一種水稻真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置制造方法
【專利摘要】一種水稻真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置，該裝置在支承桌桌面中部設(shè)有通孔，支承桌上放置底板，底板上、下表面中部設(shè)有上、下圓柱，上、下圓柱上分別套有磁鐵環(huán)Ⅱ和磁鐵環(huán)Ⅰ，磁鐵環(huán)Ⅰ與磁鐵環(huán)Ⅱ相鄰磁極為同極，下圓柱和磁鐵環(huán)Ⅰ穿過(guò)通孔位于桌面之下，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室放置在底板上，上圓柱位于室內(nèi)，支架放置在磁鐵環(huán)Ⅱ上，支架上放置滲透液盛放容器，室內(nèi)上部?jī)?nèi)壁設(shè)有環(huán)狀承接臺(tái)及帶閥門的空氣通氣管和真空抽氣接管；室的底端口和頂端口均設(shè)有密封圈。該裝置能使待轉(zhuǎn)化植株一開始接觸滲透轉(zhuǎn)化液時(shí)就在真空狀態(tài)下進(jìn)行，真正實(shí)現(xiàn)了在真空狀態(tài)下對(duì)水稻的原位遺傳轉(zhuǎn)化，增強(qiáng)了農(nóng)桿菌對(duì)植株的侵染力。該裝置對(duì)于個(gè)體較小和個(gè)體較大的作物都適用。
【專利說(shuō)明】一種水稻真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種水稻真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置，屬于基因工程和分子生物學(xué)實(shí)驗(yàn)【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]水稻是全球一半以上人口主要的糧食作物，然而，水稻生產(chǎn)受到越來(lái)越多不利因素(如病蟲害等)的限制，因此水稻品種的改良十分迫切。轉(zhuǎn)基因技術(shù)能突破生物種間障礙，實(shí)現(xiàn)物種間基因的轉(zhuǎn)移，從而為作物遺傳改良提供新途徑。利用轉(zhuǎn)基因技術(shù)對(duì)水稻進(jìn)行遺傳改良的成功與否，很大程度上依賴于有效的遺傳轉(zhuǎn)化方法的開發(fā)和應(yīng)用?，F(xiàn)在，公知的水稻遺傳轉(zhuǎn)化方法一般分為2類:一類是直接的基因轉(zhuǎn)化(包括基因槍法、電擊法、PEG法、月旨質(zhì)體轉(zhuǎn)化法和花粉管通道法等)，這類方法往往因?yàn)槌杀靖?，操作技術(shù)繁瑣而極少應(yīng)用?’另一類是由載體介導(dǎo)的轉(zhuǎn)化，目前應(yīng)用較為廣泛的是農(nóng)桿菌介導(dǎo)法，利用該方法在水稻上已成功獲得一些具有抗病蟲害、抗逆等優(yōu)異性狀的轉(zhuǎn)基因材料。
[0003]然而傳統(tǒng)的農(nóng)桿菌介導(dǎo)法明顯地存在許多不足:轉(zhuǎn)化的實(shí)現(xiàn)必須經(jīng)過(guò)對(duì)成熟種胚等外植體進(jìn)行愈傷誘導(dǎo)、胚性愈傷繼代、愈傷與農(nóng)桿菌共培養(yǎng)、抗性愈傷篩選及抗性愈傷分化出苗等至少近4個(gè)月的組織培養(yǎng)過(guò)程，轉(zhuǎn)化操作繁瑣且周期長(zhǎng)，人財(cái)物花費(fèi)大，而且對(duì)操作者的技術(shù)要求高；其次在近4個(gè)月的組織培養(yǎng)過(guò)程中，易發(fā)生體細(xì)胞變異、形態(tài)畸形、染色體數(shù)目改變和育性喪失等問題，造成遺傳背景復(fù)雜化；再者得到的轉(zhuǎn)化植株常出現(xiàn)基因沉默，轉(zhuǎn)化效率低。因此，開發(fā)一種無(wú)需經(jīng)過(guò)組培過(guò)程，具有簡(jiǎn)便、快速和高效等優(yōu)勢(shì)，只需對(duì)開花前的活體植株短暫真空處理即實(shí)現(xiàn)外源基因向植株轉(zhuǎn)化的水稻真空滲透轉(zhuǎn)化裝置和方法，便成為水稻基因轉(zhuǎn)化的另一重要途徑。
[0004]盡管目前有關(guān)真空滲透轉(zhuǎn)化法成功應(yīng)用的研究報(bào)道很多，但基本只局限在擬南芥、芥菜、白菜、菜薹、甘藍(lán)型油菜、蘿卜、煙草等個(gè)體較小的植物上應(yīng)用，而且轉(zhuǎn)化率偏低，真正獲得的有應(yīng)用價(jià)值的轉(zhuǎn)基因植物較少。