂中露出)，或者用于制造芯片暴露半導(dǎo)體封裝。沒有外部引線終端插頭的半導(dǎo)體封裝可以是，例如QFN或SON。此外，它還可用于制造另一種半導(dǎo)體封裝如晶片級CSP或者倒裝片類型，其中，與外部連接終端如焊球接觸的終端從包封樹脂中露出。
以下，解釋使用本發(fā)明的剝離膜制造半導(dǎo)體封裝的方法的一個(gè)例子。但是，本發(fā)明不限于它。
圖1示出了本發(fā)明的剝離膜1。剝離膜1包含由雙軸取向的聚酯樹脂膜構(gòu)成的基底膜2，以及通過粘合劑層(未示出)層壓在基底膜2的至少一個(gè)面上的氟樹脂膜3。
圖2(A)-2(D)是說明制造QFN的過程的截面圖，其中，使用本發(fā)明的剝離膜1用樹脂包封半導(dǎo)體芯片。如圖2(A)所示，半導(dǎo)體芯片6置于轉(zhuǎn)移注模成形設(shè)備的下模子5上。剝離膜1插在半導(dǎo)體芯片6與上模子4之間。半導(dǎo)體芯片6具有終端7。接著，如圖2(B)所示，上模子4和下模子5通過剝離膜1和半導(dǎo)體芯片6緊固。
在模子緊固之后，如圖2(C)所示，將包封樹脂8注入模子之間的空間中，并使模子充滿包封樹脂8。然后，松開上模子4和下模子5。取出用包封樹脂8包封的半導(dǎo)體芯片6，并用切割機(jī)切割。結(jié)果，得到圖2(D)所示的QFN 11。在圖2(D)中，終端的頂面9與包封樹脂的頂面10之間的高度差為支座高度。
圖3(E)-3(I)是說明制造芯片暴露半導(dǎo)體封裝的過程的截面圖，其中，使用本發(fā)明的剝離膜用樹脂包封半導(dǎo)體芯片。如圖3(E)所示，將具有預(yù)先安裝在其上的半導(dǎo)體芯片14的基底15置于下模子13上。在上模子12與半導(dǎo)體芯片14之間提供剝離膜1。如圖3(F)所示，半導(dǎo)體芯片14以這樣一種狀態(tài)夾在上模子12與下模子13之間，即，半導(dǎo)體芯片14的要暴露的表面被剝離膜1覆蓋。如圖3(G)所示，由加熱的模子軟化的包封樹脂16流入空間中，并且所述模子用包圍的樹脂16充滿，使得包圍的樹脂16覆蓋半導(dǎo)體芯片14的側(cè)面。然后，松開模子，并且如圖3(H)所示，取出半導(dǎo)體封裝(其中，許多具有暴露表面的半導(dǎo)體芯片同時(shí)用包封樹脂16包封在基底上)。用切割機(jī)17切割半導(dǎo)體封裝中的包封樹脂16，以及基底15。如圖3(I)所示，由此可得到芯片暴露半導(dǎo)體封裝18。
以下，將參照實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)地描述本發(fā)明。但是，應(yīng)該明白，本發(fā)明決不限于這些具體的實(shí)施例。實(shí)施例1、2、5、6、9和10是本發(fā)明實(shí)施例，實(shí)施例3、4、7、8、11和12是比較例。
實(shí)施例1剝離膜P的制備例將聚酯粘合劑(商品名AG-9014A，由Asahi Glass有限公司制造)涂覆在厚度為25μm、寬度為1200mm的雙軸取向的PET膜(商品名GEC25，由Teijin DuPontFilms日本有限公司制造，拉伸時(shí)的彈性模量MD/TD＝5,378/5,245MPa)的一個(gè)面上并干燥，以形成厚度為0.5μm的粘合劑層。對厚度為12μm、寬度為1200mm的ETFE膜(商品名Fluon ETFE Film 12N，由Asahi Glass有限公司制造)的一個(gè)面進(jìn)行電暈處理。在40℃用干式層壓法粘結(jié)處理的表面和雙軸取向的PET膜的涂覆了粘合劑的表面，由此層壓兩層膜。在層壓了兩層ETFE/PET之后，以相同的方式將ETFE膜再層壓在雙軸取向的PET膜的另一個(gè)面上。結(jié)果，得到包含三層ETFE/PET/ETFE的剝離膜P。測量在剝離膜P的縱向(MD)和橫向(TD)上加熱時(shí)尺寸變化的程度(％)。測量值示于表1。在加熱時(shí)尺寸變化的程度根據(jù)JIS K7133中所述的方法測定，其中，在JIS K7133的6.操作中，溫度為180℃，加熱時(shí)間為30分鐘。
