專利名稱：太陽(yáng)能硅晶片清洗劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種清洗劑，尤其涉及一種用于太陽(yáng)能硅晶片清洗劑。
背景技術(shù)：
硅晶片具有良好的光電效應(yīng)，是太陽(yáng)能電池的主要材料。但在其加工過(guò)程中，往往一些有機(jī)物以及金屬雜質(zhì)附著在硅晶片表面而影響其工作性能，降低太陽(yáng)能的轉(zhuǎn)化效率，故必須保持硅晶片表面清潔。傳統(tǒng)用于硅晶片的清洗劑是采用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿等強(qiáng)腐蝕的化學(xué)試劑，這類化學(xué)清洗劑存在清洗工序多、后處理煩瑣、環(huán)境污染大、成本高等問(wèn)題，而且硅晶片與強(qiáng)酸或強(qiáng)堿反應(yīng)后易在表面形成過(guò)腐蝕現(xiàn)象，造成硅晶片表面發(fā)黑，加之清洗時(shí)殘留在硅晶片表面的化學(xué)品，都會(huì)影響硅晶片的電化學(xué)性能。目前對(duì)于硅晶片清洗，雖然也采用有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗，如CN1051756A所公開的《水基電子清洗制劑》，是以乙二胺四醋酸鈉和可熔性氟化物為作為主劑，以醇醚和酚醚表面活劑作為清洗劑，以胺皂和酰胺為增效劑，而醇類和去離子水作為溶劑來(lái)制得清洗劑，與強(qiáng)酸強(qiáng)堿清洗劑相比，生物毒性小，能減少?gòu)?qiáng)酸強(qiáng)堿了對(duì)環(huán)境污染。但這種清洗劑中仍采用傳統(tǒng)的醇醚和酚醚表面活性劑并以乙二胺四醋酸鈉絡(luò)合劑，這類表面活性劑和絡(luò)合劑的生物降解性差，不利于目前環(huán)保要求。該尤其是這種清洗的主劑還采用了氟化物，而氟化物為有毒有害物質(zhì)，會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明的目的是提供一種生物降解性好，環(huán)保性能和清洗性能好的太陽(yáng)能硅晶片清洗劑。
本發(fā)明為達(dá)到上述目的的技術(shù)方案是一種太陽(yáng)能硅晶片清洗劑，其特征在于其組分按重量百分比氮川三乙酸鈉絡(luò)合劑 10％～30％；C10-C13羰基異構(gòu)醇乙氧基化合物表面活性劑 5％～10％；脂肪醇烷氧基化合物表面活性劑 3％～5％；丙烯酸共聚物鈉鹽助劑 0.05％～0.15％；
過(guò)氧化氫氧化劑 0.5％～2％；乙二醇丁醚類有機(jī)溶劑5％～10％；氫氧化鉀1％～5％；去離子水或自來(lái)水余量。
本發(fā)明以C10-C13羰基異構(gòu)醇乙氧基化合物和脂肪醇烷氧基化合物非離子表面活性劑作為清洗劑，而C10-C13羰基異構(gòu)醇乙氧基化合物具有卓越的滲透性和乳化能力，尤其對(duì)于堅(jiān)硬的硅晶片表面具有良好的清洗能力，還具有良好的生物降解性和極低的生理毒性，清洗后不易在硅晶片表面形成殘留物，不會(huì)影響硅晶片的性能。而脂肪醇烷氧基化合物作為低泡表面活性劑，具有良好的去污、滲透和分散性能，還能對(duì)清洗劑中污垢產(chǎn)生的泡沫有抑制作用，使清洗劑具有很好的水洗性能，漂洗后能使硅晶片表面獲得干凈、無(wú)斑跡的清洗效果。本發(fā)明采用氮川三乙酸鈉作為絡(luò)合劑，對(duì)金屬離子的絡(luò)合性能不僅優(yōu)于乙二胺四醋酸鈉，而且還具有較好的生物降解性能，100克絡(luò)合劑可絡(luò)合21.0克的鈣離子，27克的鎂離子和29.2克的鐵離子，有效地提高了清洗劑的穩(wěn)定性和分散能力。本發(fā)明采用丙烯酸共聚物鈉作為助劑，不僅起到分散劑和助洗劑的作用，而且還能起到增溶劑的作用，能加強(qiáng)對(duì)硅晶片表面無(wú)機(jī)物和可溶性固態(tài)微顆粒分散，促進(jìn)表面活性劑與助劑的互溶性，降低濁點(diǎn)，提高清洗劑的穩(wěn)定性。本發(fā)明的清冼劑在氫氧化鉀的作用下，進(jìn)一步促進(jìn)洗滌過(guò)程中的乳化性和分散性能，并經(jīng)過(guò)氧化氫來(lái)氧化硅晶片表面的污物，使硅晶片表面經(jīng)始終處于有利于清洗的狀態(tài)，加之采用乙二醇丁醚作為有機(jī)溶劑，由于與水具有較好的共溶性，故能加速和增加對(duì)有機(jī)污染物的清洗，提高產(chǎn)品的水洗性能，避免了清洗過(guò)程中殘留在硅晶片表面的化學(xué)品，其清洗效果明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的清洗效果。