現(xiàn)有的真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化大多是用現(xiàn)成的、體積較小的真空干燥器(如圖14所示)作為真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置，其基本操作是:將滲透轉(zhuǎn)化液倒入真空干燥器，除擬南芥用活體植株進(jìn)行轉(zhuǎn)化外，其余植物(如芥菜、白菜、菜薹、甘藍(lán)型油菜、蘿卜、煙草等)均是將待轉(zhuǎn)化植株直接從培養(yǎng)缽中拔出、洗凈后，先將待轉(zhuǎn)化植株全株或部分浸泡在真空干燥器中的滲透轉(zhuǎn)化液中，此時(shí)真空干燥器處于常壓狀態(tài)，然而植株已浸泡在滲透轉(zhuǎn)化液中開始了滲透遺傳轉(zhuǎn)化，然后再用真空泵減壓使真空干燥器達(dá)到真空狀態(tài)，繼續(xù)在真空狀態(tài)下滲透遺傳轉(zhuǎn)化(即真空處理)，達(dá)到預(yù)定時(shí)間后(即完成滲透遺傳轉(zhuǎn)化)，關(guān)閉真空泵開關(guān)，打開真空干燥器通氣閥門，待恢復(fù)常壓后，揭開干燥器蓋，取出植株種植在培養(yǎng)缽中或田間。擬南芥真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化不同的是，由于擬南芥植株較小(20-30cm), 一般是在真空干燥器中放置裝有滲透轉(zhuǎn)化液的燒杯，然后將種植在營(yíng)養(yǎng)缽里的擬南芥活體植株連同營(yíng)養(yǎng)缽一起倒置浸入在燒杯中，然后如上所述進(jìn)行真空滲透轉(zhuǎn)化?，F(xiàn)有的真空滲透轉(zhuǎn)化裝置存在以下不足:(1)采用現(xiàn)有的真空干燥器進(jìn)行的真空滲透轉(zhuǎn)化，在抽真空減壓之前，植株已經(jīng)浸泡在容器內(nèi)的農(nóng)桿菌滲透液(滲透液)中，雖然容器內(nèi)的植株和滲透液還處于常壓狀態(tài)，但是植株浸泡在容器內(nèi)的農(nóng)桿菌滲透液中已經(jīng)開始了遺傳轉(zhuǎn)化，其轉(zhuǎn)化過(guò)程可以說(shuō)包含了部分常壓下的滲透轉(zhuǎn)化和部分真空的滲透轉(zhuǎn)化，并沒有真正實(shí)現(xiàn)真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化，其農(nóng)桿菌對(duì)植株的侵染力降低，轉(zhuǎn)化效率也隨之降低。這可能也是目前真空滲透轉(zhuǎn)化法轉(zhuǎn)化效率偏低的主要原因。(2)現(xiàn)有的真空干燥器由于受體積較小、沒有適宜活體植物放置的相應(yīng)配套部件以及操作不方便等因素限制，使水稻、花卉、棉花、麥類等個(gè)體較大作物不能實(shí)現(xiàn)在原種植條件的活體狀態(tài)(即原位條件)下進(jìn)行滲透遺傳轉(zhuǎn)化，多采用將受體植株挖出，將其直接倒放于容器中進(jìn)行轉(zhuǎn)化，轉(zhuǎn)化后又移栽的操作方式，一方面并不是真正的原位轉(zhuǎn)化，另一方面對(duì)轉(zhuǎn)化后植株的生長(zhǎng)狀態(tài)、健壯程度和結(jié)實(shí)率均有影響，進(jìn)而造成真空滲透轉(zhuǎn)化效率偏低。(3)即便像擬南芥這樣小的活體植株的真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化操作，也存在許多側(cè)枝被壓斷，導(dǎo)致處理轉(zhuǎn)化效果低的問題。綜上所述，現(xiàn)有的真空滲透轉(zhuǎn)化裝置及其轉(zhuǎn)化方法并不適于水稻等作物的真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化，因此設(shè)計(jì)和開發(fā)出一種操作簡(jiǎn)便、快速和高效的適于水稻等作物的真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置，這將極大地縮短轉(zhuǎn)化周期、節(jié)約科研成本，提高轉(zhuǎn)化效率，為作物品種的遺傳改良和基因功能研究提供強(qiáng)有力的技術(shù)保障。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服現(xiàn)有真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置未真正在真空狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)滲透遺傳轉(zhuǎn)化和不適于水稻等個(gè)體較大作物的不足，本發(fā)明提供一種真正在真空狀態(tài)下、操作簡(jiǎn)便、對(duì)水稻實(shí)現(xiàn)原位真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化的裝置。
[0006]本發(fā)明所提供的技術(shù)方案為一種水稻真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置設(shè)有支承桌、底板、磁鐵環(huán)1、磁鐵環(huán)I1、下圓柱、上圓柱、真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室、支架、滲透液盛放容器，密封圈I，密封圈II部件，具體結(jié)構(gòu)是:
A.真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室的結(jié)構(gòu):真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室為中空的圓柱形，且真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室的頂端和底端均為敞口，在真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室的頂端蓋有蓋板，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室室內(nèi)上部的內(nèi)壁固定連接有環(huán)狀承接臺(tái)，在位于環(huán)狀承接臺(tái)之上的室壁上分別設(shè)置有空氣通氣管和真空抽氣接管，空氣通氣管上設(shè)置有閥門；
B.支架的結(jié)構(gòu):支架由四條豎直的支腿和支承板組成，四條豎直的支腿的頂端分別與支承板的下表面固定連接；
C.總體結(jié)構(gòu):
在支承桌的桌面中部設(shè)置有通孔，支承桌的桌面上放置有底板，底板的下表面中部垂直固定連接有下圓柱，下圓柱上間隙套有磁鐵環(huán)I，通孔的直徑D大于磁鐵環(huán)I的外徑K，D> K，下圓柱和磁鐵環(huán)I均穿過(guò)通孔位于支承桌桌面之下，在底板上表面中部且在與下圓柱對(duì)應(yīng)的位置垂直固定連接有上圓柱，上圓柱上間隙套有磁鐵環(huán)II，磁鐵環(huán)I與磁鐵環(huán)II相鄰的磁極為同極；真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室放置在底板的上表面中部，且上圓柱及其套有磁鐵環(huán)II位于真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室的室內(nèi)；支架的四條支腿放置在磁鐵環(huán)II的上表面上，在支架的支承板上放置有滲透液盛放容器，滲透液盛放容器位于真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室內(nèi)的環(huán)狀承接臺(tái)的下方；支腿的長(zhǎng)度H與磁鐵環(huán)II的厚度N之和大于上圓柱的柱高L，H+N > L ;磁鐵環(huán)II位于上圓柱最低處時(shí)，滲透液盛放容器口與環(huán)狀承接臺(tái)下表面之間的距離R為80cm?120cm ;真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室的底端口通過(guò)密封圈II與底板的上表面密封連接，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室的頂端口通過(guò)密封圈I與蓋板密封連接。
[0007]真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室內(nèi)壁連接的環(huán)狀承接臺(tái)的環(huán)孔孔徑M尺寸以能使倒置在環(huán)狀承接臺(tái)上的培養(yǎng)缽20不從環(huán)狀承接臺(tái)的環(huán)孔中掉落為準(zhǔn)。M可以為18?23cm。
[0008]本發(fā)明裝置使用的主要操作是:
A.將固定連接有上圓柱5和下圓柱2的底板4放置在支承桌I上，且使下圓柱2穿過(guò)支承桌I上的通孔19，并且下圓柱2位于支承桌I的桌面之下，將磁鐵環(huán)II 6套在上圓柱5上。
[0009]B.將真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7放置在底板4上，且使上圓柱5位于真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的室內(nèi)，用密封圈II將真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的底端口與底板的上表面密封連接。
[0010]C.從真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的頂端口將支架8的四條支腿17放置在磁鐵環(huán)II 6的上表面上，在支架8的支承板18上放置盛有含目的基因的農(nóng)桿菌滲透轉(zhuǎn)化液的滲透液盛放容器9。
