專利名稱：防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指是一種通過導(dǎo)電金屬氧化層或?qū)щ娊饘俟杌飳拥谋Ｗo(hù)，以防止金屬表面氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
請參閱圖1，其為現(xiàn)有的應(yīng)用于平面顯示器的顯示面板結(jié)構(gòu)的示意圖。由圖中可知，目前所使用的平面顯示器的顯示面板結(jié)構(gòu)包括有一基板10a、一導(dǎo)電薄膜層11a及一金屬薄膜層12a。其中，該導(dǎo)電薄膜層11a成形于該基板10a上，且該金屬薄膜層12a成形于該導(dǎo)電薄膜層11a上。再者，該金屬薄膜層12a的材質(zhì)為低電阻率的金屬或其合金材料，一般常使用的如銀、銀合金、鋁或鋁合金等。然而，該金屬薄膜層12a并沒有受到任何的保護(hù)，而極易造成該金屬薄膜層12a的導(dǎo)線(圖中未標(biāo)明)外露而發(fā)生氧化或燒毀的情況。
請參閱圖2，其為現(xiàn)有的應(yīng)用于平面顯示器的防氧化的顯示面板結(jié)構(gòu)的示意圖。由圖中可知，目前應(yīng)用于平面顯示器的防氧化的顯示面板結(jié)構(gòu)包括有一基板10a、一導(dǎo)電薄膜層11a、一金屬薄膜層12a及一金屬/合金保護(hù)層13a。其中，該導(dǎo)電薄膜層11a成形于該基板10a上，且該金屬薄膜層12a成形于該導(dǎo)電薄膜層11a上，該金屬/合金保護(hù)層13a成形于該金屬薄膜層12a上，用以保護(hù)該金屬薄膜層12a以避免氧化發(fā)生。再者，該金屬薄膜層12a的材質(zhì)為低電阻率的金屬或其合金材料，一般常使用的如銀、銀合金、鋁或鋁合金等；該金屬/合金保護(hù)層13a可為金屬或合金材料，一般常用的金屬如鉑、金、鈦、鉬或鉻等，而常用的合金如鋁、銀、銅、鉻及鈦合金等。
因此，現(xiàn)有技術(shù)中所使用的金屬/合金保護(hù)層13a雖可保護(hù)該金屬薄膜層12a避免發(fā)生氧化問題，然而因該金屬/合金保護(hù)層13a也為金屬或金屬混合調(diào)配的合金，所以該金屬/合金保護(hù)層13a在后面的制作過程中仍容易發(fā)生氧化的情況，只是氧化嚴(yán)重性多寡的問題。
因此，由上可知，上述現(xiàn)有的應(yīng)用于平面顯示器的防氧化的顯示面板結(jié)構(gòu)，在實際使用上，顯然具有不便與缺陷存在，而有需要加以改進(jìn)的地方。
于是，本發(fā)明人提出一種設(shè)計合理且有效改善上述缺陷的技術(shù)方案。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制作方法，其通過導(dǎo)電金屬氧化層或?qū)щ娊饘俟杌飳拥谋Ｗo(hù)，不僅具有導(dǎo)電性，且可防止金屬表面在后面制作過程中發(fā)生氧化的情況。例如在后面制作過程中在紫外光的照射下，不會產(chǎn)生氧化的情形。
為解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一導(dǎo)電薄膜層、一金屬薄膜層及一導(dǎo)電金屬氧化層。其中，該導(dǎo)電薄膜層成形于該基板上；該金屬薄膜層成形于該導(dǎo)電薄膜層上；以及，該導(dǎo)電金屬氧化層成形于該金屬薄膜層上，且該導(dǎo)電金屬氧化層為金屬氧化物(metal oxide)，其為In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的任一選擇。
也就是說，本發(fā)明提供了一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其包括一基板；一導(dǎo)電薄膜層，其成形于該基板上；一金屬薄膜層，其成形于該導(dǎo)電薄膜層上；以及一導(dǎo)電金屬氧化層，其成形于該金屬薄膜層上。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該基板為玻璃基板或塑料基板。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該玻璃基板為彩色濾光片(color filter)或色轉(zhuǎn)換層(color conversion medium)。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該基板為剛性基板或可撓性基板。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該導(dǎo)電薄膜層為氧化銦錫(ITO)、氧化鋁鋅(AZO)或氧化銦鋅(IZO)薄膜層。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該金屬薄膜層為金屬層(metal layer)或合金層(alloy layer)。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該導(dǎo)電金屬氧化層為金屬氧化物(metaloxide)，其為In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的任一選擇，該導(dǎo)電金屬硅化物層為金屬硅化物，其為WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一選擇。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該導(dǎo)電金屬氧化層的厚度界于100～500之間。
為解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一導(dǎo)電薄膜層、一金屬薄膜層及一導(dǎo)電金屬硅化物層。其中，該導(dǎo)電薄膜層成形于該基板上；該金屬薄膜層成形于該導(dǎo)電薄膜層上；以及，該導(dǎo)電金屬硅化物層成形于該金屬薄膜層上，且該導(dǎo)電金屬硅化物層為金屬硅化物(metal silicide)，其為WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一選擇。