實(shí)施例2剝離膜Q的制備例以與實(shí)施例1所述相同的方式得到包含層壓的三層ETFE/PET/ETFE的剝離膜Q，除了使用厚度為38μm的雙軸取向的PET膜(商品名GEC38，由Teijin DuPontFilms日本有限公司制造，拉伸時(shí)的彈性模量MD/TD＝3,437/3,493MPa)以及其一個(gè)面進(jìn)行了電暈處理的厚度為5μm的ETFE膜(由Asahi Glass有限公司制造)以外。測量剝離膜Q加熱時(shí)其在縱向(MD)和橫向(TD)上尺寸變化的程度(％)。測量值示于表1。在加熱時(shí)尺寸變化的程度根據(jù)JIS K7133中所述的方法測定，其中，在JIS K7133的6.操作中，溫度為180℃，加熱時(shí)間為30分鐘。
實(shí)施例3剝離膜R作為剝離膜R，使用厚度為50μm的ETFE膜(商品名Fluon ETFE Film 50N，由Asahi Glass有限公司制造)。測量剝離膜R加熱時(shí)其在縱向(MD)和橫向(TD)上尺寸變化的程度(％)。測量值示于表1。在加熱時(shí)尺寸變化的程度根據(jù)JISK7133中所述的方法測定，其中，在JIS K7133的6.操作中，溫度為180℃，加熱時(shí)間為30分鐘。
實(shí)施例4剝離膜S作為剝離膜S，使用厚度為25μm的PET膜(商品名GEC25，由Teijin DuPontFilms日本有限公司制造)。測量剝離膜S加熱時(shí)其在縱向(MD)和橫向(TD)上尺寸變化的程度(％)。測量值示于表1。在加熱時(shí)尺寸變化的程度根據(jù)JISK7133中所述的方法測定，其中，在JIS K7133的6.操作中，溫度為180℃，加熱時(shí)間為30分鐘。
實(shí)施例5-8QFN的制備例使用各個(gè)實(shí)施例1-4中制備的剝離膜，根據(jù)圖2(A)-2(D)所示的過程用樹脂包封120塊半導(dǎo)體芯片以制造QFN。模子的溫度為175℃，模塑壓力為8MPa，模塑時(shí)間為100秒，并使用熱固性環(huán)氧樹脂作為包封樹脂。目測觀察圖2(C)所示步驟中得到的切割之前的QFN。確認(rèn)在上述QFN的引線終端之間的樹脂中是否存在由剝離膜中的褶皺所形成的凹痕。此外，目測觀察切割后的QFN，結(jié)果示于表2，根據(jù)以下評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)○不存在沒有樹脂的部分，×存在沒有樹脂的部分。測定對QFN的各個(gè)終端的要得到的QFN的支座高度，結(jié)果示于表2，根據(jù)以下評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)○能得到較好的支座高度，×不能得到較好的支座高度。
實(shí)施例9-12芯片暴露半導(dǎo)體封裝的制備例使用各個(gè)實(shí)施例1-4中制備的剝離膜，根據(jù)圖3(E)-3(I)所示的過程通過用樹脂包封12塊半導(dǎo)體芯片來制造芯片暴露半導(dǎo)體封裝。模子的溫度為175℃，模塑壓力為12MPa，模塑時(shí)間為150秒，并使用熱固性環(huán)氧樹脂作為包封樹脂。目測觀察圖3(H)所示步驟中得到的切割之前的芯片暴露半導(dǎo)體封裝中的半導(dǎo)體芯片的四周的樹脂中凹陷，結(jié)果示于表3，根據(jù)以下評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)○沒有在四周觀察到凹痕，×在四周觀察到凹痕。目測觀察在半導(dǎo)體芯片表面上的樹脂覆蓋，結(jié)果示于表3，根據(jù)以下評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)○沒有觀察到樹脂覆蓋，×觀察到樹脂覆蓋。目測觀察半導(dǎo)體芯片的破裂，結(jié)果示于表3，根據(jù)以下評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)○沒有半導(dǎo)體芯片破裂，×有些半導(dǎo)體芯片破裂。關(guān)于在圖3(G)所示步驟中用樹脂充滿模子并松開模子之后得到的半導(dǎo)體封裝，評價(jià)當(dāng)剝離膜剝離時(shí)的可剝離性，結(jié)果示于表3，根據(jù)以下評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)○剝離膜容易剝離，×剝離膜粘著在半導(dǎo)體封裝上，不能剝離。