[0011]D.當(dāng)種植在培養(yǎng)缽20里的水稻處于開花前時(shí)，將培養(yǎng)缽內(nèi)的水浙干并用紗布或泡沫把培養(yǎng)缽內(nèi)的土進(jìn)行阻隔，使倒置培養(yǎng)缽是缽內(nèi)的泥土不下掉，然后連同水稻一起將培養(yǎng)缽20倒置在真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的環(huán)狀承接臺(tái)15上(參見圖12)，使活體水稻植株稻穗自然下垂，此時(shí)活體水稻植株稻穗與滲透液盛放容器9內(nèi)的含目的基因的農(nóng)桿菌滲透轉(zhuǎn)化液相距一定距離，即沒有接觸，其目的是使真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7內(nèi)還未處于真空狀態(tài)時(shí)，活體水稻植株稻穗與含目的基因的農(nóng)桿菌滲透轉(zhuǎn)化液不接觸。然后將蓋板12蓋在真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的頂端口并通過(guò)密封圈I 13使真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的頂端口與蓋板12密封連接。
[0012]E.關(guān)閉空氣通氣管10上的閥門11，將真空泵的真空管與真空抽氣接管14連接，打開真空泵開關(guān)，減壓抽真空，維持0.05 MPa壓力，保持真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7為真空狀態(tài)。然后再將磁鐵環(huán)I 3套在下圓柱2上且使磁鐵環(huán)I 3與磁鐵環(huán)II 6相鄰的兩磁極為同極(即磁鐵環(huán)I 3上面的磁極與磁鐵環(huán)II 6下面的磁極相同)，手動(dòng)向上推動(dòng)下圓柱2上的磁鐵環(huán)I 3，由于上圓柱5上的磁鐵環(huán)II 6與磁鐵環(huán)I 3相鄰兩極為同極，根據(jù)同極相斥的原理，上圓柱5上的磁鐵環(huán)II 6會(huì)隨之向上移動(dòng)，從而推動(dòng)置于支架8上的滲透液盛放容器9也隨之向上升，當(dāng)滲透液盛放容器9上升到使倒置的活體水稻稻穗完全浸泡在滲透液盛放容器9內(nèi)的含目的基因的農(nóng)桿菌滲透轉(zhuǎn)化液中時(shí)，停止向上推磁鐵環(huán)I 3，且操作人員托住磁鐵環(huán)I 3不動(dòng)并維持磁鐵環(huán)I 3處于使倒置的活體水稻稻穗完全浸泡在滲透液盛放容器9內(nèi)的含目的基因的農(nóng)桿菌滲透轉(zhuǎn)化液中的位置，此時(shí)立即開始計(jì)時(shí)，當(dāng)活體水稻植株在滲透液盛放容器9內(nèi)浸泡達(dá)到預(yù)定轉(zhuǎn)化時(shí)間后，緩慢取下磁鐵環(huán)I 3，磁鐵環(huán)II 6隨之向下滑落至底板4上，滲透液盛放容器9及支架8也隨之向下降落，從而水稻植株與滲透液盛放容器9內(nèi)的含目的基因的農(nóng)桿菌滲透液分離，培養(yǎng)缽內(nèi)水稻植株的滲透遺傳轉(zhuǎn)化即完成。此時(shí)立即關(guān)閉真空泵開關(guān)，然后緩慢打開閥門11，待真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7恢復(fù)常壓狀態(tài)，打開蓋板12，再?gòu)恼婵諠B透遺傳轉(zhuǎn)化室7的頂端口將培養(yǎng)缽20連通水稻一起取出。然后進(jìn)行水稻植株滲透遺傳轉(zhuǎn)化完成后的后續(xù)工作，如將培養(yǎng)缽內(nèi)的水稻植株全部覆蓋上塑料膜保濕24小時(shí)后，將其培養(yǎng)缽置于溫室內(nèi)，按常規(guī)栽培方法培育植株至成熟，收獲種子即可進(jìn)行轉(zhuǎn)化子的篩選，獲得轉(zhuǎn)化子。
[0013]現(xiàn)有技術(shù)中待轉(zhuǎn)化植株的真空滲透轉(zhuǎn)化雖然是在真空干燥器內(nèi)進(jìn)行，但是在待轉(zhuǎn)化植株完全浸泡在容器內(nèi)的滲透液中時(shí)，真空干燥器內(nèi)還為常壓狀態(tài)，當(dāng)待轉(zhuǎn)化植株完全浸泡在容器內(nèi)的滲透液中后，才能用真空泵抽真空使真空干燥器為真空狀態(tài)，因此，現(xiàn)有技術(shù)雖然是在真空干燥器內(nèi)對(duì)待轉(zhuǎn)化植株進(jìn)行滲透遺傳轉(zhuǎn)化，浸泡于滲透液內(nèi)進(jìn)行滲透遺傳轉(zhuǎn)化的植株實(shí)際是部分時(shí)間在常壓下，部分時(shí)間在真空狀態(tài)下，并沒有真正在真空狀態(tài)下對(duì)待轉(zhuǎn)化植株進(jìn)行滲透遺傳轉(zhuǎn)化。
[0014]本發(fā)明的工作原理是:
本發(fā)明是在真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室處于真空狀態(tài)后，利用磁鐵同極相斥的原理，通過(guò)操控室外的磁鐵帶動(dòng)室內(nèi)磁鐵按預(yù)定軌跡運(yùn)動(dòng)，達(dá)到在真正的真空狀態(tài)下對(duì)水稻進(jìn)行滲透遺傳轉(zhuǎn)化的目的。本發(fā)明在底板上不穿孔，通過(guò)設(shè)置在底板上面上圓柱上的磁鐵環(huán)II和在底板下面下圓柱上的磁鐵環(huán)I相鄰兩極為同極，利用磁鐵同極相斥的原理，當(dāng)向上推動(dòng)底板下面的磁鐵環(huán)I時(shí)，在真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室內(nèi)的上圓柱上的磁鐵環(huán)II上也隨之上移，從而真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室內(nèi)的滲透液盛放容器也隨之上升至能使活體水稻植株稻穗完全浸泡在滲透液盛放容器內(nèi)的含目的基因的農(nóng)桿菌滲透遺傳轉(zhuǎn)化液中的位置為止并托住磁鐵環(huán)I不動(dòng)維持磁鐵環(huán)I所處位置，待真空處理完畢后進(jìn)行后續(xù)操作。本發(fā)明在底板上不穿孔，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室頂部端口和底部端口又均分別通過(guò)密封圈1、密封圈II密封，并關(guān)閉關(guān)閉空氣通氣管上的閥門11，然后抽真空，使活體水稻植株還沒有與含目的基因的農(nóng)桿菌滲透遺傳轉(zhuǎn)化液接觸時(shí)，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室就已處于真空狀態(tài)，使活體水稻植株從一開始與含目的基因的農(nóng)桿菌滲透遺傳轉(zhuǎn)化液接觸時(shí)就是在真空狀態(tài)下接觸，實(shí)現(xiàn)了真正的真空狀態(tài)下的水稻滲透遺傳轉(zhuǎn)化，增強(qiáng)了農(nóng)桿菌對(duì)植株的侵染力，因此，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相t匕，具有以下有益效果:
1、本發(fā)明裝置能夠使待轉(zhuǎn)化植株一開始接觸滲透遺傳轉(zhuǎn)化液進(jìn)行遺傳轉(zhuǎn)化時(shí)就在真空狀態(tài)下進(jìn)行，真正實(shí)現(xiàn)了在真空狀態(tài)下對(duì)水稻進(jìn)行遺傳轉(zhuǎn)化，增強(qiáng)了農(nóng)桿菌對(duì)植株的侵染力。克服了現(xiàn)有技術(shù)在植株浸泡在容器內(nèi)的滲透遺傳轉(zhuǎn)化液中后，才開始抽真空，浸泡于滲透液內(nèi)進(jìn)行滲透遺傳轉(zhuǎn)化的植株實(shí)際是部分時(shí)間在常壓下，部分時(shí)間在真空狀態(tài)下，并沒有真正實(shí)現(xiàn)真空滲透轉(zhuǎn)化，農(nóng)桿菌對(duì)植株的侵染力降低，轉(zhuǎn)化效率也隨之降低的缺陷。
[0015]2、本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了水稻的原位真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化，且不損傷水稻植株。本發(fā)明裝置中環(huán)狀承接臺(tái)的設(shè)置可使連同培養(yǎng)缽一起的原位條件下的水稻植株便捷地倒置在真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室的環(huán)狀承接臺(tái)上，使活體水稻植株稻穗自然下垂且不受損傷。
[0016]3、本發(fā)明裝置設(shè)計(jì)巧妙，各部件結(jié)構(gòu)合理，連接簡(jiǎn)便。真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室內(nèi)的環(huán)狀承接臺(tái)可承接較重的倒置培養(yǎng)缽，實(shí)現(xiàn)了較大個(gè)體植物的活體原位滲透遺傳轉(zhuǎn)化，并且植株不會(huì)被壓斷或折斷。本發(fā)明裝置的使用不受作物個(gè)體大小的限制，不僅適用于芥菜、白菜、菜薹、甘藍(lán)型油菜、蘿卜、煙草等個(gè)體較小作物，水稻、花卉、棉花、麥類等個(gè)體較大作物同樣適用。
[0017]4、本發(fā)明裝置操作簡(jiǎn)便，大大提高了工作效率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是本發(fā)明裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖2是本發(fā)明裝置的主示圖。
[0020]圖3是圖2中A— A剖視圖。