也就是說，本發(fā)明提供了一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其包括一基板；一導(dǎo)電薄膜層，其成形于該基板上；一金屬薄膜層，其成形于該導(dǎo)電薄膜層上；以及一導(dǎo)電金屬硅化物層，其成形于該金屬薄膜層上。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該基板為玻璃基板或塑料基板。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該玻璃基板為彩色濾光片或色轉(zhuǎn)換層。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該基板為剛性基板或可撓性基板。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該導(dǎo)電薄膜層為氧化銦錫、氧化鋁鋅或氧化銦鋅薄膜層。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該金屬薄膜層為金屬層或合金層。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該導(dǎo)電金屬硅化物層為金屬硅化物，其為WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一選擇。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該導(dǎo)電金屬硅化物層的厚度界于100～500之間。
為解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括首先，提供一基板；接著，清潔該基板的表面；然后，在該基板上形成一導(dǎo)電薄膜層；接下來，在該導(dǎo)電薄膜層上形成一金屬薄膜層；最后，形成一導(dǎo)電金屬氧化薄膜層于該金屬薄膜層上。
也就是說，本發(fā)明提供了一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括提供一基板；清潔該基板的表面；在該基板上形成一導(dǎo)電薄膜層；在該導(dǎo)電薄膜層上形成一金屬薄膜層；以及在該金屬薄膜層上形成一導(dǎo)電金屬氧化薄膜層。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該基板為玻璃基板或塑料基板。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該玻璃基板為彩色濾光片(color filter)或色轉(zhuǎn)換層(color conversion medium)。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該基板為剛性基板或可撓性基板。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該導(dǎo)電薄膜層為氧化銦錫(ITO)、氧化鋁鋅(AZO)或氧化銦鋅(IZO)薄膜層。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該金屬薄膜層為金屬層(metal layer)或合金層(alloy layer)。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該導(dǎo)電金屬氧化層為金屬氧化物(metaloxide)，其為In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的任一選擇。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，其中該導(dǎo)電金屬氧化層的厚度界于100～500之間。
為解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括首先，提供一基板；接著，清潔該基板的表面；然后，成形一導(dǎo)電薄膜層于該基板上；接下來，成形一金屬薄膜層于該導(dǎo)電薄膜層上；最后，成形一導(dǎo)電金屬硅化物薄膜層于該金屬薄膜層上。
也就是說，本發(fā)明提供了一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括提供一基板；清潔該基板的表面；成形一導(dǎo)電薄膜層于該基板上；成形一金屬薄膜層于該導(dǎo)電薄膜層上；以及成形一導(dǎo)電金屬硅化物薄膜層于該金屬薄膜層上。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該基板為玻璃基板或塑料基板。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該玻璃基板為彩色濾光片或色轉(zhuǎn)換層。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該基板為剛性基板或可撓性基板。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該導(dǎo)電薄膜層為氧化銦錫、氧化鋁鋅或氧化銦鋅薄膜層。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該金屬薄膜層為金屬層或合金層。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該導(dǎo)電金屬硅化物層為金屬硅化物，其為WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一選擇。
根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，該導(dǎo)電金屬硅化物層的厚度界于100～500之間。
本發(fā)明的有益效果和優(yōu)點在于，本發(fā)明通過導(dǎo)電金屬氧化層或?qū)щ娊饘俟杌飳拥谋Ｗo(hù)，不僅具有導(dǎo)電性，且可防止金屬表面于后面的制作過程中發(fā)生氧化的情況，還能確實減少金屬薄膜層電阻值的上升，同時更可增加后面的制作過程中與光阻層之間的附著性。為了進(jìn)一步了解本發(fā)明的技術(shù)方案，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明，并非用來對本發(fā)明加以限制。
圖1為現(xiàn)有的應(yīng)用于平面顯示器的顯示面板結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2為現(xiàn)有的應(yīng)用于平面顯示器的防氧化的顯示面板結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3為本發(fā)明防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的第一實施例的示意圖；圖4為本發(fā)明防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的第二實施例的示意圖；圖5為本發(fā)明防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法的第一實施例的流程圖；圖6為本發(fā)明防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法的第二實施例的流程圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下基板10a 導(dǎo)電薄膜層 11a金屬薄膜層 12a 金屬/合金保護(hù)層13a基板10導(dǎo)電薄膜層 11金屬薄膜層 12導(dǎo)電金屬氧化層 13導(dǎo)電金屬硅化物層具體實施方式
