專利名稱：一種太陽能硅片的表面清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能硅片的表面清洗方法。
背景技術(shù)：
目前，太陽能硅片的清洗方法是在晶棒切成片并經(jīng)脫膠后，先用純水漂洗，接著用純水超聲清洗，然后又在純水中加入清洗劑進行超聲波清洗，之后再經(jīng)多次純水超聲波漂 洗即完成清洗工藝。這種清洗方法不徹底，導(dǎo)致太陽能硅片表面的化學(xué)物、金屬雜質(zhì)、酸堿 殘留等過多，會使太陽能硅片制絨時出現(xiàn)白斑，產(chǎn)生色差現(xiàn)象，影響成品率及產(chǎn)品質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供能提高太陽能硅片表面清潔度的一種太陽能硅片的表面清 洗方法。本發(fā)明采取的技術(shù)方案是一種太陽能硅片的表面清洗方法，其特征在于在晶棒 切成太陽能硅片并經(jīng)脫膠后，先在濃度為1 3%的氫氟酸溶液中浸泡，接著采用純水漂 洗，接著放在濃度為1 3%的檸檬酸溶液中并導(dǎo)入純凈壓縮空氣邊鼓泡邊浸泡，然后又采 用純水漂洗，之后又在濃度為1 3%的硅片清洗劑中采用超聲波清洗，接著再經(jīng)多次純水 超聲波漂洗后，最后放入溫度保持在45 70°C的純水中并采用超聲波清洗即可。采用本發(fā)明方法，由于采用了酸液浸泡，并導(dǎo)入純凈壓縮空氣鼓泡，使太陽能硅片 表面的金屬粘污物及切割溶液迅速分解剝離，大大增加了硅片表面清潔度，從而提高了太 陽能硅片制絨的成品率及質(zhì)量。
具體實施例方式下面結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明作進一步說明。1、在晶棒切成片并經(jīng)脫膠后，在濃度為1 3%的氫氟酸溶液中浸泡3分鐘以上。2、接著，經(jīng)純水漂洗3分鐘以上；3、接著，放在濃度為1 3%檸檬酸溶液中，導(dǎo)入純凈壓縮空氣邊鼓泡邊浸泡3分 鐘以上；4、然后，又經(jīng)純水漂洗3分鐘以上；5、之后，又在濃度為1 3%的硅片清洗液中采用超聲波清洗3分鐘以上；6、接著再經(jīng)四次純水超聲波漂洗，每次在3分鐘以上；7、最后，放在溫度保持在45°C 70°C的純水中采用超聲波清洗3分鐘以上即可。
權(quán)利要求
一種太陽能硅片的表面清洗方法，其特征在于在晶棒切成太陽能硅片并經(jīng)脫膠后，先在濃度為1～3％的氫氟酸溶液中浸泡，接著采用純水漂洗，接著放在濃度為1～3％的檸檬酸溶液中并導(dǎo)入純凈壓縮空氣邊鼓泡邊浸泡，然后又采用純水漂洗，之后又在濃度為1～3％的硅片清洗劑中采用超聲波清洗，接著再經(jīng)多次純水超聲波漂洗后，最后放入溫度保持在45～70℃的純水中并采用超聲波清洗即可。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能硅片的表面清洗方法，該方法在晶棒切成太陽能硅片并經(jīng)脫膠后，先在濃度為1～3％的氫氟酸溶液中浸泡，接著采用純水漂洗，接著放在濃度為1～3％的檸檬酸溶液中并導(dǎo)入純凈壓縮空氣邊鼓泡邊浸泡，然后又采用純水漂洗，之后又在濃度為1～3％的硅片清洗劑中采用超聲波清洗，接著再經(jīng)多次純水超聲波漂洗后，最后放入溫度保持在45～70℃的純水中并采用超聲波清洗即可。采用本發(fā)明方法，由于采用了酸液浸泡，并導(dǎo)入純凈壓縮空氣鼓泡，使太陽能硅片表面的金屬粘污物及切割溶液迅速分解剝離，大大增加了硅片表面清潔度，從而提高了太陽能硅片制絨的成品率及質(zhì)量。
文檔編號B08B3/08GK101817006SQ20101012981
公開日2010年9月1日 申請日期2010年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月22日
發(fā)明者方建和, 柴宏峰, 郜勇軍 申請人:浙江矽盛電子有限公司