[0021]圖4是真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖5是底板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖6是支承桌的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖7是真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室與底板連接的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖8是底板、上圓柱、磁鐵環(huán)II連接的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖9是底板、上圓柱、磁鐵環(huán)I1、下圓柱、磁鐵環(huán)I連接的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖10是支架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖11是滲透液盛放容器、支架、上圓柱、磁鐵環(huán)I1、底板、下圓柱、磁鐵環(huán)I連接的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖12是本發(fā)明裝置使用狀態(tài)示意圖。所述使用狀態(tài)是指將種植有水稻的培養(yǎng)缽倒置在真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室內(nèi)的環(huán)狀承接臺(tái)上時(shí)的狀態(tài)。
[0030]圖13是圖3中磁鐵環(huán)II上升至最聞位直時(shí)的結(jié)構(gòu)不意圖。所述磁鐵環(huán)II上升至最高位置時(shí)是指向上推動(dòng)磁鐵環(huán)I使磁鐵環(huán)II隨之上升至不能再向上升的位置。
[0031]圖14是現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行植物真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化使用的真空干燥器示意圖。
[0032]圖中各標(biāo)記依次表不:I一支承桌，2—下圓柱，3—磁鐵環(huán)I ,4一底板,5—上圓柱，6—磁鐵環(huán)II，7—真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室，8—支架，9一滲透液盛放容器，10—空氣通氣管，11 一閥丨]，12—蓋板，13一密封圈I，14一真空抽氣接管，15—環(huán)狀承接臺(tái)，16一密封圈II，17一支腿，18一支承板，19一通孔，20一培養(yǎng)鉢，D是通孔的直徑，K是磁鐵環(huán)I的外徑，H是支腿的長(zhǎng)度，N是磁鐵環(huán)II的厚度，L是上圓柱的柱高，R是磁鐵環(huán)II位于上圓柱最低處時(shí)(即磁鐵環(huán)II在底板上時(shí))滲透液盛放容器口與環(huán)狀承接臺(tái)下表面之間的距離，Q是環(huán)狀承接臺(tái)下表面至底板上表面之間的距離，E是磁鐵環(huán)II上升到最高位置時(shí)，滲透液盛放容器口至底板上表面之間的距離(所述磁鐵環(huán)II上升至最高位置時(shí)是指向上推動(dòng)磁鐵環(huán)I使磁鐵環(huán)II隨之上升至不能再向上升的位置)，M是環(huán)狀承接臺(tái)的環(huán)孔孔徑。

【具體實(shí)施方式】
[0033]參見圖1一圖13，本發(fā)明所述的一種水稻真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置設(shè)有支承桌1、底板4、磁鐵環(huán)I 3、磁鐵環(huán)II 6、下圓柱2、上圓柱5、真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7、支架8、滲透液盛放容器9，密封圈I 13，密封圈II 16部件，具體結(jié)構(gòu)是:
A.真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的結(jié)構(gòu):真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7為中空的圓柱形，且真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的頂端和底端均為敞口，在真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的頂端口蓋有蓋板12，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的頂端口全部與蓋板12的下表面接觸，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7室內(nèi)上部的內(nèi)壁固定連接有環(huán)狀承接臺(tái)15，環(huán)狀承接臺(tái)15的環(huán)孔孔徑M的尺寸以能使倒置在環(huán)狀承接臺(tái)15上的水稻培養(yǎng)缽20不從環(huán)狀承接臺(tái)15的環(huán)孔中掉落為準(zhǔn)。環(huán)狀承接臺(tái)15的的環(huán)孔孔徑M可為18?23cm,通常培育水稻的培養(yǎng)缽的內(nèi)徑為21cm?25cm,因此,倒置在環(huán)狀承接臺(tái)15的培養(yǎng)缽不會(huì)從環(huán)狀承接臺(tái)15的環(huán)孔中漏下，可以達(dá)到試驗(yàn)?zāi)康?。在位于環(huán)狀承接臺(tái)15之上的室壁上分別設(shè)置有空氣通氣管10和真空抽氣接管14，空氣通氣管10上設(shè)置有閥門11 ；