請參閱圖3，其為本發(fā)明防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的第一實施例的示意圖。由圖中可知，本發(fā)明為提供一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其包括有一基板10、一導(dǎo)電薄膜層11、一金屬薄膜層12及一導(dǎo)電金屬氧化層13。
其中，該基板10可為玻璃基板、塑料基板或其它材料基板的任意選擇，且該玻璃基板可使用彩色濾光片(color filter)或色轉(zhuǎn)換層(color conversionmedium)，另外該基板10也可選擇為剛性(rigid)基板或可撓性(flexible)基板。
再者，該導(dǎo)電薄膜層11成形于該基板10上，該金屬薄膜層12成形于該導(dǎo)電薄膜層11上，其中該導(dǎo)電薄膜層11可為氧化銦錫(ITO)、氧化鋁鋅(AZO)或氧化銦鋅(IZO)薄膜層的任意選擇，而該金屬薄膜層12可為金屬層(metal layer)或合金層(alloy layer)。
此外，該導(dǎo)電金屬氧化層13成形于該金屬薄膜層12上，且該導(dǎo)電金屬氧化層13為金屬氧化物(metal oxide)，其可為In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的任一選擇，其中該導(dǎo)電金屬氧化層13的厚度界于100～500之間。
請參閱圖4，其為本發(fā)明防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的第二實施例的示意圖。由圖中可知，第二實施例與第一實施例最大的不同在于第二實施例可使用一導(dǎo)電金屬硅化物層14以取代該導(dǎo)電金屬氧化層13，而成形于該金屬薄膜層12上。其中，該導(dǎo)電金屬硅化物層14為金屬硅化物(metalsilicide)，其可為WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一選擇。
請參閱圖5，其為本發(fā)明防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法的第一實施例的流程圖。由流程圖中可知，本發(fā)明提供一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括有首先，提供一基板10(S100)，其中該基板10可為玻璃基板、塑料基板或其它材料基板的任意選擇，且該玻璃基板可使用彩色濾光片(color filter)或色轉(zhuǎn)換層(color conversionmedium)，另外該基板10也可為剛性基板或可撓性基板的任意選擇；接著，清潔該基板10的表面(S102)；然后，形成一導(dǎo)電薄膜層11于該基板10上(S104)，其中該導(dǎo)電薄膜層11可為氧化銦錫(ITO)、氧化鋁鋅(AZO)或氧化銦鋅(IZO)薄膜層的任一選擇。
接下來，形成一金屬薄膜層12于該導(dǎo)電薄膜層11上(S106)，其中該金屬薄膜層12可為金屬層(metal layer)或合金層(alloy layer)；最后，形成一導(dǎo)電金屬氧化薄膜層13于該金屬薄膜層12上(S108)，其中該導(dǎo)電金屬氧化層13為金屬氧化物(metal oxide)，其可為In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的任一選擇，其中該導(dǎo)電金屬氧化層13的厚度界于100～500之間。
請參閱圖6，其為本發(fā)明防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法的第二實施例的流程圖。由流程圖中可知，第二實施例的步驟S200至S206與第一實施例的步驟S100至S106相同。在步驟S206后，成形一導(dǎo)電金屬硅化物薄膜層14于該金屬薄膜層12上。其中，該導(dǎo)電金屬硅化物層14為金屬硅化物(metal silicide)，其可為WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一選擇。
綜上所述，本發(fā)明通過導(dǎo)電金屬氧化層13或?qū)щ娊饘俟杌飳?4的保護(hù)，不僅具有導(dǎo)電性，且可防止金屬表面在后面的制作過程中發(fā)生氧化的情況。例如在后面的制作過程中在紫外光的照射下，不僅不會產(chǎn)生氧化的情形，還能確實減少金屬薄膜層12電阻值的上升，同時還可增加后面的制作過程中與光阻層之間的附著性。
但是，以上所述，僅為本發(fā)明最佳之一的具體實施例的詳細(xì)說明與附圖，本發(fā)明的特征并不局限于此，其并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明的所有范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)。任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員對本發(fā)明所作的等同變化與修飾，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其包括一基板；一導(dǎo)電薄膜層，其成形于該基板上；一金屬薄膜層，其成形于該導(dǎo)電薄膜層上；以及一導(dǎo)電金屬氧化層，其成形于該金屬薄膜層上。
2.如權(quán)利要求1所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板為玻璃基板或塑料基板。
3.如權(quán)利要求2所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該玻璃基板為彩色濾光片或色轉(zhuǎn)換層。
4.如權(quán)利要求1所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板為剛性基板或可撓性基板。
5.如權(quán)利要求1所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電薄膜層為氧化銦錫、氧化鋁鋅或氧化銦鋅薄膜層。
6.如權(quán)利要求1所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬薄膜層為金屬層或合金層。