本發(fā)明的清洗劑不含有毒、有害及污染環(huán)境物質(zhì)，環(huán)保性能好，具有最佳的清洗效果。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1本發(fā)明的太陽(yáng)能硅晶片清洗劑，其組分按重量百分比如下氮川三乙酸鈉絡(luò)合劑 10％～30％；C10-C13羰基異構(gòu)醇乙氧基化合物表面活性劑5％～10％；
脂肪醇烷氧基化合物表面活性劑3％～5％；丙烯酸共聚物鈉鹽助劑0.05％～0.15％；過(guò)氧化氫氧化劑 0.5％～2％；乙二醇丁醚類有機(jī)溶劑5％～10％；氫氧化鉀1％～5％；去離子水余量。
上述組分均為市售產(chǎn)品，按上述比例將各組分混合、溶解形成濃度均勻的清洗劑。使用時(shí)，將清洗劑與水按1∶50～100的比例配制成的溶液放入超聲波清洗槽，清洗液溫度控制在50±5℃，對(duì)硅晶片進(jìn)行清洗，清洗干燥后的硅晶片無(wú)油脂、雜質(zhì)、色差和水跡。
實(shí)施例2本發(fā)明的太陽(yáng)能硅晶片清洗劑，其組分按重量百分比如下氮川三乙酸鈉絡(luò)合劑 15％～25％；C10-C13羰基異構(gòu)醇乙氧基化合物表面活性劑6％～8％；脂肪醇烷氧基化合物表面活性劑 3％～5％；丙烯酸共聚物鈉鹽助劑 0.05％～0.15％；過(guò)氧化氫氧化劑 0.5％～2％；乙二醇丁醚類有機(jī)溶劑 5％～10％；氫氧化鉀 2％～3％；自來(lái)水 余量。
按上述比例將各組分混合、溶解形成濃度均勻的清洗劑。使用時(shí)，將清洗劑與水按1∶50～100的比例配制成的溶液放入超聲波清洗槽，清洗液溫度控制在50±5℃，對(duì)硅晶片進(jìn)行清洗，清洗干燥后的硅晶片無(wú)油脂、雜質(zhì)、色差和水跡。
實(shí)施例3本發(fā)明的太陽(yáng)能硅晶片清洗劑，其組分按重量百分比如下氮川三乙酸鈉絡(luò)合劑20％～25％；C10-C13羰基異構(gòu)醇乙氧基化合物表面活性劑 6％～8％；
脂肪醇烷氧基化合物表面活性劑3％～5％；丙烯酸共聚物鈉鹽助劑0.05％～0.15％；過(guò)氧化氫氧化劑 0.5％～2％；乙二醇丁醚類有機(jī)溶劑5％～10％；氫氧化鉀2％～4％；自來(lái)水 余量。
按上述比例將各組合混合、溶解形成濃度均勻的清洗劑。使用時(shí)，將清洗劑與水按1∶50～100的比例配制成的溶液放入超聲波清洗槽，清洗液溫度控制在50±5℃，對(duì)硅晶片進(jìn)行清洗，清洗干燥后的硅晶片無(wú)油脂、雜質(zhì)、色差和水跡。
權(quán)利要求
1.一種太陽(yáng)能硅晶片清洗劑，其特征在于其組分按重量百分比，氮川三乙酸鈉絡(luò)合劑 10％～30％；C10-C13羰基異構(gòu)醇乙氧基化合物表面活性劑5％～10％；脂肪醇烷氧基化合物表面活性劑 3％～5％；丙烯酸共聚物鈉鹽助劑 0.05％～0.15％；過(guò)氧化氫氧化劑 0.5％～2％；乙二醇丁醚類有機(jī)溶劑 5％～10％；氫氧化鉀 1％～5％；去離子水或自來(lái)水 余量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能硅晶片清洗劑，其特征在于所述選用15％～25％的氮川三乙酸鈉。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能硅晶片清洗劑，其特征在于所述選用6％～8％的C10-C13羰基異構(gòu)醇乙氧基化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能硅晶片清洗劑，其特征在于所述選用2％～3％的氫氧化鉀。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能硅晶片清洗劑，其組分按重量百分比，10％～30％的氮川三乙酸鈉絡(luò)合劑，5％～10％的C
文檔編號(hào)C11D3/37GK101020866SQ200710020269
公開日2007年8月22日 申請(qǐng)日期2007年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月12日
發(fā)明者吳偉峰 申請(qǐng)人:常州君合達(dá)克羅涂覆工程技術(shù)有限公司