表1

表2

表3

當(dāng)使用本發(fā)明的剝離膜制造半導(dǎo)體封裝時(shí)，能防止半導(dǎo)體封裝中凹痕的形成(該凹痕是由于在用樹脂包封半導(dǎo)體芯片時(shí)形成的剝離膜中的褶皺而形成的)。此外，可防止樹脂覆蓋。而且，在制造半導(dǎo)體封裝時(shí)(其中，終端的表面從包封樹脂例如QFN中露出)時(shí)，可得到較好的支座高度。并且，在本發(fā)明的剝離膜中，可任選地選擇由氟樹脂制得的膜的厚度。因此，當(dāng)使用所述剝離膜制造半導(dǎo)體封裝時(shí)，可任選地調(diào)節(jié)支座高度。在制造芯片暴露半導(dǎo)體封裝時(shí)，可防止制造過程中芯片的破裂。
提交于2004年6月29日的日本專利申請No.2004-191258的全部內(nèi)容，包括說明書、權(quán)利要求書、附圖和摘要以全文在本文中引用作為參考。
權(quán)利要求
1.一種用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜，它是一種層壓膜，包含由取向的聚酯樹脂膜構(gòu)成的基底膜，以及層壓在所述基底膜的至少一個(gè)面上的由氟樹脂制得的膜。
2.如權(quán)利要求1所述的用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜，其特征在于，在180℃，所述基底膜在取向方向上拉伸時(shí)的彈性模量為150-400MPa。
3.如權(quán)利要求1或2所述的用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜，其特征在于，所述氟樹脂是乙烯-四氟乙烯共聚物樹脂。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜，其特征在于，所述層壓膜加熱時(shí)其在縱向和橫向上尺寸變化的程度均為-10至+5％，其中，在加熱時(shí)尺寸變化的程度根據(jù)JIS K7133中所述的方法測定，在JIS K7133的6.操作中，溫度為180℃，加熱時(shí)間為30分鐘。
5.一種用于制造半導(dǎo)體封裝的剝離膜，它是一種層壓膜，包含由取向的聚酯樹脂膜構(gòu)成的基底膜，以及層壓在所述基底膜的至少一個(gè)面上的由氟樹脂制得的膜。
6.如權(quán)利要求5所述的用于制造半導(dǎo)體封裝的剝離膜，其特征在于，在180℃，所述基底膜在取向方向上拉伸時(shí)的彈性模量為150-400MPa。
7.如權(quán)利要求5或6所述的用于制造半導(dǎo)體封裝的剝離膜，其特征在于，所述氟樹脂是乙烯-四氟乙烯共聚物樹脂。
8.如權(quán)利要求5、6或7所述的用于制造半導(dǎo)體封裝的剝離膜，其特征在于，所述層壓膜加熱時(shí)其在縱向和橫向上尺寸變化的程度均為-10至+5％，其中，在加熱時(shí)尺寸變化的程度根據(jù)JIS K7133中所述的方法測定，在JIS K7133的6.操作中，溫度為180℃，加熱時(shí)間為30分鐘。
9.如權(quán)利要求5-8中任一項(xiàng)所述的用于制造半導(dǎo)體封裝的剝離膜，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝是這樣一種半導(dǎo)體封裝，其中終端的表面從包封樹脂中露出。
10.如權(quán)利要求5-8中任一項(xiàng)所述的用于制造半導(dǎo)體封裝的剝離膜，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝是具有在半導(dǎo)體芯片的一部分上不用樹脂進(jìn)行模塑的暴露表面的半導(dǎo)體封裝。
全文摘要
一種用于包封半導(dǎo)體芯片的剝離膜，它是一種層壓膜，包含由取向的聚酯樹脂膜構(gòu)成的基底膜，以及層壓在所述基底膜的至少一個(gè)面上的由氟樹脂制得的膜。
文檔編號B32B27/36GK1715046SQ20051008209
公開日2006年1月4日 申請日期2005年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月29日
發(fā)明者賀屋政德, 藤本由喜 申請人:旭硝子株式會社