7.如權(quán)利要求1所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電金屬氧化層為金屬氧化物，其為In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化銦錫或氧化銦鋅的任一選擇。
8.如權(quán)利要求1所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電金屬氧化層厚度界于100～500之間。
9.一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其包括一基板；一導(dǎo)電薄膜層，其成形于該基板上；一金屬薄膜層，其成形于該導(dǎo)電薄膜層上；以及一導(dǎo)電金屬硅化物層，其成形于該金屬薄膜層上。
10.如權(quán)利要求9所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板為玻璃基板或塑料基板。
11.如權(quán)利要求10所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該玻璃基板為彩色濾光片或色轉(zhuǎn)換層。
12.如權(quán)利要求9所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板為剛性基板或可撓性基板。
13.如權(quán)利要求9所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電薄膜層為氧化銦錫、氧化鋁鋅或氧化銦鋅薄膜層。
14.如權(quán)利要求9項所述防止金屬氧化金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬薄膜層為金屬層或合金層。
15.如權(quán)利要求9所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電金屬硅化物層為金屬硅化物，其為WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一選擇。
16.如權(quán)利要求9所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電金屬硅化物層的厚度界于100～500之間。
17.一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括提供一基板；清潔該基板的表面；形成一導(dǎo)電薄膜層于該基板上；形成一金屬薄膜層于該導(dǎo)電薄膜層上；以及形成一導(dǎo)電金屬氧化薄膜層于該金屬薄膜層上。
18.如權(quán)利要求17所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該基板為玻璃基板或塑料基板。
19.如權(quán)利要求18所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該玻璃基板為彩色濾光片或色轉(zhuǎn)換層。
20.如權(quán)利要求17所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該基板為剛性基板或可撓性基板。
21.如權(quán)利要求17所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該導(dǎo)電薄膜層為氧化銦錫、氧化鋁鋅或氧化銦鋅薄膜層。
22.如權(quán)利要求17所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該金屬薄膜層為金屬層或合金層。
23.如權(quán)利要求17所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該導(dǎo)電金屬氧化層為金屬氧化物，其為In2O3、SnO2、ZnO、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4、In2O3-ZnO、氧化銦錫或氧化銦鋅的任一選擇。
24.如權(quán)利要求17所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該導(dǎo)電金屬氧化層的厚度界于100～500之間。
25.一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括提供一基板；清潔該基板的表面；成形一導(dǎo)電薄膜層于該基板上；成形一金屬薄膜層于該導(dǎo)電薄膜層上；以及成形一導(dǎo)電金屬硅化物薄膜層于該金屬薄膜層上。
26.如權(quán)利要求25所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該基板為玻璃基板或塑料基板。
27.如權(quán)利要求26所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法其特征在于，該玻璃基板為彩色濾光片或色轉(zhuǎn)換層。
28.如權(quán)利要求25所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該基板為剛性基板或可撓性基板。
29.如權(quán)利要求25所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該導(dǎo)電薄膜層為氧化銦錫、氧化鋁鋅或氧化銦鋅薄膜層。
30.如權(quán)利要求25所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該金屬薄膜層為金屬層或合金層。
31.如權(quán)利要求25所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該導(dǎo)電金屬硅化物層為金屬硅化物，其為WSi2、MoSi2、TiSi2或CoSi2的任一選擇。
32.如權(quán)利要求25所述的防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該導(dǎo)電金屬硅化物層的厚度界于100～500之間。
全文摘要
一種防止金屬氧化的金屬表面保護(hù)結(jié)構(gòu)，其包括基板、導(dǎo)電薄膜層、金屬薄膜層、及導(dǎo)電金屬氧化層或?qū)щ娊饘俟杌飳?。其中，?dǎo)電薄膜層成形于該基板上，金屬薄膜層成形于導(dǎo)電薄膜層上，以及導(dǎo)電金屬氧化層或?qū)щ娊饘俟杌飳映尚斡诮饘俦∧由?，且?dǎo)電金屬氧化層為金屬氧化物，其為In
文檔編號B32B15/00GK1883936SQ200510079099
公開日2006年12月27日 申請日期2005年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月24日
發(fā)明者林巖杉, 張簡金鐘, 游輝昌 申請人:悠景科技股份有限公司