B.支架8的結(jié)構(gòu):支架8由四條豎直的支腿17和支承板18組成，四條豎直的支腿17的頂端均分別與支承板18的下表面固定連接； C.總體結(jié)構(gòu):
在支承桌I的桌面中部設(shè)置有通孔19，支承桌I的桌面上放置有底板4，底板4將支承桌I的桌面全部覆蓋，底板4的下表面中部垂直固定連接有下圓柱2，下圓柱2上間隙套有磁鐵環(huán)I 3 (即套在下圓柱2上的磁鐵環(huán)I 3與下圓柱2間隙配合)，通孔19的直徑D大于磁鐵環(huán)I 3的外徑K，D > K，下圓柱2和磁鐵環(huán)I 3均穿過(guò)通孔19位于支承桌I桌面之下，在底板4上表面中部且在與下圓柱2對(duì)應(yīng)的位置垂直固定連接有上圓柱5 (即上圓柱5的中心線與下圓柱2的中心線重合)，上圓柱5上間隙套有磁鐵環(huán)II 6 (即套在上圓柱5上的磁鐵環(huán)II 6與上圓柱5間隙配合)，磁鐵環(huán)I 3與磁鐵環(huán)II 6相鄰的磁極為同極(即磁鐵環(huán)I 3上表面的磁極與磁鐵環(huán)II 6下表面的磁極相同);真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7放置在底板4的上表面中部，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7底端口全部與底板4的上表面接觸，且上圓柱5及其套有磁鐵環(huán)II 6位于真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的室內(nèi)；支架8的四條支腿17放置在磁鐵環(huán)II 6的上表面上，在支架8的支承板18上放置有滲透液盛放容器9，支架8和滲透液盛放容器9均位于位于在真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的室內(nèi)，滲透液盛放容器9位于真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7內(nèi)的環(huán)狀承接臺(tái)15的下方；支腿17的長(zhǎng)度H與磁鐵環(huán)II 6的厚度N之和大于上圓柱5的柱高L,H+N > L ;磁鐵環(huán)II 6位于上圓柱5最低處時(shí)(即磁鐵環(huán)II 6在底板4的上表面)，滲透液盛放容器9 口與環(huán)狀承接臺(tái)15下表面之間的距離R為80cm?120cm ;80cm?120cm是通常適宜進(jìn)行水稻遺傳轉(zhuǎn)化的水稻全植株高，此R值可滿足常規(guī)的水稻遺傳轉(zhuǎn)化的需求，使真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7內(nèi)還未處于真空狀態(tài)時(shí)(還未進(jìn)行抽真空操作)，倒置的活體水稻植株稻穗與滲透液盛放容器9內(nèi)含目的基因的農(nóng)桿菌滲透轉(zhuǎn)化液不接觸。R尺寸還可根據(jù)待轉(zhuǎn)化植株的株高進(jìn)行調(diào)整，其目的是使真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7內(nèi)還未處于真空狀態(tài)時(shí)，倒置的活體植株與含目的基因的農(nóng)桿菌滲透轉(zhuǎn)化液不接觸。真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的底端口通過(guò)密封圈II 16與底板4的上表面密封連接，以使真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的底端口密封不漏氣，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的頂端口通過(guò)密封圈I 13與蓋板12密封連接，以使真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7的頂端口密封不漏氣，使整個(gè)真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室7達(dá)到密封狀態(tài)。
【權(quán)利要求】
1.一種水稻真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置，其特征在于:該裝置設(shè)有支承桌(I)、底板(4)、磁鐵環(huán)I (3)、磁鐵環(huán)II (6)、下圓柱(2)、上圓柱(5)、真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)、支架(8)、滲透液盛放容器(9)，密封圈I (13)，密封圈II (16)部件，具體結(jié)構(gòu)是: A.真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)的結(jié)構(gòu):真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)為中空的圓柱形，且真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)的頂端和底端均為敞口，在真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)的頂端口蓋有蓋板(12)，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)室內(nèi)上部的內(nèi)壁固定連接有環(huán)狀承接臺(tái)(15)，在位于環(huán)狀承接臺(tái)(15)之上的室壁上分別設(shè)置有空氣通氣管(10)和真空抽氣接管(14)，空氣通氣管(10)上設(shè)置有閥門(11); B.支架(8)的結(jié)構(gòu):支架(8)由四條豎直的支腿(17)和支承板(18)組成，在四條豎直的支腿(17)的頂端分別與支承板(18)的下表面固定連接； C.總體結(jié)構(gòu): 在支承桌(I)的桌面中部設(shè)置有通孔(19)，支承桌(I)的桌面上放置有底板(4)，底板(4)的下表面中部垂直固定連接有下圓柱(2)，下圓柱(2)上間隙套有磁鐵環(huán)I (3)，通孔(19)的直徑D大于磁鐵環(huán)I (3)的外徑K，D > K，下圓柱(2)和磁鐵環(huán)I (3)均穿過(guò)通孔(19)位于支承桌(I)桌面之下，在底板(4)上表面中部且在與下圓柱(2)對(duì)應(yīng)的位置垂直固定連接有上圓柱(5)，上圓柱(5)上間隙套有磁鐵環(huán)II (6)，磁鐵環(huán)I (3)與磁鐵環(huán)II (6)相鄰的磁極為同極；真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)放置在底板(4)的上表面中部，且上圓柱(5)及其套有磁鐵環(huán)II (6)位于真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)的室內(nèi)；支架(8)的四條支腿(17)放置在磁鐵環(huán)II (6)的上表面上，在支架(8)的支承板(18)上放置有滲透液盛放容器(9)，滲透液盛放容器(9)位于真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)室內(nèi)的環(huán)狀承接臺(tái)(15)的下方；支腿(17)的長(zhǎng)度H與磁鐵環(huán)II (6)的厚度N之和大于上圓柱(5)的柱高L，H+N> L ;磁鐵環(huán)II (6)位于上圓柱(5)最低處時(shí)，滲透液盛放容器(9) 口與環(huán)狀承接臺(tái)(15)下表面之間的距離R為80cm?120cm;真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)的底端口通過(guò)密封圈II (16)與底板(4)的上表面密封連接，真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)的頂端口通過(guò)密封圈I (13)與蓋板(12)密封連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水稻真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化裝置，其特征在于:真空滲透遺傳轉(zhuǎn)化室(7)室內(nèi)壁連接的環(huán)狀承接臺(tái)(15)的環(huán)孔孔徑M為18?23cm。
【文檔編號(hào)】C12M1/42GK104263645SQ201410467839
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月16日
【發(fā)明者】鐘巧芳, 程在全, 李維蛟, 張敦宇, 殷富有, 李定琴, 余騰瓊, 柯學(xué), 肖素勤, 陳玲, 陳越, 付堅(jiān), 王玲仙, 蔣聰, 王波, 曾民, 李娥賢, 羅紅梅, 蔣春苗, 黃興奇 申請(qǐng)人:云南省農(nóng)業(yè)科學(xué)院生物技術(shù)與種質(zhì)資源研究所